JP2004163192A - 可燃性ガスセンサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】触媒材として、金系の貴金属合金、金と酸化物の複合体又は金系の貴金属合金と酸化物の複合体からなる複合触媒部材を用いて、この触媒部材が特定のガスを選択的に酸化する触媒反応による発熱から生じる温度変化を検出信号として検出することにより、上記特定のガスを検出するガス検知方法、上記方法に使用するガス検知センサであって、基板上に形成した熱電部材、及び該熱電部材上に形成した触媒材を構成要素として含み、1種類以上の触媒材料を組み合わせ、触媒材と可燃性ガスとの触媒反応による発熱から生じる温度差を電圧信号に変換し、それを検出信号として検出するようにしたガス検知センサ、及び触媒材の製造方法。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一酸化炭素ガス検出及びその濃度センサに関するものであり、更に詳しくは、一酸化炭素と触媒材の触媒反応による発熱から発生する局部的な温度差の変化を電圧信号として検出するセンサを用いて、一酸化炭素を高い選択性をもって計測することを可能とするガス検知方法及びそのガス検知センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
密閉された生活・作業空間でのガス爆発、ガス中毒の判定などを迅速、確実に行うために、特に、微量な濃度で存在する一酸化炭素の存在を検知することが必要である。また、燃焼を伴う機器等からの排ガスにおいても、一酸化炭素は、重要な計測対象とされている。従来、その計測方法として、赤外線吸収方式、定電位電解法、半導体ガスセンサ方式、及び接触燃焼方式がある。
【0003】
まず、赤外線吸収方式については、10−300ppm程度の微小な一酸化炭素濃度の変化を正確に測定できるセンサとしては、測定の対象となる一酸化炭素の赤外線吸収量を計測する赤外線吸収式のものがある。このセンサは、赤外線源、試料空気が入る測定室、窒素が封じられた比較室、及びコンデンサマイクロホンの可動電極となっている膜、からなる。赤外線吸収による温度上昇がガスを膨張させ、これをマイクロホンの膜の圧力として、一酸化炭素の濃度を計測する。この方法は、時間応答が速く、デッド時間は約1秒、90%時間は約3秒である(非特許文献1参照)。
【0004】
この種のセンサの問題点としては、例えば、微量の炭じん等が入ってもゼロ点が移動する、大型で重く、定置型としてしか使えない、また、高価であるため、必要な所に十分な数を設置し、ネットワークをつくって測定するのが難しい、という問題が挙げられる。近年、新しい赤外線源、赤外線受光素子の開発等により、部品選択の自由度が高くなり、より小型で、性能を大幅に改良したものが市販されるようになっているが、その測定原理上、上記の問題点の根本的な解決にはなってない。
【0005】
次に、定電位電解法については、小型で微小の一酸化炭素濃度の測定に利用できるものとして、定電位電解法のガスセンサ、或いは酸化物半導体ガスセンサを用いた一酸化炭素測定器の開発が進められている。定電位電解法を用いたセンサは、ガス透過性膜、作用電極、参照電極、対電極、電解質溶液からなる密閉構造の合成樹脂容器、からなる。その原理は、参照電極に対する作用電極の電位を規制して電解を行い、その時に流れる電解電流を測定してガス濃度を知る方式である。一酸化炭素の場合は、作用電極において、一酸化炭素が二酸化炭素となる酸化反応が、対電極では、プロトンが酸素と反応し、水になる還元反応が起こり、このとき、作用電極と対電極に流れる電流が一酸化炭素濃度に比例する。
【0006】
計測範囲は1ppm以下でも誤差なく使用でき、200ppm程度まで安定して使える。しかし、室温ガスを直接電解する方式であり、電極自身が触媒作用を表すため、温度依存性が大きく、温度補償回路を必要とする。また、長時間使用することで、電解溶液との界面での変化が起こり、エージングなどの問題があり、1ヶ月に1回のゼロ点調整を必要とする。ガスの選択性は1000ppmの水素に50ppm、50ppmのNOに17ppmの一酸化炭素の濃度を指示するので、特に、水素とNOの除去が実用上の問題である(非特許文献2参照)。
【0007】
