JP2004172644A - セラミックス基板、セラミックス基板の表面処理方法、セラミックス基板の粗化面への薄膜形成方法 - Google Patents
セラミックス基板、セラミックス基板の表面処理方法、セラミックス基板の粗化面への薄膜形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004172644A JP2004172644A JP2004064202A JP2004064202A JP2004172644A JP 2004172644 A JP2004172644 A JP 2004172644A JP 2004064202 A JP2004064202 A JP 2004064202A JP 2004064202 A JP2004064202 A JP 2004064202A JP 2004172644 A JP2004172644 A JP 2004172644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- ceramic substrate
- thin film
- metal
- conductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
【解決手段】 AlN製の絶縁基材2と金属製の導体層3とからなり、絶縁基材2の表面粗さRa1を0.01μm〜5μm、導体層3の表面粗さRa2を0.002μm〜2μmとし、絶縁基材2の表面粗さRa1が、導体層3の表面粗さRa2より大きいセラミックス基板。
【選択図】 図3
Description
このようなセラミックス基板は、一般的にセラミックスの焼結体からなる絶縁基材の表面などに、配線パターン等のような金属製の導体層が形成されたものとして知られている。
本発明のセラミックス基板は、セラミックス製の絶縁基材と金属製の導体層とが少なくとも同一面内にて混在した状態にあることを特色としている。この基板において、絶縁基材の表面粗さ及び導体層の表面粗さは、それぞれ0.01μm〜5μm,0.002μm〜2μmの範囲内である必要がある。
本実施例では、平均粒径が1.1μmのAlN粉末1000gに、焼結助剤としてのY2O3粉末を50g、アクリル系バインダを120g、並びに所定量の可塑剤、分散剤及び溶剤としてのエタノールを添加したものを均一に混練することによって、グリーンシート7を得るための原料スラリーを作製した。
(a)本発明をセラミックス両面板に具体化した実施例に代えて、シート成形したグリーンシートを積層・焼成してなるセラミックス多層板に具体化することも勿論可能である。この場合、導電性金属ペースト等を用いて、シート積層工程の前に予め内層に導体パターンを形成しておくことが良い。
(c)実施例のような表面処理方法に代え、例えばエッチング液をラップ液としても用いた、いわゆるメカノケミカルラッピングを行うことも可能である。このような表面処理方法によると、エッチング及びラッピングを単独で行うときよりも、処理の簡略化・効率化を図ることができる。
Claims (6)
- セラミックス製の絶縁基材(2)と金属製の導体層(3)とからなるセラミックス基板(1)において、前記絶縁基材(2)の表面粗さ(Ra1)が0.01μm〜5μmの範囲内であり、前記導体層(3)の表面粗さ(Ra2)が0.002μm〜2μmの範囲内であり、かつ前記絶縁基材(2)の表面粗さ(Ra1)が、前記導体層(3)の表面粗さ(Ra2)より大きいことを特徴とするセラミックス基板。
- 前記絶縁基材(2)を構成するセラミックスは、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、ムライトから選択される少なくともいずれかであることを特徴とする請求項1に記載のセラミックス基板。
- 前記導体層(2)を構成する金属は、タングステン、モリブデン、銅から選択される少なくともいずれかであることを特徴とする請求項1または2に記載のセラミックス基板。
- セラミックス酸化物、セラミックス炭化物、セラミックス窒化物及びダイヤモンドから選択される少なくともいずれかを主成分として含む研磨用の砥粒を用いたラッピング、またはアルカリ液を用いたエッチングを行うことによって、セラミックス製の絶縁基材(2)と金属製の導体層(3)とからなるセラミックス基板(1a)に粗化面(6)を形成することを特徴とする請求項1のセラミックス基板の表面処理方法。
- メタライジング法、スパッタリング法、めっき法、蒸着法、イオンプレーティング法、活性金属法及びCVD法から選択される少なくともいずれかの成膜法によって、セラミックス製の絶縁基材(2)と金属製の導体層(3)とからなるセラミックス基板(1)の粗化面(6)に金属薄膜(4)または非金属薄膜(5)を形成することを特徴とする請求項1のセラミックス基板の粗化面への薄膜形成方法。
- ドライフィルム及び液体レジストから選択される少なくともいずれかを用いることによって、セラミックス製の絶縁基材(2)と金属製の導体層(3)とからなるセラミックス基板(1)の粗化面(6)に非金属薄膜(5)を形成することを特徴とする請求項1のセラミックス基板の粗化面への薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004064202A JP3657597B2 (ja) | 2004-03-08 | 2004-03-08 | セラミックス基板、セラミックス基板の粗化面への薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004064202A JP3657597B2 (ja) | 2004-03-08 | 2004-03-08 | セラミックス基板、セラミックス基板の粗化面への薄膜形成方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14235193A Division JP3585941B2 (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | セラミックス基板の表面処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004172644A true JP2004172644A (ja) | 2004-06-17 |
JP3657597B2 JP3657597B2 (ja) | 2005-06-08 |
Family
