JP2004175085A - 高密度回路基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】回路パターンの高密度化と、回路基板自体の任意の形状への加工を可能にし、超小型電子機器へ高密度実装できる回路基板を製造する。
【解決手段】第１工程で、鏡面状の表面を有する平板状のガラス基板１１の表面に薄膜技術にて高密度の配線電極１２を形成する。ガラス基板１１はほうけい酸ガラスを使用し、配線電極１２はアルミニウムを使用し、配線電極１２の厚みは約１．５μである（図Ａ）。
第２工程で、電気炉中にて約５５０℃の温度で加熱しつつガラス基板１１をＶ字形の金型に乗せ、更にそのガラス基板１１の上に逆Ｖ字形の金型を乗せ、金型の自重にてガラス基板１１を加圧しＬ字形に折り曲げ成型する（図Ｂ）。
第３工程で、このガラス基板１１にＩＣなどの電子部品１４の搭載をおこなう。そして、超音波加熱による溶接又は半田付けによってＩＣの金線端子などを配線電極１２に接続する（図Ｃ）。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子機器に実装される高密度回路基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
トランジスタが発明されて以来、それを搭載するための回路基板は著しい発展を遂げてきた。ベークライト樹脂に銅箔を貼った基板、ガラスエポキシ基板始め種々の基板が開発されてきた。さらにＩＣ（半導体集積回路素子）の出現とともに高密度化あるいは多層化が進んできた。現在電子機器で採用されている回路基板は、ガラスエポキシ樹脂に銅箔を貼ったガラスエポキシ基板が主流で、電極パターンピッチが０．１ｍｍ程度の高密度ピッチのものがあり、１０層以上の多層基板が実用化されている。加工性が良く、価格が安く、多層化も容易なことから現在、回路基板としても最も多く利用されている。放熱性の良いセラミックを材料とした基板も使用されているが、厚膜あるいは薄膜技術にて回路が形成されており、電極ピッチが０．１ｍｍ以上のものが主流である。
【０００３】
シリコンウエハーを利用した回路基板は半導体製造技術の発展とともに表面の平滑度が改善されて回路配線の高密度化が進み、現在ではサブミクロンのピッチまで実現している。
【０００４】
近年、液晶製品を中心にガラス基板が使用されている。液晶において要求される光透過性材料であることが採用の理由であるが、高温下においても真空中にガスを放出しないため、薄膜を形成することが可能な基板である点が大きな要因である。また、表面状態が鏡面であるためサブミクロンのピッチの回路を形成することも可能であり、薄膜半導体および露光用のマスクに利用されている。
これらの基板は回路の高密度化を実現したが、シリコンウエハーあるいはガラス基板は曲げることができないため実装上での制限がある。
【０００５】
実装を考慮して任意に曲げることが可能な、ポリイミドを基板材料としたフレキシブル基板がある。銅箔を貼りパターニングを行い回路を作成しているが、電極ピッチが０．１ｍｍくらいまで高密度化させている。価格は割高であるが任意に曲げて使用できるため携帯機器を中心として使用されている。また、６層程度の多層化も実現されている。基板の厚みが数十μで材料がポリイミドであるため柔らかく曲げることが可能であるが、逆に腰が弱く部品搭載を行う部分にはガラスエポキシ樹脂等を裏打ちし強度を上げている。
【０００６】
電子機器を小型化するためには、その構成部品の小型化に伴って回路基板の回路の高密度化および曲げ加工などによる高実装化が要求されるが、その両方を満足する基板が提供されていない。シリコンウエファー及びガラス基板は高密度回路を実現するが高密度実装には適していない。また、ポリイミド基板は高密度実装を実現するが、高密度回路の実現は困難である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