次に、半導体ガスセンサ方式については、可燃性ガスにより抵抗変化を示す酸化物を用いた半導体ガスセンサが一酸化炭素計測に幅広く用いられている。最も有名なものとしては、例えば、フィガロ技研のTGS711、TGS712D等があり、低濃度の一酸化炭素に対して高い感度を表し、比較的ゼロ点移動が少なく、繰り返し使用が可能であり、抵抗変化を比較的簡単な回路で電気信号に変えられる等の利点がある。一方、この種のセンサの問題点としては、原理的に、多数のガスに応答し、選択性が悪い点が挙げられる。この種のセンサは、添加された貴金属や、センサ素子温度によって、ガス濃度及び種類に対してその表面での反応性を変える所謂“素子温度特性”を示す。これを利用して、素子の組成、又は動作温度を変え、より選択性の高いセンサが製作されている(非特許文献3参照)。
【0008】
また、低温で他のガスより一酸化炭素の表面での反応速度が速いことに着目して、センサの温度を周期的に変え、低温測定時のセンサ出力を信号とする方法もある。これで、炭化水素と一酸化炭素を同時に計測する製品もある。しかし、何れにしても、選択性の問題は完全には解消されず、特に、エタノール、水素等に干渉されやすく、1000ppmの水素に50ppmの一酸化炭素の濃度を指示する。
【0009】
次に、接触燃焼方式については、白金コイル上を検知部(ガスを検知する部分。貴金属触媒を含む酸化物で覆われている。)でコートし、検知部にCOが触れると空気中の酸素と反応して燃焼し、白金コイルの温度が上昇し、その温度上昇による抵抗値変化を信号の元とする方式である。測定範囲が比較的に広く、500―3000PPM程度であるが、ガス選択性の問題がある。
【0010】
【非特許文献1】
普及版センサ技術 ISBN 4−938555−64−4 フジ・テクノシステム、1998年、p1059−1061
【非特許文献2】
電気化学式センサについて、理研計器、技術資料、No.51123
【非特許文献3】
化学センサー−その基礎と応用、ISBN:4061394517、清山哲郎編集、講談社、1982年
【非特許文献4】
日本電機工業会規格,JEM1252,回転電気機械用白金測温抵抗体,p2,日本電機工業会,2000年
【非特許文献5】
M.Haruta他、Journal of Catalyst,115,p.301、1989年
【非特許文献6】
S.Tsubota他、ACS Symposium Series,552,p.420、1994年
【非特許文献7】
T. Kobayashi他、Sensors and Actuators,13,p.339、1988年
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
一酸化炭素センサは、生活・作業空間でのガス爆発、ガス中毒の判定応用のほか、燃焼を伴う機器等の排ガスの成分計測等の広い範囲で使用可能とするには、特に、一酸化炭素に優れた選択性が必要であり、且つ、小型・安価である必要がある。上記した赤外線吸収方式、定電位電解法、半導体ガスセンサ方式、及び接触燃焼方式等は、大型で高価、耐久性の問題、選択性の問題等から、これらの仕様を満たすことが難しい。
本発明は、これらの従来技術の問題点を抜本的に解決するために開発されたものであって、特に、一酸化炭素を選択的に検出することが可能な新しいガス検知方法及びそのガス検知センサを提供することを目的とするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明は、以下の技術的手段から構成される。
(1)触媒材として、金系の貴金属合金、金と酸化物の複合体又は金系の貴金属合金と酸化物の複合体からなる複合触媒部材を用いて、この触媒部材が特定のガスを選択的に酸化する触媒反応による発熱から生じる温度変化を検出信号として検出することにより、上記特定のガスを検出することを特徴とするガス検知方法。
(2)触媒材と可燃性ガスとの触媒反応による発熱を、熱電変換効果により電圧信号に変換し、それを検出信号として検出することにより、可燃性ガスの中の一酸化炭素ガスの濃度を測定する、上記(1)記載の方法。
(3)単一の素子の上に異なる2種類以上の触媒材を形成し、それらからの信号の組み合わせからガス種の識別及び検知を行うことを特徴とする、上記(1)記載の方法。
(4)触媒材として、白金系の触媒材料を用いて可燃性ガスの中の水素ガスだけの濃度を測定すると同時に、金系の触媒材料を用いて一酸化炭素ガスだけの濃度を測定する、上記(3)記載の方法。
(5)上記(1)から(4)のいずれかに記載のガス検知方法で使用するガス検知センサであって、基板上に形成した熱電部材、及び該熱電部材上に形成した触媒材を構成要素として含み、1種類以上の触媒材料を組み合わせ、触媒材と可燃性ガスとの触媒反応による発熱から生じる温度差を電圧信号に変換し、それを検出信号として検出するようにしたことを特徴とするガス検知センサ。
