JP2004186329A - シール部材及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シール部材27は、フッ素系樹脂で形成されたリング状のシール本体28と、このシール本体28の内周部に設けられ、耐プラズマ性を有する材料で形成された保護リング29とを有している。シール本体28は、内周壁部30及び側壁部31a,31bからなる断面略U字状を有しており、これにより外周側に開口した環状凹部32が形成されている。シール本体28の環状凹部32内には、両側壁部31a,31bを拡げるための断面U字状の板バネリング34が配置されている。保護リング29は、底壁36及び側壁37a,37bからなる断面U字状をなしており、シール本体28の内周面全体とシール本体28の内周角部を覆うように構成されている。
【選択図】 図3
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置等のプラズマ処理装置に使用されるシール部材及びプラズマ処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
プラズマ処理装置は、半導体ウェハ等の被処理体をプラズマによって処理するものである。このようなプラズマ処理装置において使用されるシール部材としては、例えば可撓性を有するOリング等がある(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開2002−43224号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のシール部材は、劣化しやすく寿命が短いという問題があった。
【0005】
本発明の目的は、耐久性に優れたシール部材、及びそのシール部材を備えたプラズマ処理装置を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、フッ素系樹脂で形成されたリング状のシール本体と、シール本体の内周部に設けられ、耐プラズマ性を有する材料で形成された保護リングとを備えることを特徴とするものである。
【0007】
例えばシール部材をプラズマ処理装置における処理チャンバの封止に使用する場合には、処理チャンバ内に発生したフッ素ラジカルや高熱等によってリング状のシール本体が劣化しないように、シール本体を耐腐食性・耐熱性に優れたフッ素系樹脂で形成することがある。しかし、このようなフッ素系樹脂製のシール本体が処理チャンバ内に生成されたプラズマに直接さらされると、シール本体がプラズマによってダメージを受けることが本発明者らの研究により明らかにされた。そこで、フッ素系樹脂で形成されたシール本体の内周部に、耐プラズマ性を有する材料で形成された保護リングを設けることにより、シール本体はプラズマから保護されるため、シール本体がプラズマによってダメージを受けることを防止できる。従って、シール部材の耐久性が向上する。
【0008】
好ましくは、シール本体は、外周側に開口した環状凹部を有し、環状凹部内には、環状凹部を形成するシール本体の両側壁部を拡げるための弾性体が配置されている。このように弾力の低いフッ素系樹脂製のシール本体の両側壁部を弾性体で拡げる構成とすることで、シール本体を簡単かつ確実にシールとして機能させることができる。
【0009】
この場合、両側壁部の外面にはシールリップが設けられているのが好ましい。これにより、例えばシール部材をプラズマ処理装置における処理チャンバの封止に使用する場合、シール本体の両側壁部が処理チャンバに十分に密着するようになるので、シール本体の密封性が向上する。
【0010】
また、好ましくは、保護リングは、シール本体の内周面全体及びシール本体の内周角部を覆うように断面U字状を有している。これにより、シール本体の内周部を十分に保護することができる。また、保護リングをシール本体に接着しなくても、保護リングがシール本体に対して容易に外れることは無い。
【0011】
さらに、好ましくは、シール本体はポリテトラフルオロエチレンで形成されている。フッ素系樹脂の中のうちポリテトラフルオロエチレンは、特に耐腐食性・耐熱性に優れている。従って、例えばシール部材をプラズマ処理装置に使用する場合に、フッ素ラジカルや高熱等によるシール本体の劣化をより防止できる。
【0012】
また、好ましくは、保護リングは、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成されている。これにより、保護リングは、優れた強度・耐腐食性を有することになる。また、例えばシール部材をプラズマ処理装置に使用する場合に、コンタミネーションの影響を軽減することができる。
【0013】
また、本発明は、被処理体をプラズマによって処理するプラズマ処理装置であって、下部チャンバボディ及び上部チャンバボディを有し、被処理体が収容される処理チャンバと、下部チャンバボディと上部チャンバボディとの間に配置されたシール部材と、処理チャンバ内に所定のガスを導入するガス導入手段と、処理チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成手段とを備え、シール部材は、フッ素系樹脂で形成されたリング状のシール本体と、シール本体の内周部に設けられ、耐プラズマ性を有する材料で形成された保護リングとを有することを特徴とするものである。
