JP2004186410A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】封止体近傍に配置されたアンテナ接続端子へのバリの付着を防止し、加えて、コンタクト面に形成された接触電極への圧痕の発生を防止する。
【解決手段】基板の一方の面に搭載した半導体チップを樹脂モールドの封止体によって覆い、前記一方の面の封止体外に形成した端子と前記半導体チップとを配線を介して接続した半導体装置において、前記配線を、前記端子とは離れた位置で前記封止体外に延出し、封止体に沿って延在して前記端子に接続する。また、基板の一方の面に搭載した半導体チップを樹脂モールドの封止体によって覆い、前記一方の面の封止体外に形成した端子と前記半導体チップとを配線を介して接続し、前記基板の他方の面に複数の電極を形成した半導体装置において、前記他方の面に形成された複数の電極間の間隙に対応する位置の前記一方の面に前記配線を配置する。
【選択図】 図6
【解決手段】基板の一方の面に搭載した半導体チップを樹脂モールドの封止体によって覆い、前記一方の面の封止体外に形成した端子と前記半導体チップとを配線を介して接続した半導体装置において、前記配線を、前記端子とは離れた位置で前記封止体外に延出し、封止体に沿って延在して前記端子に接続する。また、基板の一方の面に搭載した半導体チップを樹脂モールドの封止体によって覆い、前記一方の面の封止体外に形成した端子と前記半導体チップとを配線を介して接続し、前記基板の他方の面に複数の電極を形成した半導体装置において、前記他方の面に形成された複数の電極間の間隙に対応する位置の前記一方の面に前記配線を配置する。
【選択図】 図6
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、接触式及び非接触式の共用ICカードに用いられる半導体装置の樹脂封止体形成に適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
定期乗車券或いはクレジットカード等の本人認証機能を有するカードとしては、従来から磁気によって記録を行なうものが用いられてきたが、偽造が比較的容易である点或いはセキュリティが充分ではない点等の問題があり、カード状の樹脂等に半導体チップ(IC:Integrated Circuit)を埋め込んだICカードが用いられ始めている。
【0003】
こうしたICカードには、ICカードをカードリーダに接触させずにデータの交換を行なう非接触式のものと、ICカードをカードリーダに接触させてデータの交換を行なう接触式のものとがある。
【0004】
非接触式のICカードでは、樹脂等を用いたカードの中に半導体チップ及びこの半導体チップと接続したアンテナが埋め込まれており、ICカードをカードリーダに近づけると、カードリーダからの電波によってアンテナから半導体チップに電源が供給されて半導体チップが作動し、半導体チップとカードリーダとが電波によってデータ交換を行なう。
【0005】
非接触式のICカードでは、ICカードをカードリーダに近づければよいので、処理を迅速に行なうことが可能であり、定期乗車券或いは社員証等に用いて入退場管理等を行なう等の処理速度を優先させた用途に適しているが、非接触式のICカードでは、電源が電波によって供給されるため電源電圧等に制限があり、半導体チップに搭載する回路の機能にも限界がある。加えて、電波を用いてデータ交換が行なわれるので、第三者にデータを傍受される可能性がある。
【0006】
これに対して接触式のICカードでは、樹脂等を用いた板状のカードに半導体装置が埋め込まれた状態で、半導体装置の接触電極がカードの表面に露出しており、この接触電極をカードリーダの端子に直接接触させて導通をとり、データ交換を行なっている。この際に、カードリーダから半導体装置の接触電極へ電源が供給されるため、非接触式の場合と比較して電源電圧等に制限が少なく、半導体チップに搭載する回路の機能を高くすることが可能であり、加えて接触電極とカードリーダの端子とが直接接触してデータ交換が行なわれ、電波を用いないので、第三者にデータを傍受される可能性が低いので、高度のセキュリティ処理が可能になる。
【0007】
こうした接触式のICカードに用いられる半導体装置では、ガラスエポキシ等の絶縁体を用いた基板の一方の面となる素子搭載面に半導体チップを固定し、基板の他方の面となるコンタクト面には銅箔に金メッキを施した複数の接触電極が形成されており、前記半導体チップにボンディングワイヤの一端を接続し、ボンディングワイヤの他端を基板に貫通させた孔を通して接触電極へ裏側から接続し、半導体チップとボンディングワイヤとを樹脂モールド或いはポッティングによって形成した封止体によって被覆している。
【0008】
今後、このようなICカードが普及し様々な用途に用いられる事態が予想されており、夫々の用途ごとにカードを別々に作成していては、所持するカードの枚数が増加しICカードの管理が煩雑になるが、ICカードでは扱えるデータ量が豊富なために、単一のカードを複数の用途に共用することが可能であり、複数の用途のICカードを共用化した場合には、その管理が容易になることに加えて、ICカードの作成に要するコストが分散されるので導入が容易になる。
【0009】
このため、ICカードの用途を拡張するためには、単一のカードで接触式及び非接触式の双方に対応することが望ましい。しかし、従来の半導体装置を用いた場合には、接触式及び非接触式の双方に対応させるために、夫々の方式の半導体装置を単一のカードに搭載しなければならず、ICカードの価格が上昇する。加えて、夫々の半導体装置が別チップとなっているために、本人のIDデータ等の共通するデータを共用することができないので、個別にデータ入力しなければならず、同一のデータを夫々に記憶させる必要があり、手間がかかり記憶容量の利用も効率的ではない。
