JP2004224983A - 複合誘電体材料および基板 - Google Patents

Abstract

【課題】高い誘電特性および高い電気抵抗率を兼ね備えた複合誘電体材料およびこれを用いた基板を提供する。
【解決手段】球状の誘電体粉末に、４より小さい価数を少なくとも２以上もつ遷移金属元素の酸化物が含有されるようにした。この誘電体粉末を用いた複合誘電体材料によれば、良好な誘電特性を保ちつつ、電気抵抗率を１．０×１０^１２Ωｃｍ以上という高い値とすることが可能となる。
【選択図】 なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波領域での使用に好適な複合誘電体材料および基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、通信情報の急増に伴い、通信機の小型化、軽量化、高速化が強く望まれている。特に、自動車電話、デジタル携帯電話等の携帯移動体通信、衛星通信に使用される電波の周波数帯域はメガからギガＨｚ帯（以下、「ＧＨｚ帯」という）の高周波帯域のものが使用されている。
使用される通信機器の急速な発展の中で、筺体および基板、電子素子の小型高密度実装化が図られているが、高周波帯域に対応した通信機器の小型化、軽量化をより一層推進するためには、通信機器に使用される基板等の材料はＧＨｚ帯において高周波伝送特性が優れた（誘電損失が小さい）ものでなければならない。
ここで、誘電損失は周波数と基板の誘電率εと誘電正接（以下ｔａｎδと記載する）の積に比例する。よって、誘電損失を小さくするためには基板のｔａｎδを小さくしなければならない。また、基板中では電磁波の波長が１／√εに短縮されるため、誘電率εが大きい程基板の小型化が可能である。
以上のことから高周波帯域で使用される小型の通信機器、電子機器、情報機器に用いる回路基板としては、誘電率εが高く、かつｔａｎδが小さい材料特性が要求されている。
【０００３】
このような回路基板の材料としては、無機材料として誘電体セラミックス材料、有機材料としてフッ素樹脂等が用いられている。ところが、誘電体材料からなる基板は、誘電率ε、ｔａｎδの特性は優れているが寸法精度、加工性に難点があり、脆いため欠けや割れが生じやすいという問題点があった。他方、樹脂等の有機材料からなる基板は、成形性及び加工性に優れｔａｎδも小さいという利点はあるが、誘電率εが小さいという問題があった。このため、近年、両者の利点を有する基板を得るため、有機材料と無機材料の複合体として樹脂材料中に誘電体材料を混合してなる複合基板が提案されている（例えば特許第２６１７６３９号公報等参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特許第２６１７６３９号公報（第２頁）
【特許文献２】
特開２００２−１５８１３５号公報（特許請求の範囲）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
こうした複合基板の登場に伴い、樹脂材料に対する分散性、充填性に優れた誘電体材料が要求されている。樹脂材料に対する分散性、充填性を確保するための一つの要素として、粉末の粒径がある。例えば、沈殿法のように液相から製造された粉末は微細すぎて樹脂材料に対する分散性、充填性を確保することができない。また、原料を混合し、乾燥後仮焼きした後ボールミル等の粉砕装置によって粉砕し、さらに乾燥装置によって乾燥後、気流粉砕装置等の粉砕機によって微粉砕して得られたいわゆる粉砕粉末は、粒子の形態が不定形となり、樹脂材料に対する分散性、充填性を確保することができない。つまり、樹脂材料に対する分散性、充填性を確保するための他の要素として、粒子の形態がある。この粒子の形態に着目した先行技術として、特開２００２−１５８１３５号公報がある。特開２００２−１５８１３５号公報では、形状（投影形状）が円、扁平円、または楕円形である誘電体を樹脂中に分散した複合誘電体材料およびこれを用いた電子部品が開示されている。より具体的には、特開２００２−１５８１３５号公報には、投影形状が円である誘電体として、平均粒径が１〜５０μｍ、球形度が０．９〜１．０であるものを用いるとの記載がある。なお、本願明細書中において、粉末とは粒子の集合を意味しており、粒子の集合体として粉末と呼ぶのが適当と判断される場合には「粉末」といい、粉末を構成する単位としての「粒子」と呼ぶのが適当と判断される場合には粒子ということにする。しかし、その基本単位が共通であるから、その実態に差異がない場合があることは言うまでもない。したがって、「粉末」および「粒子」のいずれの表現を用いることができる場合がある。
【０００６】
上記した特許第２６１７６３９号公報では、誘電体材料として高誘電率の酸化チタン粒子を選択し、この酸化チタン粒子の表面に無機水酸化物および／または無機酸化物からなる無機コーティングが施されている粒子を樹脂中に分散させることによって、樹脂材料に対する分散性を確保することを提案している。
しかしながら、特許第２６１７６３９号公報に記載の複合誘電体材料を用いてなる基板は、高周波（特に、１００ＭＨｚ以上）帯域におけるｔａｎδが大きいという問題がある。今後も使用周波数帯はどんどん高周波帯域へ移行していくことを考慮すると、ＧＨｚ帯の高周波帯域においても、高い誘電率εおよび低いｔａｎδ、つまり高いＱ値（ここで、Ｑはｔａｎδの逆数であり、Ｑ＝１／ｔａｎδ）を得ることができる複合誘電体材料が望まれる。
一方、上記した特開２００２−１５８１３５号公報に記載の複合誘電体材料を用いた場合には、基板のパターンが複合誘電体材料を充填しにくい形状であっても、充填性がよいという利点がある。しかしながら、特開２００２−１５８１３５号公報に記載の複合誘電体は、樹脂材料と誘電体材料の合計を１００ｖｏｌ％とした場合に、誘電体材料の含有量が３０ｖｏｌ％以上になると、急激に電気抵抗率が低下してしまうという問題がある。複合誘電体を用いて基板を作製する際には、高い誘電率εおよび低いｔａｎδ、つまり高いＱ値が求められることは上述の通りである。そして、複合材料において高い誘電率εを得るためには、誘電体材料の含有量を少なくとも３０ｖｏｌ％以上にする必要があるが、特開２００２−１５８１３５号公報に記載の複合誘電体では、誘電率εを高めるために誘電体材料の含有量を増やすと電気抵抗率が低下してしまうのである。
そこで本発明は、高い誘電率ε、低いｔａｎδおよび高い電気抵抗率を兼ね備えた複合誘電体材料を提供することを課題とする。また本発明は、上記特性を兼ね備えるとともに、成形性及び加工性に優れ、小型機器への対応が容易な複合誘電体材料およびこれを用いた基板を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明者が様々な検討を行ったところ、球状の誘電体セラミックス粉末に、複数の価数を有する遷移金属元素の酸化物を含有させることが、電気抵抗率を向上させる上で極めて有効であることを知見した。すなわち、本発明は、樹脂材料と、当該樹脂材料と混合される略球形の誘電体セラミックス粉末とを備えた複合誘電体材料であって、誘電体セラミックス粉末はＢａＯ−Ｒ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２系（Ｒ：希土類元素、Ｒ_２Ｏ_３：希土類元素の酸化物）であり、かつ、誘電体セラミックス粉末には、４より小さい価数のイオンが少なくとも２以上の価数状態をもつ遷移金属元素の酸化物が含有されていることを特徴とする複合誘電体材料を提供する。また、誘電体セラミックス粉末としては、例えば粒子の球状度が０．８〜１のものを用いることができる。
誘電体セラミックス粉末としてＢａＯ−Ｒ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２系のものを用いると、高周波における誘電率εを向上させる上で有効である。ここで、誘電体セラミックス粉末がＢａＯ−Ｒ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２系である場合には、Ｔｉの価数は４となる。Ｔｉの酸化物は酸素空位が生じやすく、ｎ型半導体になりやすい。そこで、この空位を埋めやすい、価数の変動が可能な添加物を入れることにより、電気抵抗率を向上させることができる。この点に着目して、略球形の誘電体セラミックス粉末に、４より小さい価数のイオンが少なくとも２以上の価数状態をもつ遷移金属元素の酸化物を含有させることにより、複合誘電体材料の電気抵抗率を向上させるというのが、本願の特徴である。ここで、価数を複数とりうる元素を対象としているのは、こうした元素は酸化または還元の際に価数の変動が生じやすく、酸素空位を埋めやすいためである。４より小さい価数のイオンが少なくとも２以上の価数状態をもつ遷移金属元素としては、例えばＭｎ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕが挙げられるが、なかでも、ＭｎおよびＣｒが好ましい。Ｍｎは２〜４、６、７という５つの価数をとることができ、しかも、価数が２または３のときに安定な元素であるため、アクセプターとして有効に機能する。同様の理由で、２〜４、６という４つの価数をとることができるＣｒも、略球形の誘電体セラミックス粉末に含有させるべき元素として好ましい。