近年、市場においてＩＴ端末機器を中心に携帯用機器の伸びが著しいが、普及してきた要因の一つに機器が小型・軽量化されたことが挙げられる。今後、その伸びを加速するために更なる小型化が要求されている。
しかしながら、高密度回路を実現する基板の表面が鏡面状で、かつ、高密度実装を実現するため曲げ加工など任意の形状に加工できるという２つの要求を同時に満たす基板がない。
【０００８】
また、電気エネルギーを熱に変換するトランスデューサの一種であるサーマルプリントヘッドにおいても同様に低消費電力化、小型化の要求がでている。図２は従来の代表的なサーマルプリントヘッドの断面図である。平板状のセラミック２１に部分的にガラスがグレーズ（焼成）２２された基板が使用されている。発熱素子２３にて発熱された熱は保護膜２５を通して印字媒体に伝熱される。１印字周期において印字終了後の部分グレーズガラス２２に残った熱はセラミック２１に放散され次の印字周期において発熱素子２３に発熱される熱に影響しないような構造になっており、常に一様な印字濃度が得られるように工夫されているという利点はあるが、熱が無効に消費されていることは欠点であり、特に携帯用途ではバッテリーの負荷が大きいことが問題となっている。
【０００９】
部分グレーズガラスの高さは一般的に０．０５ｍｍであるが、駆動ＩＣ２６の高さは０．５ｍｍ程度でありこれに当たらないように印字媒体を搬送するためには、印字媒体を曲げねばならない。印字媒体がカードのようなやや硬いものであるときは、直線状に搬送する場合と比較して印字媒体を曲げつつ搬送するためにエネルギーが過大に必要となっている。このことも携帯用途におけるバッテリーの使用可能時間を短くする要因となっていた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の高密度回路基板の製造方法は、鏡面状の表面を有する平板状のガラス基板の表面に薄膜技術により金属薄膜の配線電極を着膜して高密度回路パターンを形成する第１工程と、高密度回路パターンを着膜形成したガラス基板を高温度に加熱しつつ金型を用いてプレス加工する第２工程と、プレス加工により成型されたガラス基板に電子部品を搭載し前記配線電極に接続する第３工程とを備えたことを特徴とするものである。
また、前記第１工程において、ガラス基板は、鏡面状の表面を有する板厚が０．２ｍｍ以上の平板状のガラス基板の表面に薄膜技術により金属薄膜を着膜して高密度回路パターンを形成した後に、回路パターンを形成した面の反対側表面を研削にて削り０．２ｍｍ以下の板厚に減肉してもよい。
また、前記第１工程において、ガラス基板は、鏡面状の表面を有する板厚が０．２ｍｍ以下の平板状のガラス基板を該ガラス基板より板厚が厚くかつ面積が大きいガラス製の保持基板に貼り合せた後に、ガラス基板の表面に薄膜技術により金属薄膜を着膜して高密度回路パターンを形成した後に、保持基板から分離してもよい。
また、前記第２工程は、高密度回路パターンを着膜形成した板厚が０．２ｍｍ以下のガラス基板を約５５０℃に加熱しつつ金型により部分的にプレス加工して、ガラス基板上に半球状の凸部と該凸部の裏面に凹部空隙を形成することを特徴とするものである。
また、本発明の高密度回路基板は、上述の高密度回路基板の製造方法により製造されたことを特徴とするものである。
また、本発明の高密度回路基板は、鏡面状の表面を有する板厚が０．２ｍｍ以下の平板状のガラス基板であって、該ガラス基板の表面に薄膜技術により金属薄膜の配線電極を着膜して形成した高密度回路パターンを有し、かつ、該ガラス基板に金型を用いたプレス加工により形成した半球状の凸部と該凸部の裏面に凹部空隙を備え、かつ、該ガラス基板に電子部品を搭載し前記配線電極に接続したことを特徴とするものである。
