JP2004165495A - ２波長半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】従来の２波長半導体レーザ及びその製造方法では、２つの半導体レーザは共通の半導体基板上に横方向に並べて配置されるため、構造上、２つの発光部間の距離は、どうしても１００μｍ〜２００μｍ程度となり、これを小さくすることには限界があった。また、仮に、２つの半導体レーザを縦方向に積層すると２つの半導体レーザに対して均等な熱放散が得られないと言う問題があった。
【解決手段】本発明の２波長半導体レーザ１０１は、ｎ型ＧａＡｓ基板１０２上に、第１半導体レーザ１０３と第２半導体レーザ１０４とが縦方向に配置されており、第１半導体レーザ１０３の第１電極１１２の上面は、第２半導体レーザ１０４の第２電極１１９の上面と面一となるように形成されている。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、波長の異なるレーザ光を発光する２つの半導体レーザを１つのチップに集積した２波長半導体レーザ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＤＶＤとＣＤの両ディスクを読取るために、６５０ｎｍ波長の半導体レーザと７８０ｎｍ波長の半導体レーザの両方を備えた両ディスク用光ピックアップの開発が進められている。ここで、それぞれの波長の半導体レーザを２個使用した光ピックアップとすると、光学系が複雑となるため、２波長の半導体レーザを１つのチップに集積し小型化すると共に、レーザ光の間隔や平行性を高精度に実現することが望まれている。また、この２波長半導体レーザは、ヒートシンク部にマウントした際、それぞれの半導体レーザが共に熱放散がよい構造であることも要求されている。
【０００３】
従来の２波長半導体レーザの一例を図５（ａ）に示す。２波長半導体レーザ１は、共通のｎ型ＧａＡｓ基板２上に、第１半導体レーザ３と第２半導体レーザ４とが横方向に配置されている。
【０００４】
第１半導体レーザ３（図中左）は、７８０ｎｍ波長（ＣＤ用）であり、順次、ｎ型ＡｌＧａＡｓから成る第１下部クラッド層５，ＡｌＧａＡｓから成る第１ＭＱＷ活性層６，ｐ型ＡｌＧａＡｓから成る第１上部クラッド層７及び、その一部とその上のｐ型ＧａＡｓから成る第１コンタクト層８とで構成するメサ部，そのメサ部を埋め込むｎ型ＧａＡｓから成る第１ブロック層９が積層形成されており、その上面には、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕから成る第１電極１０が形成されている。
【０００５】
また、その横の第２半導体レーザ４（図中右）は、６５０ｎｍ波長（ＤＶＤ用）であり、順次、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰから成る第２下部クラッド層１１，ＡｌＧａＩｎＰから成る第２ＭＱＷ活性層１２，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰから成る第２上部クラッド層１３及び、その一部とその上のｐ型ＧａＩｎＰから成るバッファ層１４その上のｎ型ＧａＡｓから成る第２コンタクト層１５とで構成するメサ部，そのメサ部を埋め込むように形成したｎ型ＧａＡｓから成る第２ブロック層１６が積層形成されており、その上面には、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕから成る第２電極１７が形成されている。
【０００６】
また、ｎ型ＧａＡｓ基板２下面には、共通電極としてＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕから成る第３電極１８が形成されている。
【０００７】
尚、２波長半導体レーザ１は、図５（ｂ）に示すように、第１電極１０，第２電極１７をそれぞれハンダ１９を介してヒートシンク部２０にマウントされ、その後、ワイヤーボンディング２１（配線）される。ここで、第１電極１０の上面と第２電極１７の上面とは面一となっており、ヒートシンク部２０にマウントする際に傾くことがなく、また、それぞれの半導体レーザ３，４が直接、ヒートシンク部２０にマウントされるため均等な熱放散が得られる。