【０００８】
また、複合誘電体材料を作製する際に、誘電体セラミックス粉末の比表面積が１．２ｍ^２／ｇ以下（０を含まず）と小さくなると、電気抵抗率が減少してしまう。この不具合を解消すべく、本発明者が検討を行ったところ、誘電体セラミックス粉末にＭｎ酸化物，Ｃｒ酸化物，Ｆｅ酸化物，Ｃｏ酸化物，Ｎｉ酸化物およびＣｕ酸化物のうち１種または２種以上を含有させることによって、誘電体セラミックス粉末の比表面積が小さい場合であっても、電気抵抗率の低下を抑制することができることを知見した。すなわち、本発明は、樹脂材料と、当該樹脂材料と混合される誘電体セラミックス粉末とを備えた複合誘電体材料であって、誘電体セラミックス粉末は、Ｍｎ酸化物，Ｃｒ酸化物，Ｆｅ酸化物，Ｃｏ酸化物，Ｎｉ酸化物およびＣｕ酸化物のうち１種または２種以上を含有し、かつ比表面積が１．２ｍ^２／ｇ以下（０を含まず）であることを特徴とする複合誘電体材料を提供する。
【０００９】
上述した酸化物のなかでは、Ｍｎ酸化物が特に好ましい。複合誘電体材料中にＭｎ酸化物を含有させる場合には、Ｍｎ酸化物の含有量をＭｎＯ換算で０．１２ｗｔ％以下（０を含まず）とすることが望ましい。この範囲でＭｎ酸化物を含有させることによって、良好な誘電特性を保ちつつ、電気抵抗率を１．０×１０^１２Ωｃｍ以上、さらには１．０×１０^１３Ωｃｍ以上という高い値とすることが可能となる。Ｍｎ酸化物のより望ましい含有量は０．０１〜０．１ｗｔ％である。
【００１０】
また、本発明に係る複合誘電体材料において、誘電体セラミックス粉末を、その粒子の球状度が０．８〜１であるものとすることにより、樹脂に対する誘電体セラミックス粉末の充填性が向上する。
さらに、本発明に係る複合誘電体材料では、樹脂材料と誘電体セラミックス粉末との合計を１００ｖｏｌ％としたとき、誘電体セラミックス粉末の含有量を４０ｖｏｌ％以上７０ｖｏｌ％以下とする。Ｍｎ酸化物等を誘電体セラミックス粉末に含有させることによって、誘電体セラミックス粉末の含有量が４０ｖｏｌ％以上となった際にも電気抵抗率の低下を抑制することができる。
【００１１】
さらにまた、本発明に係る複合誘電体材料における樹脂材料としては、ポリビニルベンジルエーテル化合物が好ましい。ポリビニルベンジルエーテル化合物は、他の樹脂材料と比較して、誘電率εが低く、Ｑ値が高いという優れた電気特性を有する（ε＝２．５、Ｑ＝２６０）。よって、本発明に係る樹脂材料としてポリビニルベンジルエーテル化合物を用いた場合には、誘電特性が良好な複合誘電体材料を得ることができる。
【００１２】
また、本発明は、樹脂材料と、誘電体セラミックス粉末との混合物からなる基板であって、誘電体セラミックス粉末は略球形であり、樹脂材料と誘電体セラミックス粉末との合計を１００ｖｏｌ％としたとき、誘電体セラミックス粉末の含有量が４０ｖｏｌ％以上７０ｖｏｌ％以下であるとともに、その電気抵抗率が１．０×１０^１２Ωｃｍ以上であることを特徴とする基板を提供する。こうした特性を有する基板は、例えばＭｎ酸化物等を含有する誘電体セラミックス粉末を樹脂と混合することによって得ることができる。
さらに本発明は、その表面に突起を有する基材と、当該突起が形成された基材を被覆する複合誘電体材料とからなる基板を提供することができる。この基板において、複合誘電体材料は、樹脂材料と、この樹脂材料と混合される、Ｍｎ酸化物を含有しかつ略球形の誘電体セラミックス粉末とを含むものとすることができる。
上述した本発明に係る基板は、電子部品用として用いることができ、特にＧＨｚ帯で用いられる電子部品用基板として好適である。なお、略球形の誘電体セラミックス粉末としては、例えば球状度が０．８〜１のものを用いることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を実施の形態に基づいて説明する。
本発明の複合誘電体材料は、樹脂材料と混合される略球形の誘電体セラミックス粉末に、４より小さい価数のイオンが少なくとも２以上の価数状態をもつ遷移金属元素の酸化物が含有されていることを一つの特徴としている。
誘電体セラミックス粉末としては、例えば、チタン酸バリウム系、チタン酸鉛系、チタン酸ストロンチウム系、二酸化チタン系の酸化物を挙げることができる。なかでも、チタン酸バリウム系の誘電体セラミックス粉末が好ましく、特に、ＢａＯ−Ｒ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２系（Ｒ：希土類元素、Ｒ_２Ｏ_３：希土類元素の酸化物）でタングステンブロンズ構造を示す常誘電体セラミックス粉末は、高周波で良好な誘電体特性を示すため好ましい。ここで、希土類元素Ｒとは、Ｙを含む希土類元素（Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕ）の１種または２種以上である。なかでも、Ｎｄは資源的に豊富で比較的安価であることから、希土類元素Ｒとしての主成分をＮｄとすることが好ましい。
誘電体セラミックス粉末としてＢａＯ−Ｒ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２系のものを用いる場合には、最終組成でＢａＯ：６．６７〜２１．６７ｍｏｌ％、ＲＯ：６．６７〜２６．６７ｍｏｌ％、ＴｉＯ_２：６１．６６〜７６．６６ｍｏｌ％、となるように配合することが望ましい。また、ＢａＯ−Ｒ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２系の組成に、適宜Ｂｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｇｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｍｇ等の酸化物を加えてもよい。Ｂｉを添加することにより、温度特性が改善されるとともに、誘電率εが向上する。また、Ｚｒ，Ｔａ，Ｇｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｍｇは温度特性を改善する上で有効である。
【００１４】
次に、誘電体セラミックス粉末に含有される、特有の価数状態をもつ遷移金属元素の酸化物について説明する。このような遷移金属元素の酸化物としては、例えばＭｎ酸化物，Ｃｒ酸化物，Ｆｅ酸化物，Ｃｏ酸化物，Ｎｉ酸化物およびＣｕ酸化物等が挙げられる（以下、Ｍｎ酸化物，Ｃｒ酸化物，Ｆｅ酸化物，Ｃｏ酸化物，Ｎｉ酸化物およびＣｕ酸化物を総称して、適宜、「Ｍｎ酸化物等」と称する）。以下に示すように、Ｍｎ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，ＮｉおよびＣｕはいずれも複数の価数をとりうる元素である。つまり、これらの元素はいずれも４より小さい価数のイオンが少なくとも２以上の価数状態をもつ。
Ｍｎ^２＋，Ｍｎ^３＋，Ｍｎ^４＋，Ｍｎ^６＋，Ｍｎ^７＋
Ｃｒ^２＋，Ｃｒ^３＋，Ｃｒ^４＋，Ｃｒ^６＋
Ｆｅ^２＋，Ｆｅ^３＋
Ｎｉ^２＋，Ｎｉ^３＋
Ｃｕ^２＋，Ｃｕ^３＋
【００１５】
Ｍｎ等の元素は、酸化物または炭酸塩粉末として準備される。後述するように、Ｍｎ等の元素は、母材となる誘電体セラミックス粉末を球状化する前に添加されるが、母材が酸化物であるため、Ｍｎ等の元素も溶融時に酸化してしまう。よって、Ｍｎ等の元素は最終的に酸化物として、誘電体セラミックス粉末に含有されることとなる。
【００１６】
複合誘電体材料におけるＭｎ酸化物，Ｃｒ酸化物，Ｆｅ酸化物，Ｃｏ酸化物，Ｎｉ酸化物およびＣｕ酸化物の含有量はＭｎＯ換算で０．１２ｗｔ％以下（０を含まず）とする。この範囲でＭｎ酸化物等を含有させることで、高い誘電特性を維持しつつ、電気抵抗率を向上させることができる。特に、複合誘電体材料中におけるＭｎ酸化物等の含有量を０．０１〜０．１ｗｔ％以下とした場合には、複合誘電体材料の電気抵抗率を１．０×１０^１２Ωｃｍ以上とすることができる。なお、このＭｎ酸化物等の含有量は、焼成後のＭｎ，Ｃｒ等の含有量から求められる換算値である。
【００１７】
Ｍｎ酸化物等を含有する本発明の誘電体セラミックス粉末は、粒子の球状度が０．８〜１と真球に近い形状を有する。以下、図１を用いて、こうした球状の誘電体セラミックス粉末を得るのに好適な方法について説明する。なお、本発明において、以下に説明する方法以外の方法を用いて球状の誘電体セラミックス粉末を得ることももちろん可能である。
【００１８】