【0014】
このようにシール部材のシール本体をフッ素系樹脂で形成することにより、フッ素ラジカルや高熱等によってシール本体が劣化することを防止できる。また、耐プラズマ性を有する材料で形成された保護リングをシール本体の内周部に設けることにより、シール本体がプラズマによってダメージを受けることを防止できる。従って、シール部材の耐久性が向上する。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るシール部材及びプラズマ処理装置の好適な実施形態について図面を参照して説明する。
【0016】
図1は、本発明に係るプラズマ処理装置の一実施形態を示す概略構成図である。同図において、本実施形態のプラズマ処理装置1は、高密度プラズマ(HDP)式のCVD装置である。
【0017】
CVD装置1は、例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成された処理チャンバ2を有している。処理チャンバ2は、円筒状の下部チャンバボディ3と、この下部チャンバボディ3の上部に設けられた円筒状の上部チャンバボディ4と、この上部チャンバボディ4を覆うように設けられたドーム5とからなっている。ドーム5上には、ドーム温度を設定する加熱プレート6及び冷却プレート7が配置されている。
【0018】
処理チャンバ2内には、被処理体であるウェハWを支持する支持部材8が配置されている。この支持部材8には、ウェハWを固定するための静電チャック9が設けられている。この静電チャック9には、直流電源(図示せず)が接続されている。
【0019】
処理チャンバ2内における支持部材8の下方には、スロットルバルブ10が配置されている。また、処理チャンバ2の下部には、ゲートバルブ11を介してターボ分子ポンプ12が配置されており、このターボ分子ポンプ12によって処理チャンバ2内が減圧排気される。
【0020】
ドーム5には、処理チャンバ2内にプラズマを生成するためのトップコイル13A及びサイドコイル13Bが取り付けられている。各コイル13A,13Bには、整合器14A,14Bを介して高周波電源15A,15Bが接続されている。また、支持部材8には、整合器16を介してバイアス用の高周波電源17が接続されている。
【0021】
処理チャンバ2(ドーム5)の上部には、成膜ガスを処理チャンバ2内に供給するためのガス通路18を有するガス導入部19と、このガス導入部19に結合され、ガス通路18からのガスを支持部材8上に置かれたウェハWに向けて噴出させるトップノズル20とが設けられている。なお、成膜ガスとしては、例えばSiH4、O2、SiF4、Arの混合ガスが使用される。
【0022】
下部チャンバボディ3の上部には、上記の成膜ガスを形成するガスの一部(例えばO2、SiF4)を処理チャンバ2内に供給するための環状のガス通路21が設けられている。上部チャンバボディ4には、上記の成膜ガスを形成するガスの一部(例えばSiH4、Ar)を処理チャンバ2内に供給するための環状のガス通路22が設けられている。また、上部チャンバボディ4の内周面には、ガス通路21,22からのガスを支持部材8上に置かれたウェハWに向けて噴出させる複数のサイドノズル23が突設されている。
【0023】
このようなCVD装置1を用いてウェハWの成膜処理を行う場合は、まずターボ分子ポンプ12により処理チャンバ2内を所定の真空度まで減圧すると共に、処理チャンバ2内にArガスを供給する。そして、高周波電源15A,15により各コイル13A,13Bに高周波電力を印加して、処理チャンバ2内にプラズマを発生させる。続いて、ウェハWを処理チャンバ2内に搬入し、静電チャック9によりウェハWを支持部材8に固定する。続いて、O2ガス、SiF4ガス及びSiH4ガスを処理チャンバ2内に導入し、ウェハWの表面にSiO2膜を形成する。そして、高周波電源17により支持部材8にバイアス用高周波電力を印加してプラズマをウェハWの表面に引き込むことで、ウェハWの成膜を促進させる。その後、所定時間が経過したら、成膜したウェハWを処理チャンバ2から搬出し、新しいウェハWを処理チャンバ2内に搬入して上記と同様のプロセスを実行する。
【0024】
図2は、下部チャンバボディ3と上部チャンバボディ4との結合部分を示したものである。同図において、下部チャンバボディ3におけるガス通路21の外側には、上面に開口した環状溝24が形成されている。この環状溝24には、下部チャンバボディ3の上面と上部チャンバボディ4の下面との間をシールするゴム製のOリング25が収納されている。
【0025】
下部チャンバボディ3におけるガス通路21の内側には、上面に開口した環状溝26が形成されており、この環状溝26にはシール部材27が収納されている。このシール部材27は、Oリング25を保護すると共に、ガス通路21のガスが下部チャンバボディ3と上部チャンバボディ4との間から処理チャンバ2内に漏れないように封止するものである。シール部材27の断面図を図3に示す。