【0010】
【特許文献】
特願2001−384851号明細書及び図面(第5−8頁、図7)
【0011】
このため、本発明者等は前記特許文献に示す非接触式と接触式との双方の処理を行なうことが可能な共用カード用の半導体装置を開発した。この半導体装置では、基板の一方の面である半導体チップ搭載面に半導体チップを搭載し他方の面であるコンタクト面に接触電極を形成し、半導体チップと接触電極とを接続し、前記基板の半導体チップ搭載面に半導体チップと接続したアンテナ接続端子を形成する構成となっており、前記基板の半導体チップ搭載面はポッティング或いは樹脂モールドによって形成したエポキシ樹脂等の封止体によって被覆している。
【0012】
ICカードでは大量に配布されることが想定されており、価格を下げることが重要である。しかし、ポッティングによって封止体を形成する場合には、封止体形成領域の周囲にソルダレジストを用いたダムを形成し、樹脂に対する濡れ性の違いを利用して封止体を形成するため、このソルダレジストによるダムを形成するためのマスクが必要となりコストが上昇する。
【0013】
また、ソルダレジストによるダムを封止体形成領域の周囲に形成するため、アンテナ接続端子を封止体の近傍に形成する場合には、封止体を形成した後にソルダレジストを剥離させてアンテナ接続端子を露出させる必要があり工程増を招き、ソルダレジストの剥離をなくすために、アンテナ接続端子を前記ダムの外側に形成する場合には、規格によって接触電極のサイズが決まっているため封止体周囲の基板領域は限られているので、ダム形成領域によって利用可能な基板領域が減少し、アンテナ接続端子の配置に制約が生じることになる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
これらの点に加えて、ICカードに要求される曲げ強度或いは吸湿性等の封止特性の点からも樹脂モールドによる封止体は有利であるが、前述した半導体装置の封止体を樹脂モールドによって形成する場合には、樹脂モールド時に配線と金型との僅かな隙間から樹脂が滲み出て基板に付着する所謂バリが発生し、このバリが封止体近傍に位置するアンテナ接続端子に付着すると、付着したバリがアンテナ接続部とアンテナ接続端子との接続の障害となり、接続不良が発生してしまうことがある。
【0015】
また、樹脂モールド時に基板を金型で挟んだ際に、基板の素子搭載面に形成された配線が凸部となっているため、この凸部に他の部分よりも大きな力が加わり基板が変形し、この凸部の影響による圧痕が反対側のコンタクト面に形成された接触電極に発生する。コンタクト面はICカードの状態で外部に露出するため、接触電極に圧痕が生じた半導体装置は外観不良となり製品化することができなくなってしまう。
【0016】
なお、樹脂によるバリの発生防止或いは圧痕の発生防止のために、樹脂等のシートを緩衝材として金型と基板との間に挟むラミネートモールドを採用することも考えられるが、ラミネートモールドでは、樹脂封止前に基板にシートを重ね合わせ、樹脂封止後にそのシートを除去する設備が新たに必要となるため、樹脂封止装置が高価になる、加えて、溶融樹脂の熱に耐える耐熱性の高いシートが必要となるため、このシートによってコストが増加するという問題がある。
【0017】
本発明の課題は、これらの問題を解決し、封止体近傍に配置されたアンテナ接続端子へのバリの付着を防止し、加えて、コンタクト面に形成された接触電極への圧痕の発生を防止することが可能な技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
基板の一方の面に搭載した半導体チップを樹脂モールドの封止体によって覆い、前記一方の面の封止体外に形成した端子と前記半導体チップとを配線を介して接続した半導体装置において、前記配線を、前記端子とは離れた位置で前記封止体外に延出し、封止体に沿って延在して前記端子に接続する。
【0019】
また、基板の一方の面に搭載した半導体チップを樹脂モールドの封止体によって覆い、前記一方の面の封止体外に形成した端子と前記半導体チップとを配線を介して接続し、前記基板の他方の面に複数の電極を形成した半導体装置において、前記他方の面に形成された複数の電極間の間隙に対応する位置の前記一方の面に前記配線を配置する。
【0020】
上述した本発明によれば、樹脂が接続配線を伝って漏出しバリが生じても接続配線に付着するに留まりアンテナ接続端子に達することがないので、アンテナ接続端子にバリが付着するのを防止することができる。
また、凸部となる接続配線或いは引き出し配線がコンタクト面の接触電極間の間隙に位置しているので、樹脂封止時に金型を加圧しても接触電極に圧痕が発生するのを防止することができる。
また、上金型にアンテナ接続端子に対応する凹部を形成し、樹脂封止の際に上金型とアンテナ接続端子とが接触するのを防止して、アンテナ接続端子に対応するコンタクト面の接触電極に圧痕が発生するのを防止することができる。
【0021】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【0022】
【発明の実施の形態】
