JP2004210855A - 液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、大きな誘電率異方性、および大きな比抵抗の特性において、優れた特性を有する液晶組成物及びそれを使用したＯＣＢモードのＡＭ素子の提供。
【解決手段】化合物（１）、（２）および（３）、並びに化合物（４−１）、（４−２）または（４−３）を含有する液晶組成物。
（式中、Ｒ１，Ｒ２はアルキル基、Ａ１，Ａ２は１，４−シクロヘキシレン、置換、非置換の１，４−フェニレン、Ｘ１〜Ｘ４は水素またはフッ素、Ｚ１，Ｚ２は単結合、−（ＣＨ２）２−ｒ１，ｒ２はフッ素、−ＯＣＦ３等を示す。）
【選択図】 なし
【解決手段】化合物（１）、（２）および（３）、並びに化合物（４−１）、（４−２）または（４−３）を含有する液晶組成物。
（式中、Ｒ１，Ｒ２はアルキル基、Ａ１，Ａ２は１，４−シクロヘキシレン、置換、非置換の１，４−フェニレン、Ｘ１〜Ｘ４は水素またはフッ素、Ｚ１，Ｚ２は単結合、−（ＣＨ２）２−ｒ１，ｒ２はフッ素、−ＯＣＦ３等を示す。）
【選択図】 なし
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主としてＡＭ（active matrix）素子に適する液晶組成物およびこの組成物を含有するＡＭ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子において、液晶の動作モードに基づいた分類は、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＯＣＢ（optically compensatedbend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）などである。素子の駆動方式に基づいた分類は、ＰＭ（passive matrix）とＡＭ（active matrix）である。ＰＭはスタティック（static）とマルチプレックス（multiplex）などに分類され、ＡＭはＴＦＴ（thin film transistor）、ＭＩＭ（metal insulator metal）などに分類される。ＴＦＴの分類は非晶質シリコン（amorphous silicon）および多結晶シリコン（polycrystal silicon）である。後者は製造工程によって高温型と低温型とに分類される。光源に基づいた分類は、自然光を利用する反射型、バックライトを利用する透過型、そして自然光とバックライトの両方を利用する半透過型である。
【０００３】
これらの素子は適切な特性を有する液晶組成物を含有する。良好な一般的特性を有するＡＭ素子を得るには組成物の一般的特性を向上させる。２つの一般的特性における関連を下記の表１にまとめた。組成物の一般的特性を市販されているＡＭ素子に基づいてさらに説明する。ネマチック相の温度範囲は、素子の使用できる温度範囲に関連する。ネマチック相の好ましい上限温度は７０℃以上であり、そしてネマチック相の好ましい下限温度は−２０℃以下である。組成物の粘度は素子の応答時間に関連する。素子で動画を表示するためには短い応答時間が好ましい。したがって、組成物における小さな粘度が好ましい。低い温度における小さな粘度はより好ましい。
【０００４】
【０００５】
組成物の光学異方性は、素子のコントラスト比に関連する。素子におけるコントラスト比を最大にするために、透過型のＡＭ素子では組成物の光学異方性（Δｎ）と素子のセルギャップ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）を約０．４５μｍに設計する。したがって、組成物における光学異方性は主に０．０８〜０．１２の範囲である。一方、ＯＣＢモードのＡＭ素子におけるΔｎ・ｄは約０．６５μｍである。ＯＣＢモードのＡＭ素子におけるセルギャップは、液晶分子の配向がスプレーからベンドへ転移する際の時間を短くする、駆動電圧を小さくするために小さくする。したがって、組成物における光学異方性は主に０．１９〜０．２５の範囲である。組成物の大きな誘電率異方性は素子の小さな駆動電圧に寄与する。したがって、大きな誘電率異方性が好ましい。組成物における大きな比抵抗は、素子における大きな電圧保持率と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、初期に大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。長時間使用したあとでも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。
【０００６】
ＯＣＢモードのＡＭ素子において、短い転移時間を有する組成物が特に望まれている。短い転移時間を有する組成物は、スイッチを入れたあと短い時間で素子の表示を可能にする。転移時間は液晶分子がスプレイ配向からベンド配向に転移するのに要する時間である。従来の組成物は、次の特許文献または非特許文献に開示されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平７−８４２５４号公報
【特許文献２】
特開平９−１７６６４５号公報
【特許文献３】
特開平１０−１４５０号公報
【非特許文献１】
Society for Information Display International Symposium (SID '93), 277 (1993)
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、大きな誘電率異方性、および大きな比抵抗の特性において、複数の特性を充足する液晶組成物を提供することである。この目的は、複数の特性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することでもある。この目的は、この組成物を含有する液晶表示素子を提供することでもある。この目的は、０．１９〜０．２５の光学異方性および大きな誘電率異方性を有する組成物を含有し、そして大きな電圧保持率および短い転移時間を有するＯＣＢモードのＡＭ素子を提供することでもある。転移時間は液晶分子がスプレイ配向からベンド配向に転移するのに要する時間である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、項１〜項１７のとおりである。
１． 第一成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第三成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、並びに第四成分として式（４−１）、式（４−２）および式（４−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する液晶組成物。
【００１０】
【００１１】
式（１）、（２）、（３）、（４−１）、（４−２）、および（４−３）において、Ｒ１およびＲ２は独立してアルキルであり；Ａ１は１，４−シクロヘキシレンまたは任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレンであり；Ａ２は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、およびＸ４は独立して水素またはフッ素であり；Ｚ１およびＺ２は独立して単結合または−（ＣＨ２）２−であり；Ｙ１は塩素、フッ素または−ＯＣＦ３であり；そしてＹ２はフッ素または−ＯＣＦ３である。
【００１２】
２． 第四成分が式（４−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１に記載の液晶組成物。
【００１３】
３． 第四成分が式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１に記載の液晶組成物。
【００１４】
４． 第四成分が式（４−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１に記載の液晶組成物。
【００１５】
５． 第四成分が式（４−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１に記載の液晶組成物。
【００１６】
６． 第四成分が式（４−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（４−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１に記載の液晶組成物。
【００１７】
７． 第四成分が式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（４−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１に記載の液晶組成物。
【００１８】
８． 第四成分が式（４−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（４−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１に記載の液晶組成物。
【００１９】
９． 液晶組成物の全重量に基づいて、第一成分を５〜４０重量％の範囲で、第二成分を１０〜５０重量％の範囲で、第三成分を３〜５０重量％の範囲で、および第四成分を５〜４０重量％の範囲で含有する項１から８のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【００２０】
１０． 第五成分として式（５−１）、式（５−２）および式（５−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する項１から９のいずれか１項に記載の液晶組成物。
式（５−１）、（５−２）および（５−３）において、Ｒ１およびＲ２は独立してアルキルであり；Ｒ３はアルキルまたはアルコキシである。
【００２１】
１１． 液晶組成物の全重量に基づいて、第五成分を１〜６０重量％の範囲で含有する項１０に記載の液晶組成物。
【００２２】
１２． 項１から１１のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【００２３】
１３． 第五成分が式（５−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１０に記載の液晶組成物。
【００２４】
１４． 第五成分が式（５−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１０に記載の液晶組成物。
【００２５】
１５． 第五成分が式（５−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１０に記載の液晶組成物。
【００２６】
１６． 液晶組成物の全重量に基づいて、第五成分を１〜６０重量％の範囲で含有する項１３から１５のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【００２７】
１７． 項１３から１５のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【００２８】
【発明の実施の形態】
この明細書における用語の使い方は次のとおりである。本発明の液晶組成物または本発明の液晶表示素子をそれぞれ「組成物」または「素子」と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。液晶組成物の主成分は液晶性化合物である。この液晶性化合物は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物および液晶相を有さないが組成物の成分として有用な化合物の総称である。式（１）で表わされる化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を「化合物（１）」と略すことがある。他の式に関する化合物も同様に略すことがある。
【００２９】
ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略することがある。「比抵抗が大きい」は、組成物が初期に大きな比抵抗を有し、そして長時間使用したあとでも組成物が大きな比抵抗を有することを意味する。「電圧保持率が大きい」は、素子が初期に大きな電圧保持率を有し、そして長時間使用したあとでも素子が大きな電圧保持率を有することを意味する。光学異方性などの特性を説明するときは、実施例に記載した方法で測定した値を用いる。組成物における成分の割合（百分率）は、組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。
【００３０】
本発明の組成物は、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、大きな誘電率異方性、および大きな比抵抗の特性において、複数の特性を充足する。この組成物は、複数の特性に関して適切なバランスを有する。本発明の素子は、この組成物を含有する。０．１９〜０．２５の光学異方性および大きな誘電率異方性を有する組成物を含有する素子は、大きな電圧保持率および短い転移時間を有し、そしてＯＣＢモードのＡＭ素子に適する。転移時間は液晶分子がスプレイ配向からベンド配向に転移するのに要する時間である。
【００３１】
本発明の組成物を次の順で説明する。第一に、組成物における成分の構成を説明する。第二に、成分である化合物の主要な特性、および化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。第三に、成分である化合物の好ましい割合およびその理由を説明する。第四に、成分である化合物の好ましい形態を説明する。第五に、成分である化合物の具体的な例を示す。第六に、成分である化合物の合成法を説明する。
【００３２】
第一に、組成物における成分の構成を説明する。成分である化合物の組み合わせは５６とおりである。これをタイプ１〜タイプ５６に分類して表２にまとめた。表２においてマル印は該当する化合物が成分であることを意味する。空欄は該当する化合物が成分でないことを意味する。例えば、タイプ１は、化合物（１）、化合物（２）、化合物（３）および化合物（４−１）が組成物の成分であることを意味する。
【００３３】
【００３４】