図１は、本発明に係る球状の誘電体セラミックス粉末（遷移金属元素Ｔの酸化物を含有）の製造工程を示すフローチャートである。図１に示すように、本実施の形態では、秤量工程（ステップＳ１０１）、混合・乾燥工程（ステップＳ１０３）、仮焼成工程（ステップＳ１０５）、微粉砕工程（ステップＳ１０７）、スラリー化工程（ステップＳ１０９）、造粒・球状化工程（ステップＳ１１１）、アニール工程（ステップＳ１１３）および凝集解砕工程（ステップＳ１１５）を経ることによって、遷移金属元素Ｔの酸化物を含有する球状の誘電体セラミックス粉末が作製される。以下、各工程について詳述する。
【００１９】
まず、秤量工程（ステップＳ１０１）において、原料粉末を秤量する。例えば、 ＢａＯ−Ｒ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２系の組成を有し、かつＭｎ酸化物を含有する誘電体セラミックス粉末を最終的に得たい場合には、原料粉末としてＢａＯ、Ｒ化合物（例えば２Ｎｄ（ＯＨ）_３）、ＴｉＯ_２、ＭｎＣＯ_３をそれぞれ秤量する。
続く混合・乾燥工程（ステップＳ１０３）では、秤量工程（ステップＳ１０１）で秤量した各原料粉末に分散剤を添加し、ボールミル等を用いて混合する。なお、分散剤の添加量は、出発原料粉末の合計量に対し、固形分で０．１〜０．３ｗｔ％程度とすればよい。分散剤が添加された混合物をバット等に載置し、１０〜４０時間ほど乾燥させた後、続く仮焼成工程（ステップＳ１０５）に進む。
【００２０】
仮焼成工程（ステップＳ１０５）では、分散剤が添加された混合材料を１１００〜１４００℃で１〜５時間程度焼成する。仮焼成された混合材料は、続く微粉砕工程（ステップＳ１０７）で平均粒径が０．８〜１．２μｍになるまで微粉砕される。なお、微粉砕の際にも、ボールミルを用いることができる。
【００２１】
スラリー化工程（ステップＳ１０９）では、微粉砕された混合材料に分散媒を固形分で０．１〜０．３ｗｔ％程度添加した後に、ボールミルまたはアトライタ等の混合機を用いて混合することでスラリーが作製される。分散媒として水を用いることができるが、出発原料粉末の分散性を向上するために分散剤を添加することが推奨される。出発原料粉末同士を機械的に結合するための結合剤、例えばＰＶＡ（ポリビニルアルコール）を添加することもできる。
【００２２】
続く造粒・球状化工程（ステップＳ１１１）では、スプレー・ノズルを用いた噴霧造粒法を用いて顆粒粉末が作製され、これをバーナー炉で溶融することによって球状粉末が作製される。すなわち、まず、スラリー化工程（ステップＳ１０９）で作製したスラリー（出発原料粉末を含むスラリー）をスプレー・ノズルまたは回転ディスク等により噴霧して液滴を形成する。ここで、スプレー・ノズルは、上記のスラリーと圧縮気体とを噴霧するためのものであり、２流体ノズル、あるいは４流体ノズルを用いることができる。圧縮気体とともにスプレー・ノズルから吐出されたスラリーは微粒化されて噴霧を形成する。噴霧中の液滴の粒径は、スラリー流量と圧縮気体の圧力の比率により制御することができる。液滴の粒径を制御することにより、最終的に得られる顆粒粉末の粒径を制御することができる。噴霧状態のスラリーが自由落下する過程で水分を乾燥するための熱を与えることにより、液体成分を乾燥、除去した粉末を得ることができる。この熱は、スプレー・ノズルから吐出する気体を加熱気体とする、あるいは噴霧雰囲気に加熱気体を供給することにより与えることができる。乾燥のためには、１００℃以上の加熱気体を用いればよい。スプレー・ノズルによる噴霧および乾燥の工程は、所定のチャンバ内で行われる。スプレー・ノズルを用いた噴霧造粒法により得られる粉体は、通常、顆粒粉末である。この顆粒粉末の粒径は、前述のように、スラリーと圧縮気体との比率によって制御することができる。スラリー同士を衝突させることにより小さな液滴を作製することもできる。
【００２３】
以上のようにして得られた顆粒粉末を燃焼炎中に供給する。
供給された顆粒粉末は、燃焼炎中に所定時間だけ滞留する。滞留中に顆粒粉末は、熱処理される。具体的には、顆粒粉末が溶融し、球状粒子を構成する。顆粒粉末が２種類以上の元素の粒子から構成される場合には、溶融時に反応することにより最終的に得たい誘電体材料、例えばＭｎ酸化物等を含有する誘電体材料を構成する。なお、燃焼炎中に供給される顆粒粉末は、乾式状態で供給することもできるが、当該顆粒粉末を含むスラリーとして湿式状態で供給することもできる。
【００２４】
燃焼炎を得るための燃焼ガスは、特に制限されない。ＬＰＧ、水素、アセチレン等公知の燃焼ガスを用いることができる。本発明では、酸化物を処理するため、燃焼炎酸化度を制御する必要があり、燃焼ガスに対して適当な量の酸素を供給することが望まれる。ＬＰＧを燃焼ガスとして用いる場合にはＬＰＧ供給量の５倍の酸素を、アセチレンを燃焼ガスとして用いる場合にはアセチレン供給量の２．５倍の酸素を、また水素を燃焼ガスとして用いる場合には水素供給量の０．５倍の酸素を供給すると等量となる。この値を基準として酸素供給量を適宜設定することにより、燃焼炎の酸化度を制御することができる。これら燃焼ガスの流量は、バーナのサイズに応じて適宜定めればよい。
【００２５】
燃焼炎の温度は、燃焼ガスの種類、量、酸素との比率、顆粒粉末の供給量等によって変動する。ＬＰＧを用いる場合には約２１００℃まで、アセチレンを用いる場合には約２６００℃までの温度を得ることができる。
燃焼炎に対する顆粒粉末の供給の手法は、顆粒粉末が燃焼炎内に入る限り制限はない。しかし、バーナから炎の軸に沿って供給することが望ましい。燃焼炎内を顆粒粉末が通過する時間をより長くするためである。したがって、燃焼炎下部に達する前に顆粒粉末が燃焼炎の外に漏洩しないように制御することが望ましい。
【００２６】
顆粒粉末の供給は、酸素等のキャリア・ガスを用いて行われるが、流動性の良好な顆粒粉末を用いていることで、キャリア・ガスによる搬送性が高まる。ちなみに、粉砕粉をキャリア・ガスにて搬送しようとすると、粉砕粉は不規則形状をなし、かつ粒度分布も大きいので、流動性が劣り、搬送性が悪い。
また、当然のことではあるが、供給する顆粒粉を増加するためには、キャリア・ガス量を増加する必要があり、キャリア・ガスに酸素を用いる場合は、支燃ガスである酸素の量を減少させ、キャリア・ガスと支燃ガスとの混合比率を調整する必要がある。
【００２７】
造粒・球状化工程（ステップＳ１１１）を経た後、アニール工程（ステップＳ１１３）に進む。アニール工程（ステップＳ１１３）では、球状の顆粒粉末は、熱処理温度１０００〜１３００℃で約２〜５時間、保持される。このアニール工程（ステップＳ１１３）により、造粒・球状化工程（ステップＳ１１１）においてアモルファス状になった球状の顆粒粉末が再結晶化される。なお、熱処理雰囲気は、例えば大気中とすることができる。
また、上記した造粒・球状化工程（ステップＳ１１１）における溶融で、粉末同士が反応して部分的にくっついてしまうことがある。このくっつきを解消するために行われるのが、凝集解砕工程（ステップＳ１１５）である。凝集解砕工程（ステップＳ１１５）では、ボールミル等を使用して、部分的に付着した粉同士の解砕を行う。
【００２８】
以上のステップＳ１０１〜ステップＳ１１５を経ることにより得られる球状粉末の平均粒径は、０．１〜５０μｍ程度であり、特に０．５〜１０μｍ程度の粒子を得ることが可能である（平均粒径の測定には、日本精機（株）製マイクロトラックを使用。後述の実施例も同様）。
誘電体セラミックス粉末と樹脂とを混合して複合誘電体材料を得る場合には、誘電体セラミックス粉末の平均粒径は、０．５〜１０μｍとする。誘電体セラミックス粉末の平均粒径が０．５μｍ未満になると、高い誘電体特性、具体的には２ＧＨｚにおいて８以上、さらには１０以上の誘電率εを得ることが困難である。また、誘電体セラミックス粉末の平均粒径が０．５μｍ未満と小さい場合には、樹脂との混練がしにくいという不都合も生じ、誘電体セラミックス粉末の粒子が凝集して不均一な混合体となるなど、取り扱いが困難となる。
一方、誘電体セラミックス粉末の平均粒径が１０μｍを超えると、誘電体特性は良好であるものの、パターン等が作製し難く、厚さの薄い平滑な基板を得にくいという問題が生じる。よって、誘電体セラミックス粉末の平均粒径は、０．５〜１０μｍとする。誘電体セラミックス粉末の望ましい平均粒径は１〜６μｍ、さらに望ましい平均粒径は１〜３μｍである。誘電体セラミックス粉末の平均粒径を０．５〜１０μｍとすることによって、２ＧＨｚという高い周波数帯域においても、１０以上の誘電率εおよび３００以上のＱ値を得ることが可能となる。
【００２９】
また上述した方法によれば、粒子の球状度が０．８〜１である誘電体セラミックス粉末を得ることができる。また、球状度が０．８５〜１、さらには０．９〜１である誘電体セラミックス粉末を得ることもできる。球状度が０．８以上である誘電体セラミックス粉末を用いた場合には、樹脂材料に対して均一に分散しやすくなる。