図1及び図2は本実施の形態の半導体装置が用いられる接触式及び非接触式の共用ICカードを示す平面図であり、図3は図2の部分縦断面図である。このICカードでは、接触式のICカードとして用いるために、板状の樹脂等を用いたカード1に埋め込まれた半導体装置2の接触電極3がカード1の表面に露出しているので、この接触電極3によって接触式のICカードとして利用することができる。
【0023】
半導体装置2では、ガラスエポキシ等の絶縁体を用いた基板4のコンタクト面に銅箔にニッケル/金メッキを施した複数の独立した接触電極3が形成され、基板4の半導体チップ搭載面には封止体5の近傍にアンテナ接続端子6が形成されている。
【0024】
また、この半導体装置2の実装では、カード1に予め半導体装置に合せた凹部を形成し、この凹部に半導体装置2を埋め込んで、熱硬化型或いは熱可塑性の接着層によって基板4の周縁がカード1に接着され、カード1内に封入されたアンテナ7の接続部7aと半導体装置2のアンテナ接続端子6とを銀ペースト等によって接続導通させている。カードリーダからの電波によってこのアンテナ7から半導体装置2に電源を供給して半導体装置2を作動させ非接触式のICカードとして利用することができる。
【0025】
図4に示すのは半導体装置2の平面図であり、図5に示すのはその底面図であり、図6に示すのは封止体5を透過させて示す平面図であり、図7に示すのはその縦断面図である。
【0026】
本実施の形態の半導体装置では、ガラスエポキシ等の絶縁体を用いた基板4の半導体チップ搭載面に半導体チップ8を固定し、図5に示す基板4のコンタクト面には銅箔に金メッキを施した8つの独立した接触電極3が形成されている。これらの接触電極3の中で現在の規格で用いられているのはデータ、クロック、リセット及び電源用1組の5つの電極であり、残り3つの電極は将来の機能拡張等を考慮して規格化されており、現在は半導体チップ8と接続されていない。
【0027】
この接触電極3と半導体チップ8との接続は、ボンディングワイヤ9の一端を半導体チップ8に接続し、ボンディングワイヤ9の他端を基板4に貫通させた孔を通して接触電極3に裏側から接続する。本実施の形態の半導体装置では、基板4の半導体チップ8搭載面の封止体5近傍にアンテナ接続端子6を形成し、アンテナ接続端子6と一端が接続した接続配線10の他端のボンディング部10aと半導体チップ8とをボンディングワイヤ9によって接続する。
【0028】
なお、アンテナ接続端子6から基板4端部に伸びているのは通電用の引き出し配線11であり、図8に示すように複数の基板が一体化された状態で、電解メッキによって複数の基板4に夫々の接続端子6及び接続配線10を一括して形成する際に利用し、各基板4に個片化する際に、引き出し配線11が切断されて、夫々の接続端子6及び接続配線10が電気的に分離される。
【0029】
この半導体チップ8とアンテナ接続端子6とボンディングワイヤ9とは、エポキシ樹脂等を用い樹脂モールドによって形成した封止体5によって被覆するが、この樹脂モールドの際に、接続配線10と金型との僅かな隙間から滲み出た樹脂が接続配線10を伝って封止体5外に薄く付着してバリ12が生じることがある。図9の(a)に示すように、このバリ12(図中、斜線を付す)が封止体5近傍に位置するアンテナ接続端子6に付着すると、付着したバリ12がアンテナ接続端子6とカード1に形成されたアンテナ接続部7aとの接続の障害となり、接続不良が発生してしまう。
【0030】
本実施の形態の半導体装置では、接続配線10が、他端のボンディング部10aから、封止体5内にて接続端子6とは反対方向に向かって延び、接続端子6とは離れた位置で封止体5外に延出し、そこから封止体5に沿って延在して接続端子6に接続されている。
【0031】
このため、図9の(b)に示すように、樹脂が接続配線10を伝って漏出しバリ12が生じても接続配線10に付着するに留まりアンテナ接続端子6に達することがない。従って、アンテナ接続端子6にバリ12が付着することがないので、バリ12に起因するアンテナ接続端子6とカード1に形成されたアンテナ接続部7aとの接続不良を防止することができる。
【0032】
こうしたバリの発生は注入する樹脂の性質によって変化する。流動性の高い粘度の低い樹脂を注入するとバリが生じやすくなるので、従来の方法でバリの発生を防止するためには粘度の高い樹脂を選択する必要があった。しかし、粘度の高い樹脂を注入した場合には流動性が低下するので充填性が低下するという問題、或いはボンディングワイヤが樹脂の流入によって変形するワイヤ流れが生じやすくなるという問題があった。本実施の形態の半導体装置では、前述した構成によって注入樹脂の特性によらずにアンテナ接続端子6へのバリ12の付着を防止することができるので、注入する樹脂として粘度の低いものを選択することが可能となり、封止体5の充填不良を防止し、ワイヤ流れによる不良の発生を防止することができる。
【0033】
また、樹脂モールド時には、基板4の半導体チップ搭載面に接触する上金型とコンタクト面に接触する下金型との間に基板4を挟んだ状態で、封止体5に対応させて上金型に設けたキャビティに樹脂を注入するが、その際に、図10に示すように、基板4の半導体チップ搭載面に形成された接続配線10或いは引き出し配線11が基板4に対して凸部となっているため、樹脂封止時に上金型13或いは下金型14を加圧すると、この凸部に他の部分よりも大きな力が加わって基板4が変形し、コンタクト面に形成された接触電極3に加えられる力が凸部の特に角部で部分的に大きくなる。
【0034】
