KR20080059808A - 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20080059808A
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이상근
이종화
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Abstract

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 기판 상에 구비된 제 1 전극, 제 1 전극 상에 구비되며, 제 1 전극의 일부분을 노출하는 개구부(즉, 발광부)를 구비하는 버퍼 패턴, 개구부와 버퍼 패턴 상에 구비된 보조 전극, 적어도 보조 전극을 덮는 유기막층 및 유기막층 상에 구비된 제 2 전극을 포함하는 유기발광다이오드 표시 장치를 제공함으로써 노출된 제 1 전극과 버퍼 패턴의 끝단부의 경계 영역에서 발생하는 전류 집중에 의한 링(Ring) 불량을 방지할 수 있다.
유기발광다이오드, 보조 전극, 링 불량, 버퍼 패턴, 발광부

Description

유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
도 1은 종래 기술에 의한 유기발광다이오드 표시장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 종래 기술에 의한 유기발광다이오드 표시장치에서 발생하는 링 현상을 보여주는 사진이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 4a 내지 도 4c, 도 5 및 도 6은 본 발명의 일실시 예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조 방법을 설명한 단면도들이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
200 : 기판 210 : 제 1 전극
220 : 유기막층 230 : 제 2 전극
240 : 버퍼 패턴 245 : 버퍼 패턴의 끝단부
250 : 보조 전극 260 : 격벽
270 : 제 2 전극 콘택부재 280 : 제 1 전극 콘택부재
본 발명은 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로 버퍼 패턴에 의해 노출된 제 1 전극과 버퍼 패턴의 끝단부의 경계 영역에서 발생하는 링 현상을 방지할 수 있는 보조 전극을 상기 노출된 제 1 전극과 버퍼 패턴 끝단부 상에 구비한 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기발광다이오드 표시장치는 자체발광형으로 액정표시장치와 같은 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능할 뿐만 아니라, 단순한 공정을 거쳐 제조될 수 있어 가격 경쟁력을 키울 수 있다. 또한, 유기발광다이오드 표시장치는 저전압 구동, 높은 발광효율, 넓은 시야각을 가짐에 따라, 차세대 디스플레이로서 급상승하고 있다.
유기발광다이오드 표시장치는 광을 발생하는 유기발광다이오드와 상기 유기발광다이오드의 구동을 제어하는 박막트랜지스터를 포함한다. 여기서, 박막트랜지스터는 유기발광다이오드를 개별적으로 구동하여, 유기발광다이오드에 낮은 전류를 인가하더라도 유기발광다이오드는 동일한 휘도를 나타낼 수 있다. 이로써, 유기발광다이오드 표시장치는 박막트랜지스터를 구비함으로써, 저소비 전력, 고정세, 대형화에 유리할 뿐만 아니라, 장치의 수명을 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 유기발광다이오드 표시장치를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하여 설명하면, 종래 기술에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 기판(110), 상기 기판(110) 상에 구비된 제 1 전극(120), 상기 제 1 전극(120) 상에 구비되며, 상기 제 1 전극(120)의 일부분을 노출시켜 발광부(E)를 정의하는 버퍼 패턴(130), 상기 버퍼 패턴(130) 상에 구비되며, 단위 화소(P)를 정의하는 격벽(140), 상기 격벽(140)에 의해 자동적으로 패터닝되어 상기 제 1 전극(120) 및 버퍼 패턴(130) 상에 구비된 유기막층(150) 및 제 2 전극(160)을 구비하고 있다.
이때, 도 1에 도시된 확대 영역은 상기 발광부(E)의 가장자리 즉, 상기 버퍼 패턴(130)의 끝단부를 확대하고 있는데, 상기 버퍼 패턴(130)의 끝단부에는 일정한 각도로 갖는 테이퍼를 구비하고 있어 상기 제 1 전극(120)과 버퍼 패턴(130)의 끝단부의 경계 영역(170)에는 상기 제 1 전극(120)과 버퍼 패턴(130)이 일정한 각을 이루고 있는 모서리가 발생하게 된다.