ここで「球状」とは、表面が平滑な完全な球状のほか、極めて真球に近い多面体を含む。具体的には、Ｗｕｌｆｆモデルで表されるような安定な結晶面で囲まれた等方的な対称性を有し、かつ球状度が１に近い多面体粒子も含まれる。また、微小な凹凸が表面に形成されている粒子、あるいは楕円状の断面を有する粒子であっても、球状度が０．８〜１の範囲にあれば、本発明で言う球状に該当する。ここで「球状度」とは、Ｗａｄｅｌｌの実用球状度、すなわち粒子の投射面積に等しい円の直径と粒子の投射像に外接する最小円の直径の比である。
【００３０】
なお、本発明においては、２以上の粒子が融着している場合には、それぞれの粒子を１つの粒子とみなして球状度を算出することとする。粒子に突起がある場合についても同様である。また、原料粉末としてのＢａＯ、Ｒ化合物（例えば２Ｎｄ（ＯＨ）_３）、ＴｉＯ_２、ＭｎＣＯ_３を、混合・乾燥工程（ステップＳ１０３）で混合する例を上述したが、最終的にＭｎ酸化物となるＭｎＣＯ_３の添加のタイミングはこれに限られるものではない。つまり、造粒・球状化工程（ステップＳ１１１）に先だって、ＭｎＣＯ_３が添加されていればよいため、例えば微粉砕工程（ステップＳ１０７）で添加することも可能である。
【００３１】
本発明の複合誘電体材料において、誘電体セラミックス粉末と樹脂との合計を１００ｖｏｌ％としたとき、誘電体セラミックス粉末の含有量は４０ｖｏｌ％以上７０ｖｏｌ％以下とする。誘電体セラミックス粉末の量が４０ｖｏｌ％未満になる（樹脂の量が６０ｖｏｌ％を超える）と誘電体セラミックス粉末の充填性が悪くなり、誘電率εが低下してしまう。つまり、誘電体セラミックス粉末を含有する効果があまりみられない。一方、誘電体セラミックス粉末の量が７０ｖｏｌ％を超える（樹脂の量が３０ｖｏｌ％未満になる）と、プレス成形の際、流動性が非常に悪くなり、緻密な成形物が得られなくなる。その結果、水等の侵入が容易になり電気特性の劣化につながる。また、誘電体セラミックス粉末を添加しない場合に比べて、Ｑ値が大きく低下することもある。よって、誘電体セラミックス粉末の含有量は４０ｖｏｌ％以上７０ｖｏｌ％以下とする。望ましい誘電体セラミックス粉末の含有量は４０〜６５ｖｏｌ％、さらに望ましい誘電体セラミックス粉末の含有量は４５〜６０ｖｏｌ％である。但し、誘電体セラミックス粉末の最適含有量は基板パターンの形状に応じて変動するものであり、基板パターンの形状が比較的微細なものである場合には、望ましい誘電体セラミックス粉末の含有量は４５〜５５ｖｏｌ％程度である。
【００３２】
上述の通り、本発明の誘電体セラミックス粉末は球状であるため、誘電体セラミックス粉末の含有量を４０ｖｏｌ％以上、さらには５０ｖｏｌ％以上とした場合であっても樹脂材料への分散性が良好であり、樹脂材料の流動性を損なうことなく充填することができる。よって、本発明の誘電体セラミックス粉末を樹脂材料と混合し、この混合物を用いて基板を作製した場合には、粉砕粉を用いた場合と比較して誘電体セラミックス粉末の充填量を向上させることができ、その結果として高い誘電率εを有する基板を得ることが可能となる。
これに対し、球状ではない誘電体セラミックス粉末、例えば従来の方法で作製した粉砕粉を用いた場合には、基板中における誘電体セラミックス粉末の含有量が４０ｖｏｌ％程度になると樹脂材料の流動性が損なわれてしまい、基板中における誘電体セラミックス粉末の含有量を４５ｖｏｌ％以上とすることは非常に困難である。仮に、４５ｖｏｌ％以上充填できたとしても、基板作製の際に誘電体セラミックス粉末がパターンエッジ等に入り込むことが困難となり、結果として部分的に空隙が生じた強度の弱い基板となってしまう。
【００３３】
次に、誘電体セラミックス粉末中に、４より小さい価数のイオンが少なくとも２以上の価数状態をもつ遷移金属元素の酸化物、例えばＭｎ酸化物等を含有させることによる利点を示す。図８は、誘電体セラミックス量の変動に伴う電気抵抗率の変化を示す図である。図８に示すように、最終組成にＭｎ酸化物を含有しない球状粉末については、誘電体セラミックス量が３０ｖｏｌ％以下と、少量の場合には１．０×１０^１２Ωｃｍ以上の高い誘電率εを示すが、誘電体セラミックス粉末の含有量が４０ｖｏｌ％以上になると、電気抵抗率は１．０×１０^１１Ωｃｍ近辺まで低下してしまう。これに対し、最終組成にＭｎ酸化物を含有する球状粉末については、誘電体セラミックス粉末の含有量が５０ｖｏｌ％の場合であっても、高い電気抵抗率を維持することができる。以上の結果から、最終組成にＭｎ酸化物を含有する球状粉末は、誘電体セラミックス粉末の含有量を４０ｖｏｌ％以上とした場合（つまり、誘電体セラミックス粉末の含有量を、高い誘電率εを得るために必要とされる量とした場合）であっても、１．０×１０^１２Ωｃｍ以上、さらには１．０×１０^１３Ωｃｍ以上の電気抵抗率を維持することが可能となることがわかる。なお、図８では、４より小さい価数のイオンが少なくとも２以上の価数状態をもつ遷移金属元素の酸化物として、Ｍｎ酸化物を用いた場合を例にして説明したが、４より小さい価数のイオンが少なくとも２以上の価数状態をもつ他の遷移金属元素、例えばＣｒ酸化物，Ｆｅ酸化物，Ｃｏ酸化物，Ｎｉ酸化物，Ｃｕ酸化物等を用いた場合であっても、同様の効果を得ることができる。
【００３４】
以上、誘電体セラミックス粉末と球状粉末を用いる場合について説明したが、Ｍｎ酸化物等を含有させることによる電気抵抗率の向上は、誘電体セラミックス粉末の比表面積が１．２ｍ^２／ｇ以下である場合に顕著である。誘電体セラミックス粉末の比表面積が減少するにつれて、電気抵抗率が低下する傾向があるが、誘電体セラミックス粉末に本願が推奨するＭｎ酸化物を所定量含有させることで、誘電体セラミックス粉末の比表面積が１．２ｍ^２／ｇ以下、さらには１．０ｍ^２／ｇ以下の場合であっても、１．０×１０^１２Ωｃｍ以上の電気抵抗率を得ることができる。
【００３５】
次に、本発明の複合誘電体材料における樹脂材料について説明する。樹脂材料としては有機高分子樹脂が望ましい。有機高分子樹脂としては、重量平均絶対分子量が１０００以上の１種または２種以上の樹脂で構成される樹脂組成物であって、炭素原子と水素原子の原子数の和が９９％以上からなり、かつ樹脂分子間の一部またはすべてが相互に化学的結合している耐熱性低誘電性高分子材料であることが好ましい。このような構成を有する有機高分子樹脂を用いることによって、高周波数帯域において、高い誘電率εおよび高いＱ値を有する複合誘電体材料を得ることができる。
【００３６】
上記のように、重量平均絶対分子量が１０００以上の樹脂組成物の耐熱性低誘電性高分子材料を用いるのは、十分な強度、金属との密着性、および耐熱性を得るためである。重量平均絶対分子量が１０００より小さいと、機械的物性、耐熱性が不足してしまう。
また、炭素と水素の原子数の和を９９％以上とするのは、存在する化学的結合を非極性結合とするためであり、これにより高いＱ値が得られやすくなる。一方、炭素と水素の原子数の和が９９％より少ない場合、特に酸素原子や、窒素原子等の有極性分子を形成する原子数が１％より多く含まれる場合には、Ｑ値が小さくなってしまう。
特に好ましい重量平均絶対分子量は３０００以上、さらに好ましくは５０００以上である。このときの重量平均絶対分子量の上限に特に制限はないが、通常１０００万程度である。
【００３７】
上記の有機高分子樹脂の具体例としては、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、超超低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、低分子量ポリエチレン、超高分子量ポリエチレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリ４−メチルペンテン等の非極性α−オレフィンの単独ないし共重合体［以下、（共）重合体ともいう］、ブタジエン、イソプレン、ペンタジエン、ヘキサジエン、ヘプタジエン、オクタジエン、フェニルブタジエン、ジフェニルブタジエン等の共役ジエンの各単量体の（共）重合体、スチレン、核置換スチレン、例えばメチルスチレン、ジメチルスチレン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、クロルスチレン、α−置換スチレン、例えばα−メチルスチレン、α−エチルスチレン、ジビニルベンゼン、ビニルシクロヘキサン等の炭素環含有ビニルの各単量体の（共）重合体等が挙げられる。
【００３８】
本発明に用いる樹脂として特に好ましいのは、ポリビニルベンジルエーテル化合物である。ポリビニルベンジルエーテル化合物としては、式（１）で表されるものが好ましい。
【００３９】
【化１】

【００４０】