金型13,14は、超硬ステンレス等を用い剛性が高くなっており殆ど変形しないために、接触電極3が前記凸部に対応して部分的に下金型14に強く押圧される。接触電極3は、表面が微細な凹凸を有する半艶状態となっており、平坦な下金型14へ局所的に強く押圧されると、表面の微細な凹凸が平坦化して光沢を有する平滑面が局所的に形成された圧痕が発生してしまう。
【0035】
この圧痕の発生を防止するため、本実施の形態の半導体装置では、図11に示すように、隣接する接触電極3間の間隙に対応する半導体チップ搭載面に接続配線10及び引き出し配線11を配置する。凸部となる接続配線10或いは引き出し配線11に対応するコンタクト面には接触電極3が形成されない間隙となっているため、樹脂封止時に金型13,14を加圧しても接触電極3に圧痕が発生するのを防止することができる。なお、隣接する接触電極3間の間隙は0.2mmの幅があり、接続配線10或いは引き出し配線11の幅は0.18mmとなっており、前記間隙内に接続配線10或いは引き出し配線11を配置することができる。
【0036】
また、アンテナ接続端子6については、前記サイズが大きいため間隙間に配置することは困難である。このため、図6中のa−a線に沿った縦断面図である図12に示すように、上金型13にアンテナ接続端子6に対応する凹部を形成し、樹脂封止の際に上金型13とアンテナ接続端子6とが接触するのを防止して、アンテナ接続端子6に対応するコンタクト面の接触電極3に圧痕が発生するのを防止する。なお、接続配線10の内で、封止体5に沿って延在して接続端子6に接続されている部分についても、同様の凹部を形成することによって圧痕の発生を防止することができる。
【0037】
接続配線10の場合には封止体5から連続しているため封止樹脂の漏出を防止するために、図6中のb−b線に沿った縦断面図である図13に示すように、上金型13と接続配線10とが接触している必要があるのに対して、アンテナ接続端子6の場合には封止体5から離れて形成されているために、アンテナ接続端子6と上金型13とが接続配線10の中で接触していなくても封止樹脂の漏出を招くことがない。
【0038】
以上、本発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【0039】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
(1)本発明によれば、樹脂が接続配線を伝って漏出しバリが生じても接続配線に付着するに留まりアンテナ接続端子6に達することがないので、アンテナ接続端子にバリが付着するのを防止することができるという効果がある。
(2)本発明によれば、上記効果(1)により、バリに起因するアンテナ接続端子とカードに形成されたアンテナ接続部との接続不良を防止することができるという効果がある。
(3)本発明によれば、上記効果(1)により、注入する樹脂として粘度の低いものを選択することが可能となり、充填不良を防止し、ワイヤ流れによる不良の発生を防止することができるという効果がある。
(4)本発明によれば、凸部となる接続配線或いは引き出し配線がコンタクト面の接触電極間の間隙に位置しているので、樹脂封止時に金型を加圧しても接触電極に圧痕が発生するのを防止することができるという効果がある。
(5)本発明によれば、上金型にアンテナ接続端子に対応する凹部を形成し、樹脂封止の際に上金型とアンテナ接続端子とが接触するのを防止して、アンテナ接続端子に対応するコンタクト面の接触電極に圧痕が発生するのを防止することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態の半導体装置が用いられる共用ICカードを示す平面図である。
【図2】本実施の形態の半導体装置が用いられる共用ICカードを示す平面図である。
【図3】図2の部分縦断面図である。
【図4】本発明の一実施の形態である半導体装置を示す平面図である。
【図5】本発明の一実施の形態である半導体装置を示す底面図である。
【図6】本発明の一実施の形態である半導体装置の封止体を透過させて示す平面図である。
【図7】図6中のa−a線に沿った縦断面図である。
【図8】本発明の一実施の形態である半導体装置の基板が複数一体化された状態を示す平面図である。
【図9】バリの付着状態を示す部分平面図である。
【図10】配線による圧痕の発生状態を示す縦断面図である。
【図11】本実施の形態の配線による圧痕の回避状態を示す縦断面図である。
【図12】図6中のa−a線に沿った縦断面図である。
【図13】図6中のb−b線に沿った縦断面図である。
【符号の説明】
1…カード、2…半導体装置、3…接触電極、4…基板、5…封止体、6…アンテナ接続端子、7…アンテナ、7a…アンテナ接続部、8…半導体チップ、9…ボンディングワイヤ、10…接続配線、10a…ボンディング部、11…引き出し配線、12…バリ、13…上金型、14…下金型。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、接触式及び非接触式の共用ICカードに用いられる半導体装置の樹脂封止体形成に適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
定期乗車券或いはクレジットカード等の本人認証機能を有するカードとしては、従来から磁気によって記録を行なうものが用いられてきたが、偽造が比較的容易である点或いはセキュリティが充分ではない点等の問題があり、カード状の樹脂等に半導体チップ(IC:Integrated Circuit)を埋め込んだICカードが用いられ始めている。
【0003】
こうしたICカードには、ICカードをカードリーダに接触させずにデータの交換を行なう非接触式のものと、ICカードをカードリーダに接触させてデータの交換を行なう接触式のものとがある。