本発明の組成物は組成物Ａと組成物Ｂに分類される。組成物Ａはその他の化合物をさらに含有してもよい。「その他の化合物」は、液晶性化合物、添加物などである。この液晶性化合物は、化合物（１）〜化合物（５−３）とは異なる。この液晶性化合物は、特性を調整する目的で組成物に混合される。この添加物は光学活性な化合物、色素などである。液晶のらせん構造を誘起してねじれ角を与える目的で光学活性な化合物が組成物に混合される。ＧＨ（Guest host）モードの素子に適合させるために色素が組成物に混合される。
【００３５】
組成物Ｂは、実質的に化合物（１）〜化合物（５−３）から選択された化合物のみからなる。「実質的に」は、これらの化合物とは異なる液晶性化合物を組成物が含有しないことを意味する。「実質的に」は、これらの化合物に含まれていた不純物、光学活性な化合物、色素などの化合物を組成物がさらに含有してもよいことも意味する。組成物Ｂは組成物Ａに比較して成分の数が少ない。組成物Ｂはコストの観点から組成物Ａよりも好ましい。その他の液晶性化合物を混合することによって物性をさらに調整できるので、組成物Ａは組成物Ｂよりも好ましい。
【００３６】
第二に、成分である化合物の主要な特性、および化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。化合物の主要な特性を表３にまとめた。表３の記号において、Ｌは大きいまたは高い、Ｍは中程度の、そしてＳは小さいまたは低いを意味する。０は誘電率異方性がほぼゼロである（または極めて小さい）ことを意味する。Ｌ、ＭおよびＳの記号は、これらの化合物における相対的な評価である。
【００３７】
【００３８】
化合物（１）〜化合物（５−３）は、組成物において比抵抗を上げる。化合物（１）は、組成物において転移時間を短くする。化合物（２）は、組成物において、上限温度を上げ、光学異方性を上げ、そして転移時間を短くする。化合物（３）は、組成物において光学異方性を上げる。化合物（４−１）、（４−２）および（４−３）は、組成物において誘電率異方性を上げる。
【００３９】
化合物（５−１）〜化合物（５−３）は、組成物の特性をさらに調整するために混合される。化合物（５−１）は、組成物において粘度および光学異方性を調整するのに適する。化合物（５−２）は、組成物において粘度を調整するのに適する。化合物（５−３）は、組成物において上限温度および光学異方性を調整するのに適する。
【００４０】
第三に、成分である化合物の好ましい割合およびその理由を説明する。化合物（１）の好ましい割合は、転移時間を短くするために５％以上であり、そして下限温度を下げるために４０％以下である。さらに好ましい割合は１０％〜３０％である。化合物（２）の好ましい割合は、転移時間を短くするために１０％以上であり、そして下限温度を下げるために５０％以下である。さらに好ましい割合は１０％〜４０％である。
【００４１】
化合物（３）の好ましい割合は、光学異方性を上げるために３％以上であり、そして誘電率異方性を上げるために５０％以下である。さらに好ましい割合は３％〜４０％である。化合物（４−１）、（４−２）および（４−３）の好ましい割合は、誘電率異方性を上げるために５％以上であり、そして下限温度を下げるために４０％以下である。さらに好ましい割合は１０％〜２５％である。
【００４２】
化合物（５−１）、（５−２）および（５−３）を少なくとも１つ混合する場合、これらの化合物の好ましい割合は、特性をさらに調整させるために１％以上であり、そして誘電率異方性を上げるために６０％以下である。さらに好ましい割合は１０％〜５０％である。
【００４３】
第四に、成分である化合物の好ましい形態を説明する。成分である化合物の化学式において、Ｒ１の記号を複数の化合物に用いた。これらの化合物において、Ｒ１の意味は同一であってもよいし、または異なってもよい。例えば、化合物（１）のＲ１がエチルであり、化合物（２）のＲ１がエチルであるケースがある。化合物（１）のＲ１がエチルであり、化合物（２）のＲ１がプロピルであるケースもある。このルールは、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ、Ｒ’、Ａ１、Ａ２、Ｚ１、Ｚ２、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１、またはＹ２の記号についても適用する。
【００４４】
好ましいＲ１およびＲ２は独立して炭素数１〜１０のアルキルである。好ましいＲ３は炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数１〜１０のアルコキシである。好ましいＲおよびＲ’は独立して炭素数１〜１０のアルキルである。
【００４５】
好ましいアルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、またはオクチルである。さらに好ましいアルキルは、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、またはヘプチルである。
【００４６】
好ましいアルコキシは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、またはヘプチルオキシである。さらに好ましいアルコキシは、メトキシまたはエトキシである。
【００４７】
Ａ１に関する「任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン」は、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，３，５−トリフルオロ−１，４−フェニレン、または２，３，５，６−テトラフルオロ−１，４−フェニレンである。これらの中で好ましい基は１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、または２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンである。さらに好ましい基は、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレンおよび２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンである。成分である化合物において、１，４−シクロヘキシレンにおける立体配置は、シスよりもトランスが好ましい。
【００４８】
第五に、成分である化合物の具体的な例を示す。好ましい化合物（３）〜化合物（５−２）は、化合物（３−１）〜化合物（５−２−２）である。化合物（１）、化合物（２）、および化合物（５−３）は好ましい化合物でもある。これらの好ましい化合物において、Ｒなどの記号を複数の化合物に用いた。任意の２つの化合物において、Ｒなどによって表される具体的な基は同一であってもよいし、または異なってもよい。このことはすでに記載した。ＲおよびＲ’は独立してアルキルである。
【００４９】
【００５０】
【００５１】
【００５２】
第六に、成分である化合物の合成法を説明する。これらの化合物は既知の方法によって合成できる。合成法を例示する。化合物（１）は、特開昭６２−１８１２６７号公報に記載された方法によって合成する。化合物（２）は、特開昭５９−２１６８７６号公報に記載された方法によって合成する。化合物（３−２）および化合物（３−４）は、特開昭６３−１５２３３４号公報に記載された方法によって合成する。化合物（４−１−１）は特開昭５７−１８５２３０号公報に記載された方法によって合成する。化合物（４−１−２）および化合物（４−１−４）は、特開平２−２３３６２６号公報に記載された方法によって合成する。化合物（４−１−３）は特開昭６１−２８２３２８号公報に記載された方法によって合成する。化合物（４−２−１）〜化合物（４−２−３）、化合物（４−２−６）、そして化合物（４−２−８）は、特開平１０−２５１１８６号公報に記載された方法によって合成する。化合物（４−３）は、特開平９−２７８６９８号公報に記載された方法を修飾することによって合成する。化合物（５−１−１）は、特開昭６１−５０３１号公報に記載された方法によって合成する。化合物（５−２−２）は、特開昭５６−６８６３６号公報に記載された方法によって合成する。化合物（５−３）は、特開平２−２３７９４９号公報に記載された方法によって合成する。
【００５３】
合成法を記載しなかった化合物は、オーガニック・シンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載された方法によって合成できる。組成物は、このようにして得た化合物から公知の方法によって調製される。例えば、成分である化合物を混合し、加熱によって互いに溶解させる。
【００５４】
本発明の組成物は、主として０．１９〜０．２５の光学異方性を有する。この組成物を含有する素子は大きな電圧保持率を有する。したがって、この組成物はＡＭ素子に適する。この組成物はＯＣＢモードのＡＭ素子に特に適する。成分である化合物の割合を制御することによって、またはその他の液晶性化合物を混合することによって、０．１９０以下の光学異方性を有する組成物、さらには０．０７０〜０．１９０の光学異方性を有する組成物を調製してもよい。
【００５５】
この組成物はＡＭ素子だけでなくＰＭ素子にも使用することが可能である。この組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどのモードを有する素子に使用できる。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。この組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）素子、例えばＰＮ（polymer network）素子にも使用できる。
【００５６】
【実施例】
実施例により本発明を詳細に説明する。本発明は下記の実施例によって限定されない。比較例および実施例における化合物は、下記の表４の定義に基づいて記号により表した。表４において、１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置はトランスである。実施例において記号の後にあるかっこ内の番号は好ましい化合物の番号に対応する。（−）の記号はその他の化合物を意味する。最後に、組成物の特性値をまとめた。
【００５７】
【００５８】
特性値の測定は次の方法にしたがった。
ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。
【００５９】
ネマチック相の下限温度（ＴＣ；℃）：ネマチック相を有する試料を０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、ＴＣを＜−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。
【００６０】
光学異方性（Δｎ；２５℃で測定）：波長が５８９ｎｍの光によりアッベ屈折計を用いて測定した。
【００６１】
粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定にはＥ型粘度計を用いた。
【００６２】
誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍ、ツイスト角が８０度のＴＮ素子に試料を入れた。このセルに１０ボルトを印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。０．５ボルトを印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。正の誘電率異方性を有する組成物をこの方法によって測定した。試料が化合物のときは、化合物を適切な液晶組成物に混合して誘電率異方性を測定した。
【００６３】
電圧保持率（ＶＨＲ；２５℃と１００℃で測定；％）：日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された液晶組成物および配向膜を有する素子の電圧保持率を測定する方法にしたがった。測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そしてセルギャップは６μｍであった。２５℃のＴＮ素子に印加した電圧の波形を陰極線オシロスコープで観測し、単位周期において電圧曲線と横軸との間の面積を求めた。この面積を、ＴＮ素子を取り除いて測定した電圧の波形から同様にして求めた面積と比較して電圧保持率を算出した。この値をＶＨＲ−１で表した。次に、このＴＮ素子を１００℃に加熱して、同様な方法で電圧保持率を得た。この値をＶＨＲ−２で表した。
【００６４】
転移時間（Ｔ；２５℃で測定；秒）：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が４．５μｍであり、上下基板におけるラビングの方向が同一であり、２枚の偏光板を備えた表示素子に試料を入れた。この試料の配向はスプレイであった。この素子に、４Ｖ，３０Ｈｚの矩形波を印加してベンド配向を生成させた。スプレイ配向とベンド配向の境界である回位線（disclination line）が５００μｍ移動する時間を測定した。
【００６５】
比較例１
特開平９−１７６６４５号公報に開示された組成物の中から実施例１６を選んだ。理由は、この組成物が本発明の化合物（１）および化合物（２）を含有し、そして大きな光学異方性を有するからである。この組成物の成分および物性は下記のとおりである。この組成物において、下限温度は高く、光学異方性は小さく、誘電率異方性は小さく、ＶＨＲ−２は小さく、そして転移時間は長い。
２−ＰｙＢ−Ｆ ２％
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ １０％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ １１％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ ６％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ ８％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ ８％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ ６％
３−ＰｙＢ−Ｏ１ ２％
３−ＨＢ−Ｏ２ ２０％
３−ＨＥＢ−Ｏ４ ２％
５−ＨＥＢ−１ ２％
１Ｏ−ＢＥＢ−２ １％
２−ＰｙＢＨ−３ ４％
３−ＰｙＢＨ−３ ４％
４−ＰｙＢＨ−３ ２％
３−ＰｙＢＢ−２ ２％
ＮＩ＝８０．０℃；ＴＣ＜−１０℃；Δｎ＝０．１７０；η＝２８．７ｍＰａ・ｓ；Δε＝７．０；ＶＨＲ−１＝９８．１％；ＶＨＲ−２＝９１．３％；Ｔ＝１５６ｓｅｃ．
【００６６】
比較例２