式（１）中、Ｒ_１はメチル基またはエチル基を表す。Ｒ_２は水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。Ｒ_２で表される炭化水素基は、各々置換基を有していてもよいアルキル基、アラルキル基、アリール基、等である。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等であり、アラルキル基としてはベンジル基等であり、アリール基としてはフェニル基等である。
【００４１】
Ｒ_３は水素原子またはビニルベンジル基を表し、水素原子は式（１）の化合物を合成する場合の出発化合物に由来するものであり、水素原子とビニルベンジル基とのモル比は６０：４０〜０：１００が好ましく、より好ましくは４０：６０〜０：１００である。
ｎは２〜４の数である。
【００４２】
なお、Ｒ_３の水素原子とビニルベンジル基とのモル比を上記範囲とすることにより、誘電体を得る際の硬化反応を十分に進行させることができ、また十分な誘電特性を得ることができる。これに対し、Ｒ_３が水素原子である未反応物が多くなると硬化反応が十分に進行しなくなり、十分な誘電特性が得られなくなる。
【００４３】
先に示した式（１）で表される化合物の具体例をＲ_１等の組み合せで以下に示すが、これらに限定されるものではない。
【００４４】
【化２】

【００４５】
式（１）で表される化合物は、式（１）においてＲ_３＝Ｈであるポリフェノールと、ビニルベンジルハライドとを反応させることにより得られる。この詳細については、特開平９−３１００６号公報の記載を参照することができる。
【００４６】
本発明のポリビニルベンジルエーテル化合物は単独で使用しても２種類以上を併用してもよい。また、本発明のポリビニルベンジルエーテル化合物は、それのみを樹脂材料として重合して用いてもよく、他のモノマーと共重合させて用いてもよく、さらには、他の樹脂と組み合わせて使用することができる。
共重合可能なモノマーとしては、例えばスチレン、ビニルトルエン、ジビニルベンゼン、ジビニルベンジルエーテル、アリルフェノール、アリルオキシベンゼン、ジアリルフタレート、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ビニルピロリドン等が挙げられる。これらのモノマーの配合割合は、ポリビニルベンジルエーテル化合物に対して、２〜５０質量％程度である。
【００４７】
また、組み合わせて使用することが可能な樹脂としては、例えばビニルエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、マレイミド樹脂、ポリフェノールのポリシアネート樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビニルベンジル化合物等の熱硬化性樹脂や、例えばポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリアセタール、ジシクロペンタジエン系樹脂等の熱可塑性樹脂がある。その配合割合は、本発明のポリビニルベンジルエーテル化合物に対して５〜９０質量％程度である。とりわけ好ましいのは、ビニルエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、マレイミド樹脂、ポリフェノールのポリシアネート樹脂、エポキシ樹脂およびこれらの混合物からなる群から選ばれる少なくとも１種である。
【００４８】
本発明のポリビニルベンジルエーテル化合物自体、あるいはこの化合物と他のモノマーまたは熱硬化性樹脂とを含有してなる硬化性樹脂組成物の重合および硬化は、公知の方法で行うことができる。硬化は、硬化剤の存在下または不存在下のいずれでも可能である。硬化剤としては、例えば過酸化ベンゾイル、メチルエチルケトンパーオキシド、ジクミルパーオキシド、ｔ−ブチルパーベンゾエート等の公知のラジカル重合開始剤を使用することができる。使用量は、ポリビニルベンジルエーテル化合物１００質量部に対して１０質量部以下である。
硬化温度は、硬化剤の使用の有無および硬化剤の種類によっても異なるが、十分に硬化させるためには、２０〜２５０℃、好ましくは５０〜２５０℃である。
また、硬化の調整のために、ハイドロキノン、ベンゾキノン、銅塩等を配合してもよい。
【００４９】
本発明における樹脂には、補強材を添加することができる。補強材は機械的強度や寸法安定性を向上させる上で有効であり、回路用基板を作製するにあたっては、通常、所定量の補強材が樹脂に添加される。
補強材としては、繊維状または板状あるいは粒状等の非繊維状の補強材を挙げることができる。繊維状の補強材としては、ガラス繊維、アルミナ繊維、硼酸アルミニウム繊維、セラミック繊維、炭化珪素繊維、アスベスト繊維、石膏繊維、黄銅繊維、ステンレス繊維、スチール繊維、金属繊維、ホウ酸マグネシウムウィスカまたはその繊維、チタン酸カリウムウィスカまたはその繊維、酸化亜鉛ウィスカ、ボロンウィスカ繊維等の無機繊維および炭素繊維、芳香族ポリアミド繊維、アラミド繊維、ポリイミド繊維等が挙げられる。繊維状の補強材を用いる場合には、特開２００１−１８７８３１号公報等に記載の、いわゆる含浸方法を採用することができる。要するに、誘電体セラミックス粉末と樹脂とがスラリー状に調整された塗工槽に、シート状に成形した繊維状の補強材を浸漬すればよい。
【００５０】
また、非繊維状の補強材としては、ワラステナイト、セリサイト、カオリン、マイカ、クレー、ベントナイト、アスベスト、タルク、アルミナシリケート、パイロフィライト、モンモリロナイト等の珪酸塩、二硫化モリブデン、アルミナ、塩化珪素、酸化ジルコニウム、酸化鉄、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ドロマイト等の炭酸塩、硫酸カルシウム、硫酸バリウム等の硫酸塩、ポリリン酸カルシウム、グラファイト、ガラスビーズ、ガラスマイクロバルーン、ガラスフレーク、窒化ホウ素、炭化珪素およびシリカ等の針状、板状、あるいは粒状の補強材等が挙げられ、これらは中空であってもよい。非繊維状の補強材を用いる場合には、樹脂に添加すればよい。
【００５１】
これらの補強材は、１種だけ用いてもよく、２種類以上併用することが可能であり、必要によりシラン系ならびにチタン系カップリング剤で予備処理して使用することができる。特に好ましい補強材は、ガラス繊維である。ガラス繊維の種類は、一般に樹脂の強化用に用いられるものなら特に限定はなく、例えば長繊維タイプや短繊維タイプのチョップドストランド、チョップドストランドマット、連続長繊維マット、織物、編物等の布帛状ガラス、ミルドファイバー等から選択して用いることができる。
複合誘電体材料中の補強材の含有量は、１０〜３０ｗｔ％の範囲であることが好ましい。より好ましくは１５〜２５ｗｔ％である。
【００５２】
本発明の複合誘電体材料は以下のような製造方法に従うことが好ましい。
まず、上述の方法に従い、粒子形が球状であり（または比表面積が１．２ｍ^２／ｇ以下）、かつＭｎ酸化物等を含有する誘電体セラミックス粉末を得る。そして、粒子形が球状である誘電体セラミックス粉末（または比表面積が１．２ｍ^２／ｇ以下の誘電体セラミックス粉末）と樹脂を所定量ずつ調合して混合する。なお、混合は、例えば、乾式混合によっても行えるが、ボールミル、攪拌機等でトルエン、キシレン等の有機溶剤中で十分に混合するのが望ましい。
このスラリーを９０〜１２０℃で乾燥し、誘電体セラミックス粉末と樹脂との固まりを得る。この固まりを粉砕して誘電体セラミックス粉末と樹脂の混合粉末を得る。スラリーから混合粉末にする方法は、スプレー・ドライヤ等の顆粒製造装置を用いることが望ましい。
混合粉末の平均粒径は５０〜１０００μｍ程度とすればよい。
次に、この混合粉末を１００〜１５０℃で所望の形状にプレス成形し、この成形物を１００〜２００℃、３０〜９００分硬化させる。この硬化に際しては、前述の補強材を存在させてもよい。
【００５３】
本発明の複合誘電体材料は、上述のように、誘電体セラミックス粉末を、ポリビニルベンジルエーテル化合物等の樹脂の重合ないし硬化前に混合することが好ましいが、重合ないし硬化後に混合してもよい。ただし、完全に硬化した後における誘電体セラミックス粉末の混合は望ましくない。
【００５４】
本発明の複合誘電体材料は、フィルムとして、あるいはバルク状や所定形状の成形体で、そしてフィルム状のラミネーションとして、など種々の形態で用いることができる。したがって高周波用の電子機器や電子部品（共振器、フィルタ、コンデンサ、インダクタ、アンテナ等）の各種基板、チップ部品としてのフィルタ（例えば多層基板であるＣフィルタ）や共振器（例えばトリプレート型共振器）、あるいは誘電体共振器等の支持台、さらには各種基板ないし電子部品のハウジング（例えばアンテナ棒ハウジング）、ケーシング、あるいは電子部品やそのハウジングやケーシング等に用いることができる。基板としては従来のガラスエポキシ基板の代替品としての用途が期待され、具体的には部品搭載用オンボード基板、Ｃｕ張り積層板およびメタルベース／メタルコア基板等が挙げられる。さらには回路内蔵基板、アンテナ基板（パッチアンテナ等）にも用いることができる。また、ＣＰＵ用オンボード基板にも用いることができる。