(6)上記(1)から(4)のいずれかに記載の触媒材を作製する方法であって、金属のターゲットとその表面に固定した酸化物との複合ターゲットを用いて、スパッタ製膜方法で触媒材を作製する工程を有することを特徴とする触媒材の製造方法。
【0013】
【発明の実施の形態】
次に、本発明について更に詳細に説明する。
本発明は、選択的触媒発熱を利用する一酸化炭素検出方法及びそのガスセンサに係るものであり、その構成は、基本的には、一酸化炭素と触媒材の触媒反応による発熱から発生する局部的な温度差の変化を、1)抵抗体の抵抗値の温度変化として電気信号にする、又は、2)熱電変換材料を用いて電気信号にする、3)それを検出信号として検出する、ことから構成される。
【0014】
抵抗体の温度変化を信号源にする方法は、別のセンサに応用例があり、例えば、ガス流量センサ又は水素濃度センサで、この抵抗の変化が検出原理として利用されている。特に、白金の場合、その抵抗変化の温度係数が約0.004/℃程度と比較的に大きいため(非特許文献4参照)、微細な抵抗パターンとして作られ、この様な応用の抵抗体としてよく用いられる。しかし、一酸化炭素のみと反応する選択性を持つ触媒を用いて、その触媒燃焼による温度変化を検出信号として利用する例は、これまで報告されていない。
【0015】
本発明では、一酸化炭素と触媒材の触媒反応による発熱から発生する局部的な温度差の変化を熱電変換効果により電圧信号に変換し、それを検出信号として検出することを特徴とするガス検出方法である。本発明では、一酸化炭素ガスに対して、一酸化炭素を選択的に触媒酸化させる触媒材を使用することによって、高い選択性で、広い濃度範囲の一酸化炭素ガスを計測することを可能とするものである。本発明の一酸化炭素ガスセンサでは、一酸化炭素ガスのみを選択的に酸化させる触媒材を用いて、基本的に触媒反応による発熱から得られる局所的な温度上昇を信号源として利用する。
【0016】
本発明において、センサは、例えば、基板上に熱電部材を形成し、この部材の上に触媒材を形成することで作製される。一酸化炭素を酸化させる触媒材としては、金系の貴金属合金として、例えば、微粒子状の金に白金を合金化したもの、金と酸化物の複合体として、金と遷移金属酸化物の複合体、例えば、Co3 O4、NiO等の半導性酸化物と金からなるもの、金系の貴金属合金と酸化物の複合体として、例えば、Co3 O4 、NiO等の酸化物と金と白金からなるものが例示されるが、これらに制限されるものではない。
また、金としては、金のナノ粒子が挙げられる。ナノサイズの金を適切な酸化物に担持させることにより、一酸化炭素に優れた触媒活性を示すことが春田らによって報告された。この報告によると、金の粒子径を5nm以下にして、酸化チタンや酸化鉄等に担持させることで、COの酸化活性が現れ、マイナス数十℃でも反応が進行する(非特許文献5〜6参照)。本発明では、これらの複合体を使用することができる。
【0017】
また、従来、触媒材の調製には、共沈法や析出沈殿法が用いられ、金の水酸化物を経て担持酸化物と複合化することが、金の粒成長抑制に効果があるとされてきた。しかし、従来の金触媒を用いた利用法は、半導体式ガスセンサなどであり、共沈法、析出沈殿法などから生成した粉末を利用するものが多い。しかし、本発明では、例えば、上記の熱電式センサへの応用を考慮すると、金触媒を粉末ではなく、薄膜として利用することが重要である。
【0018】
上記に述べた粉末を利用する形態では、シリコンチップ上への集積化に向いていない。将来的な実用上の点を考慮に入れると、本発明では、金触媒を粉末ではなく、薄膜として利用することが望ましい。例えば、熱電変換原理を利用し、薄膜化した熱電変換材料と金触媒膜の組み合わせにより、1)高感度化、2)シリコンテクノロジーへの応用、2)高速応答、を目標とする新しいタイプのガス検出センサの開発が可能となる。
【0019】
また、本発明では、可燃性ガスと触媒材との触媒反応による発熱を、熱電変換効果により電圧信号に変換し、それを検出信号として検出すること、及び、単一の素子の上に異なる2種類以上の触媒を形成し、それらからの信号の組み合わせからガス種の識別及び検知を行うこと、によって、より高度なガス種の分析も可能となり、これにより、所謂、マルチファンクションセンサ素子が一つの素子上に実現できる。例えば、一つのセンサ素子の上に異なる2種類以上の触媒材を形成し、それらからの信号の組み合わせからガス種の識別及び検知を行うことで、例えば、検知するガスの中の水素濃度を計測しながら同時に一酸化炭素濃度を計測することが可能となる。