特開平９−１７６６４５号公報に開示された組成物の中から実施例１８を選んだ。理由は、この組成物が本発明の化合物（３）および化合物（４−１）を含有し、そして大きな光学異方性を有するからである。この組成物と成分および特性は下記のとおりである。この組成物において、下限温度は高く、そして光学異方性は小さい。この組成物を含有するＡＭ素子ではスプレイ配向からベンド配向に転移しなかった。
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
２−ＢＴＢ−Ｏ１ １１％
３−ＨＢ−Ｏ２ ３％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １２％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １１％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １１％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ３％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４ ６％
ＮＩ＝９６．１℃；ＴＣ＜０℃；Δｎ＝０．１７９；η＝３５．９ｍＰａ・ｓ；Δε＝５．５；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９６．０％．
【００６７】
比較例３
特開平１０−１４５０号公報に開示された組成物の中から組成物例１２を選んだ。理由は、この組成物が本発明の化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）を含有し、そして大きな光学異方性を有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物において、光学異方性は小さく、ＶＨＲ−２は小さい。
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈ ９％
２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ４％
３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １３％
２−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ ７％
３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ １３％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
３−ＨＨ−４ ４％
２−ＢＴＢ−１ ３％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ ６％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ ５％
３−ＨＨＢ−１ １０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ５％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ６％
ＮＩ＝８５．１℃；ＴＣ＜−２０℃；Δｎ＝０．１６４；η＝３５．０ｍＰａ・ｓ；Δε＝１５．１；ＶＨＲ−１＝９２．１％；ＶＨＲ−２＝６３．４％；Ｔ＝１１９ｓｅｃ．
【００６８】
実施例１
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １４％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） ６％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ７％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ７％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４ （３−２） ７％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ （３−４） ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ （３−４） ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ （３−４） ４％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ３．５％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ３．５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ７％
ＮＩ＝９６．０℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．１９０；η＝３０．３ｍＰａ・ｓ；Δε＝１０．８；ＶＨＲ−１＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９６．４％；Ｔ＝１１８ｓｅｃ．
【００６９】
実施例２
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １４％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） ７％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １２％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １２％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １２％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ７％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ７％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４ （３−２） ７％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ （３−４） ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ （３−４） ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ （３−４） ４％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） １０％
ＮＩ＝９７．８℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．１９３；η＝３０．５ｍＰａ・ｓ；Δε＝１１．０；ＶＨＲ−１＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９６．０％；Ｔ＝１１０ｓｅｃ．
【００７０】
実施例３
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １４％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） ６％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ５％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ５％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ２％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ２％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ４％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−３） ３％
３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ （４−１−５） ３％
２−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ３％
３−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ３％
４−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ３％
４−ＢＴＢ−Ｏ２ （５−１−２） ３％
５−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ３％
３−ＨＢ−Ｏ２ （５−２−２） ８％
ＮＩ＝８４．１℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２１５；η＝３４．３ｍＰａ・ｓ；Δε＝８．６；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９６．７％；Ｔ＝１１９ｓｅｃ．
【００７１】
実施例４
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １８％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） ２％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−４） ２％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−６） ２％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−７） ２％
３−ＢＢＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＬ （４−１−８） ２％
２−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ２．６％
３−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ２．６％
４−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ２．６％
４−ＢＴＢ−Ｏ２ （５−１−２） ２．６％
５−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ２．６％
３−ＨＢ−Ｏ２ （５−２−２） １４％
ＮＩ＝８１．４℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２１１；η＝２９．５ｍＰａ・ｓ；Δε＝７．６；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９６．８％；Ｔ＝１２０ｓｅｃ．
【００７２】
実施例５
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １２％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） ５％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４ （３−２） ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） １０％
７−ＨＢ−１ （５−２−１） ７％
３−ＨＢ−Ｏ２ （５−２−２） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （５−３） ５％
ＮＩ＝９３．７℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２０５；η＝３８．４ｍＰａ・ｓ；Δε＝７．８；ＶＨＲ−１＝９８．８％；ＶＨＲ−２＝９７．４％；Ｔ＝１２６ｓｅｃ．
【００７３】
実施例６
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １５％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １２％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １２％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １２％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ５％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ５％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４ （３−２） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） ４％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （４−２−６） ２％
３−ＢＢＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （４−２−７） ２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ−ＯＣＦ３ （４−２−８） ２％
２−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４．８％
３−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４．８％
４−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４．８％
４−ＢＴＢ−Ｏ２ （５−１−２） ４．８％
５−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４．８％
ＮＩ＝９４．７℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２４４；η＝３４．７ｍＰａ・ｓ；Δε＝８．０；ＶＨＲ−１＝９８．５％；ＶＨＲ−２＝９６．４％；Ｔ＝１２０ｓｅｃ．
【００７４】
実施例７