ID=32709572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004064202A Expired - Lifetime JP3657597B2 (ja) | 2004-03-08 | 2004-03-08 | セラミックス基板、セラミックス基板の粗化面への薄膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3657597B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009158549A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 立体回路基板用窒化アルミニウム系基材、その製造方法、及び立体回路基板 |
-
2004
- 2004-03-08 JP JP2004064202A patent/JP3657597B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009158549A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 立体回路基板用窒化アルミニウム系基材、その製造方法、及び立体回路基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3657597B2 (ja) | 2005-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4202641B2 (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
JP2001130986A (ja) | 銅メッキセラミックス基板、及びそれを用いたペルチィエ素子、並びに銅メッキセラミックス基板の製造方法 | |
JP2005159334A (ja) | 窒化アルミニウム接合体及びその製造方法 | |
WO2002045470A1 (en) | Substrate and production method therefor | |
JP2006089290A (ja) | メタライズ基板 | |
JP3779306B2 (ja) | セラミックス基板及びセラミックス基板の粗化面への薄膜形成方法 | |
JP2007281161A (ja) | 半導体製造装置用ウエハ保持体及び半導体製造装置 | |
JP2009158576A (ja) | 電子部品検査治具用多層セラミック基板 | |
JP2006156470A (ja) | 素子搭載用基板およびその製造方法 | |
JP3585941B2 (ja) | セラミックス基板の表面処理方法 | |
JP7410872B2 (ja) | セラミックス-銅複合体、セラミックス-銅複合体の製造方法、セラミックス回路基板およびパワーモジュール | |
JP3657597B2 (ja) | セラミックス基板、セラミックス基板の粗化面への薄膜形成方法 | |
JP4639174B2 (ja) | ウェハ電気検査装置用の多層セラミック基板及びその製造方法 | |
JP2007250996A (ja) | 配線基板、並びにその配線基板を備えた電子装置およびプローブカード | |
WO2003101166A1 (fr) | Pastille frittee a base de nitrure d'aluminium comportant une couche metallisee et procede de preparation associe | |
JP2012015448A (ja) | フレキシブル銅張積層板及びその製造方法並びにそれを用いた配線基板 | |
JP2017183715A (ja) | 貫通電極を有する両面配線基板及びその製造方法 | |
EP3846597A1 (en) | Wiring board and electronic device | |
JP2006044980A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体 | |
JP2006066658A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
JP2008085098A (ja) | 配線基板および電子装置 | |
JP2007324522A (ja) | メタライズドセラミック基板の製造方法 | |
JP2011228727A (ja) | 配線基板、並びにその配線基板を備えた電子装置およびプローブカード | |
JP2007324439A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JP2010109068A (ja) | 配線基板および配線基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040817 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20041015 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050301 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050309 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080318 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090318 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100318 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100318 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110318 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110318 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130318 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140318 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |