JP2004207766A5

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Publication number: JP2004207766A5
Application number: JP2004119486A
Authority: JP
Filing date: 2004-04-14
Publication date: 2005-06-02
Anticipated expiration: 2017-06-04

Description

本発明は、上記問題点を解決するために、被処理体を載置する載置台を設けた処理容器と、前記処理容器に接続され、第１のガスの活性種を前記処理容器に供給するプラズマ形成管と、前記プラズマ形成管に接続され、前記第１のガスを導入するプラズマガス導入部と、前記プラズマガス形成管に設けられ、前記プラズマガス導入部より導入された前記第１のガスをプラズマ化して、該第１のガスの活性種を生成するプラズマ形成部と、前記載置台の上方に設けられ前記プラズマ形成管より前記処理容器内へ供給される第１のガスの活性種の流れの方向に沿って第２のガスを供給する第２のガス供給部と、を備えるように構成したものである。この場合、例えば前記第１のガスはＮ _２ガスとＨ _２ガスとの混合ガスであり、前記第２のガスはＮＦ _３ガスである。

Claims

プラズマ形成部を有するプラズマ形成管と、
該プラズマ形成管内に第１のガスを供給するプラズマガス導入部と、
前記プラズマ形成管に接続されて、内部に被処理体を載置する載置台を設けた処理容器と、
前記載置台上の被処理体に向かってフローするガスの流れに関して前記プラズマ形成部より下流であって前記載置台の上方に設けられたガス孔を有し、このガス孔から第２のガスを流出させることにより、第１のガスが前記プラズマ形成管内でプラズマ化されることにより形成され前記載置台上の被処理体に向かって流れる活性ガス種のダウンフロー中に第２のガスを添加する第２のガス供給部と、
を備えたことを特徴とする表面処理装置。
前記プラズマ形成管は石英により形成されていることを特徴とする請求項１記載の表面処理装置。
前記プラズマ形成部は、ＲＦ波を発生する高周波発生源と、このＲＦ波を前記プラズマ形成管内へ導入する誘導コイルとよりなることを特徴とする請求項１又は２記載の表面処理装置。
被処理体を載置する載置台を設けた処理容器と、
前記処理容器に接続され、第１のガスの活性種を前記処理容器に供給するプラズマ形成管と、
前記プラズマ形成管に接続され、前記第１のガスを導入するプラズマガス導入部と、
前記プラズマガス形成管に設けられ、前記プラズマガス導入部より導入された前記第１のガスをプラズマ化して、該第１のガスの活性種を生成するプラズマ形成部と、
前記載置台の上方に設けられ前記プラズマ形成管より前記処理容器内へ供給される第１のガスの活性種の流れの方向に沿って第２のガスを供給する第２のガス供給部と、
を備えたことを特徴とする表面処理装置。
前記載置台を所定の温度に加熱する加熱手段を具備することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の表面処理装置。
前記第２のガス供給部は、前記プラズマ形成管の下流側に設けられることを特徴とする請求項４または５記載の表面処理装置。
前記第２のガス供給部は、前記プラズマ形成管の下端の流出口に設けられることを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載の表面処理装置。
前記第２のガス供給部は、ノズル、格子状、シャワーヘッド状の内の一つの形状で形成されることを特徴とする請求項４乃至７のいずれかに記載の表面処理装置。
前記プラズマ形成部は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生源と、発生したマイクロ波を前記プラズマ形成管内へ導入する導波管とよりなることを特徴とする請求項４乃至８のいずれかに記載の表面処理装置。
前記プラズマ形成部は、ＲＦ波を発生する高周波発生源と、該高周波発生源に整合回路を介して接続され、このＲＦ波を前記プラズマ形成管内へ導入する誘導コイルとよりなることを特徴とする請求項４乃至８のいずれかに記載の表面処理装置。