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １５％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） ７％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ６％
３−Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＢＴＢ−２ （３−３） ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） １０％
２−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ５％
３−ＨＢ−Ｏ２ （５−２−２） １２％
ＮＩ＝８５．５℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２０６；η＝３０．８ｍＰａ・ｓ；Δε＝８．６；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９６．９％；Ｔ＝１１４ｓｅｃ．
【００７５】
実施例８
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １０％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １０％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １０％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ５％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ５％
４−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ３．４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ３．３％
７−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ３．３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−１） ２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ （４−２−２） ２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ−Ｆ （４−２−３） ２％
３−ＢＢＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−４） ２％
３−ＢＢＸＢ（Ｆ）−Ｆ （４−２−５） ２％
２−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
３−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
４−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
４−ＢＴＢ−Ｏ２ （５−１−２） ４％
５−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
３−ＨＢ−Ｏ２ （５−２−２） １０％
ＮＩ＝８９．２℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２１９；η＝３４．２ｍＰａ・ｓ；Δε＝７．７；ＶＨＲ−１＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９６．２％；Ｔ＝１２７ｓｅｃ．
【００７６】
実施例９
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １２％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） ５％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
２−ＨＢＴＢ−２ （３−１） ５％
２−ＨＢＴＢ−３ （３−１） ５％
２−ＨＢＴＢ−４ （３−１） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） １０％
２−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
３−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
４−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
４−ＢＴＢ−Ｏ２ （５−１−２） ４％
５−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
５ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （５−３） ５％
ＮＩ＝９５．６℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２４０；η＝４６．３ｍＰａ・ｓ；Δε＝７．８；ＶＨＲ−１＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９６．１％；Ｔ＝１２７ｓｅｃ．
【００７７】
実施例１０
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １５％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） ７％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４ （３−２） ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） １０％
２−ＢＴＢ−１ （５−１−１） ５％
３−ＨＢ−Ｏ２ （５−２−２） １２％
ＮＩ＝８２．７℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２０３；η＝３０．６ｍＰａ・ｓ；Δε＝９．０；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９６．９％；Ｔ＝１１５ｓｅｃ．
【００７８】
実施例１１
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １０％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １０％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １０％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ３％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ２％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ２％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ４％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＺＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−３−１） ３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＺＢ（Ｆ）−Ｆ （４−３−２） ３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＺＢ−Ｆ （４−３−３） ２％
３−ＢＢＺＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−３−４） ２％
３−ＢＢＺＢ（Ｆ）−Ｆ （４−３−５） ２％
２−ＢＴＢ−１ （５−１−１） １０％
２−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
３−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
４−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
４−ＢＴＢ−Ｏ２ （５−１−２） ４％
５−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
３−ＨＢ−Ｏ２ （５−２−２） ７％
ＮＩ＝８０．３℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２２１；η＝２８．４ｍＰａ・ｓ；Δε＝７．８；ＶＨＲ−１＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９６．０％；Ｔ＝１２５ｓｅｃ．
【００７９】
実施例１２
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １０％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） ５％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） ５％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） ５％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４ （３−２） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−１） ９％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＺＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （４−３−６） ２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＺＢ−ＯＣＦ３ （４−３−７） ２％
３−ＢＢＺ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （４−３−８） ２％
２−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４．６％
３−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４．６％
４−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４．６％
４−ＢＴＢ−Ｏ２ （５−１−２） ４．６％
５−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４．６％
３−ＨＢ−Ｏ２ （５−２−２） ２０％
ＮＩ＝８１．２℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２００；η＝２３．５ｍＰａ・ｓ；Δε＝８．２；ＶＨＲ−１＝９８．５％；ＶＨＲ−２＝９６．３％；Ｔ＝１２９ｓｅｃ．
【００８０】
実施例１３
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １０％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） ５％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ７％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−１） １０％
３−ＨＢ−Ｏ２ （５−２−２） １０％
５−ＨＢ−Ｏ２ （５−２−２） ７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （５−３） ６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （５−３） ５％
１Ｏ１−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ２％
ＮＩ＝９９．４℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２０７；η＝４０．１ｍＰａ・ｓ；Δε＝８．８；ＶＨＲ−１＝９８．８％；ＶＨＲ−２＝９７．８％；Ｔ＝１２１ｓｅｃ．
【００８１】
【発明の効果】
本発明の組成物は、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、大きな誘電率異方性、および大きな比抵抗の特性において、複数の特性を充足する。この組成物は、複数の特性に関して適切なバランスを有する。本発明の素子は、この組成物を含有する。０．１９〜０．２５の光学異方性および大きな誘電率異方性を有する組成物を含有する素子は、大きな電圧保持率および短い転移時間を有し、そしてＯＣＢのＡＭ素子に適する。転移時間は液晶分子がスプレイ配向からベンド配向に転移するのに要する時間である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、主としてＡＭ（active matrix）素子に適する液晶組成物およびこの組成物を含有するＡＭ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子において、液晶の動作モードに基づいた分類は、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＯＣＢ（optically compensatedbend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）などである。素子の駆動方式に基づいた分類は、ＰＭ（passive matrix）とＡＭ（active matrix）である。ＰＭはスタティック（static）とマルチプレックス（multiplex）などに分類され、ＡＭはＴＦＴ（thin film transistor）、ＭＩＭ（metal insulator metal）などに分類される。ＴＦＴの分類は非晶質シリコン（amorphous silicon）および多結晶シリコン（polycrystal silicon）である。後者は製造工程によって高温型と低温型とに分類される。光源に基づいた分類は、自然光を利用する反射型、バックライトを利用する透過型、そして自然光とバックライトの両方を利用する半透過型である。