【0020】
前に述べたガスと触媒材の触媒反応による発熱から発生する局部的な温度差の変化を検出原理として用いる方法により、一つのセンサの触媒材料を改良し、1種類以上の触媒材料を組み合わせ、触媒材と可燃性ガスとの触媒反応による発熱から生じる温度差を電圧信号に変換し、それを検出信号として検出するようにすることで、2種類以上のガスを高い選択性をもって同時に計測することが可能となる。この場合、触媒材の温度も重要なパラメーターとなり、これを制御することによって、その選択性及び特定のガスに対しての検出特性を変えることができる。
【0021】
この場合、触媒材として、例えば、白金系の触媒材料を用いて、可燃性ガスの中の水素ガスだけの濃度を測定すると同時に、金系の触媒材料を用いて、一酸化炭素ガスだけの濃度を測定することができる。動作温度200℃で、上記二つの構造を持つ単一素子のガス検知特性は、白金触媒側は、水素に高い選択性を示し、金系触媒側は、COに高い選択性を示す。
【0022】
次に、触媒材の製造方法を説明すると、上記の触媒材を金属のターゲットで形成する場合、白金の方は、白金のみでも十分な触媒活性を示すが、一酸化炭素の場合は、金のみでは触媒活性が低い。本発明では、例えば、金と遷移金属酸化物を同時にスパッタ蒸着することで、その触媒活性が飛躍的に改善される。スパッタ蒸着の条件としては、例えば、蒸着圧力が2×10−1Pa、スパッタ出力・時間が200W・10分が採用されるが、これらに制限されない。従来、酸化物のターゲットの上に金のパレットを載せてスパッタ蒸着を行い、触媒膜を形成した報告例がある(非特許文献7参照) 。
【0023】
しかし、この種の方法では、酸化物のスパッタ速度が金属のものより遅いため、酸化物と金属の混合比等の組成制御が難しい。特に、薄膜のように、表面の凹凸が少ないものは、その有効表面積が少ないため、膜圧を厚くする必要も生じる。これらの薄膜プロセスの観点から、本発明では、金属のターゲットの上に酸化物のパレットを載せた方がスパッタ制御に有利である。本発明では、金属のターゲットとその表面に固定した酸化物との複合ターゲットを用いて、触媒材のスパッタ製膜を行うことが好ましい方法として例示される。
【0024】
【実施例】
次に、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例によって何ら限定されるものではない。
実施例
本実施例では、可燃性ガスと触媒材の触媒反応による発熱から発生する局部的な温度差の変化を電圧信号として検出する熱電式センサとして、一酸化炭素を酸化させる薄膜型触媒を、図1に示す構造で作製した。触媒膜の作製において、金触媒を酸化コバルトと同時スパッタした場合の酸化コバルトの量による触媒特性への影響を試験し、金触媒のみの場合と比較した。また、金触媒と酸化コバルトの同時スパッタ法による触媒膜の作製において、種々の基板上での触媒特性への影響を試験した。
【0025】
(1)触媒膜を形成したガスセンサの作製
1)熱電膜の作製
熱電部材として、少量のリンをドープした電気伝導性の高いSiGeを約1μmの厚みで基板の上にスパッタ蒸着し、熱電変換膜を作製した。スパッタ条件は、蒸着圧力を約5×10−1Pa、スパッタ出力・時間を250W・30分とした。その後、熱電膜を不活性ガス雰囲気の中で、高温アニールした。
【0026】
2)触媒膜の作製
次に、触媒膜をスパッタ蒸着で形成した。一酸化炭素のための酸化物触媒としては、酸化コバルトを用いた。高純度の酸化コバルト粉末をパレット状に加圧成型し、900℃で12時間焼結した。これを金ターゲット上に載せて、上記熱電膜の上にスパッタ蒸着し、触媒膜を作製した。スパッタ条件は、蒸着圧力を約2×10−1Pa、スパッタ出力・時間を200W・10分とした。
【0027】
3)電極の形成及び特性評価
次に、金のリード線パタンをメタルマスクを用いたスパッタ蒸着で形成し、信号取り出し用の配線を形成した。触媒の性能は、基板上に形成した薄膜触媒の表面温度を、赤外線熱カメラを用いて観察し、評価した。試験用のガスは、試験用の反応室に約100cc/ 分の流量で流した。ガスセンサ素子の場合も、同様に、混合ガスを流しながらその表面の温度変化を赤外線熱カメラで計測し、同時に、素子からの出力信号を計測した。例えば、水素と一酸化炭素の両方を、選択性を持って、且つ、同時に検出できるガスセンサ素子の評価には、水素と一酸化炭素を空気に混ぜた混合ガスを室温25℃で約100cc/ 分の流量で流しながら、単一素子の水素センサ部側の端子、及び一酸化炭素センサ部側の端子からの2つの出力信号を、表面温度の変化と同時に計測した。