상기 모서리에서의 제 1 전극(120)은 상기 모서리로 인해 전류가 집중하게 된다. 이로 인하여, 도 2에서 보여주는 것과 같은 상기 경계 영역에서의 발광부(E)가 발광부(E)의 다른 부분에 비해 더 밝아지는 링 현상(180)이 발생하게 된다.
상기와 같은 링 현상(180)은 더 밝은 만큼 상기 유기막층(150)의 수명을 단축시켜 유기발광다이오드 표시장치의 수명을 단축시키는 문제를 발생시킨다.
본 발명의 목적은 버퍼 패턴에 의해 노출된 제 1 전극과 버퍼 패턴의 끝단부의 경계 영역에서의 발광부가 다른 영역에서의 발광부에 비해 더 밝아지는 링 현상을 방지할 수 있는 유기발광다이오드 표시장치를 제공함에 있다.
또한, 본 발명의 목적은 상술한 유기발광다이오드 표시 장치의 제조 방법을 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 단위 화소를 구비하는 기판; 상기 기판 상에 구비된 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 구비되며 상기 단위 화소의 일부분을 노출하는 개구부를 구비하는 버퍼 패턴, 상기 개구부와 상기 버퍼 패턴 상에 구비된 보조 전극, 상기 보조 전극과 이격된 버퍼 패턴 상에 구비되고 상기 단위 화소의 외곽을 따라 배치된 격벽, 적어도 상기 보조 전극을 덮는 유기막층 및 상기 유기막층 상에 구비된 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 표시장치를 제공한다.
또한, 상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 일 측면은 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계, 상기 제 1 전극 상에 상기 제 1 전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 구비한 버퍼 패턴을 형성하는 단계, 상기 개구부와 상기 버퍼 패턴 상에 보조 전극을 형성하는 단계, 상기 보조 전극과 이격된 버퍼 패턴 상에 격벽을 형성하는 단계; 적어도 상기 보조 전극을 덮는 유기막층을 형성하는 단계 및 상기 유기막층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 표시장치 제조 방법을 제공한다.
이하, 본 발명에 실시 예는 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조 방법을 나타내는 단면도들을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시 예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지 는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 3을 참조하여 설명하면, 본 발명의 유기발광다이오드 표시장치는 기판(200)과 상기 기판(200)에 대향하는 대향 기판(300)을 구비하고 있으며, 상기 기판(200)과 대향 기판(300)은 실란트(400)에 의해 밀봉되어 있다.
이때, 상기 실란트(400)는 상기 기판(200)과 대향 기판(300) 내부로 수분 또는 산소가 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다.
이때, 상기 유기발광다이오드 표시장치는 복수 개의 단위 화소(P)를 구비할 수 있다.(도 3에서는 설명의 편의를 위해 하나의 단위 화소(P)만을 도시하고 있다)
그리고, 상기 각각 단위 화소(P) 내에는 실제로 광이 발생하는 발광부(E)를 구비하고 있다.
이때, 상기 기판(200) 상에는 순차적으로 형성된 제 1 전극(210), 적어도 발광층을 포함하는 유기막층(220) 및 제 2 전극(230)을 구비한 유기발광다이오드가 배치되어 있다.
자세하게, 상기 기판(200) 상에는 제 1 전극(210)이 배치되어 있다. 즉, 제1 전극(210)은 모든 단위 화소(P)에 일체로 구비되어 모든 단위 화소(P)에 공통으로 사용된다.
상기 제 1 전극(210)상에 단위 화소(P) 중 광이 발생되는 발광부(E)을 노출하는 버퍼 패턴(240)이 배치되어 있다.
여기서, 상기 버퍼 패턴(240)은 단위 화소(P) 중 실질적으로 발광하는 발광부를 노출하며 단위 화소(P)의 주변에 배치된다.