【０００８】
次に、上記の２波長半導体レーザ１の製造方法の一例を図６〜図８に示す。先ず、図６（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓから成る第１下部クラッド層５ａ，ＡｌＧａＡｓから成る第１ＭＱＷ活性層６ａ，ｐ型ＡｌＧａＡｓから成る第１上部クラッド層７ａ，ｐ型ＧａＡｓから成る第１コンタクト層８ａを有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）で順次、全面に積層成長させ、その上の所定位置に、酸化シリコンから成るストライプ状の第１酸化膜マスク２２を形成する。
【０００９】
次に、図６（ｂ）に示すように、第１酸化膜マスク２２をエッチングマスクとして、第１コンタクト層と第１上部クラッド層を、第１上部クラッド層７ａの途中までエッチング除去して、第１上部クラッド層７ａの一部とその上の第１コンタクト層８から成るメサ部を形成した後、そのメサ部を埋め込むように、選択エピタキシャル成長法によりｎ型ＧａＡｓから成る第１ブロック層９ａを形成する。
【００１０】
次に、図６（ｃ）に示すように、第１酸化膜マスクを除去した後、第１半導体レーザとなる側の部分（図中左半分）を第１レジストマスク２３で覆い、硫酸系およびフッ酸系のエッチャントで不要部（図中右半分の第１ブロック層，第１上部クラッド層，第１ＭＱＷ活性層，第１下部クラッド層）をエッチング除去して、ｎ型ＧａＡｓ基板２面を露呈させる。
【００１１】
次に、図７（ｄ）に示すように、第１レジストマスクを除去した後、順次、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰから成る第２下部クラッド層１１ａ，ＡｌＧａＩｎＰから成る第２ＭＱＷ活性層１２ａ，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰから成る第２上部クラッド層１３ａ，ｐ型ＧａＩｎＰから成るバッファ層１４ａ，ｎ型ＧａＡｓから成る第２コンタクト層１５ａを有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）で全面に積層形成し、その上の所定位置に、酸化シリコンから成るストライプ状の第２酸化膜マスク２４を形成する。
【００１２】
次に、図７（ｅ）に示すように、第２酸化膜マスク２４をエッチングマスクとして、第２コンタクト層，バッファ層，第２上部クラッド層を、第２上部クラッド層１３ａの途中までエッチング除去して、第２上部クラッド層１３ａの一部とその上のバッファ層１４とその上の第２コンタクト層１５とで構成するメサ部を形成した後、そのメサ部を埋め込むように、選択エピタキシャル成長法により第２ブロック層１６ａを形成する。
【００１３】
次に、図８（ｆ）に示すように、第２酸化膜マスクを除去した後、第２半導体レーザとなる側の部分（図中右半分）を第２レジストマスク２５で覆い、不要部（図中左半分の第２ブロック層，第２上部クラッド層，第２ＭＱＷ活性層，第２下部クラッド層）を硫酸系およびリン酸／塩酸系のエッチャントでエッチング除去する。
【００１４】
次に、図８（ｇ）に示すように、第２レジストマスクを除去した後、第１，第２半導体レーザとなる予定の部分を第３レジストマスク２６ａ，２６ｂで覆い、塩酸系のエッチャントで不要部（図中中央と両端の第２ブロック層，第２上部クラッド層，第２ＭＱＷ活性層，第２下部クラッド層）をエッチング除去して、第１下部クラッド層５，第１ＭＱＷ活性層６，第１上部クラッド層７及び、その一部とその上の第１コンタクト層８とで構成するメサ部，そのメサ部を埋め込む第１ブロック層９から成る第１積層体２７と、第２下部クラッド層１１，第２ＭＱＷ活性層１２，第２上部クラッド層１３及び、その一部とその上のバッファ層１４その上の第２コンタクト層１５とで構成するメサ部，そのメサ部を埋め込む第２ブロック層１６から成る第２積層体２８とに分離する。
【００１５】
次に、図８（ｈ）に示すように、第３レジストマスクを除去した後、第１積層体２７上面に第１電極１０を、第２積層体２８上面に第２電極１７を、ｎ型ＧａＡｓ基板２下面に第３電極１８を、それぞれスパッタリングで形成し、２波長半導体レーザ１が完成する。（例えば、特許文献１参照。）