【0026】
同図において、シール部材27は、リング状のシール本体28と、このシール本体28の内周部に設けられた保護リング29とを有している。シール本体28は、処理チャンバ2内に生じるフッ素ラジカルに対して強く且つ耐熱性の高いフッ素系樹脂、好ましくはポリテトラフルオロエチレン(PTFE、商品名:テフロン)で形成されている。
【0027】
シール本体28は、内周壁部30及び側壁部31a,31bからなる断面略U字状を有しており、これにより外周側に開口した環状凹部32が形成されている。側壁部31a,31bの外面には、環状のシールリップ33がそれぞれ設けられている。
【0028】
シール本体28の環状凹部32内には、両側壁部31a,31bを拡げるための断面U字状の板バネリング34が配置されている。側壁部31bの先端部には、板バネリング34が環状凹部32から抜け出るのを止めるための環状突起35が設けられている。このような板バネリング34を設けることにより、シール本体28の両側壁部31a,31bが互いに分離する方向に押圧される。従って、図2に示すようにシール部材27を処理チャンバ2に組み込んだ時には、シール本体28のシールリップ33が下部チャンバボディ3の環状溝26の底面及び上部チャンバボディ4の下面に十分な接触力で密着するようになり、これにより高い密封性が得られる。
【0029】
保護リング29は、耐プラズマ性を有する材料で形成されている。耐プラズマ性を有する材料としては、強度が高くかつ耐食性に優れたアルミニウムまたはアルミニウム合金を使用するのが好ましい。この材料は、上述したように処理チャンバ2の材料としても使用され、コンタミネーションが生じにくい点でも好適である。
【0030】
保護リング29は、底壁36及び側壁37a,37bからなる断面U字状をなしており、シール本体28(内周壁部30)の内周面全体とシール本体28の内周角部を覆うように構成されている。底壁36は、シール本体28の内周壁部30に密着し、側壁37a,37bは、シール本体28の側壁部31a,31bに密着している。このような構成とすることにより、シール本体28の内周部が十分に保護されるだけでなく、接着性の低いPTFE製のシール本体28に保護リング29を確実に取り付けることができる。なお、シール本体28に対する保護リング29の取り付けは、以下のように行う。
【0031】
例えば、保護リング29の基体である断面U字状の金属部材をシール本体28の内周面に沿って装着した後、当該金属部材の両端部同士を重ね合わせ、かしめ加工により接合する。また、シール本体28を強制的に熱膨張させた状態で、シール本体28の内側からシール本体28に保護リング29を嵌め込んでいき、保護リング29がシール本体28に全周にわたって組み付けられた後、シール本体28を常温に冷やすようにしても良い。この場合には、保護リング29をシール本体28に嵌め込みやすくするために、保護リング29の側壁37a,37bを底壁36に対して薄くしたり、保護リング29の側壁37a,37bをハの字型に曲げるのが望ましい。さらに、シール本体28と保護リング29とを一体的にプレス加工して固定しても良い。上記いずれの手法を採用した場合であっても、保護リング29がシール本体28から外れることは無い。
【0032】
ところで、上述したCVD装置1においては、処理チャンバ2の個体差や加工不良等により、図2に示すように下部チャンバボディ3と上部チャンバボディ4との間に隙間が生じることは避けられない。この場合、シール部材27に上記の保護リング29が設けられていないと、PTFE製のシール本体28が処理チャンバ2内に発生したプラズマに直接さらされることになるため、そのプラズマの衝突によってシール本体28が削れる等といったダメージを受けてしまう。
【0033】
これに対し本実施形態では、シール本体28の内周部に、耐プラズマ性を有する材料からなる保護リング29を設けたので、下部チャンバボディ3と上部チャンバボディ4との間に隙間があっても、シール本体28はプラズマから保護されるため、プラズマの衝突によるシール本体28のダメージを防ぐことができる。また、保護リング29は、アルミニウムまたはアルミニウム合金といった高強度の材料で形成されているため、容易に割れることは無い。従って、シール本体28の耐久性が向上するため、シール部材27の寿命が長くなる。
【0034】
参考までに、図4に示すような保護リング29の無いシール部材50を、実際にCVD装置に使用して、ウェハの成膜処理を行ったところ、約5000枚のウェハを処理した時点で、シール部材が使用不能となった。この時のシール本体の状態を図5に示す。同図から分かるように、シール本体におけるプラズマにさらされた部分が削れて欠けている。なお、ここで使用した処理チャンバでは、内側部分における下部チャンバボディと上部チャンバボディとの間の間隔P(図2参照)が0.38mmである。
【0035】
一方、図3に示すような保護リング29を有するシール部材27を、上記と同様のCVD装置に使用して、ウェハの成膜処理を行った場合には、約20000枚のウェハを処理した時点においても、シール本体の削れ・欠けは見られなかった。