상기 버퍼 패턴(240)은 화질을 개선하기 위한 마진영역일 수 있다. 이는 유기막층(230)이 각 단위화소(P)별로 패터닝되는 단계에서 인접한 단위화소에 연장되어 형성되는 불량이 발생할 수 있어, 서로 인접한 단위화소들간의 혼색이 발생될 수 있기 때문이다. 그리고, 상기 버퍼 패턴(240)은 제 1 전극(210) 및 제 2 전극(230)간의 쇼트 불량을 방지한다. 또한, 상기 버퍼 패턴(240)은 후술 될 격벽(260), 제 2 전극 콘택부재(270) 및 제 1 전극 콘택부재(280)를 고정시키는 역할을 한다. 이는 상기 격벽(260), 제 2 전극 콘택부재(270) 및 제 1 전극 콘택부재(280)는 주로 유기계 물질로 이루어지므로, 상기 제 1 전극(210)과 접착력이 좋지 않기 때문이다. 이로써, 상기 버퍼 패턴(240)은 제 1 전극(210)과 격벽(260), 제 2 전극 콘택부재(270) 및 제 1 전극 콘택부재(280)와 각각 접착력이 우수한 절연물질로 이루어져야 한다.
상기 발광부(E)를 정의하는 버퍼 패턴(240)이 구비된 기판에는 상기 단위 화소(P)의 발광부(E)을 덮을 뿐만 아니라 도 3의 확대한 영역에서 보여 주는 바와 같이 상기 버퍼 패턴(240)의 끝단부(245)를 덮는 보조 전극(250)이 배치된다.
상기 버퍼 패턴(240)의 끝단부(245)는 상기 버퍼 패턴(240)이 일정한 각도를 갖는 테이퍼를 이루고 있어, 상기 버퍼 패턴(240)에 의해 노출된 제 1 전극(210)(즉, 발광부(E))과 버퍼 패턴(240)의 끝단부(245)의 경계 영역(B)에는 상기 제 1 전극(210)과 버퍼 패턴(240)이 일정한 각을 이루고 있어 모서리가 발생하게 된다.
상기 모서리에서는 상기 종래 기술에 상술한 바와 같이, 전류가 집중되어 링 현상이 발생하기 쉬운데, 상기 보조 전극(250)을 구비함으로써, 경계 영역(B)에서의 상기 보조 전극(250)의 표면이 일정 굴곡의 완만한 표면을 가지게 되어 상기 보조 전극(250) 상에 구비되는 유기막층(220) 및 제 2 전극(230) 역시 일정 굴곡의 완만한 곡선으로 구비되어 상기 경계 영역(B)에서 전류가 집중되는 현상이 사라지고 이로 인해 링 현상이 발생하지 않게 된다.
상기 보조 전극(250)은 100 내지 500Å의 두께를 갖고 ITO 또는 IZO 등과 같은 투명한 도전체로 이루어져 있는 것이 바람직하다.
만일 상기 버퍼 패턴(240)이 투명한 절연체로 이루어져 있는 경우, 상기 보조 전극(250)이 구비된 영역만큼 상기 발광부(E)가 확장될 수도 있을 것이다.
상기 버퍼 패턴(240) 상에는 상기 보조 전극(250)과 일전 간격으로 이격된 격벽(260) 및 제 2 전극 콘택부재(270)가 배치되어 있다. 또한 단위 화소(P)의 발광부(E)를 정의하지 않는 버퍼 패턴(240) 상에는 제 1 전극 콘택부재(280)가 배치되어 있다.
여기서, 격벽(260)은 각 단위 화소(P)의 외곽을 따라 배치된다. 실질적으로, 각 단위 화소(P)는 상기 격벽(260)에 의해 정의된다. 상기 격벽(260)은 상기 유기 막층(220) 및 제 2 전극(230)을 쉐도우 마스크없이 각 단위 화소(P)별로 자연적으로 패터닝하는 역할을 한다. 이로써, 상기 격벽(260)의 단면은 역사다리꼴 형상을 가진다.
상기 제 2 전극 콘택부재(270)는 격벽(260)의 내측, 즉 단위 화소(P) 내에 배치된다. 이때, 상기 제 2 전극 콘택 부재(270)는 후술 될 대향 기판의 박막트랜지스터(310)와 상기 제 2 전극(230)을 서로 전기적으로 연결시킬 수 있는 수단이 된다. 이때, 상기 제 2 전극 콘택부재(270)의 표면에는 제 2 전극(230)의 일부가 덮히게 되므로, 제 2 전극 콘택부재(270)의 단면은 정 사다리꼴 형상을 가진다. 즉, 제 2 전극 콘택부재(270)는 발광부(E)에 구비된 제 2 전극(230)에 비해 대향 기판(300)을 향해 돌출된다.