【0004】
非接触式のICカードでは、樹脂等を用いたカードの中に半導体チップ及びこの半導体チップと接続したアンテナが埋め込まれており、ICカードをカードリーダに近づけると、カードリーダからの電波によってアンテナから半導体チップに電源が供給されて半導体チップが作動し、半導体チップとカードリーダとが電波によってデータ交換を行なう。
【0005】
非接触式のICカードでは、ICカードをカードリーダに近づければよいので、処理を迅速に行なうことが可能であり、定期乗車券或いは社員証等に用いて入退場管理等を行なう等の処理速度を優先させた用途に適しているが、非接触式のICカードでは、電源が電波によって供給されるため電源電圧等に制限があり、半導体チップに搭載する回路の機能にも限界がある。加えて、電波を用いてデータ交換が行なわれるので、第三者にデータを傍受される可能性がある。
【0006】
これに対して接触式のICカードでは、樹脂等を用いた板状のカードに半導体装置が埋め込まれた状態で、半導体装置の接触電極がカードの表面に露出しており、この接触電極をカードリーダの端子に直接接触させて導通をとり、データ交換を行なっている。この際に、カードリーダから半導体装置の接触電極へ電源が供給されるため、非接触式の場合と比較して電源電圧等に制限が少なく、半導体チップに搭載する回路の機能を高くすることが可能であり、加えて接触電極とカードリーダの端子とが直接接触してデータ交換が行なわれ、電波を用いないので、第三者にデータを傍受される可能性が低いので、高度のセキュリティ処理が可能になる。
【0007】
こうした接触式のICカードに用いられる半導体装置では、ガラスエポキシ等の絶縁体を用いた基板の一方の面となる素子搭載面に半導体チップを固定し、基板の他方の面となるコンタクト面には銅箔に金メッキを施した複数の接触電極が形成されており、前記半導体チップにボンディングワイヤの一端を接続し、ボンディングワイヤの他端を基板に貫通させた孔を通して接触電極へ裏側から接続し、半導体チップとボンディングワイヤとを樹脂モールド或いはポッティングによって形成した封止体によって被覆している。
【0008】
今後、このようなICカードが普及し様々な用途に用いられる事態が予想されており、夫々の用途ごとにカードを別々に作成していては、所持するカードの枚数が増加しICカードの管理が煩雑になるが、ICカードでは扱えるデータ量が豊富なために、単一のカードを複数の用途に共用することが可能であり、複数の用途のICカードを共用化した場合には、その管理が容易になることに加えて、ICカードの作成に要するコストが分散されるので導入が容易になる。
【0009】
このため、ICカードの用途を拡張するためには、単一のカードで接触式及び非接触式の双方に対応することが望ましい。しかし、従来の半導体装置を用いた場合には、接触式及び非接触式の双方に対応させるために、夫々の方式の半導体装置を単一のカードに搭載しなければならず、ICカードの価格が上昇する。加えて、夫々の半導体装置が別チップとなっているために、本人のIDデータ等の共通するデータを共用することができないので、個別にデータ入力しなければならず、同一のデータを夫々に記憶させる必要があり、手間がかかり記憶容量の利用も効率的ではない。
【0010】
【特許文献】
特願2001−384851号明細書及び図面(第5−8頁、図7)
【0011】
このため、本発明者等は前記特許文献に示す非接触式と接触式との双方の処理を行なうことが可能な共用カード用の半導体装置を開発した。この半導体装置では、基板の一方の面である半導体チップ搭載面に半導体チップを搭載し他方の面であるコンタクト面に接触電極を形成し、半導体チップと接触電極とを接続し、前記基板の半導体チップ搭載面に半導体チップと接続したアンテナ接続端子を形成する構成となっており、前記基板の半導体チップ搭載面はポッティング或いは樹脂モールドによって形成したエポキシ樹脂等の封止体によって被覆している。
【0012】
ICカードでは大量に配布されることが想定されており、価格を下げることが重要である。しかし、ポッティングによって封止体を形成する場合には、封止体形成領域の周囲にソルダレジストを用いたダムを形成し、樹脂に対する濡れ性の違いを利用して封止体を形成するため、このソルダレジストによるダムを形成するためのマスクが必要となりコストが上昇する。
【0013】
また、ソルダレジストによるダムを封止体形成領域の周囲に形成するため、アンテナ接続端子を封止体の近傍に形成する場合には、封止体を形成した後にソルダレジストを剥離させてアンテナ接続端子を露出させる必要があり工程増を招き、ソルダレジストの剥離をなくすために、アンテナ接続端子を前記ダムの外側に形成する場合には、規格によって接触電極のサイズが決まっているため封止体周囲の基板領域は限られているので、ダム形成領域によって利用可能な基板領域が減少し、アンテナ接続端子の配置に制約が生じることになる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
これらの点に加えて、ICカードに要求される曲げ強度或いは吸湿性等の封止特性の点からも樹脂モールドによる封止体は有利であるが、前述した半導体装置の封止体を樹脂モールドによって形成する場合には、樹脂モールド時に配線と金型との僅かな隙間から樹脂が滲み出て基板に付着する所謂バリが発生し、このバリが封止体近傍に位置するアンテナ接続端子に付着すると、付着したバリがアンテナ接続部とアンテナ接続端子との接続の障害となり、接続不良が発生してしまうことがある。