【０００３】
これらの素子は適切な特性を有する液晶組成物を含有する。良好な一般的特性を有するＡＭ素子を得るには組成物の一般的特性を向上させる。２つの一般的特性における関連を下記の表１にまとめた。組成物の一般的特性を市販されているＡＭ素子に基づいてさらに説明する。ネマチック相の温度範囲は、素子の使用できる温度範囲に関連する。ネマチック相の好ましい上限温度は７０℃以上であり、そしてネマチック相の好ましい下限温度は−２０℃以下である。組成物の粘度は素子の応答時間に関連する。素子で動画を表示するためには短い応答時間が好ましい。したがって、組成物における小さな粘度が好ましい。低い温度における小さな粘度はより好ましい。
【０００４】
組成物の光学異方性は、素子のコントラスト比に関連する。素子におけるコントラスト比を最大にするために、透過型のＡＭ素子では組成物の光学異方性（Δｎ）と素子のセルギャップ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）を約０．４５μｍに設計する。したがって、組成物における光学異方性は主に０．０８〜０．１２の範囲である。一方、ＯＣＢモードのＡＭ素子におけるΔｎ・ｄは約０．６５μｍである。ＯＣＢモードのＡＭ素子におけるセルギャップは、液晶分子の配向がスプレーからベンドへ転移する際の時間を短くする、駆動電圧を小さくするために小さくする。したがって、組成物における光学異方性は主に０．１９〜０．２５の範囲である。組成物の大きな誘電率異方性は素子の小さな駆動電圧に寄与する。したがって、大きな誘電率異方性が好ましい。組成物における大きな比抵抗は、素子における大きな電圧保持率と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、初期に大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。長時間使用したあとでも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。
【０００６】
ＯＣＢモードのＡＭ素子において、短い転移時間を有する組成物が特に望まれている。短い転移時間を有する組成物は、スイッチを入れたあと短い時間で素子の表示を可能にする。転移時間は液晶分子がスプレイ配向からベンド配向に転移するのに要する時間である。従来の組成物は、次の特許文献または非特許文献に開示されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平７−８４２５４号公報
【特許文献２】
特開平９−１７６６４５号公報
【特許文献３】
特開平１０−１４５０号公報
【非特許文献１】
Society for Information Display International Symposium (SID '93), 277 (1993)
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、大きな誘電率異方性、および大きな比抵抗の特性において、複数の特性を充足する液晶組成物を提供することである。この目的は、複数の特性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することでもある。この目的は、この組成物を含有する液晶表示素子を提供することでもある。この目的は、０．１９〜０．２５の光学異方性および大きな誘電率異方性を有する組成物を含有し、そして大きな電圧保持率および短い転移時間を有するＯＣＢモードのＡＭ素子を提供することでもある。転移時間は液晶分子がスプレイ配向からベンド配向に転移するのに要する時間である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、項１〜項１７のとおりである。
１． 第一成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第三成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、並びに第四成分として式（４−１）、式（４−２）および式（４−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する液晶組成物。
【００１０】
式（１）、（２）、（３）、（４−１）、（４−２）、および（４−３）において、Ｒ１およびＲ２は独立してアルキルであり；Ａ１は１，４−シクロヘキシレンまたは任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレンであり；Ａ２は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、およびＸ４は独立して水素またはフッ素であり；Ｚ１およびＺ２は独立して単結合または−（ＣＨ２）２−であり；Ｙ１は塩素、フッ素または−ＯＣＦ３であり；そしてＹ２はフッ素または−ＯＣＦ３である。
【００１２】
２． 第四成分が式（４−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１に記載の液晶組成物。
【００１３】
３． 第四成分が式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１に記載の液晶組成物。
【００１４】
４． 第四成分が式（４−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１に記載の液晶組成物。
【００１５】
５． 第四成分が式（４−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１に記載の液晶組成物。
【００１６】
６． 第四成分が式（４−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（４−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１に記載の液晶組成物。
【００１７】
７． 第四成分が式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（４−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１に記載の液晶組成物。
【００１８】
８． 第四成分が式（４−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（４−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１に記載の液晶組成物。
【００１９】
９． 液晶組成物の全重量に基づいて、第一成分を５〜４０重量％の範囲で、第二成分を１０〜５０重量％の範囲で、第三成分を３〜５０重量％の範囲で、および第四成分を５〜４０重量％の範囲で含有する項１から８のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【００２０】
１０． 第五成分として式（５−１）、式（５−２）および式（５−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する項１から９のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【００２１】
１１． 液晶組成物の全重量に基づいて、第五成分を１〜６０重量％の範囲で含有する項１０に記載の液晶組成物。
【００２２】
１２． 項１から１１のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【００２３】
１３． 第五成分が式（５−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１０に記載の液晶組成物。
【００２４】
１４． 第五成分が式（５−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１０に記載の液晶組成物。
【００２５】
１５． 第五成分が式（５−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１０に記載の液晶組成物。
【００２６】
１６． 液晶組成物の全重量に基づいて、第五成分を１〜６０重量％の範囲で含有する項１３から１５のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【００２７】
１７． 項１３から１５のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【００２８】
【発明の実施の形態】
この明細書における用語の使い方は次のとおりである。本発明の液晶組成物または本発明の液晶表示素子をそれぞれ「組成物」または「素子」と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。液晶組成物の主成分は液晶性化合物である。この液晶性化合物は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物および液晶相を有さないが組成物の成分として有用な化合物の総称である。式（１）で表わされる化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を「化合物（１）」と略すことがある。他の式に関する化合物も同様に略すことがある。
【００２９】
ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略することがある。「比抵抗が大きい」は、組成物が初期に大きな比抵抗を有し、そして長時間使用したあとでも組成物が大きな比抵抗を有することを意味する。「電圧保持率が大きい」は、素子が初期に大きな電圧保持率を有し、そして長時間使用したあとでも素子が大きな電圧保持率を有することを意味する。光学異方性などの特性を説明するときは、実施例に記載した方法で測定した値を用いる。組成物における成分の割合（百分率）は、組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。
【００３０】
本発明の組成物は、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、大きな誘電率異方性、および大きな比抵抗の特性において、複数の特性を充足する。この組成物は、複数の特性に関して適切なバランスを有する。本発明の素子は、この組成物を含有する。０．１９〜０．２５の光学異方性および大きな誘電率異方性を有する組成物を含有する素子は、大きな電圧保持率および短い転移時間を有し、そしてＯＣＢモードのＡＭ素子に適する。転移時間は液晶分子がスプレイ配向からベンド配向に転移するのに要する時間である。
【００３１】
本発明の組成物を次の順で説明する。第一に、組成物における成分の構成を説明する。第二に、成分である化合物の主要な特性、および化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。第三に、成分である化合物の好ましい割合およびその理由を説明する。第四に、成分である化合物の好ましい形態を説明する。第五に、成分である化合物の具体的な例を示す。第六に、成分である化合物の合成法を説明する。
【００３２】
第一に、組成物における成分の構成を説明する。成分である化合物の組み合わせは５６とおりである。これをタイプ１〜タイプ５６に分類して表２にまとめた。表２においてマル印は該当する化合物が成分であることを意味する。空欄は該当する化合物が成分でないことを意味する。例えば、タイプ１は、化合物（１）、化合物（２）、化合物（３）および化合物（４−１）が組成物の成分であることを意味する。
【００３３】
本発明の組成物は組成物Ａと組成物Ｂに分類される。組成物Ａはその他の化合物をさらに含有してもよい。「その他の化合物」は、液晶性化合物、添加物などである。この液晶性化合物は、化合物（１）〜化合物（５−３）とは異なる。この液晶性化合物は、特性を調整する目的で組成物に混合される。この添加物は光学活性な化合物、色素などである。液晶のらせん構造を誘起してねじれ角を与える目的で光学活性な化合物が組成物に混合される。ＧＨ（Guest host）モードの素子に適合させるために色素が組成物に混合される。
【００３５】
組成物Ｂは、実質的に化合物（１）〜化合物（５−３）から選択された化合物のみからなる。「実質的に」は、これらの化合物とは異なる液晶性化合物を組成物が含有しないことを意味する。「実質的に」は、これらの化合物に含まれていた不純物、光学活性な化合物、色素などの化合物を組成物がさらに含有してもよいことも意味する。組成物Ｂは組成物Ａに比較して成分の数が少ない。組成物Ｂはコストの観点から組成物Ａよりも好ましい。その他の液晶性化合物を混合することによって物性をさらに調整できるので、組成物Ａは組成物Ｂよりも好ましい。
【００３６】
第二に、成分である化合物の主要な特性、および化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。化合物の主要な特性を表３にまとめた。表３の記号において、Ｌは大きいまたは高い、Ｍは中程度の、そしてＳは小さいまたは低いを意味する。０は誘電率異方性がほぼゼロである（または極めて小さい）ことを意味する。Ｌ、ＭおよびＳの記号は、これらの化合物における相対的な評価である。
【００３７】
化合物（１）〜化合物（５−３）は、組成物において比抵抗を上げる。化合物（１）は、組成物において転移時間を短くする。化合物（２）は、組成物において、上限温度を上げ、光学異方性を上げ、そして転移時間を短くする。化合物（３）は、組成物において光学異方性を上げる。化合物（４−１）、（４−２）および（４−３）は、組成物において誘電率異方性を上げる。
【００３９】
化合物（５−１）〜化合物（５−３）は、組成物の特性をさらに調整するために混合される。化合物（５−１）は、組成物において粘度および光学異方性を調整するのに適する。化合物（５−２）は、組成物において粘度を調整するのに適する。化合物（５−３）は、組成物において上限温度および光学異方性を調整するのに適する。
【００４０】
第三に、成分である化合物の好ましい割合およびその理由を説明する。化合物（１）の好ましい割合は、転移時間を短くするために５％以上であり、そして下限温度を下げるために４０％以下である。さらに好ましい割合は１０％〜３０％である。化合物（２）の好ましい割合は、転移時間を短くするために１０％以上であり、そして下限温度を下げるために５０％以下である。さらに好ましい割合は１０％〜４０％である。