【0036】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されないことは言うまでもない。例えば、上記実施形態のプラズマ処理装置はCVD装置であるが、本発明は、エッチング装置等といった他のプラズマ処理装置にも適用可能である。
【0037】
また、上記実施形態のシール部材では、保護リングをアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成したが、実施するプロセスによっては、保護リングの材料としてステンレス等を使用することもできる。
【0038】
【発明の効果】
本発明によれば、フッ素系樹脂で形成されたリング状のシール本体の内周部に、耐プラズマ性を有する材料で形成された保護リングを設けたので、シール本体の耐久性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るプラズマ処理装置の一実施形態である高密度プラズマ(HDP)式CVD装置を示す概略構成図である。
【図2】図1に示す下部チャンバボディと上部チャンバボディとの結合部分を示す拡大断面図である。
【図3】本発明に係るシール部材の一実施形態を示す断面図である。
【図4】従来のシール部材の一例を示す断面図である。
【図5】図4に示すシール部材を実際にCVD装置に使用して所定枚数のウェハの成膜処理を行った時のシール本体の状態を示す図である。
【符号の説明】
1…CVD装置(プラズマ処理装置)、2…処理チャンバ、3…下部チャンバボディ、4…上部チャンバボディ、5…ドーム、8…支持部材、13A…トップコイル(プラズマ生成手段)、13B…サイドコイル(プラズマ生成手段)、14A,14B…整合器(プラズマ生成手段)、15A,15B…高周波電源(プラズマ生成手段)、19…ガス導入部(ガス導入手段)、20…トップノズル(ガス導入手段)、21…ガス通路(ガス導入手段)、22…ガス通路(ガス導入手段)、23…サイドノズル(ガス導入手段)、27…シール部材、28…シール本体、29…保護リング、30…内周壁部、31a,31b…側壁部、32…環状凹部、33…シールリップ、34…板バネリング(弾性体)、W…ウェハ(被処理体)。
Claims (7)
- フッ素系樹脂で形成されたリング状のシール本体と、
前記シール本体の内周部に設けられ、耐プラズマ性を有する材料で形成された保護リングとを備えるシール部材。 - 前記シール本体は、外周側に開口した環状凹部を有し、
前記環状凹部内には、前記環状凹部を形成する前記シール本体の両側壁部を拡げるための弾性体が配置されている請求項1記載のシール部材。 - 前記両側壁部の外面にはシールリップが設けられている請求項2記載のシール部材。
- 前記保護リングは、前記シール本体の内周面全体及び前記シール本体の内周角部を覆うように断面U字状を有している請求項1〜3のいずれか一項記載のシール部材。
- 前記シール本体はポリテトラフルオロエチレンで形成されている請求項1〜4のいずれか一項記載のシール部材。
- 前記保護リングは、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成されている請求項1〜5のいずれか一項記載のシール部材。
- 被処理体をプラズマによって処理するプラズマ処理装置であって、
下部チャンバボディ及び上部チャンバボディを有し、前記被処理体が収容される処理チャンバと、
前記下部チャンバボディと前記上部チャンバボディとの間に配置されたシール部材と、
前記処理チャンバ内に所定のガスを導入するガス導入手段と、
前記処理チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成手段とを備え、
前記シール部材は、フッ素系樹脂で形成されたリング状のシール本体と、前記シール本体の内周部に設けられ、耐プラズマ性を有する材料で形成された保護リングとを有するプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002350279A JP4268798B2 (ja) | 2002-12-02 | 2002-12-02 | シール部材及びプラズマ処理装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004186329A true JP2004186329A (ja) | 2004-07-02 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
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|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081028 |
|
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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