前記載置台の上方には、前記プラズマ形成管の流出口と連通された傘状の覆い部材が設けられていることを特徴とする請求項４乃至１０のいずれかに記載の表面処理装置。
前記第１のガスはＮ_２ガスとＨ_２ガスとの混合ガスであり、前記第２のガスはＮＦ_３ガスであることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の表面処理装置。
表面に形成された酸化物を有する被処理体を処理容器内で処理する表面処理方法であって、
（ａ）前記処理容器内に第１のガスをプラズマ化し、該第１のガスの活性ガス種を形成して供給する工程と、
（ｂ）前記処理容器内に供給された前記第１のガスの活性ガス種の流れ方向に沿って、前記被処理体の上方から第２のガスを添加して前記活性ガス種により第２のガスを活性化する工程と、
（ｃ）前記第１のガス及び第２のガスの活性ガス種と前記被処理体に形成する酸化物との反応により、前記活性ガス種を含む保護膜を形成する工程と、
（ｄ）前記被処理体を所定の温度に加熱することにより前記活性ガス種を含む保護膜を昇華させて前記被処理体に形成する酸化物を除去する工程と、
を備えたことを特徴とする表面処理方法。
表面に形成された酸化物を有する被処理体を処理容器内で処理する表面処理方法であって、
（ａ）前記処理容器内に第１のガスをプラズマ手段によりプラズマ化し、該第１のガスの活性ガス種を形成して供給する工程と、
（ｂ）前記処理容器内に供給された前記第１のガスの活性ガス種の流れ方向に沿って、前記被処理体の上方から第２のガスを添加して前記活性ガス種により第２のガスを活性化する工程と、
（ｃ）前記第１のガス及び第２のガスの活性ガス種と前記被処理体に形成する酸化物との反応により、前記活性ガス種を含む保護膜を形成する工程と、
（ｄ）前記被処理体を所定の温度に加熱することにより前記活性ガス種を含む保護膜を昇華させて前記被処理体に形成する酸化物を除去する工程と、を備え、
前記（ａ）〜（ｃ）の各工程は、前記被処理体を加熱しないで行われることを特徴とする表面処理方法。
前記（ｃ）工程の終了後、第１のガス、第２のガスのそれぞれのガス供給及びプラズマを停止し、前記処理容器内を真空引きして残留ガスを排除する工程を有することを特徴とする請求項１４記載の表面処理方法。
前記活性ガス種を含む保護膜は、Ｓｉ，Ｎ，Ｈ，Ｆ，Ｏを含むことを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれかに記載の表面処理方法。
前記プラズマは、マイクロ波または高周波で発生されるプラズマであることを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれかに記載の表面処理方法。
前記（ｄ）工程において、前記被処理体の温度は、１００℃以上であることを特徴とする請求項１３乃至１７のいずれかに記載の表面処理方法。
前記（ｄ）工程において、前記処理容器内の圧力は、１００ｍＴｏｒｒ以下であることを特徴とする請求項１３乃至１８のいずれかに記載の表面処理方法。
前記（ａ）〜（ｃ）の各工程は、室温で行われることを特徴とする請求項１３乃至１９のいずれかに記載の表面処理方法。
被処理体の表面に形成された酸化膜を除去する表面処理方法において、
プラズマ形成領域において第１のガスをプラズマ化することにより活性化して活性ガス種を形成する工程と、
前記被処理体に向かってフローするガスの流れに関して前記プラズマ形成領域より下流の領域において前記被処理体に向かって流れる前記活性ガス種のダウンフロー中に第２のガスを添加して第２のガスを活性化する工程と、
形成された第２のガスの活性ガス種を被処理体の表面に晒してこれを前記酸化膜と反応させて生成物を形成する工程と、
前記被処理体を所定の温度に加熱することにより前記生成物を除去する工程、とを備えたことを特徴とする表面処理方法。
生成物を除去する工程の前記所定の温度は１００℃以上であり、且つ圧力は１００ｍＴｏｒｒ以下であることを特徴とする請求項２１記載の表面処理方法。
前記第１のガスはＮ_２ガスとＨ_２ガスとの混合ガスであり、前記第２のガスはＮＦ_３ガスであることを特徴とする請求項１３乃至２２のいずれかに記載の表面処理方法。