また、本発明のサーマルプリントヘッドは、前記高密度回路基板であって、前記ガラス基板の凸部の表面に発熱素子を備えるともに、該ガラス基板を発熱素子の近傍で後方へ折り曲げて、発熱素子と電子部品とがガラス基板上の隣接する別平面に分かれて位置するように形成したことを特徴とするものである。
また、本発明のサーマルプリントヘッドは、前記高密度回路基板であって、前記ガラス基板の凸部の表面に薄膜技術により発熱素子を形成するともに、該ガラス基板を凸部のやや左側及び凸部のやや右側の位置からそれぞれ後方へ４５〜９０度折り曲げて略コ字状に形成したことを特徴とするものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の高密度回路基板は、鏡面状の表面を有する平板状のガラス基板の表面に薄膜技術により金属薄膜の配線電極を着膜して高密度回路パターンを形成する第１工程と、高密度回路パターンを着膜形成したガラス基板を高温度に加熱しつつ金型を用いて所定形状にプレス加工する第２工程と、プレス加工により成型されたガラス基板に電子部品を搭載し前記配線電極に接続する第３工程との、各製造工程を経て製造されるものである。
【００１２】
本発明の高密度回路基板の製造方法を上記のように構成したことにより、第１工程では、ガラス基板の表面の平坦性が極めて高いのでガラス基板上に薄膜技術により高精度に高密度の配線電極を形成することができる。次に、第２工程では、ガラス基板自体が極めて薄いため高温加熱とプレス加工により配線電極を損なうことなくガラス基板を所定の形状に成型することができる。次に、第３工程では、ガラス基板そのものが硬いため超音波を使用した溶接や半田付けによる配線の接続も可能で、表面実装用の各種電子部品を搭載することが可能となる。
また、ガラス基板として厚さが０．２ｍｍ以下のものを使用し、約５５０℃に加熱しつつ金型により部分的にプレス加工することにより、ガラス基板上に半球状の凸部と該凸部の裏面に凹部空隙を形成することが可能となる。
【００１３】
また、本発明の高密度回路基板は、鏡面状の表面を有する板厚が０．２ｍｍ以下の平板状のガラス基板の表面に薄膜技術により金属薄膜の配線電極を着膜して高密度回路パターンを形成し、かつ、該高密度回路パターンを形成したガラス基板を高温度に加熱しつつ金型を用いてプレス加工し、かつ、プレス加工により成型されたガラス基板に電子回路部品を搭載し前記配線電極に接続したことにより、回路パターンの高密度化と回路基板自体の任意の形状への加工を可能にし、超小型電子機器への高密度実装を可能にする。
また、本発明のサーマルプリントヘッドは、前記高密度回路基板であって、前記ガラス基板の凸部の表面に発熱素子を備えるともに、該ガラス基板を発熱素子の近傍で後方へ折り曲げて、発熱素子と電子部品とがガラス基板上の隣接する別平面に分かれて位置するように形成したことにより、電子部品が印字時の印字媒体の搬送経路を妨げることがなく、印字媒体を直線状に搬送させることができる。
また、本発明のサーマルプリントヘッドは、前記高密度回路基板であって、ガラス基板凸部の表面に発熱素子を備えるとともに、ガラス基板を凸部のやや左側及び凸部のやや右側の位置からそれぞれ後方へ４５〜９０度折り曲げて略コ字状に形成したことにより、高密度実装を可能にするだけでなく、駆動ＩＣなどの電子部品を発熱素子の後方に配置搭載することができ印字媒体は電子部品に邪魔されることなく発熱素子の上を直線状に搬送することができる。
上述のサーマルプリントヘッドは、回路基板自体が小型化され、かつ、凹部空隙が熱伝導を遮断するので、発熱素子周辺からの熱の拡散が少なくなり熱効率が良くなる。
【００１４】
【実施例】
本発明の一実施例として、筐体の形状の制限から一般的な平面状の基板を収納できない問題に対応してＬ形の形状に成型した回路基板について、図を参照して説明する。