【0028】
4)各種触媒膜の作製
熱電膜の半分の面積に、金触媒を酸化コバルトとの同時スパッタ法により、数百nmの厚みで蒸着し、触媒膜を作製した。酸化コバルトは、市販の高純度粉末をパレット状に加圧成型し、これを900℃で12時間焼結して使用した。酸化コバルト以外にも、同じ遷移金属酸化物である酸化ニッケルを試験した。酸化ニッケルの場合も、同じ方法で成型し、1200℃で焼結して使用した。触媒活性は、純粋な金ターゲットのみ、金ターゲットに酸化コバルト、又は酸化ニッケルを乗せたものの、全ての場合を試験した。この場合、スパッタ条件は、蒸着圧力を約2×10−1Pa、スパッタ出力・時間を200W・10分とした。また、触媒膜は、図1の構造と同じにし、基板としては、シリコンのウェファー、アルミナ、MgOセラミックス(マグネシア)等を用いた。
【0029】
(2)結果
1)触媒特性の比較
触媒活性の程度は、金と酸化コバルト、金のみ、金と酸化ニッケル、の順であった。また、この薄膜型触媒の厚みに関しては、数nmの触媒膜では、触媒活性がほとんどなく、膜厚が大きいものほど触媒活性が高くなった。図2に、触媒膜として、金触媒に酸化コバルトの量を変えて担持させた場合と、金触媒のみの場合の発熱特性の比較を示した。基板は、全てマグネシアにした。上記したように、金のみのターゲットよりは、金と酸化コバルトを混合させた触媒が、より高い活性を示した。
【0030】
薄膜型の金触媒では、一酸化炭素に対して、触媒活性はあるものの、その発熱量は1℃程度と非常に小さかったが、酸化コバルトの量を増やすことで、金触媒は最大10℃程度の発熱量を示した。酸化コバルトの量は、ターゲット表面に乗せるパレットの数で調整を行った。例えば、図2で●で示した試料は、ターゲットの上には5つの酸化コバルト焼結体を乗せてスパッタを実施して作製したものである。
【0031】
図3に、金触媒膜を担持させる基板材料を変えた場合の触媒活性度の温度依存性を示す。マグネシアの場合、シリコンウェハーと比べ、表面の凹凸が激しいことから、その上に蒸着された触媒の有効表面積が多くなり、活性度が上がったものと考えられる。このことから、触媒の性能は、基板の表面状態に大きく依存し、面粗さが大きいものほど、高い触媒活性が現れていると考えられる。
【0032】
更に、熱電材料を形成してから、その上に触媒膜を形成したものも、図3に一緒に示す。これらは、マグネシアに直接形成した触媒薄膜より若干活性度が落ちて、温度上昇曲線が高温側にシフトしているが、基本的には、同様な触媒活性を示し、この触媒膜と熱電材料を組み合わせて、ガスセンサを作製することが可能であることが確認できた。
【0033】
2)応答特性
上記センサでは、素子温度が100℃付近からでも触媒反応が起こり、ガス検出が可能となるが、このような温度付近では素子性能が安定しない。特に、発熱により温度上昇(図2のΔTAで示される)が飽和した方が、濃度の変化による計測が安定にできることから、素子温度を上げてから、ガスセンサとしての素子性能を評価した。図4に、200℃の動作温度での金と酸化コバルトを触媒として用いた熱電式一酸化炭素ガスセンサの応答特性を示す。
【0034】
一酸化炭素ガスの濃度を変化させて、観測される電圧信号を測定した。ガスセンサ素子の温度が200℃のときの一酸化炭素ガスの濃度と熱電式一酸化炭素ガスセンサからの電圧信号出力との関係を図5に示す。この図から、一酸化炭素濃度と信号電圧は、ほぼ直線的な関係にあることがわかる。
【0035】
応答特性としては、すべての濃度領域において数秒の立ち上がり特性を示し、90%レベルまで到達するまでの時間をT90とすると、これも1分以内であり、このセンサは、漏れ検知素子としても十分に速く応答することがわかった。また、この素子の特徴としては、ゼロレベルまで回復するのに要する時間が非常に短く、ゼロレベルの値もドリフトがなく、ほとんど同レベルで安定しているので、高信頼度の素子として利用できることがわかった。応答特性の詳細な数値データを、表1にまとめて示す。
【0036】
【表1】
【0037】
3)選択性