【００５５】
なお、電極の形成は、Ｃｕ等の金属箔で粉末を挟んでプレスしながら硬化させて行うことや、完全硬化する前の段階で片面もしくは両面にＣｕ箔等の金属箔を張り付け、プレスしながら硬化させて行うことや、プレスで金属箔を付けて仮硬化させた後、別に熱処理によって硬化を進めて行うことや、成形物を硬化させた後、金属の蒸着やスパッタ、無電解めっきや（樹脂）電極等の塗布により行うことができる。
【００５６】
本発明の複合誘電体材料およびこれを用いた基板は、ＧＨｚ帯域においても好適に使用することができ、周波数帯域が２ＧＨｚの場合において１０以上の誘電率ε、および３００以上のＱ値を有することができる。しかも、こうした高い誘電特性を維持しつつ、１．０×１０^１２Ωｃｍ以上の電気抵抗率を有することができる。
【００５７】
【実施例】
次に、具体的な実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
〔実験例１〕
誘電体セラミックス粉末に対する好ましい添加剤を検討するために行った実験を、実験例１として示す。
（実施例１）
出発原料粉末として、ＢａＣＯ_３、ＴｉＯ_２およびＮｄ_２Ｏ_３粉末を総量で１．５ｋｇ用意し、純水中で混合して、濃度６０％のスラリーを作製した。これに分散剤（製品名：東亜合成社製 Ａ−３０ＳＬ（１０％溶液））をスラリー２．５ｋｇに対して３０ｃｃ添加して、ボールミルを用いて回転数８５ｒｐｍで１６時間混合した。次いで、この混合材料を２４時間乾燥した後、空気中で１２２５℃、２時間仮焼して誘電体セラミックス材料を得た。この誘電体セラミックス材料を水を用いて濃度６０％のスラリーとし、ボールミルで平均粒径０．４〜１．５μｍになるように微粉砕した。そして、これを乾燥して誘電体セラミックス粉末を得た。この粉末に添加剤としてＭｎＣＯ_３を０．０２５〜０．２ｗｔ％添加するとともに、水を加え、濃度６０％のスラリーを作製した。さらにスラリー３．１ｋｇに対してＰＶＡ（ポリビニルアルコール）溶液（製品名：クラレ社製 ＰＶＡ２０５Ｃ（１５％溶液））を２００ｃｃおよび上記した分散剤４０ｃｃを添加して、ボールミルを用いて回転数８５ｒｐｍで１５時間混合し、スラリーを作製した。このスラリーをスプレー・ドライヤを用いて噴霧造粒して顆粒粉末を作製した。次いで、上述した方法を適用して、球状の誘電体セラミックス粉末を作製した。なお、スプレー・ドライヤおよびバーナー炉の設定、アニール、解砕の条件は以下の通りとした。最終的に得られた粉末の平均粒径は３．８〜４．９μｍであり、粉末を構成する粒子の球状度は０．８５〜０．９２に達していた。また、球状の誘電体セラミックス粉末の組成を分析したところ、ＢａＯ、Ｎｄ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２およびＭｎＯが含有されていることが確認された。
【００５８】
＜スプレー・ドライヤの設定＞
入口温度：１８０℃
スラリー供給量：５０ｇ／ｍｉｎ（スラリー濃度６０％）
＜バーナー炉の設定＞
Ｏ_２量：２５Ｌ／ｍｉｎ
Ｎ_２量：２０Ｌ／ｍｉｎ（顆粒移送用）
ＬＰＧ量：５Ｌ／ｍｉｎ
＜アニールの条件＞
実施例１、比較例１〜４：大気中で、１０００℃、４時間焼成した。
＜解砕の条件＞
回転数１２０ｒｐｍで４時間解砕した。
【００５９】
（比較例１）
添加剤として、ＭｎＣＯ_３に代えてＢｉ_２Ｏ_３を添加した以外は、実施例１と同様の条件で球状の誘電体セラミックス粉末を作製した。
（比較例２）
添加剤として、ＭｎＣＯ_３に代えてＳｉＯ_２を添加した以外は、実施例１と同様の条件で球状の誘電体セラミックス粉末を作製した。
（比較例３）
添加剤として、ＭｎＣＯ_３に代えてＣａＣＯ_３を添加した以外は、実施例１と同様の条件で球状の誘電体セラミックス粉末を作製した。
（比較例４）
添加剤を添加しなかった以外は、実施例１と同様の条件で球状の誘電体セラミックス粉末を作製した。
【００６０】
次いで、実施例１、比較例１〜４で作製した球状粉末にそれぞれ樹脂を混合し、５種類の複合誘電体材料を得た。なお、複合誘電体材料における誘電体セラミックス粉末の含有量は、それぞれ５０ｖｏｌ％とし、樹脂としては式（１）に示したポリビニルベンジルエーテル化合物を用いた。
【００６１】
５種類の複合誘電体材料それぞれについて、誘電率ε（２ＧＨｚ）を空洞共振器法（摂動法）により測定した（ヒューレットパッカード（株）製 スカラーシンセサイザースウィーパー８３６２０Ａ、ネットワークアナライザー８７５７Ｃを使用）。さらには、Ｑ値を求めた。その結果を表１に示す。また、ヒューレットパッカード（株）製 ウルトラハイレジスタンスメーター アドバンテストＲ８３４０Ａを用いて、電気抵抗率を測定した。その結果についても表１に示す。
【００６２】
【表１】

【００６３】
表１を見ると、添加剤なしの比較例４よりも、添加剤ありの実施例１、比較例１〜３の方が高い電気抵抗率を示すことがわかる。添加剤ありの実施例１、比較例１〜３のなかでは、添加剤としてＭｎＣＯ_３を添加した試料（実施例１）が、添加量が０．１５ｗｔ％と微量であるにも拘わらず、５．５×１０^１３Ωｃｍという最も高い電気抵抗率を示していることが注目される。また、この試料（実施例１）は、２ＧＨｚにおける誘電率εが１０．７１、Ｑ値が３０４と、良好な誘電特性も示している。
一方、添加剤としてＢｉ_２Ｏ_３を添加した試料（比較例１）、ＳｉＯ_２を添加した試料（比較例２）およびＣａＣＯ_３を添加した試料（比較例３）は、添加剤なしの比較例４よりは高い電気抵抗率を示したが、その値は２．０×１０^１１Ωｃｍ〜４．５×１０^１１Ωｃｍと、不十分な値にとどまった。また、添加剤としてＢｉ_２Ｏ_３を添加した試料（比較例１）およびＣａＣＯ_３を添加した試料（比較例３）については、Ｑ値がそれぞれ２９０、２７０と、３００以下という低い値を示した。
以上の結果から、添加剤としてＭｎＣＯ_３を添加することにより、優れた誘電特性および電気抵抗率を示す複合誘電体材料が得られることがわかった。
【００６４】
上記の実施例１、比較例１〜４では、大気中で、１０００℃、４時間焼成するという条件でアニールを行った。次に、アニールの条件を以下のように設定して、誘電体セラミックス粉末を作製した例を、実施例２、比較例５〜８として示す。なお、アニールの条件以外は、実施例２は実施例１と同様の手法で行われたものである。また、比較例５は比較例１と、比較例６は比較例２と、比較例７は比較例３と、比較例８は比較例４と、それぞれ対応しており、アニールの条件以外は、それぞれ対応する比較例と同様の手法で得られたものである。
【００６５】
＜アニールの条件＞
実施例２、比較例５〜８：大気中で、１１００℃、４時間焼成した。
【００６６】
次いで、実施例２、比較例５〜８で作製した球状粉末にそれぞれ樹脂を混合し、５種類の複合誘電体材料を得た。なお、複合誘電体材料における誘電体セラミックス粉末の含有量は、それぞれ５０ｖｏｌ％とし、樹脂としては式（１）に示したポリビニルベンジルエーテル化合物を用いた。
【００６７】
５種類の複合誘電体材料それぞれについて、上述と同様の方法で誘電率ε（２ＧＨｚ）およびＱ値を測定した。その結果を表２に示す。また、電気抵抗率を上述と同様の方法で測定した。その結果についても表２に示す。なお、比較の便宜のため、表２には実施例１、比較例１〜４の誘電率ε（２ＧＨｚ）、Ｑ値および電気抵抗率を示している。
【００６８】
【表２】

【００６９】
表２に示すように、添加剤としてＭｎＣＯ_３を添加した試料（実施例２）は、２ＧＨｚにおける誘電率εが１２．１０、Ｑ値が３５５と、良好な誘電特性を示した。電気抵抗率については、９．９×１０^１３Ωｃｍと、アニール温度が１０００℃の場合（実施例１）よりも一層高い値を示した。
一方、添加剤としてＢｉ_２Ｏ_３を添加した試料（比較例５）およびＣａＣＯ_３を添加した試料（比較例７）は、アニール温度が１０００℃の場合（比較例１、比較例３）の場合よりも、それぞれ電気抵抗率が低下した。また、ＳｉＯ_２を添加した試料（比較例６）については、アニール温度が１０００℃の場合（比較例２）の場合よりも、電気抵抗率が増加したが、その値は１．４×１０^１２Ωｃｍにとどまった。
以上の結果から、アニール温度を１１００℃と設定した場合においても、添加剤としてＭｎＣＯ_３が有効であることがわかった。添加剤としてＭｎＣＯ_３を用いた場合には、２ＧＨｚにおいて１２．０以上という高い誘電率ε、３５０以上というＱ値を示すとともに、９．９×１０^１３Ωｃｍという良好な電気抵抗率を示す複合誘電体材料を得ることができる。
【００７０】
〔実験例２〕
添加剤としてＭｎＣＯ_３を用いる場合の、好ましい添加量を確認するために行った実験を、実験例２として示す。