図１は、第１〜３の各工程における回路基板の製造状態を示す断面図である。図１Ａは、第１工程における回路基板の断面を示し、鏡面状の表面を有する平板状のガラス基板１１の表面に薄膜技術にて高密度の配線電極１２を形成したものである。ガラス基板１１として比較的線膨張率の大きいほうけい酸ガラスを使用した。配線電極１２としてアルミニウムを使用し、配線電極１２の厚みは約１．５μとした。
【００１５】
図１Ｂは第２工程においてＬ形に成型された回路基板の断面を示し、大気中にて約５５０℃の温度で加熱しつつ回路基板を９０度に曲げＬ形に成型したものである。電気炉中にてガラス基板１１をＶ字形（凹型）の金型に乗せ、更にそのガラス基板１１の上に逆Ｖ字形（凸型）の金型を乗せ、金型の自重にてガラス基板１１を加圧しＬ字形に折り曲げ成型した。この工程において、回路基板の形状に対して温度及び圧力条件を最適にすることにより、ガラス基板１１及び配線電極１２を破損することなく成型されるが、アルミニウムの配線電極１２は大気中で高温加熱されたことにより表面が酸化し腐食する。なお、本実施例では、加熱装置として電気炉を用いたが、ヒータ内蔵型の金型を用いてもよい。
【００１６】
図１Ｃは第３工程において電子部品を搭載した回路基板を示す断面図である。第３工程では、まず腐食した配線電極１２の表面をアルカリにて前処理し、電極の腐食を取り去る。このとき配線電極１２の厚みは約０．７μになる。続いて、配線電極１２の表面に亜鉛置換、ニッケルメッキおよび金メッキをおこない表面処理をする。次に、この回路基板にＩＣ（半導体集積回路素子）などの電子部品１４の搭載をおこなう。回路基板の材質がガラスであり硬いため、超音波加熱による溶接又は半田付けによって回路基板を損ねることなくＩＣの金線端子などを配線電極１２に接続することができる。
【００１７】
本発明の他の実施例として、高密度回路基板を用いたサーマルプリントヘッドについて図を参照して説明する。図３Ａは本発明の高密度回路基板を使用したサーマルプリントヘッドの断面図である。本実施例では、０．０３ｍｍの厚さのガラス基板３１に金属薄膜にて発熱素子２３および配線電極２４が形成されている。ガラス基板３１は、前記第２工程において発熱素子２３の位置に半球状の凸部３２が形成されるように成型したものである。凸部３２はガラス基板３１の表面側に約０．０３ｍｍの高さで突起し、ガラス基板３１の凸部３２の裏面側は凹状をなし空隙３３が形成される。このようにガラス基板３１上の発熱素子２３の部位に凸部３２を形成したことにより、発熱素子２３にて発生する熱が効率良く紙などの印字媒体に伝熱される。一方、ガラス基板３１の発熱素子２３の裏面側に空隙３３が形成されているため、発熱素子２３にて発生された熱は空隙３３に遮られてサーマルプリントヘッド内部に伝熱されることが少ないため熱効率が良く、図２に示したような従来のセラミック基板２１に部分グレーズガラス２２を施した基板を使用したサーマルプリントヘッドと比較して約１／３の印加エネルギーで同等の印字濃度を得ることができる。ガラス基板３１の発熱素子２３及びその近傍の表面には保護膜２５を備えており、印字媒体にサーマルプリントヘッドが摺動する時の摩擦から発熱素子２３および配線電極２４を保護している。
【００１８】
本実施例のサーマルプリントヘッドでは、図３Ａに示すように、ガラス基板３１は発熱素子２３のある凸部のやや左側及び右側の位置からそれぞれ後方に９０度に曲げられたコ字状になっており、配線電極２４が印字面より後退した位置にある構造となっている。配線電極２４には発熱素子２３の制御をするための駆動ＩＣ２６が搭載されるが、図２に示した従来のセラミック基板に部分ガラスグレーズした基板を使用したサーマルプリントヘッドとは異なり、駆動ＩＣ２６が印字媒体の搬送の妨げにならないため発熱素子２３のすぐ近くに配置することができるので、サーマルプリントヘッドの外形寸法を小さく抑えることができ、かつ印字媒体を直線状に搬送させることができる（図３Ｂ参照）。コ字状に成型されたガラス基板３１は保持板３４に取り付けられ、図示した断面形状においてほぼ幅１ｍｍ×高さ２ｍｍに小さくまとめることができた。