【００４１】
化合物（３）の好ましい割合は、光学異方性を上げるために３％以上であり、そして誘電率異方性を上げるために５０％以下である。さらに好ましい割合は３％〜４０％である。化合物（４−１）、（４−２）および（４−３）の好ましい割合は、誘電率異方性を上げるために５％以上であり、そして下限温度を下げるために４０％以下である。さらに好ましい割合は１０％〜２５％である。
【００４２】
化合物（５−１）、（５−２）および（５−３）を少なくとも１つ混合する場合、これらの化合物の好ましい割合は、特性をさらに調整させるために１％以上であり、そして誘電率異方性を上げるために６０％以下である。さらに好ましい割合は１０％〜５０％である。
【００４３】
第四に、成分である化合物の好ましい形態を説明する。成分である化合物の化学式において、Ｒ１の記号を複数の化合物に用いた。これらの化合物において、Ｒ１の意味は同一であってもよいし、または異なってもよい。例えば、化合物（１）のＲ１がエチルであり、化合物（２）のＲ１がエチルであるケースがある。化合物（１）のＲ１がエチルであり、化合物（２）のＲ１がプロピルであるケースもある。このルールは、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ、Ｒ’、Ａ１、Ａ２、Ｚ１、Ｚ２、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１、またはＹ２の記号についても適用する。
【００４４】
好ましいＲ１およびＲ２は独立して炭素数１〜１０のアルキルである。好ましいＲ３は炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数１〜１０のアルコキシである。好ましいＲおよびＲ’は独立して炭素数１〜１０のアルキルである。
【００４５】
好ましいアルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、またはオクチルである。さらに好ましいアルキルは、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、またはヘプチルである。
【００４６】
好ましいアルコキシは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、またはヘプチルオキシである。さらに好ましいアルコキシは、メトキシまたはエトキシである。
【００４７】
Ａ１に関する「任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン」は、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，３，５−トリフルオロ−１，４−フェニレン、または２，３，５，６−テトラフルオロ−１，４−フェニレンである。これらの中で好ましい基は１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、または２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンである。さらに好ましい基は、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレンおよび２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンである。成分である化合物において、１，４−シクロヘキシレンにおける立体配置は、シスよりもトランスが好ましい。
【００４８】
第五に、成分である化合物の具体的な例を示す。好ましい化合物（３）〜化合物（５−２）は、化合物（３−１）〜化合物（５−２−２）である。化合物（１）、化合物（２）、および化合物（５−３）は好ましい化合物でもある。これらの好ましい化合物において、Ｒなどの記号を複数の化合物に用いた。任意の２つの化合物において、Ｒなどによって表される具体的な基は同一であってもよいし、または異なってもよい。このことはすでに記載した。ＲおよびＲ’は独立してアルキルである。
【００４９】
第六に、成分である化合物の合成法を説明する。これらの化合物は既知の方法によって合成できる。合成法を例示する。化合物（１）は、特開昭６２−１８１２６７号公報に記載された方法によって合成する。化合物（２）は、特開昭５９−２１６８７６号公報に記載された方法によって合成する。化合物（３−２）および化合物（３−４）は、特開昭６３−１５２３３４号公報に記載された方法によって合成する。化合物（４−１−１）は特開昭５７−１８５２３０号公報に記載された方法によって合成する。化合物（４−１−２）および化合物（４−１−４）は、特開平２−２３３６２６号公報に記載された方法によって合成する。化合物（４−１−３）は特開昭６１−２８２３２８号公報に記載された方法によって合成する。化合物（４−２−１）〜化合物（４−２−３）、化合物（４−２−６）、そして化合物（４−２−８）は、特開平１０−２５１１８６号公報に記載された方法によって合成する。化合物（４−３）は、特開平９−２７８６９８号公報に記載された方法を修飾することによって合成する。化合物（５−１−１）は、特開昭６１−５０３１号公報に記載された方法によって合成する。化合物（５−２−２）は、特開昭５６−６８６３６号公報に記載された方法によって合成する。化合物（５−３）は、特開平２−２３７９４９号公報に記載された方法によって合成する。
【００５３】
合成法を記載しなかった化合物は、オーガニック・シンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載された方法によって合成できる。組成物は、このようにして得た化合物から公知の方法によって調製される。例えば、成分である化合物を混合し、加熱によって互いに溶解させる。
【００５４】
本発明の組成物は、主として０．１９〜０．２５の光学異方性を有する。この組成物を含有する素子は大きな電圧保持率を有する。したがって、この組成物はＡＭ素子に適する。この組成物はＯＣＢモードのＡＭ素子に特に適する。成分である化合物の割合を制御することによって、またはその他の液晶性化合物を混合することによって、０．１９０以下の光学異方性を有する組成物、さらには０．０７０〜０．１９０の光学異方性を有する組成物を調製してもよい。
【００５５】
この組成物はＡＭ素子だけでなくＰＭ素子にも使用することが可能である。この組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどのモードを有する素子に使用できる。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。この組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）素子、例えばＰＮ（polymer network）素子にも使用できる。
【００５６】
【実施例】
実施例により本発明を詳細に説明する。本発明は下記の実施例によって限定されない。比較例および実施例における化合物は、下記の表４の定義に基づいて記号により表した。表４において、１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置はトランスである。実施例において記号の後にあるかっこ内の番号は好ましい化合物の番号に対応する。（−）の記号はその他の化合物を意味する。最後に、組成物の特性値をまとめた。
【００５７】
特性値の測定は次の方法にしたがった。
ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。
【００５９】
ネマチック相の下限温度（ＴＣ；℃）：ネマチック相を有する試料を０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、ＴＣを＜−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。
【００６０】
光学異方性（Δｎ；２５℃で測定）：波長が５８９ｎｍの光によりアッベ屈折計を用いて測定した。
【００６１】
粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定にはＥ型粘度計を用いた。
【００６２】
誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍ、ツイスト角が８０度のＴＮ素子に試料を入れた。このセルに１０ボルトを印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。０．５ボルトを印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。正の誘電率異方性を有する組成物をこの方法によって測定した。試料が化合物のときは、化合物を適切な液晶組成物に混合して誘電率異方性を測定した。
【００６３】
電圧保持率（ＶＨＲ；２５℃と１００℃で測定；％）：日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された液晶組成物および配向膜を有する素子の電圧保持率を測定する方法にしたがった。測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そしてセルギャップは６μｍであった。２５℃のＴＮ素子に印加した電圧の波形を陰極線オシロスコープで観測し、単位周期において電圧曲線と横軸との間の面積を求めた。この面積を、ＴＮ素子を取り除いて測定した電圧の波形から同様にして求めた面積と比較して電圧保持率を算出した。この値をＶＨＲ−１で表した。次に、このＴＮ素子を１００℃に加熱して、同様な方法で電圧保持率を得た。この値をＶＨＲ−２で表した。
【００６４】
転移時間（Ｔ；２５℃で測定；秒）：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が４．５μｍであり、上下基板におけるラビングの方向が同一であり、２枚の偏光板を備えた表示素子に試料を入れた。この試料の配向はスプレイであった。この素子に、４Ｖ，３０Ｈｚの矩形波を印加してベンド配向を生成させた。スプレイ配向とベンド配向の境界である回位線（disclination line）が５００μｍ移動する時間を測定した。
【００６５】
比較例１
特開平９−１７６６４５号公報に開示された組成物の中から実施例１６を選んだ。理由は、この組成物が本発明の化合物（１）および化合物（２）を含有し、そして大きな光学異方性を有するからである。この組成物の成分および物性は下記のとおりである。この組成物において、下限温度は高く、光学異方性は小さく、誘電率異方性は小さく、ＶＨＲ−２は小さく、そして転移時間は長い。
２−ＰｙＢ−Ｆ ２％
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ １０％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ １１％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ５％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ ６％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ ８％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ ８％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ ６％
３−ＰｙＢ−Ｏ１ ２％
３−ＨＢ−Ｏ２ ２０％
３−ＨＥＢ−Ｏ４ ２％
５−ＨＥＢ−１ ２％
１Ｏ−ＢＥＢ−２ １％
２−ＰｙＢＨ−３ ４％
３−ＰｙＢＨ−３ ４％
４−ＰｙＢＨ−３ ２％
３−ＰｙＢＢ−２ ２％
ＮＩ＝８０．０℃；ＴＣ＜−１０℃；Δｎ＝０．１７０；η＝２８．７ｍＰａ・ｓ；Δε＝７．０；ＶＨＲ−１＝９８．１％；ＶＨＲ−２＝９１．３％；Ｔ＝１５６ｓｅｃ．
【００６６】
比較例２
特開平９−１７６６４５号公報に開示された組成物の中から実施例１８を選んだ。理由は、この組成物が本発明の化合物（３）および化合物（４−１）を含有し、そして大きな光学異方性を有するからである。この組成物と成分および特性は下記のとおりである。この組成物において、下限温度は高く、そして光学異方性は小さい。この組成物を含有するＡＭ素子ではスプレイ配向からベンド配向に転移しなかった。
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
２−ＢＴＢ−Ｏ１ １１％
３−ＨＢ−Ｏ２ ３％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １２％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １１％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １１％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ３％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４ ６％
ＮＩ＝９６．１℃；ＴＣ＜０℃；Δｎ＝０．１７９；η＝３５．９ｍＰａ・ｓ；Δε＝５．５；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９６．０％．
【００６７】
比較例３
特開平１０−１４５０号公報に開示された組成物の中から組成物例１２を選んだ。理由は、この組成物が本発明の化合物（１）、化合物（２）および化合物（３）を含有し、そして大きな光学異方性を有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物において、光学異方性は小さく、ＶＨＲ−２は小さい。
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈ ９％
２Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ４％
３Ｏ１−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １３％
２−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ ７％
３−ＨＢ（Ｆ）−Ｃ １３％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
３−ＨＨ−４ ４％