【００１６】
【特許文献１】
特開２００１−６０７４２号公報（第３，４頁、０００６段落〜００１４段落、第９，１０図）
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
従来の２波長半導体レーザ１及びその製造方法では、２つの半導体レーザ３，４は共通のｎ型ＧａＡｓ基板２上に横方向に並べて配置されるため、ヒートシンク部２０にマウントする際に傾くことがなく、また、それぞれの半導体レーザ３，４は直接、ヒートシンク部２０にマウントされるため均等な熱放散が可能であった。しかしながら、構造上、２つの発光部間の距離は、どうしても１００μｍ〜２００μｍ程度となり、これを小さくすることには限界があり、このため、２つのレーザ光の光学経路を合わせるために多くの部品を必要とした。また、これに対して仮に、半導体基板上に２つの半導体レーザを縦方向に積層する構成とした場合、ヒートシンク部にマウントした際、一方の半導体レーザは他方の半導体レーザを介して放熱することになり、２つの半導体レーザに対して均等な熱放散が得られないと言う問題があった。
【００１８】
本発明の目的は、２つの半導体レーザの熱放散の均等性を確保し、かつ、２つの半導体レーザの発光部を接近させることができる２波長半導体レーザ及びその製造方法を提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明の２波長半導体レーザは、
第１メサ部を有する第１導電型の半導体基板と、
半導体基板上に順次、積層形成した、第１メサ部を埋め込む第２導電型の第１ブロック層，第１導電型の第１下部クラッド層，第１活性層，第２導電型の第１上部クラッド層，第２導電型の第１コンタクト層から成る第１積層体と、
第１コンタクト層上の一部の領域に順次、積層形成した、第２導電型のバッファ層，第２導電型の第２下部クラッド層，第２活性層，第１導電型の第２上部クラッド層及び、その一部とその上の第１導電型の第２コンタクト層で構成する第２メサ部，第２メサ部を埋め込む第２導電型の第２ブロック層から成る第２積層体と、
第１コンタクト層上の第２積層体以外の領域に形成した第１電極と、
第２積層体上面に形成した第２電極と、
半導体基板の下面に形成した第３電極とで構成したことを特徴とする２波長半導体レーザである。
【００２０】
本発明の２波長半導体レーザの製造方法は、
第１導電型の半導体基板に第１メサ部を形成する工程と、
第１メサ部を埋め込むように第２導電型の第１ブロック層を形成する工程と、第１メサ部上面及び第１ブロック層上に、順次、第１導電型の第１下部クラッド層，第１活性層，第２導電型の第１上部クラッド層，第２導電型の第１コンタクト層，第２導電型のバッファ層，第２導電型の第２下部クラッド層，第２活性層，第１導電型の第２上部クラッド層，第１導電型の第２コンタクト層を積層形成する工程と、
第２コンタクト層及び第２上部クラッド層を、第２上部クラッド層の途中までエッチング除去して、第２上部クラッド層の一部とその上の第２コンタクト層とで構成する第２メサ部を形成する工程と、
第２メサ部を埋め込むように第２導電型の第２ブロック層を形成する工程と、第２ブロック層，第２上部クラッド層，第２活性層，第２下部クラッド層，バッファ層をエッチング除去して、第１コンタクト層上の一部の領域に、バッファ層，第２下部クラッド層，第２活性層，第２上部クラッド層及び、その一部とその上の第２コンタクト層とで構成する第２メサ部，第２メサ部を埋め込む第２ブロック層から成る積層体を形成する工程と、
第１コンタクト層上の積層体以外の領域に第１電極、積層体上面に第２電極、半導体基板下面に第３電極を、それぞれ形成する工程とを含むことを特徴とする２波長半導体レーザの製造方法である。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の２波長半導体レーザの一例の斜視図を図１に示す。尚、図５と同一部分には同一符号を付す。２波長半導体レーザ１０１は、メサ部を有するｎ型ＧａＡｓ基板１０２上に、第１半導体レーザ１０３と第２半導体レーザ１０４とが縦方向に配置されている。