【００１９】
図４は、本実施例のサーマルプリントヘッドの製造方法の第１工程における回路基板の製造状態を示す断面図である。図４Ａに示すように、まず、ガラス基板４１に発熱素子２３及び配線電極２４となる金属薄膜をスパッター法にて成膜する。ガラス基板４１は板厚０．７ｍｍのほうけい酸ガラスを使用した。発熱素子２３の材料としてタンタル系金属薄膜材料、配線電極２４の材料としてアルミニウムを使用し、これらの金属薄膜をホトリソグラフィー法にて回路パターンを作成した。ホトリソグラフィーの工程ではガラス基板４１に感光性のホトレジストを１μ以下の厚みに塗膜し、露光・現像およびエッチングにて回路パターンを作成するが、パターン精度をあげ、高密度を実現するためにはホトレジストをいかに均一に塗るかにかかっている。一般にはスピンコータにて遠心力を利用して行うが、基板の表面が平坦で滑らかなことがポイントとなる。本実施例では表面が鏡面状であるガラス基板を採用し、高密度回路の形成を実現している。本実施例の場合、回路パターン間のギャップを５μ以下にすることを実現している。
【００２０】
ガラス基板４１にホトリソグラフィー法による回路パターン形成後、発熱素子２３の表面を覆うように保護膜２５を成膜した。保護膜２５としてＳｉＯ２およびＳｉＣの２層をスパッタ法にて成膜した。なお、保護膜２５はガラス基板４１の成型後に成膜してもよい。
【００２１】
ガラス基板４１に高密度の回路パターンを形成した後に、回路パターンを形成した面の反対側表面を研削にて削り０．０３ｍｍ厚に減肉すると、図４Ｂに示すように研削後の減肉されたガラス基板１１となる。このように、板厚の厚いガラス基板に薄膜技術にて高密度の回路パターンを形成する方法によれば、ガラス基板の取り扱いが容易で、破損し難く製造時の歩留まりも高くなる。
【００２２】
図５は、ガラス基板に回路パターンを形成する第１工程において保持基板を使用した場合の製造過程を示している。まず、図５Ａに示すように、板厚０．７ｍｍのガラス基板（保持基板５１）の上に、保持基板５１より面積がやや小さく鏡面状の表面を有する板厚０．０３ｍｍのガラス基板３１を載せ、次に図５Ｂに示すようにガラス基板３１の周囲の端面に接着剤５２としてポリイミドワニスを塗布し、１２０℃で６０分間、その後２００℃で１０分間、続いて２５０℃で６０分間、続いて３００℃で３０分間と、温度管理をしながら乾燥および焼付けをおこないガラス基板３１を保持基板５１に貼り合わせる。このとき全周を貼り合わせるのではなく一部分開けておくことにより、両基板の貼り合せ間隙に残った空気の膨張によるガラス基板３１の膨張・破損を予防する。
ガラス基板３１に回路パターンを形成した後、接着剤を塗布したガラス基板３１の周囲端部を切断し、保持基板５１から分離し、図５Ｃに示すように、薄膜パターンが形成された板厚０．０３ｍｍのガラス基板１１を得る。このように、ガラス基板を一旦保持基板に貼り合わせた上で薄膜技術にて高密度の回路パターンを形成する方法によれば、ガラス基板の取り扱いが容易で、破損し難く製造時の歩留まりも高くなる。
【００２３】
図６はプレス加工によりガラス基板を成型する第２工程を示し、図６Ａは成型過程の第１段階における成型後のガラス基板の断面、図６Ｂは成型過程の第２段階における成型後のガラス基板の断面を示している。