金系の触媒を用いる一番の理由としては、その触媒の一酸化炭素に対する高い選択性が上げられる。実際、この触媒を用いて作製した熱電式一酸化炭素ガスセンサの選択性を調べるために、一般に、一酸化炭素の干渉ガスとされる可燃性ガスに対するガスセンサ素子の応答特性を調べた。素子温度を変えながら評価した結果を図6に示す。200℃以上の動作温度で、一酸化炭素の触媒燃焼が飽和に達し、その出力信号が一定になることで、安定した素子動作が得られることが確認できる。
【0038】
更に、可燃性ガスの場合、触媒活性が比較的低いことから電圧信号が低い値となり、その結果、一酸化炭素に対して高い選択性が得られる。即ち、このガスセンサは、実質的に一酸化炭素のみに応答すると言える。COに対する選択性をその出力信号の比にして、表2に示す。例えば、200℃の動作温度でのセンサ素子では、表に記載の可燃性ガスの中では、エタノール(C2 H5 OH)が一番の干渉ガスとなるが、それでも一酸化炭素の信号が6.4倍強く検出できることがわかった。
【0039】
【表2】
【0040】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明は、一酸化炭素ガスと薄膜型金触媒の触媒反応による発熱を利用し、検出信号を発信するようにしたガス検出センサに係るものであり、本発明により、以下のような効果が奏される。
(1)熱電膜・触媒膜共に薄膜型であり、シリコンチップへの集積化ができる。
(2)一酸化炭素ガスに対して、選択的に応答する熱電式センサ素子が実現できる。
(3)水素と一酸化炭素ガスに対して、選択的に応答し、同時に計測ができる熱電式センサ素子を実現できる。
(4)酸化物を効率的に混合させることで、金系の触媒の一酸化炭素に対する触媒活性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】センサの構造を示す。
【図2】酸化コバルトの量による金触媒の活性度を示す(CO濃度は3%)。
【図3】基板による金触媒の活性度を示す。
【図4】素子温度200℃での一酸化炭素ガスセンサの応答特性を示す。
【図5】一酸化炭素ガス濃度と電圧信号の関係を示す。
【図6】熱電変換式COガスセンサの選択性調査結果を示す(ガス濃度はすべて3%)。
Claims (6)
- 触媒材として、金系の貴金属合金、金と酸化物の複合体又は金系の貴金属合金と酸化物の複合体からなる複合触媒部材を用いて、この触媒部材が特定のガスを選択的に酸化する触媒反応による発熱から生じる温度変化を検出信号として検出することにより、上記特定のガスを検出することを特徴とするガス検知方法。
- 触媒材と可燃性ガスとの触媒反応による発熱を、熱電変換効果により電圧信号に変換し、それを検出信号として検出することにより、可燃性ガスの中の一酸化炭素ガスの濃度を測定する、請求項1記載の方法。
- 単一の素子の上に異なる2種類以上の触媒材を形成し、それらからの信号の組み合わせからガス種の識別及び検知を行うことを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 触媒材として、白金系の触媒材料を用いて可燃性ガスの中の水素ガスだけの濃度を測定すると同時に、金系の触媒材料を用いて一酸化炭素ガスだけの濃度を測定する、請求項3記載の方法。
- 上記請求項1から4のいずれかに記載のガス検知方法で使用するガス検知センサであって、基板上に形成した熱電部材、及び該熱電部材上に形成した触媒材を構成要素として含み、1種類以上の触媒材料を組み合わせ、触媒材と可燃性ガスとの触媒反応による発熱から生じる温度差を電圧信号に変換し、それを検出信号として検出するようにしたことを特徴とするガス検知センサ。
- 上記請求項1から4のいずれかに記載の触媒材を作製する方法であって、金属のターゲットとその表面に固定した酸化物との複合ターゲットを用いて、スパッタ製膜方法で触媒材を作製する工程を有することを特徴とする触媒材の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006047276A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-02-16 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 微細パターン形成方法 |
JP2007255960A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 可燃性ガスの干渉を無くすガス検知方法及びガス検知センサ |