ＭｎＣＯ_３の添加量を０．０２５ｗｔ％、０．０５ｗｔ％、０．１ｗｔ％、０．１５ｗｔ％、０．２ｗｔ％、０．３ｗｔ％、１．０ｗｔ％とした誘電体セラミックス粉末をそれぞれ作製し、以下の点を除いては、実施例１と同様の条件で複合誘電体材料を作製した。なお、誘電体セラミックス粉末の組成を分析したところ、ＢａＯ、Ｎｄ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２およびＭｎＯが含有されていることが確認された。
７種類の複合誘電体材料それぞれについて、電気抵抗率を上述と同様の方法で測定した。その結果を図２に示す。なお、比較の便宜のために、ＭｎＣＯ_３を添加していない試料の電気抵抗率も図２に併せて示す。
【００７１】
＜ＭｎＣＯ_３の添加のタイミング＞
混合・乾燥工程（ステップＳ１０３）で、添加した。
＜アニールの条件＞
大気中で、１１００℃、４時間焼成した。
【００７２】
図２に示すように、ＭｎＣＯ_３をわずか０．０２５ｗｔ％添加（焼成後の分析値におけるＭｎＯ量：０．０１５ｗｔ％）することで、抵抗率が１．０×１０^１１Ωｃｍ未満から１．０×１０^１３Ωｃｍまで向上した。
さらに、ＭｎＣＯ_３の添加量が０．０５ｗｔ％（焼成後の分析値におけるＭｎＯ量：０．０３ｗｔ％）、０．１ｗｔ％（焼成後の分析値におけるＭｎＯ量：０．０６ｗｔ％）、０．１５ｗｔ％（焼成後の分析値におけるＭｎＯ量：０．０９ｗｔ％）、０．２ｗｔ％（焼成後の分析値におけるＭｎＯ量：０．１２ｗｔ％）と増加するにつれて、電気抵抗率も増加した。ＭｎＣＯ_３の添加量が０．１ｗｔ％（焼成後の分析値におけるＭｎＯ量：０．０６ｗｔ％）以上になると、電気抵抗率は１．０×１０^１４Ωｃｍ以上という良好な値を示した。
以上の結果から、ＭｎＣＯ_３は電気抵抗率を向上させる上で有効な添加物であり、ＭｎＣＯ_３の添加量に比例して電気抵抗率が上昇することが確認された。また、焼成後の分析値におけるＭｎＯ量がわずかに０．０１５ｗｔ％である場合にも、添加の効果が顕著であった。よって、誘電体セラミックス粉末に占めるＭｎ酸化物の含有量が０．０１ｗｔ％程度と微量である場合にも、Ｍｎ酸化物による電気抵抗率の向上という効果を享受できると考えられる。なお、添加されたＭｎＣＯ_３（分子量１１４．９４）は他の原料粉末とともに溶融され球状化される工程で、ＭｎＯ（分子量７０．９４）になる。よって、最終分析値でのＭｎＯ量は、ＭｎＣＯ_３の添加量を１．６２で割ることで算出することができる。
【００７３】
次に、ＭｎＣＯ_３の添加量を０．１ｗｔ％、０．３ｗｔ％、１．０ｗｔ％とした誘電体セラミックス粉末について、上述と同様の方法で誘電率ε（２ＧＨｚ）およびＱ値を測定した。その結果をそれぞれ図３（ａ）、（ｂ）に示す。なお、比較の便宜のために、ＭｎＣＯ_３を添加していない試料の誘電率ε（２ＧＨｚ）およびＱ値も図３（ａ）、（ｂ）に併せて示す。
まず、図３（ａ）を見ると、ＭｎＣＯ_３の添加量が増加するにつれて、誘電率εは徐々に低下し、ＭｎＣＯ_３の添加量が１．０ｗｔ％（焼成後の分析値におけるＭｎＯ量：０．６２ｗｔ％）になると、約１１まで低下してしまう。よって、１１．２以上、さらには約１１．５の誘電率εを得るためには、ＭｎＣＯ_３の添加量を０．３ｗｔ％（焼成後の分析値におけるＭｎＯ量：０．１９ｗｔ％）以下とすることが有効であると考えられる。
次に、図３（ｂ）を見ると、ＭｎＣＯ_３の添加量が増加するにつれて、Ｑ値が徐々に低下し、ＭｎＣＯ_３の添加量が０．３ｗｔ％（焼成後の分析値におけるＭｎＯ量：０．１９ｗｔ％）になると、ＭｎＣＯ_３無添加の場合よりもＱ値が約１５低下した。
以上の結果から、高い誘電率εおよびＱ値を兼備するには、ＭｎＣＯ_３の添加量を０．３ｗｔ％（焼成後の分析値におけるＭｎＯ量：０．１９ｗｔ％）以下、さらにはＭｎＣＯ_３の添加量を０．０１〜０．２ｗｔ％の範囲（焼成後の分析値におけるＭｎＯ量：０．００６〜０．１２ｗｔ％）とすることが有効であることがわかった。ＭｎＣＯ_３の添加量を０．０１〜０．２ｗｔ％の範囲（焼成後の分析値におけるＭｎＯ量：０．００６〜０．１２ｗｔ％）で設定することにより、１１．２以上の誘電率εおよび３４５以上のＱ値を得ることができる。
以上の結果から、高い誘電特性を維持しつつ、電気抵抗率を上昇させるには、ＭｎＣＯ_３の添加量を０．３ｗｔ％以下、つまり最終分析でのＭｎＯ量が０．１９ｗｔ％以下となるようにすることが好ましい。より望ましいＭｎＯ含有量は、０．１２ｗｔ％以下（０を含まず）、さらに望ましいＭｎＯ含有量は０．０１〜０．１ｗｔ％である。
【００７４】
ここで、球状粉末を作製する際の、各工程における粒度分布の観察結果を図４および図５に示す。図４（ａ）は図１に示した仮焼成工程（ステップＳ１０５）後の仮焼粗粉砕粉の粒度分布、図４（ｂ）は図１に示した微粉砕工程（ステップＳ１０７）後の微粉砕粉の粒度分布、図４（ｃ）は図１に示した造粒・球状化工程（ステップＳ１１１）で作製されるスプレー顆粒の粒度分布をそれぞれ示している。また、図５（ａ）は図１に示した造粒・球状化工程（ステップＳ１１１）で溶融された溶融粉の粒度分布、図５（ｂ）は図１に示した凝集解砕工程（ステップＳ１１５）後の解砕粉の粒度分布をそれぞれ示している。なお、図４、図５中、「１０％」は１０％径を意味する。ここで、１０％径とは、測定された粉末の全体積を１００％として累積カーブを求めたとき、その累積カーブが１０％となる点の粒径をいう。同様に図４、図５中、「５０％」は５０％径を、そして「１００％」は１００％径を意味し、その累積カーブがそれぞれ５０％、１００％となる点の粒径をいう。また、図４、図５中、「ピーク」は累積カーブのピーク値を示している。
【００７５】
図４、図５を見ると、仮焼粗粉砕粉、微粉砕粉、スプレー顆粒、溶融粉、解砕粉のいずれにおいても、ＭｎＣＯ_３を添加していない場合の粒径と、ＭｎＣＯ_３を０．２０ｗｔ％添加した場合の粒径がほぼ一致していることがわかる。また、１０％粒径、５０％粒径、粒度分布のピーク値については、ＭｎＣＯ_３の添加量が増加してもほとんど変動していないことが確認された。
以上の結果から、ＭｎＣＯ_３を添加することによる粒度分布への影響はほとんどないといえる。
【００７６】
ＭｎＣＯ_３を混合・乾燥工程（ステップＳ１０３）で添加した場合の特性について上述した。次に、実施例１と同様に、微粉砕工程（ステップＳ１０７）でＭｎＣＯ_３を混合した場合の、ＭｎＣＯ_３の添加量に伴う誘電特性および電気抵抗率の変動を、表３、表４にそれぞれ示す。表３は、アニールの条件を１１００℃で４時間保持とした試料の特性を、表４は、アニールの条件を１１５０℃で４時間保持とした試料の特性をそれぞれ示している。
【００７７】
【表３】

【００７８】
【表４】

【００７９】
表３および表４を見ると、アニールの温度が１１００℃、１１５０℃のいずれの場合も、良好な誘電特性、具体的には２ＧＨｚという高周波帯域で１０以上の誘電率εおよび３００以上のＱ値を示していることがわかる。
電気抵抗率についても、アニールの温度が１１００℃、１１５０℃のいずれの場合においても、２．０×１０^１３Ωｃｍ以上という高い値を示した。上述した図２では、ＭｎＣＯ_３の添加量に伴う電気抵抗率の変動に、ピークは観察されなかったが、表３、表４を見ると、ＭｎＣＯ_３の添加量が０．１５ｗｔ％（最終分析値でのＭｎＯ量：０．０９ｗｔ％）の場合に最も高い電気抵抗率を示していることがわかる。よって、微粉砕工程（ステップＳ１０７）でＭｎＣＯ_３を混合する場合には、誘電体セラミックス粉末におけるＭｎＯ含有量が、０．０５〜０．２５ｗｔ％、さらには０．０１〜０．０２ｗｔ％となるようにＭｎＣＯ_３を添加することが望ましいといえる。また、表３に示した試料と、表４に示した試料の特性を比較すると、表３に示した試料の方が高い電気抵抗率を示していることから、ＭｎＯを含有させることで電気抵抗率を向上させるには、アニールの温度を１１００℃とすることが有効である。
【００８０】
〔実験例３〕
誘電体セラミックス粉末の比表面積と、抵抗率との関係を確認するために行った実験を、実験例３として示す。
表５に示す組成になるように原料粉末を配合し、１７種類の誘電体セラミックス粉末を作製した。次いで、各誘電体セラミックス粉末にそれぞれ樹脂を混合して、１７種類の複合誘電体材料を得た。なお、表５に示した試料Ｎｏ．１４、試料Ｎｏ．１７については、添加剤としてＭｎＣＯ_３、Ｂｉ_２Ｏ_３を粉砕後にそれぞれ添加した。
こうして得られた複合誘電体材料の比表面積および電気抵抗率を測定した。その結果を図６に示す。
【００８１】
【表５】

【００８２】
図６に示すように、焼成後にＭｎＯを含有しない試料（図６中では「Ｍｎ無し」）については比表面積が小さくなるにしたがって、電気抵抗率が減少する傾向がみられた。これに対し、焼成後にＭｎＯを含有する試料（図６中では「Ｍｎ有り」）については、比表面積に拘わらず、１．０×１０^１３Ωｃｍという高い電気抵抗率を示した。