２−ＢＴＢ−１ ３％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ ６％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ ５％
３−ＨＨＢ−１ １０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ５％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ６％
ＮＩ＝８５．１℃；ＴＣ＜−２０℃；Δｎ＝０．１６４；η＝３５．０ｍＰａ・ｓ；Δε＝１５．１；ＶＨＲ−１＝９２．１％；ＶＨＲ−２＝６３．４％；Ｔ＝１１９ｓｅｃ．
【００６８】
実施例１
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １４％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） ６％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ７％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ７％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４ （３−２） ７％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ （３−４） ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ （３−４） ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ （３−４） ４％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ３．５％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ３．５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ７％
ＮＩ＝９６．０℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．１９０；η＝３０．３ｍＰａ・ｓ；Δε＝１０．８；ＶＨＲ−１＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９６．４％；Ｔ＝１１８ｓｅｃ．
【００６９】
実施例２
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １４％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） ７％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １２％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １２％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １２％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ７％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ７％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４ （３−２） ７％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ （３−４） ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ （３−４） ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ （３−４） ４％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） １０％
ＮＩ＝９７．８℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．１９３；η＝３０．５ｍＰａ・ｓ；Δε＝１１．０；ＶＨＲ−１＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９６．０％；Ｔ＝１１０ｓｅｃ．
【００７０】
実施例３
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １４％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） ６％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ５％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ５％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ２％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ２％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ４％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−３） ３％
３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ （４−１−５） ３％
２−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ３％
３−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ３％
４−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ３％
４−ＢＴＢ−Ｏ２ （５−１−２） ３％
５−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ３％
３−ＨＢ−Ｏ２ （５−２−２） ８％
ＮＩ＝８４．１℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２１５；η＝３４．３ｍＰａ・ｓ；Δε＝８．６；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９６．７％；Ｔ＝１１９ｓｅｃ．
【００７１】
実施例４
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １８％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） ２％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−４） ２％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−６） ２％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−７） ２％
３−ＢＢＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＬ （４−１−８） ２％
２−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ２．６％
３−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ２．６％
４−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ２．６％
４−ＢＴＢ−Ｏ２ （５−１−２） ２．６％
５−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ２．６％
３−ＨＢ−Ｏ２ （５−２−２） １４％
ＮＩ＝８１．４℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２１１；η＝２９．５ｍＰａ・ｓ；Δε＝７．６；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９６．８％；Ｔ＝１２０ｓｅｃ．
【００７２】
実施例５
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １２％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） ５％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４ （３−２） ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） １０％
７−ＨＢ−１ （５−２−１） ７％
３−ＨＢ−Ｏ２ （５−２−２） １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （５−３） ５％
ＮＩ＝９３．７℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２０５；η＝３８．４ｍＰａ・ｓ；Δε＝７．８；ＶＨＲ−１＝９８．８％；ＶＨＲ−２＝９７．４％；Ｔ＝１２６ｓｅｃ．
【００７３】
実施例６
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １５％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １２％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １２％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １２％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ５％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ５％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４ （３−２） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） ４％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （４−２−６） ２％
３−ＢＢＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （４−２−７） ２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ−ＯＣＦ３ （４−２−８） ２％
２−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４．８％
３−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４．８％
４−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４．８％
４−ＢＴＢ−Ｏ２ （５−１−２） ４．８％
５−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４．８％
ＮＩ＝９４．７℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２４４；η＝３４．７ｍＰａ・ｓ；Δε＝８．０；ＶＨＲ−１＝９８．５％；ＶＨＲ−２＝９６．４％；Ｔ＝１２０ｓｅｃ．
【００７４】
実施例７
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １５％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） ７％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ６％
３−Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＢＴＢ−２ （３−３） ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） １０％
２−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ５％
３−ＨＢ−Ｏ２ （５−２−２） １２％
ＮＩ＝８５．５℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２０６；η＝３０．８ｍＰａ・ｓ；Δε＝８．６；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９６．９％；Ｔ＝１１４ｓｅｃ．
【００７５】
実施例８
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １０％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １０％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １０％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ５％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ５％
４−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ３．４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ３．３％
７−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ３．３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−１） ２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ （４−２−２） ２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ−Ｆ （４−２−３） ２％