【００２２】
第１半導体レーザ１０３（図中下側）は、７８０ｎｍ波長（ＣＤ用）であり、順次、ｎ型ＧａＡｓ基板１０２のメサ部を埋め込むｐ型ＧａＡｓから成る第１ブロック層１０５，ｎ型ＡｌＧａＡｓから成る第１下部クラッド層１０６，ＡｌＧａＡｓから成る第１ＭＱＷ活性層１０７，ｐ型ＡｌＧａＡｓから成る第１上部クラッド層１０８，ｐ型ＧａＡｓから成る第１コンタクト層１０９が積層形成されており、第１コンタクト層１０９上の一部領域には、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ層１１０及び、その上の厚いＡｕ層１１１から成る共通電極としての第１電極１１２が形成されている。
【００２３】
また、第１コンタクト層１０９上の第１電極１１２以外の領域に配置した第２半導体レーザ１０４（図中上側）は、６５０ｎｍ波長（ＤＶＤ用）であり、順次、ｐ型ＧａＩｎＰから成るバッファ層１１３，ｎ型ＡｌＧａＩｎＰから成る第２下部クラッド層１１４，ＡｌＧａＩｎＰから成る第２ＭＱＷ活性層１１５，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰから成る第２上部クラッド層１１６及び、その一部とその上のｎ型ＧａＡｓから成る第２コンタクト層１１７とで構成するメサ部，そのメサ部を埋め込むｐ型ＧａＡｓから成る第２ブロック層１１８が積層形成されており、その上には、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕから成る第２電極１１９が形成されている。
【００２４】
ここで、第１電極１１２のＡｕ層１１１の厚さは、第１電極１１２の上面が、第２電極１１９の上面と面一となるような厚さに形成されている。
【００２５】
また、ｎ型ＧａＡｓ基板１０２下面には、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕから成る第３電極１２０が形成されている。
【００２６】
尚、２波長半導体レーザ１０１は、図１（ｂ）に示すように、第１電極１１２，第２電極１１９をそれぞれハンダ１９を介してヒートシンク部２０にマウントされ、その後、ワイヤーボンディング２１（配線）される。ここで、第１電極１１２の上面は、第２電極１１９の上面と面一であり、２波長半導体レーザ１０１をヒートシンク部２０にマウントする際に傾くことがなく、また、それぞれの半導体レーザ１０３，１０４が直接、ヒートシンク部２０にマウントされるため均等な熱放散が得られる。
【００２７】
次に、上記の２波長半導体レーザ１０１の製造方法の一例を図２〜図４に示す。先ず、図２（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１０２上の所定位置に、ストライプ状の第１レジストマスク１２１を形成して、それをエッチングマスクとしてｎ型ＧａＡｓ基板１０２を例えば、過酸化水素水とアンモニアの混合液でエッチングして、メサ部を形成する。
【００２８】
次に、図２（ｂ）に示すように、そのメサ部を埋め込むように、選択エピタキシャル成長法により第１ブロック層１０５を形成する。
【００２９】
次に、図２（ｃ）に示すように、第１レジストマスクを除去した後、メサ部上面及び第１ブロック層１０５上に、順次、第１下部クラッド層１０６，第１ＭＱＷ活性層１０７，第１上部クラッド層１０８，第１コンタクト層１０９，ｐ型ＧａＩｎＰから成るバッファ層１１３ａ，ｎ型ＡｌＧａＩｎＰから成る第２下部クラッド層１１４ａ，ＡｌＧａＩｎＰから成る第２ＭＱＷ活性層１１５ａ，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰから成る第２上部クラッド層１１６ａ，ｎ型ＧａＡｓから成る第２コンタクト層１１７ａを有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）で全面に積層形成し、その上の所定位置に、酸化シリコンから成るストライプ状の第３酸化膜マスク１２２を形成する。
【００３０】