したがって、比表面積が１．２ｍ^２／ｇと小さい誘電体セラミックス粉末を用いて複合誘電体材料を作製する場合には、誘電体セラミックス粉末にＭｎＯを含有させることで、電気抵抗率の低下を抑制できることがわかった。
【００８３】
〔実験例４〕
本発明の複合誘電体材料を用いて作製した基板の特性を確認するために行った実験を実験例４として示す。
最終組成が１６．５９６ｗｔ％のＢａＯ、３８．８６３ｗｔ％のＮｄ_２Ｏ_３、４１．７０２ｗｔ％のＴｉＯ_２、２．７５１ｗｔ％のＢｉ_２Ｏ_３、０．０８８ｗｔ％のＭｎＯの組成になるように秤量した以外は、実施例１と同様の手順で球状の誘電体セラミックス粉末を作製した。得られた粉末の平均粒径は５μｍであった。
また、比較例として、上記した組成を有する誘電体材料をボールミルを用いて粉砕し、平均粒径２μｍの破砕粉（誘電体セラミックス粉末）を得た。
次いで、球状粉、粉砕粉にそれぞれ樹脂を混合し、複合誘電体材料を得た。なお、複合誘電体材料における誘電体セラミックス粉末の含有量は、球状粉、破砕粉ともに５０ｖｏｌ％とし、樹脂としては式（１）に示したポリビニルベンジルエーテル化合物を用いた。
【００８４】
球状粉を用いた複合誘電体材料（以下、サンプル１という）と破砕粉を用いた複合誘電体材料（以下、サンプル２という）の流れ性を比較するために、ガラスエポキシ樹脂からなる基材にパターンを作製し、サンプル１、サンプル２を基材に被覆させて以下に示す条件で加圧成形し、基板を得た。
【００８５】
加圧成形条件：
圧力：４０ｋｇｆ／ｃｍ^２
温度：室温の状態から１５０℃まで昇温し、３０分間保持した。その後、１９５℃まで昇温し、３時間保持した。
【００８６】
こうして作製した基板の断面を顕微鏡で観察した。その結果を図７に模式的に示す。
図７（ａ）に示すように、サンプル２を用いて作製した基板は、パターンエッジ近傍にボイドが確認された。これに対し、図７（ｂ）に示すように、サンプル１、つまり球状粉を用いた場合には、パターンエッジ近傍においても球状粒子が入り込んでいることが確認された。以上の結果から、本発明に係る球状粉末を用いた複合誘電体材料は流れ性が良好であることがわかった。
【００８７】
次に、本発明に係る複合誘電体材料を用いて作製した基板について、誘電率ε（２ＧＨｚ）を空洞共振器法（摂動法）により測定した（ヒューレットパッカード（株）製８３２６０Ａ、８７５７Ｃを使用）。さらには、Ｑ値を求めた。その結果を表６に示す。また、前述と同様の方法で基板の電気抵抗率を測定した。その結果についても表６に示す。
【００８８】
【表６】

【００８９】
表６に示すように、本発明に係る複合誘電体材料を用いて作製した基板は、４．５×１０^１３Ωｃｍという高い電気抵抗率を示した。しかも、この基板は、１１以上という誘電率ε、３５０以上というＱ値を示し、良好な誘電特性を示した。
【００９０】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、高い誘電率εおよびＱ値、高い電気抵抗率を兼ね備えた複合誘電体材料を得ることができる。また、本発明によれば、良好な誘電体特性と電気抵抗率を有し、成形性及び加工性に優れ、小型機器への対応が容易な複合誘電体材料およびこれを用いた基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】球状粉末の製造工程を示すフローチャートである。
【図２】実験例２で作製した複合誘電体材料の電気抵抗率を示す図である。
【図３】実験例２で作製した複合誘電体材料の誘電率ε（２ＧＨｚ）およびＱ値を示す図である。
【図４】仮焼粗粉砕粉、微粉砕粉およびスプレー顆粒の粒度分布を示す図でるある。
【図５】溶融粉および解砕粉の粒度分布を示す図である。
【図６】実験例３で作製した複合誘電体材料の比表面積および電気抵抗率の測定結果を示す図である。
【図７】実験例４で作製した基板の断面を模式的に示す図である。
【図８】誘電体セラミックス量の変動に伴う電気抵抗率の変化を示す図である。

Claims (15)

1. 樹脂材料と、当該樹脂材料と混合される略球形の誘電体セラミックス粉末とを備えた複合誘電体材料であって、
   前記誘電体セラミックス粉末はＢａＯ−Ｒ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２系（Ｒ：希土類元素、Ｒ_２Ｏ_３：希土類元素の酸化物）であり、かつ、
   前記誘電体セラミックス粉末には、４より小さい価数のイオンが少なくとも２以上の価数状態をもつ遷移金属元素の酸化物が含有されていることを特徴とする複合誘電体材料。
2. 樹脂材料と、当該樹脂材料と混合される誘電体セラミックス粉末とを備えた複合誘電体材料であって、
   前記誘電体セラミックス粉末はＢａＯ−Ｒ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２系（Ｒ：希土類元素、Ｒ_２Ｏ_３：希土類元素の酸化物）であり、かつその球状度が０．８〜１であるとともに、
   前記誘電体セラミックス粉末には、４より小さい価数のイオンが少なくとも２以上の価数状態をもつ遷移金属元素の酸化物が含有されていることを特徴とする複合誘電体材料。
3. 前記遷移金属元素は、ＭｎまたはＣｒであることを特徴とする請求項１または２に記載の複合誘電体材料。
4. 樹脂材料と、当該樹脂材料と混合される誘電体セラミックス粉末とを備えた複合誘電体材料であって、
   前記誘電体セラミックス粉末は、Ｍｎ酸化物，Ｃｒ酸化物，Ｆｅ酸化物，Ｃｏ酸化物，Ｎｉ酸化物およびＣｕ酸化物のうち１種または２種以上を含有し、かつ比表面積が１．２ｍ^２／ｇ以下（０を含まず）であることを特徴とする複合誘電体材料。
5. 前記誘電体セラミックス粉末は前記Ｍｎ酸化物を含有するとともに、前記複合誘電体材料中における前記Ｍｎ酸化物の含有量はＭｎＯ換算で０．１２ｗｔ％以下（０を含まず）であることを特徴とする請求項４に記載の複合誘電体材料。
6. 前記誘電体セラミックス粉末は前記Ｍｎ酸化物を含有するとともに、前記複合誘電体材料中における前記Ｍｎ酸化物の含有量はＭｎＯ換算で０．０１〜０．１ｗｔ％であることを特徴とする請求項４に記載の複合誘電体材料。
7. 前記誘電体セラミックス粉末は、粒子の球状度が０．８〜１であることを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載の複合誘電体材料。
8. 前記複合誘電体材料の電気抵抗率は１．０×１０^１２Ωｃｍ以上であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の複合誘電体材料。
9. 前記樹脂材料と前記誘電体セラミックス粉末との合計を１００ｖｏｌ％としたとき、前記誘電体セラミックス粉末の含有量が４０ｖｏｌ％以上７０ｖｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の複合誘電体材料。
10. 前記樹脂材料は、ポリビニルベンジルエーテル化合物であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の複合誘電体材料。
11. 樹脂材料と、誘電体セラミックス粉末との混合物からなる基板であって、
    前記誘電体セラミックス粉末は略球状であり、
    前記樹脂材料と前記誘電体セラミックス粉末との合計を１００ｖｏｌ％としたとき、前記誘電体セラミックス粉末の含有量が４０ｖｏｌ％以上７０ｖｏｌ％以下であるとともに、
    前記基板の電気抵抗率は１．０×１０^１２Ωｃｍ以上であることを特徴とする基板。
12. その表面に突起を有する基材と、当該突起が形成された前記基材を被覆する複合誘電体材料とからなる基板であって、
    前記複合誘電体材料は、
    樹脂材料と、
    前記樹脂材料と混合される、Ｍｎ酸化物を含有しかつ略球状である誘電体セラミックス粉末とを含むことを特徴とする基板。
13. 樹脂材料と、誘電体セラミックス粉末との混合物からなる基板であって、
    前記誘電体セラミックス粉末は粒子の球状度が０．８〜１であり、
    前記樹脂材料と前記誘電体セラミックス粉末との合計を１００ｖｏｌ％としたとき、前記誘電体セラミックス粉末の含有量が４０ｖｏｌ％以上７０ｖｏｌ％以下であるとともに、
    前記基板の電気抵抗率は１．０×１０^１２Ωｃｍ以上であることを特徴とする基板。
14. その表面に突起を有する基材と、当該突起が形成された前記基材を被覆する複合誘電体材料とからなる基板であって、
    前記複合誘電体材料は、
    樹脂材料と、
    前記樹脂材料と混合される、Ｍｎ酸化物を含有しかつ粒子の球状度が０．８〜１である誘電体セラミックス粉末とを含むことを特徴とする基板。
15. 前記基板は、電子部品用として用いられることを特徴とする請求項１１〜１４のいずれかに記載の基板。

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