３−ＢＢＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−４） ２％
３−ＢＢＸＢ（Ｆ）−Ｆ （４−２−５） ２％
２−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
３−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
４−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
４−ＢＴＢ−Ｏ２ （５−１−２） ４％
５−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
３−ＨＢ−Ｏ２ （５−２−２） １０％
ＮＩ＝８９．２℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２１９；η＝３４．２ｍＰａ・ｓ；Δε＝７．７；ＶＨＲ−１＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９６．２％；Ｔ＝１２７ｓｅｃ．
【００７６】
実施例９
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １２％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） ５％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
２−ＨＢＴＢ−２ （３−１） ５％
２−ＨＢＴＢ−３ （３−１） ５％
２−ＨＢＴＢ−４ （３−１） ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） １０％
２−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
３−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
４−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
４−ＢＴＢ−Ｏ２ （５−１−２） ４％
５−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
５ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （５−３） ５％
ＮＩ＝９５．６℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２４０；η＝４６．３ｍＰａ・ｓ；Δε＝７．８；ＶＨＲ−１＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９６．１％；Ｔ＝１２７ｓｅｃ．
【００７７】
実施例１０
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １５％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） ７％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４ （３−２） ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−１−２） １０％
２−ＢＴＢ−１ （５−１−１） ５％
３−ＨＢ−Ｏ２ （５−２−２） １２％
ＮＩ＝８２．７℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２０３；η＝３０．６ｍＰａ・ｓ；Δε＝９．０；ＶＨＲ−１＝９８．７％；ＶＨＲ−２＝９６．９％；Ｔ＝１１５ｓｅｃ．
【００７８】
実施例１１
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １０％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １０％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １０％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ３％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ２％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ２％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ （４−１−１） ４％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＺＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−３−１） ３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＺＢ（Ｆ）−Ｆ （４−３−２） ３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＺＢ−Ｆ （４−３−３） ２％
３−ＢＢＺＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−３−４） ２％
３−ＢＢＺＢ（Ｆ）−Ｆ （４−３−５） ２％
２−ＢＴＢ−１ （５−１−１） １０％
２−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
３−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
４−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
４−ＢＴＢ−Ｏ２ （５−１−２） ４％
５−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４％
３−ＨＢ−Ｏ２ （５−２−２） ７％
ＮＩ＝８０．３℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２２１；η＝２８．４ｍＰａ・ｓ；Δε＝７．８；ＶＨＲ−１＝９８．６％；ＶＨＲ−２＝９６．０％；Ｔ＝１２５ｓｅｃ．
【００７９】
実施例１２
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １０％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） ５％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） ５％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） ５％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ６％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−４ （３−２） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−１） ９％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＺＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （４−３−６） ２％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＺＢ−ＯＣＦ３ （４−３−７） ２％
３−ＢＢＺ（Ｆ）−ＯＣＦ３ （４−３−８） ２％
２−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４．６％
３−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４．６％
４−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４．６％
４−ＢＴＢ−Ｏ２ （５−１−２） ４．６％
５−ＢＴＢ−Ｏ１ （５−１−２） ４．６％
３−ＨＢ−Ｏ２ （５−２−２） ２０％
ＮＩ＝８１．２℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２００；η＝２３．５ｍＰａ・ｓ；Δε＝８．２；ＶＨＲ−１＝９８．５％；ＶＨＲ−２＝９６．３％；Ｔ＝１２９ｓｅｃ．
【００８０】
実施例１３
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） １０％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （１） ５％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ （２） １１％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ （３−２） ７％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ （３−２） ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ （４−２−１） １０％
３−ＨＢ−Ｏ２ （５−２−２） １０％
５−ＨＢ−Ｏ２ （５−２−２） ７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ （５−３） ６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ （５−３） ５％
１Ｏ１−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ （−） ２％
ＮＩ＝９９．４℃；ＴＣ＜−３０℃；Δｎ＝０．２０７；η＝４０．１ｍＰａ・ｓ；Δε＝８．８；ＶＨＲ−１＝９８．８％；ＶＨＲ−２＝９７．８％；Ｔ＝１２１ｓｅｃ．
【００８１】
【発明の効果】
本発明の組成物は、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、大きな誘電率異方性、および大きな比抵抗の特性において、複数の特性を充足する。この組成物は、複数の特性に関して適切なバランスを有する。本発明の素子は、この組成物を含有する。０．１９〜０．２５の光学異方性および大きな誘電率異方性を有する組成物を含有する素子は、大きな電圧保持率および短い転移時間を有し、そしてＯＣＢのＡＭ素子に適する。転移時間は液晶分子がスプレイ配向からベンド配向に転移するのに要する時間である。
Claims (12)
- 第一成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第三成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、並びに第四成分として式（４−１）、式（４−２）および式（４−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する液晶組成物。
式（１）、（２）、（３）、（４−１）、（４−２）、および（４−３）において、Ｒ１およびＲ２は独立してアルキルであり；Ａ１は１，４−シクロヘキシレンまたは任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレンであり；Ａ２は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、およびＸ４は独立して水素またはフッ素であり；Ｚ１およびＺ２は独立して単結合または−（ＣＨ２）２−であり；Ｙ１は塩素、フッ素または−ＯＣＦ３であり；そしてＹ２はフッ素または−ＯＣＦ３である。 - 第四成分が式（４−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項１に記載の液晶組成物。
- 第四成分が式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項１に記載の液晶組成物。
- 第四成分が式（４−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項１に記載の液晶組成物。
- 第四成分が式（４−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項１に記載の液晶組成物。
- 第四成分が式（４−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（４−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項１に記載の液晶組成物。
- 第四成分が式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（４−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項１に記載の液晶組成物。
- 第四成分が式（４−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、式（４−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（４−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項１に記載の液晶組成物。
- 液晶組成物の全重量に基づいて、第一成分を５〜４０重量％の範囲で、第二成分を１０〜５０重量％の範囲で、第三成分を３〜５０重量％の範囲で、および第四成分を５〜４０重量％の範囲で含有する請求項１から８のいずれか１項に記載の液晶組成物。
- 第五成分として式（５−１）、式（５−２）および式（５−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する請求項１から９のいずれか１項に記載の液晶組成物。
式（５−１）、（５−２）および（５−３）において、Ｒ１およびＲ２は独立してアルキルであり；Ｒ３はアルキルまたはアルコキシである。 - 液晶組成物の全重量に基づいて、第五成分を１〜６０重量％の範囲で含有する請求項１０に記載の液晶組成物。
- 請求項１から１１のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
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