상기 제 1 전극 콘택부재(280)는 상기 단위 화소(P)가 구비되지 않는 외곽에 구비되는데, 상기 제 1 전극 콘택부재(280)의 상부면에는 하부의 제 1 전극(210)과 전기적으로 연결된 도전 패턴(285)을 구비하고 있어 후술될 대향 기판(300)의 공통전원 배선(340)과 전기적으로 연결시킬 수단이 되며, 상기 대향 기판(300)을 향해 돌출된다.
상기 보조 전극(250) 상에는 상기 보조 전극(250)을 덮는 유기막층(220)이 배치된다.
상기 유기막층(220)은 상기 제 1 전극(210) 및 제 2 전극(230)에서 각각 제공된 전자 및 정공이 재결합되면서 광을 발생하게 된다. 여기서, 상기 유기막층(220)은 전자 및 정공이 발광층으로 원활하게 전달하기 위한 제 1 전하주입층, 제 1 전하수송층, 제 2 전하수송층 및 제 2 전하주입층 중 적어도 어느 하나를 더 포함할 수 있다.
상기 제 1 전극(210)과 유기막층(220) 사이에 보조 전극(250)이 구비되어 있어 상기 버퍼 패턴(240)과 제 1 전극(210)의 경계 영역(B)에서 발생하는 전류 집중을 방지할 수 있어, 상기 경계 영역(B)의 유기막층(220)에 전류가 집중되는 것을 방지할 수 있다.
상기 유기막층(220) 상에는 제 2 전극(230)이 배치되어 있다. 상기 제 2 전극(230)은 상기 격벽(260)에 의해 각 단위 화소(P)별로 분리되어 있다.
상기 대향 기판(300)에는 게이트 전극(312), 상기 게이트 전극(312) 상에 구비된 게이트 절연막(314), 상기 게이트 절연막(314) 상에 구비된 반도체층(316) 및 상기 반도체층(316)의 소오스/드레인 영역과 각각 콘택하는 소오스/드레인 전극(318)을 포함하는 박막트랜지스터(310)를 구비하고 있다.
또한, 상기 박막트랜지스터(310)가 구비된 대향 기판(300)에는 상기 박막트랜지스터(310) 상에 구비되며 하부의 소자들을 보호하는 패시베이션층(320)을 구비하고 있고, 상기 패시베이션층(320) 상에는 상기 박막트랜지스터(310)의 소오스/드레인 전극(318) 중 어느 한 전극과 연결된 제 2 전극 콘택 전극(330)을 구비하고 있다.
이때, 상기 제 2 전극 콘택 전극(330)은 상기에서 상술한 제 2 전극 콘택부재(270)의 상부면에 구비된 제 2 전극(230)과 전기적으로 연결되어 있다.
상기 대향 기판(300)상에는 상기 박막트랜지스터(310)와 이격되고, 상기 게 이트 절연막(314) 하부에 구비된 공통전원 배선(340)을 구비하고 있고, 상기 공통전원 배선(340)과 이격되며, 상기 패시베이션층(320) 하부에 위치하는 더미 패턴들(350)을 구비하고 있다.
이때, 상기 더미 패턴들(350)은 상기 박막트랜지스터(310)의 게이트 전극(312), 게이트 절연막(314), 반도체층(316) 및 소오스/드레인 전극(318)과 동일한 물질들로 이루어지며 상기 소자들을 형성할 때 동시에 패터닝되어 적층되어 진다.
또한, 상기 더미 패턴들(350) 상부의 패시베이션층(320) 상에는 공통전원 패드(360)를 구비하고 있는데, 상기 공통전원 배선(340)과 전기적으로 연결되어 있다.
상기 공통전원 패드(360)는 상술한 상기 제 1 전극 콘택부재(280)의 상부면에 구비된 도전 패턴(285)와 전기적으로 콘택되어 있다.
도 4a 내지 도 4c, 도 5 및 도 6은 본 발명의 일실시 예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조 방법을 설명한 단면도들이다.