成型過程の第１段階は、発熱素子２３と印字媒体の接触を良好にするためにおこなうものであり、本実施例では金型によるプレス加工により、ガラス基板に高さ０．０５ｍｍ・半径０．５ｍｍの半球状の凸部３２を形成するものである。これは図２に示した従来の一般的なセラミック基板にガラスペーストにて部分グレーズしたガラスグレーズの高さとほぼ同じである。成型は、ステンレス製の凹凸一対の金型により上下からガラス基板３１を挟み込み、５５０℃で５０分間の高温加熱によってガラス基板３１を軟化させ、金型の自重によってプレス加工することで行っている。
第１段階で成型したガラス基板３１は、図６Ｂに示すように、第２段階において更に断面略コ字状に成型される。この場合も、第１段階と同様に四角の凸、凹の一対のステンレスの金型を準備し、この凹凸一対の金型により上下からガラス基板３１を挟み込み、５５０℃で５０分間の高温加熱によってガラス基板３１を軟化させ、金型の自重によってプレス加工して、成型後のガラス基板３１’を得た。
【００２４】
なお、上記第２工程の成型過程の第１段階に示したガラス基板に半球状の凸部３２を形成する成型は、ガラス基板の表面に回路パターンを形成する前に行ってもよい。成型による半球状の凸部３２の高さが０．０５ｍｍと小さいためホトリソグラフィーによるパターニング時のレジスト塗布の膜厚均一性に対する影響が比較的少ないからである。この場合、回路パターンを構成するの配線電極の表面処理は、第２工程の後半に行う。成型時の高温加熱がメッキを変質させることから防ぐためである。本実施例では、成型後アルミニウム電極２４をアルカリにて前処理し、亜鉛置換をおこないニッケル、半田をメッキした。
【００２５】
第３工程で、第２工程で成型したガラス基板３１’を角柱の支持板３４に搭載し、駆動ＩＣ２６その他の電子部品を取り付け半田付けをして、サーマルプリントヘッドを完成させる。
【００２６】
以上に説明した本発明の各実施例において、ガラス基板１１の板厚は０．２ｍｍ以下であれば高温での加熱条件下で金型によるプレス加工により容易に成型することができ、本実施例では、ガラス基板１１の板厚として０．０５ｍｍ以下のものを実現している。このような薄い板厚のガラス基板は、実施例に説明した各種電子機器の高密度回路基板やサーマルプリントヘッドとしての用途以外に、部分的に凸状に成型が可能なため温度センサーなどの高感度の良いセンサーに適している。また、基板自体の誘電率が極めて低くなるので、超高周波回路の回路基板としても適するものである。
また、ガラス基板１１を金型を用いてプレス加工することにより、ガラス基板を９０度折り曲げた実施例を示したが、ガラス基板の板厚等の条件から、折り曲げ角度は４５〜９０度の範囲であることが好ましい。
【００２７】
【発明の効果】
本発明の高密度回路基板の製造方法によれば、表面が平坦で滑らかな鏡面状のガラス基板に薄膜にて回路を形成し、さらに所定の形状にガラス基板を成型し、さらにガラス基板に電子部品を搭載することより、回路パターンの高密度化と、回路基板自体の任意の形状への加工を可能にし、超小型電子機器へ高密度実装できる回路基板を提供することができる。
【００２８】
また、本発明のサーマルプリントヘッドによれば、ガラス基板上の電子部品が印字時の印字媒体の搬送経路を妨げることがなく、印字媒体を直線状に搬送させることができる。これにより、印字媒体の搬送機構を簡略化することができ、搬送エネルギーの低減を図ることができる。
さらに、ガラス基板自体が小型化され、かつ、凹部空隙が熱伝導を遮断するので、発熱素子周辺からの熱が拡散が少なくなり、サーマルプリントヘッドの電力効率を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高密度回路基板の製造方法の第１工程における回路基板の断面図（Ａ）、第２工程における回路基板の断面図（Ｂ）、第３工程における回路基板の断面図（Ｃ）である。
【図２】従来のサーマルプリトヘッドの断面図である。
【図３】本発明のサーマルプリントヘッドの断面図（Ａ）、印字媒体の搬送状態を示す説明図（Ｂ）である。