JP2008256680A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-10-23 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 呼気中の生体ガス濃度を測定する方法及びその簡易型測定装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102713585A (zh) | 2010-10-13 | 2012-10-03 | 松下电器产业株式会社 | 气体传感器及使用它检测流体中含有的气体的方法和测定流体中含有的气体的浓度的方法、气体检测器以及气体浓度测定器 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55156847A (en) * | 1979-05-24 | 1980-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Gas detecting element |
JPH0439029B2 (ja) * | 1983-02-21 | 1992-06-26 | ||
JPH0557192A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-03-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 金−酸化物複合体 |
JPH0666788A (ja) * | 1992-01-10 | 1994-03-11 | Tokyo Gas Co Ltd | 都市ガスの燃焼速度測定装置 |
JPH07128268A (ja) * | 1993-10-28 | 1995-05-19 | Fuji Electric Co Ltd | 水素ガスセンサ |
JPH09127036A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Agency Of Ind Science & Technol | 接触燃焼式ガスセンサ |
JPH09269307A (ja) * | 1996-04-01 | 1997-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガスセンサ |
JPH11139815A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-25 | Canon Inc | カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法 |
-
2002
- 2002-11-12 JP JP2002327722A patent/JP4002969B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55156847A (en) * | 1979-05-24 | 1980-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Gas detecting element |
JPH0439029B2 (ja) * | 1983-02-21 | 1992-06-26 | ||
JPH0557192A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-03-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 金−酸化物複合体 |
JPH0666788A (ja) * | 1992-01-10 | 1994-03-11 | Tokyo Gas Co Ltd | 都市ガスの燃焼速度測定装置 |
JPH07128268A (ja) * | 1993-10-28 | 1995-05-19 | Fuji Electric Co Ltd | 水素ガスセンサ |
JPH09127036A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Agency Of Ind Science & Technol | 接触燃焼式ガスセンサ |
JPH09269307A (ja) * | 1996-04-01 | 1997-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガスセンサ |
JPH11139815A (ja) * | 1997-11-07 | 1999-05-25 | Canon Inc | カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法 |
Non-Patent Citations (6)
Title |
---|
MASAHIKO MATSUMIYA, ET AL.: "Thin-film Li-doped NiO for thermoelectric hydrogen gas sensor", THIN SOLID FILMS, vol. 419, JPN4006020668, 1 November 2002 (2002-11-01), pages 213 - 217, XP004391132, ISSN: 0000788479, DOI: 10.1016/S0040-6090(02)00762-9 * |
MASAHIKO MATSUMIYA, ET AL.: "Thin-film Li-doped NiO for thermoelectric hydrogen gas sensor", THIN SOLID FILMS, vol. 419, JPNX007016155, 1 November 2002 (2002-11-01), pages 213 - 217, XP004391132, ISSN: 0000835614, DOI: 10.1016/S0040-6090(02)00762-9 * |
MASAHIKO MATSUMIYA, ET AL.: "Thin-film Li-doped NiO for thermoelectric hydrogen gas sensor", THIN SOLID FILMS, vol. 419, JPNX007039536, 1 November 2002 (2002-11-01), pages 213 - 217, XP004391132, ISSN: 0000877272, DOI: 10.1016/S0040-6090(02)00762-9 * |
W. SHIN, ET AL.: "Thermoelectric Sensor for Hydrogen Gas Detection", 化学センサ, vol. 17, JPN4006020667, 2001, pages 191 - 193, ISSN: 0000788478 * |
W. SHIN, ET AL.: "Thermoelectric Sensor for Hydrogen Gas Detection", 化学センサ, vol. 17, JPNX007016154, 2001, pages 191 - 193, ISSN: 0000835613 * |
W. SHIN, ET AL.: "Thermoelectric Sensor for Hydrogen Gas Detection", 化学センサ, vol. 17, JPNX007039535, 2001, pages 191 - 193, ISSN: 0000877271 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006047276A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-02-16 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 微細パターン形成方法 |
JP4581113B2 (ja) * | 2004-07-07 | 2010-11-17 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 微細パターン形成方法 |
JP2007255960A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 可燃性ガスの干渉を無くすガス検知方法及びガス検知センサ |
JP2008256680A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-10-23 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 呼気中の生体ガス濃度を測定する方法及びその簡易型測定装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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