도 4a를 참조하여 설명하면, 본 발명의 유기발광다이오드 표시장치는 기판(200)을 준비한다. 기판(300)은 투명한 재질로 이루어질 수 있다. 이는 기판(300)을 통해 광이 투과되어, 사용자에게 영상을 제공하기 때문이다. 예를 들어, 기판(300)은 유리기판, 플라스틱 또는 필름등으로 형성할 수 있다.
이어서, 상기 기판(200) 상에 제 1 전극(210)을 형성한다.
이때, 상기 제 1 전극(210)은 투명한 도전체로 이루어질 수 있다. 예를 들 면, 상기 제 1 전극(210)은 ITO 또는 IZO등일 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극(210)은 복수 개의 단위 화소(P)들이 형성된 기판 전면에 걸쳐 형성되어 있다. 이때, 도 4a 내지 도 4d에서는 하나의 단위 화소(P)만 도시하고 있으나 실제로는 복수 개의 단위 화소(P)들이 형성될 수 있다.
이어서, 상기 제 1 전극(210) 상에 상기 제 1 전극(210)의 일부분을 노출시켜 단위 화소(P)의 발광부(E)를 정의하는 격벽용 버퍼 패턴(242)과 제 1 전극 콘택부재용 버퍼 패턴(244)을 포함하는 버퍼 패턴(240)들을 형성한다.
이때, 상기 제 1 전극 콘택부재용 버퍼 패턴(244)은 상기 제 1 전극(210)의 가장자리에 형성된다. 즉, 상기 복수 개의 단위 화소(P)들의 최외곽에 형성된다.
도 4b를 참조하여 설명하면, 상기 단위 화소(P)의 발광부(E)에 노출된 제 1 전극(210)과 상기 버퍼 패턴(240)들 중 격벽용 버퍼 패턴(242)의 끝단부(245) 상에 보조 전극(250)을 형성한다.
이때, 상기 보조 전극(250)은 스퍼터 장치와 같은 물리적 기상 증착 장치로 기판 전체에 걸쳐 보조 전극 형성 물질을 증착한 후, 마스크를 이용하여 상기 단위 화소(P)의 발광부(E)에 노출된 제 1 전극(210)과 상기 버퍼 패턴(240)들 중 격벽용 버퍼 패턴(242)의 끝단부(245) 상에 패터닝하여 형성할 수 있다.
이때, 상기 보조 전극 형성 물질은 100 내지 500Å의 두께로 형성하여 상기 보조 전극(250)의 두께가 100 내지 500Å로 형성되도록 한다.
이때, 상기 보조 전극(250)은 도 4b의 확대한 영역에서 보는 바와 같이 상기 제 1 전극(210)과 격벽용 버퍼 패턴(242)의 끝단부(245)의 경계 영역(B)에서는 상 기 보조 전극(250)의 표면이 일정 굴곡의 완만한 표면을 갖도록 형성한다. 이는 상기에서도 상술한 바와 같이 상기 경계 영역(B)에서, 후술될 유기막층(220) 및 제 2 전극(230)이 일정 굴곡의 완만한 표면을 가진 상기 보조 전극(250) 상에 형성되므로 상기 유기막층(220) 및 제 2 전극(230)이 일정 굴곡으로 완만하게 형성될 수 있기 때문이다. 상기와 같이 일정 굴곡으로 완만하게 형성된 보조 전극(250), 유기막층(220) 및 제 2 전극(230)에서는 전류가 집중되는 현상이 발생되지 않으므로 링 현상과 같은 불량이 발생하지 않을 것이다.
도 4c를 참조하여 설명하면, 상기 보조 전극(250)을 형성한 후, 상기 격벽용 버퍼 패턴(242) 상에는 상기 보조 전극(250)과 일정 간격으로 이격되고, 단위 화소(P)를 정의하는 역테이퍼를 갖는 격벽(260) 및 상기 격벽(260)에 의해 정의되는 단위 화소(P) 내에 구비되되, 상기 보조 전극(250)과 일정 간격으로 이격되도록 구비되는 제 2 전극 콘택부재(270)를 형성하고, 상기 제 1 전극 콘택부재용 버퍼 패턴(244) 상에는 제 1 전극 콘택부재(280)를 형성한다.