【0015】
また、樹脂モールド時に基板を金型で挟んだ際に、基板の素子搭載面に形成された配線が凸部となっているため、この凸部に他の部分よりも大きな力が加わり基板が変形し、この凸部の影響による圧痕が反対側のコンタクト面に形成された接触電極に発生する。コンタクト面はICカードの状態で外部に露出するため、接触電極に圧痕が生じた半導体装置は外観不良となり製品化することができなくなってしまう。
【0016】
なお、樹脂によるバリの発生防止或いは圧痕の発生防止のために、樹脂等のシートを緩衝材として金型と基板との間に挟むラミネートモールドを採用することも考えられるが、ラミネートモールドでは、樹脂封止前に基板にシートを重ね合わせ、樹脂封止後にそのシートを除去する設備が新たに必要となるため、樹脂封止装置が高価になる、加えて、溶融樹脂の熱に耐える耐熱性の高いシートが必要となるため、このシートによってコストが増加するという問題がある。
【0017】
本発明の課題は、これらの問題を解決し、封止体近傍に配置されたアンテナ接続端子へのバリの付着を防止し、加えて、コンタクト面に形成された接触電極への圧痕の発生を防止することが可能な技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
基板の一方の面に搭載した半導体チップを樹脂モールドの封止体によって覆い、前記一方の面の封止体外に形成した端子と前記半導体チップとを配線を介して接続した半導体装置において、前記配線を、前記端子とは離れた位置で前記封止体外に延出し、封止体に沿って延在して前記端子に接続する。
【0019】
また、基板の一方の面に搭載した半導体チップを樹脂モールドの封止体によって覆い、前記一方の面の封止体外に形成した端子と前記半導体チップとを配線を介して接続し、前記基板の他方の面に複数の電極を形成した半導体装置において、前記他方の面に形成された複数の電極間の間隙に対応する位置の前記一方の面に前記配線を配置する。
【0020】
上述した本発明によれば、樹脂が接続配線を伝って漏出しバリが生じても接続配線に付着するに留まりアンテナ接続端子に達することがないので、アンテナ接続端子にバリが付着するのを防止することができる。
また、凸部となる接続配線或いは引き出し配線がコンタクト面の接触電極間の間隙に位置しているので、樹脂封止時に金型を加圧しても接触電極に圧痕が発生するのを防止することができる。
また、上金型にアンテナ接続端子に対応する凹部を形成し、樹脂封止の際に上金型とアンテナ接続端子とが接触するのを防止して、アンテナ接続端子に対応するコンタクト面の接触電極に圧痕が発生するのを防止することができる。
【0021】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【0022】
【発明の実施の形態】
図1及び図2は本実施の形態の半導体装置が用いられる接触式及び非接触式の共用ICカードを示す平面図であり、図3は図2の部分縦断面図である。このICカードでは、接触式のICカードとして用いるために、板状の樹脂等を用いたカード1に埋め込まれた半導体装置2の接触電極3がカード1の表面に露出しているので、この接触電極3によって接触式のICカードとして利用することができる。
【0023】
半導体装置2では、ガラスエポキシ等の絶縁体を用いた基板4のコンタクト面に銅箔にニッケル/金メッキを施した複数の独立した接触電極3が形成され、基板4の半導体チップ搭載面には封止体5の近傍にアンテナ接続端子6が形成されている。
【0024】
また、この半導体装置2の実装では、カード1に予め半導体装置に合せた凹部を形成し、この凹部に半導体装置2を埋め込んで、熱硬化型或いは熱可塑性の接着層によって基板4の周縁がカード1に接着され、カード1内に封入されたアンテナ7の接続部7aと半導体装置2のアンテナ接続端子6とを銀ペースト等によって接続導通させている。カードリーダからの電波によってこのアンテナ7から半導体装置2に電源を供給して半導体装置2を作動させ非接触式のICカードとして利用することができる。
【0025】
図4に示すのは半導体装置2の平面図であり、図5に示すのはその底面図であり、図6に示すのは封止体5を透過させて示す平面図であり、図7に示すのはその縦断面図である。
【0026】
本実施の形態の半導体装置では、ガラスエポキシ等の絶縁体を用いた基板4の半導体チップ搭載面に半導体チップ8を固定し、図5に示す基板4のコンタクト面には銅箔に金メッキを施した8つの独立した接触電極3が形成されている。これらの接触電極3の中で現在の規格で用いられているのはデータ、クロック、リセット及び電源用1組の5つの電極であり、残り3つの電極は将来の機能拡張等を考慮して規格化されており、現在は半導体チップ8と接続されていない。
【0027】
この接触電極3と半導体チップ8との接続は、ボンディングワイヤ9の一端を半導体チップ8に接続し、ボンディングワイヤ9の他端を基板4に貫通させた孔を通して接触電極3に裏側から接続する。本実施の形態の半導体装置では、基板4の半導体チップ8搭載面の封止体5近傍にアンテナ接続端子6を形成し、アンテナ接続端子6と一端が接続した接続配線10の他端のボンディング部10aと半導体チップ8とをボンディングワイヤ9によって接続する。
【0028】
なお、アンテナ接続端子6から基板4端部に伸びているのは通電用の引き出し配線11であり、図8に示すように複数の基板が一体化された状態で、電解メッキによって複数の基板4に夫々の接続端子6及び接続配線10を一括して形成する際に利用し、各基板4に個片化する際に、引き出し配線11が切断されて、夫々の接続端子6及び接続配線10が電気的に分離される。