次に、図３（ｄ）に示すように、第３酸化膜マスク１２２をエッチングマスクとして、第２コンタクト層と第２上部クラッド層を、第２上部クラッド層１１６ａの途中までエッチング除去して、第２上部クラッド層１１６ａの一部及びその上の第２コンタクト層１１７とで構成するメサ部を形成した後、そのメサ部を埋め込むように選択エピタキシャル成長法によりｐ型ＧａＡｓから成る第２ブロック層１１８ａを形成する。
【００３１】
次に、図３（ｅ）に示すように、第３酸化膜マスクを除去した後、第２半導体レーザとなる予定の部分を第２レジストマスク１２３で覆い、不要部（図中右側の第２ブロック層，第２上部クラッド層，第２ＭＱＷ活性層，第２下部クラッド層，バッファ層）を硫酸系および塩素系のエッチャントでエッチング除去して、第１コンタクト層１０９面を露呈させる。
【００３２】
次に、図４（ｆ）に示すように、第２レジストマスクを除去した後、第１コンタクト層１０９上の所定の一部領域に、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ層１１０をスパッタリングで形成する。そして、さらに、その上に厚いＡｕ層１１１をメッキし、共通電極としての第１電極１１２を形成する。ここで、第１電極１１２のＡｕ層１１１の厚さは、第１電極１１２の上面が、形成予定の第２電極の上面と面一となるような厚さに形成する。
【００３３】
その後、図４（ｇ）に示すように、第２コンタクト層１１７及び第２ブロック層１１８の上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕから成る第２電極１１９をメタルマスク（図示せず）を用いてスパッタリングで形成した後、ｎ型ＧａＡｓ基板１０２下面にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕから成る第３電極１２０をスパッタリングで形成する。
【００３４】
このようにして、２つの発光部間の距離が数μｍ程度と非常に接近した２波長半導体レーザ１０１が完成する。この２波長半導体レーザ１０１は、第１電極１１２の上面と第２電極１１９の上面とが面一となっており、ヒートシンク部２０にマウントする際に傾くことがなく、また、それぞれの半導体レーザ１０３，１０４が直接、ヒートシンク部２０にマウントされ均等な熱放散が得られる。
【００３５】
尚、上記では、第１の半導体レーザ１０３を７８０ｎｍ波長（ＣＤ用）、第２の半導体レーザ１０４を６５０ｎｍ波長（ＤＶＤ用）としたが、反対であってもよいことは言うまでもない。また、各層や各電極の材料も一例を示すものであり、これに限定するものではない。
【００３６】
【発明の効果】
本発明の２波長半導体レーザ及びその製造方法によると、２つの半導体レーザを共通の半導体基板上に縦方向に配置するため、発光部間の距離を非常に接近させることができ、レーザ光の光学経路を合わせるために多くの部品を必要としない。また、共通電極の厚さを厚くして、上側の半導体レーザの電極の上面と面一になるようにするため、ヒートシンク部にマウントする際に傾くことがなく、かつ、それぞれの半導体レーザが直接、ヒートシンク部にマウントでき均等な熱放散が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の２波長半導体レーザの一例の断面図
【図２】本発明の２波長半導体レーザの製造方法の一例の断面図
【図３】本発明の２波長半導体レーザの製造方法の一例の断面図
【図４】本発明の２波長半導体レーザの製造方法の一例の断面図
【図５】従来の２波長半導体レーザの一例の断面図
【図６】従来の２波長半導体レーザの製造方法の一例の断面図
【図７】従来の２波長半導体レーザの製造方法の一例の断面図
【図８】従来の２波長半導体レーザの製造方法の一例の断面図
【符号の説明】
１ 従来の２波長半導体レーザ
２ ｎ型ＧａＡｓ基板
３ 第１半導体レーザ
４ 第２半導体レーザ
５，５ａ 第１下部クラッド層
６，６ａ 第１ＭＱＷ活性層
７，７ａ 第１上部クラッド層
８，８ａ 第１コンタクト層
９，９ａ 第１ブロック層
１０ 第１電極
１１，１１ａ 第２下部クラッド層
１２，１２ａ 第２ＭＱＷ活性層
１３，１３ａ 第２上部クラッド層
１４，１４ａ バッファ層
１５，１５ａ 第２コンタクト層
１６，１６ａ 第２ブロック層
１７ 第２電極