이때, 상기 제 1 전극 콘택부재(280) 및 제 2 전극 콘택부재(270)는 동시에 형성되고, 상기 격벽(260)은 별도로 형성되어 지는데, 상기 콘택부재들(270, 280)에 비해 상기 격벽(260)이 먼저 형성될 수도 있고, 나중에 형성될 수도 있다.
도 4d를 참조하여 설명하면, 상기 격벽(260)들에 의해 정의되는 복수 개의 단위 화소(P)들이 형성된 기판상에 적어도 발광층을 포함하는 유기막층(220) 및 제 2 전극(230)을 형성하여 유기발광다이오드를 구비한 기판(200)을 형성한다.
이때, 상기 격벽(260)들은 상기 단위 화소(P)들 별로 상기 유기막층(220) 및 제 2 전극(230)이 자동적으로 패터닝될 수 있도록 한다.
이때, 상기 제 1 전극(210)과 격벽용 버퍼 패턴(242)의 끝단부(245)의 경계 영역(B)에서는 상기 보조 전극(250)의 표면과 같이 상기 유기막층(220)과 제 2 전극(230)이 일정 굴곡의 완만한 곡선을 가지도록 형성한다.
또한, 상기 제 2 전극(230)을 형성하면서, 상기 제 1 전극 콘택부재(280) 상부면에 상기 제 1 전극(210)과 전기적으로 연결되는 도전 패턴(285)을 형성한다.
도 5를 참조하여 설명하면, 대향 기판(300)을 준비한다.
이어서, 상기 대향 기판(300) 상의 일정 위치에 게이트 전극(312)을 형성하고, 상기 게이트 전극(312)이 형성된 대향 기판(300) 상에 게이트 절연막(314)을 형성한다. 이후, 상기 게이트 전극(312)과 대응하는 상기 게이트 절연막(314) 상에 반도체층(316)을 형성한다. 이후, 상기 반도체층(316)의 소오스/드레인 영역과 각각 콘택하는 소오스/드레인 전극(318)을 형성하여 상기 대향 기판(300)상에 박막트랜지스터(310)를 형성한다.
이어서, 상기 박막트랜지스터(310)를 구비한 대향 기판(300) 상에 하부의 소자들을 보호하는 패시베이션층(320)을 형성한다.
이어서, 상기 패시베이션층(320) 상에 상기 소오스/드레인 전극(318) 중 어느 한 전극과 연결되는 제 2 전극 콘택 전극(330)을 형성한다.
한편, 상기 박막트랜지스터(310)과 이격된 위치에 상기 게이트 전극(312)과 동시에 형성되는 공통전원 배선(340)이 형성된다.
그리고 상기 공통전원 배선(340)과 이격된 위치에 상기 박막트랜지스터(310) 의 게이트 전극(312), 게이트 절연막(314), 반도체층(316) 및 소오스/드레인 전극(318)을 형성할 때, 동시에 패터닝되어 적층되는 더미 패턴들(350)이 형성된다.
그리고, 상기 더미 패턴들(350) 상부의 패시베이션층(320) 상에는 공통전원 패드(360)가 상기 제 2 전극 콘택 전극(330)과 동시에 형성될 수 있다. 상기 공통전원 패드(360)는 상기 공통전원 배선(340)과 전기적으로 연결되어 있다.
도 6을 참조하여 설명하면, 상기 도 4a 내지 도 4d에서 상술한 기판(200)과 도 5에서 상술한 대향 기판(300)을 실란트(400)로 서로 합착하여 유기발광다이오드 표시 장치를 완성한다.
이때, 상기 제 2 전극 콘택부재(270) 상부면에 구비된 제 2 전극(230)과 상기 제 2 전극 콘택 전극(330)이 전기적으로 연결되도록 하고, 상기 제 1 전극 콘택부재(280) 상부면에 구비된 도전 패턴(285)과 상기 공통전원 패드(360)가 전기적으로 연결되도록 한다.