【0029】
この半導体チップ8とアンテナ接続端子6とボンディングワイヤ9とは、エポキシ樹脂等を用い樹脂モールドによって形成した封止体5によって被覆するが、この樹脂モールドの際に、接続配線10と金型との僅かな隙間から滲み出た樹脂が接続配線10を伝って封止体5外に薄く付着してバリ12が生じることがある。図9の(a)に示すように、このバリ12(図中、斜線を付す)が封止体5近傍に位置するアンテナ接続端子6に付着すると、付着したバリ12がアンテナ接続端子6とカード1に形成されたアンテナ接続部7aとの接続の障害となり、接続不良が発生してしまう。
【0030】
本実施の形態の半導体装置では、接続配線10が、他端のボンディング部10aから、封止体5内にて接続端子6とは反対方向に向かって延び、接続端子6とは離れた位置で封止体5外に延出し、そこから封止体5に沿って延在して接続端子6に接続されている。
【0031】
このため、図9の(b)に示すように、樹脂が接続配線10を伝って漏出しバリ12が生じても接続配線10に付着するに留まりアンテナ接続端子6に達することがない。従って、アンテナ接続端子6にバリ12が付着することがないので、バリ12に起因するアンテナ接続端子6とカード1に形成されたアンテナ接続部7aとの接続不良を防止することができる。
【0032】
こうしたバリの発生は注入する樹脂の性質によって変化する。流動性の高い粘度の低い樹脂を注入するとバリが生じやすくなるので、従来の方法でバリの発生を防止するためには粘度の高い樹脂を選択する必要があった。しかし、粘度の高い樹脂を注入した場合には流動性が低下するので充填性が低下するという問題、或いはボンディングワイヤが樹脂の流入によって変形するワイヤ流れが生じやすくなるという問題があった。本実施の形態の半導体装置では、前述した構成によって注入樹脂の特性によらずにアンテナ接続端子6へのバリ12の付着を防止することができるので、注入する樹脂として粘度の低いものを選択することが可能となり、封止体5の充填不良を防止し、ワイヤ流れによる不良の発生を防止することができる。
【0033】
また、樹脂モールド時には、基板4の半導体チップ搭載面に接触する上金型とコンタクト面に接触する下金型との間に基板4を挟んだ状態で、封止体5に対応させて上金型に設けたキャビティに樹脂を注入するが、その際に、図10に示すように、基板4の半導体チップ搭載面に形成された接続配線10或いは引き出し配線11が基板4に対して凸部となっているため、樹脂封止時に上金型13或いは下金型14を加圧すると、この凸部に他の部分よりも大きな力が加わって基板4が変形し、コンタクト面に形成された接触電極3に加えられる力が凸部の特に角部で部分的に大きくなる。
【0034】
金型13,14は、超硬ステンレス等を用い剛性が高くなっており殆ど変形しないために、接触電極3が前記凸部に対応して部分的に下金型14に強く押圧される。接触電極3は、表面が微細な凹凸を有する半艶状態となっており、平坦な下金型14へ局所的に強く押圧されると、表面の微細な凹凸が平坦化して光沢を有する平滑面が局所的に形成された圧痕が発生してしまう。
【0035】
この圧痕の発生を防止するため、本実施の形態の半導体装置では、図11に示すように、隣接する接触電極3間の間隙に対応する半導体チップ搭載面に接続配線10及び引き出し配線11を配置する。凸部となる接続配線10或いは引き出し配線11に対応するコンタクト面には接触電極3が形成されない間隙となっているため、樹脂封止時に金型13,14を加圧しても接触電極3に圧痕が発生するのを防止することができる。なお、隣接する接触電極3間の間隙は0.2mmの幅があり、接続配線10或いは引き出し配線11の幅は0.18mmとなっており、前記間隙内に接続配線10或いは引き出し配線11を配置することができる。
【0036】
また、アンテナ接続端子6については、前記サイズが大きいため間隙間に配置することは困難である。このため、図6中のa−a線に沿った縦断面図である図12に示すように、上金型13にアンテナ接続端子6に対応する凹部を形成し、樹脂封止の際に上金型13とアンテナ接続端子6とが接触するのを防止して、アンテナ接続端子6に対応するコンタクト面の接触電極3に圧痕が発生するのを防止する。なお、接続配線10の内で、封止体5に沿って延在して接続端子6に接続されている部分についても、同様の凹部を形成することによって圧痕の発生を防止することができる。
【0037】
接続配線10の場合には封止体5から連続しているため封止樹脂の漏出を防止するために、図6中のb−b線に沿った縦断面図である図13に示すように、上金型13と接続配線10とが接触している必要があるのに対して、アンテナ接続端子6の場合には封止体5から離れて形成されているために、アンテナ接続端子6と上金型13とが接続配線10の中で接触していなくても封止樹脂の漏出を招くことがない。
【0038】
以上、本発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【0039】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
(1)本発明によれば、樹脂が接続配線を伝って漏出しバリが生じても接続配線に付着するに留まりアンテナ接続端子6に達することがないので、アンテナ接続端子にバリが付着するのを防止することができるという効果がある。