１８ 第３電極
１９ ハンダ
２０ ヒートシンク部
２１ ワイヤーボンディング
２２ 第１酸化膜マスク
２３ 第１レジストマスク
２４ 第２酸化膜マスク
２５ 第２レジストマスク
２６ａ，２６ｂ 第３レジストマスク
２７ 第１積層体
２８ 第２積層体
１０１ 本発明の２波長半導体レーザ
１０２ ｎ型ＧａＡｓ基板
１０３ 第１半導体レーザ
１０４ 第２半導体レーザ
１０５ 第１ブロック層
１０６ 第１下部クラッド層
１０７ 第１ＭＱＷ活性層
１０８ 第１上部クラッド層
１０９ 第１コンタクト層
１１０ Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ層
１１１ Ａｕ層
１１２ 第１電極
１１３，１１３ａ バッファ層
１１４，１１４ａ 第２下部クラッド層
１１５，１１５ａ 第２ＭＱＷ活性層
１１６，１１６ａ 第２上部クラッド層
１１７，１１７ａ 第２コンタクト層
１１８，１１８ａ 第２ブロック層
１１９ 第２電極
１２０ 第３電極
１２１ 第１レジストマスク
１２２ 第３酸化膜マスク
１２３ 第２レジストマスク

Claims (4)

1. 第１メサ部を有する第１導電型の半導体基板と、
   前記半導体基板上に順次、積層形成した、前記第１メサ部を埋め込む第２導電型の第１ブロック層，第１導電型の第１下部クラッド層，第１活性層，第２導電型の第１上部クラッド層，第２導電型の第１コンタクト層から成る第１積層体と、
   前記第１コンタクト層上の一部の領域に順次、積層形成した、第２導電型のバッファ層，第２導電型の第２下部クラッド層，第２活性層，第１導電型の第２上部クラッド層及び、その一部とその上の第１導電型の第２コンタクト層で構成する第２メサ部，前記第２メサ部を埋め込む第２導電型の第２ブロック層から成る第２積層体と、
   前記第１コンタクト層上の前記第２積層体以外の領域に形成した第１電極と、
   前記第２積層体上面に形成した第２電極と、
   前記半導体基板の下面に形成した第３電極とで構成したことを特徴とする２波長半導体レーザ。
2. 前記第１電極の厚さを厚くして、前記第１の電極の上面が前記第２電極の上面と面一であることを特徴とする請求項１に記載の２波長半導体レーザ。
3. 第１導電型の半導体基板に第１メサ部を形成する工程と、
   前記第１メサ部を埋め込むように第２導電型の第１ブロック層を形成する工程と、
   前記第１メサ部上面及び第１ブロック層上に、順次、第１導電型の第１下部クラッド層，第１活性層，第２導電型の第１上部クラッド層，第２導電型の第１コンタクト層，第２導電型のバッファ層，第２導電型の第２下部クラッド層，第２活性層，第１導電型の第２上部クラッド層，第１導電型の第２コンタクト層を積層形成する工程と、
   前記第２コンタクト層及び前記第２上部クラッド層を、前記第２上部クラッド層の途中までエッチング除去して、前記第２上部クラッド層の一部とその上の前記第２コンタクト層とで構成する第２メサ部を形成する工程と、
   前記第２メサ部を埋め込むように第２導電型の第２ブロック層を形成する工程と、
   前記第２ブロック層，前記第２上部クラッド層，前記第２活性層，前記第２下部クラッド層，前記バッファ層をエッチング除去して、前記第１コンタクト層上の一部の領域に、前記バッファ層，前記第２下部クラッド層，前記第２活性層，前記第２上部クラッド層及び、その一部とその上の前記第２コンタクト層とで構成する第２メサ部，前記第２メサ部を埋め込む前記第２ブロック層から成る積層体を形成する工程と、
   前記第１コンタクト層上の前記積層体以外の領域に第１電極、前記積層体上面に第２電極、前記半導体基板下面に第３電極を、それぞれ形成する工程とを含むことを特徴とする２波長半導体レーザの製造方法。
4. 前記電極形成工程で、前記第１電極は、前記第２，第３電極よりも先に形成し、先ず、蒸着あるいはスパッタで金属薄膜を形成後、メッキを施し金属膜厚を厚くして、前記第１電極の上面が、形成予定の前記第２電極の上面と面一となるように形成することを特徴とする請求項３に記載の２波長半導体レーザの製造方法。

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