【図４】本発明のサーマルプリントヘッド製造の第１工程における研削前のガラス基板の断面図（Ａ）、研削後のガラス基板の断面図（Ｂ）である。
【図５】本発明の高密度回路基板製造の第１工程において、ガラス基板を保持基板に貼り合わせた状態を示す断面図（Ａ）、ガラス基板に回路パターンを形成した状態を示す断面図（Ｂ）、ガラス基板から保持基板を取り外した状態を示す断面図（Ｃ）である。
【図６】本発明の高密度回路基板製造の第２工程において、第１段階の成型後のガラス基板の断面図（Ａ）、第２段階の成型後のガラス基板の断面図（Ｂ）である。
【符号の説明】
１０‥‥回路基板
１１‥‥ガラス基板
１２‥‥配線電極
１３‥‥９０度曲げ部
１４‥‥電子部品
２１‥‥セラミック基板
２２‥‥部分グレーズガラス
２３‥‥発熱素子
２４‥‥配線電極
２５‥‥保護膜
２６‥‥駆動ＩＣ
３１‥‥ガラス基板
３１’‥‥ガラス基板（折り曲げ後）
３２‥‥凸部
３３‥‥凹部空隙
３４‥‥保持板
４１‥‥ガラス基板（研削前）
５１‥‥保持基板
５２‥‥接着剤
６０‥‥印字媒体

Claims (7)

1. 鏡面状の表面を有する平板状のガラス基板（１１）の表面に薄膜技術により金属薄膜の配線電極（１２）を着膜して高密度回路パターンを形成する第１工程と、高密度回路パターンを着膜形成したガラス基板（１１）を高温度に加熱しつつ金型を用いてプレス加工する第２工程と、プレス加工により成型されたガラス基板（１１）に電子部品（１４）を搭載し前記配線電極（１２）に接続する第３工程とを備えたことを特徴とする高密度回路基板の製造方法。
2. 前記第１工程において、ガラス基板（１１）は、鏡面状の表面を有する板厚が０．２ｍｍ以上の平板状のガラス基板（４１）の表面に薄膜技術により金属薄膜を着膜して高密度回路パターンを形成した後に、回路パターンを形成した面の反対側表面を研削にて削り０．２ｍｍ以下の板厚に減肉することを特徴とする、請求項１記載の高密度回路基板の製造方法。
3. 前記第１工程において、ガラス基板（１１）は、鏡面状の表面を有する板厚が０．２ｍｍ以下の平板状のガラス基板（３１）を該ガラス基板より板厚が厚くかつ面積が大きいガラス製の保持基板（５１）に貼り合せた後に、ガラス基板（３１）の表面に薄膜技術により金属薄膜を着膜して高密度回路パターンを形成した後に、保持基板（５１）から分離することを特徴とする、請求項１記載の高密度回路基板の製造方法。
4. 請求項１〜３のいずれかに記載の高密度回路基板の製造方法により製造されたことを特徴とする高密度回路基板。
5. 鏡面状の表面を有する板厚が０．２ｍｍ以下の平板状のガラス基板（１１）であって、該ガラス基板（１１）の表面に薄膜技術により金属薄膜の配線電極（１２）を着膜して形成した高密度回路パターンを有し、かつ、該ガラス基板（１１）に半球状の凸部（３２）と該凸部の裏面に凹部空隙（３３）を備え、かつ、該ガラス基板（１１）に電子部品（１４）を搭載し前記配線電極（１２）に接続したことを特徴とする高密度回路基板。
6. 請求項４又は５に記載の高密度回路基板であって、前記ガラス基板の凸部（３２）の表面に発熱素子（２３）を備えるとともに、該ガラス基板を発熱素子（２３）の近傍で後方へ折り曲げて、発熱素子（２３）と電子部品（１４）とがガラス基板上の隣接する別平面に分かれて位置するように形成したことを特徴とするサーマルプリントヘッド。
7. 請求項４〜６のいずれかに記載の高密度回路基板であって、前記ガラス基板の凸部（３２）の表面に発熱素子（２３）を備えるとともに、該ガラス基板を凸部のやや左側及び凸部のやや右側の位置からそれぞれ後方へ４５〜９０度折り曲げて略コ字状に形成したことを特徴とするサーマルプリントヘッド。

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