(2)本発明によれば、上記効果(1)により、バリに起因するアンテナ接続端子とカードに形成されたアンテナ接続部との接続不良を防止することができるという効果がある。
(3)本発明によれば、上記効果(1)により、注入する樹脂として粘度の低いものを選択することが可能となり、充填不良を防止し、ワイヤ流れによる不良の発生を防止することができるという効果がある。
(4)本発明によれば、凸部となる接続配線或いは引き出し配線がコンタクト面の接触電極間の間隙に位置しているので、樹脂封止時に金型を加圧しても接触電極に圧痕が発生するのを防止することができるという効果がある。
(5)本発明によれば、上金型にアンテナ接続端子に対応する凹部を形成し、樹脂封止の際に上金型とアンテナ接続端子とが接触するのを防止して、アンテナ接続端子に対応するコンタクト面の接触電極に圧痕が発生するのを防止することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態の半導体装置が用いられる共用ICカードを示す平面図である。
【図2】本実施の形態の半導体装置が用いられる共用ICカードを示す平面図である。
【図3】図2の部分縦断面図である。
【図4】本発明の一実施の形態である半導体装置を示す平面図である。
【図5】本発明の一実施の形態である半導体装置を示す底面図である。
【図6】本発明の一実施の形態である半導体装置の封止体を透過させて示す平面図である。
【図7】図6中のa−a線に沿った縦断面図である。
【図8】本発明の一実施の形態である半導体装置の基板が複数一体化された状態を示す平面図である。
【図9】バリの付着状態を示す部分平面図である。
【図10】配線による圧痕の発生状態を示す縦断面図である。
【図11】本実施の形態の配線による圧痕の回避状態を示す縦断面図である。
【図12】図6中のa−a線に沿った縦断面図である。
【図13】図6中のb−b線に沿った縦断面図である。
【符号の説明】
1…カード、2…半導体装置、3…接触電極、4…基板、5…封止体、6…アンテナ接続端子、7…アンテナ、7a…アンテナ接続部、8…半導体チップ、9…ボンディングワイヤ、10…接続配線、10a…ボンディング部、11…引き出し配線、12…バリ、13…上金型、14…下金型。
Claims (5)
- 基板の一方の面に搭載した半導体チップを樹脂モールドの封止体によって覆い、前記一方の面の封止体外に形成した端子と前記半導体チップとを配線を介して接続した半導体装置において、
前記配線が、前記端子とは離れた位置で前記封止体外に延出し、封止体に沿って延在して前記端子に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 基板の一方の面に搭載した半導体チップを樹脂モールドの封止体によって覆い、前記一方の面の封止体外に形成した端子と前記半導体チップとを配線を介して接続し、前記基板の他方の面に複数の電極を形成した半導体装置において、
前記他方の面に形成された複数の電極間の間隙に対応する位置の前記一方の面に前記配線を配置することを特徴とする半導体装置。 - 基板の一方の面に搭載した半導体チップを樹脂モールドの封止体によって覆い、前記一方の面の封止体外に形成した端子と前記半導体チップとを配線を介して接続した半導体装置の製造方法において、
前記基板の一方の面では、配線が、前記端子とは離れた位置で前記封止体外に延出し、封止体に沿って延在して前記端子に接続されており、
前記基板を金型に挟んだ状態で、前記封止体に対応させて金型に設けたキャビティに樹脂を注入し樹脂封止を行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板の一方の面に搭載した半導体チップを樹脂モールドの封止体によって覆い、前記一方の面の封止体外に形成した端子と前記半導体チップとを配線を介して接続し、前記基板の他方の面に複数の電極を形成した半導体装置の製造方法において、
前記基板では、他方の面に形成された複数の電極間の間隙に対応する位置の前記一方の面に前記配線を配置し、
前記基板を金型に挟んだ状態で、前記封止体に対応させて金型に設けたキャビティに樹脂を注入し樹脂封止を行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板の一方の面に搭載した半導体チップを樹脂モールドの封止体によって覆い、前記一方の面の封止体外に形成した端子と前記半導体チップとを配線を介して接続し、前記基板の他方の面に電極を形成した半導体装置の製造方法において、
前記端子に対応する凹部を形成した金型に前記基板を挟んだ状態で、前記端子と金型とを接触させずに、前記封止体に対応させて金型に設けたキャビティに樹脂を注入し樹脂封止を行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002351346A JP2004186410A (ja) | 2002-12-03 | 2002-12-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2004186410A true JP2004186410A (ja) | 2004-07-02 |
Family
ID=32753286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
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-
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