제 1 전극(210), 적어도 발광층을 포함하는 유기막층(220) 및 제 2 전극(230)을 구비한 기판(200)과 박막트랜지스터(310) 및 공통전원 배선(340)을 구비한 대향 기판(300)을 합착함으로써, 상기 제 1 전극(210)은 상기 제 1 전극 콘택부재(280)에 의해 상기 공통전원 배선(340)과 전기적으로 연결되고, 상기 제 2 전극(230)은 상기 제 2 전극 콘택부재(270)에 의해 상기 박막트랜지스터(310)와 전기적으로 연결된다. 이로써, 상기 박막트랜지스터(310)를 통해 상기 유기막층의 발광을 제어하고, 상기 제 2 전극(230)에 공통전원을 공급할 수 있게 된다.
상기에서는 본 발명의 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
상기한 바와 같이 본 발명에 따르는 유기발광다이오드 표시장치는 발광부의 노출된 제 1 전극 가장자리와 버퍼 패턴의 끝단부의 경계 영역에는 완만한 굴곡의 표면을 갖는 보조 전극을 상기 발광부와 버퍼 패턴의 끝단부를 덮도록 구성함으로써 경계 영역에서 발생하는 링 현상을 방지하는 유기발광다이오드 표시장치를 제공하고 있다.
또한, 상기한 바와 같이 본 발명에 따르는 유기발광다이오드 표시장치는 버퍼 패턴이 투명한 절연체로 이루어져 있는 경우에는 보조 전극이 덮고 있는 버퍼 패턴의 끝단부까지 발광부를 넓힐 수 있는 유기발광다이오드 표시장치를 제공하고 있다.

Claims (12)

  1. 단위 화소를 구비하는 기판;
    상기 기판 상에 구비된 제 1 전극;
    상기 제 1 전극 상에 구비되며, 상기 단위 화소의 일부분을 노출하는 개구부를 구비하는 버퍼 패턴;
    상기 개구부와 상기 버퍼 패턴 상에 구비된 보조 전극;
    상기 보조 전극과 이격된 버퍼 패턴 상에 구비되고, 상기 단위 화소의 외곽을 따라 배치된 격벽;
    적어도 상기 보조 전극을 덮는 유기막층; 및
    상기 유기막층 상에 구비된 제 2 전극;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조 전극은 상기 제 1 전극과 버퍼 패턴의 경계 영역에서 표면이 일정 굴곡을 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 표시장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 보조 전극은 100 내지 500Å의 두께인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 표시장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 버퍼 패턴은 투명한 절연체인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 표시 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 단위 화소 내에 구비되되, 상기 제 1 전극과 버퍼 패턴 사이에 구비된 콘택 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 표시장치. .
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판에 대향하는 대향 기판을 더 구비하며, 상기 대향 기판 상에는 박막트랜지스터를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 표시장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 대향 기판 상에 구비된 박막트랜지스터의 소오스/드레인 전극 중 어느 한 전극과 상기 기판 상에 구비된 제 2 전극이 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 표시 장치.
  8. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제 1 전극 상에 상기 제 1 전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 구비한 버퍼 패턴을 형성하는 단계;
    상기 개구부와 상기 버퍼 패턴 상에 보조 전극을 형성하는 단계;
    상기 보조 전극과 이격된 버퍼 패턴 상에 격벽을 형성하는 단계;
    적어도 상기 보조 전극을 덮는 유기막층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기막층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 표시장치 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 개구부와 상기 버퍼 패턴 상에 보조 전극을 형성하는 단계는
    상기 버퍼 패턴이 형성된 기판 상에 보조 전극 형성 물질을 증착하는 단계; 및
    상기 보조 전극 형성 물질을 패터닝하여 상기 개구부와 상기 버퍼 패턴을 덮는 보조 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 표시장치 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 보조 전극 형성 물질을 증착하는 단계는 스퍼터 장치를 이용하여 상기 보조 전극 형성 물질을 증착하는 단계인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 표시 장치 제조 방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 유기막층을 형성하는 단계 이전에,
    상기 격벽이 형성된 버퍼 패턴 상에 콘택 부재를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 표시 장치 제조 방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 전극을 형성하는 단계 이후에,
    상기 기판에 대향하며, 박막트랜지스터가 구비된 대향 기판을 준비하는 단계; 및
    상기 기판과 대향 기판을 합착하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 표시장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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