JP2004161886A - 半導体封止用硬化性接着剤組成物および接着シート - Google Patents
半導体封止用硬化性接着剤組成物および接着シート Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004161886A JP2004161886A JP2002329417A JP2002329417A JP2004161886A JP 2004161886 A JP2004161886 A JP 2004161886A JP 2002329417 A JP2002329417 A JP 2002329417A JP 2002329417 A JP2002329417 A JP 2002329417A JP 2004161886 A JP2004161886 A JP 2004161886A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- styrene
- butadiene
- semiconductor encapsulation
- block copolymer
- adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Abstract
【課題】薄型、大口径の半導体、例えばＷＬ−ＣＳＰの封止に適した半導体封止用硬化性接着剤組成物および接着シートを提供する。
【解決手段】硬化後の−３０℃での弾性率が３ＧＰａ未満、３０℃での弾性率が１０ＭＰａ以上１ＧＰａ未満、１５０℃での弾性率が１ＭＰａ以上１００ＭＰａ未満である半導体封止用硬化性接着剤組成物。特に、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）フェノール樹脂と、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体と、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物とを含有することが好ましい。
【選択図】 なし
【解決手段】硬化後の−３０℃での弾性率が３ＧＰａ未満、３０℃での弾性率が１０ＭＰａ以上１ＧＰａ未満、１５０℃での弾性率が１ＭＰａ以上１００ＭＰａ未満である半導体封止用硬化性接着剤組成物。特に、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）フェノール樹脂と、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体と、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物とを含有することが好ましい。
【選択図】 なし
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、各種の半導体が使用された半導体装置、特に、ウェハー状態のままでパッケージング工程を完了し、半導体チップと同等サイズが得られるＷＬ−ＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ − Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）の封止に好適な半導体封止用硬化性接着剤組成物および半導体封止用接着シートに関する。
【０００２】
【従来の技術】
携帯型パソコン、携帯電話の普及が進む今日、電子機器にはさらなる小型化、薄型化、多機能化が要求されている。
この要求を実現するには電子部品の小型化、高集積化は必須のことであるが、さらに電子部品の高密度実装技術が必要となる。
近年の電子部品の中核を構成しているＩＣ（半導体集積回路）パッケージは、従来、その形態がＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）やＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）といった周辺実装型が主流であったが、最近ではＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｌｌａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＷＬ−ＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＯＣ（Ｂｏａｒｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）と呼ばれる面実装型や、ＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる多ＩＣチップ型パッケージが、高密度実装可能なＩＣパッケージとして脚光を浴びている。
【０００３】
ＢＧＡ、ＣＳＰおよびＢＯＣは、パッケージの裏面に面格子状にはんだボールを外部接続端子として設けている。ＩＣの電極は、回路配線パターン変換基板であるＩＣ用基板を介してプリント基板の電極に接続する。
ＣＳＰはＢＧＡをさらに小型化、高密度化したパッケージであり、マイクロＢＧＡ、ファインピッチＢＧＡとも呼ばれている。特に、ＣＳＰはその構造から低インピーダンス、周波数応答の高速性などの優れた電気特性も有するパッケージである。
【０００４】
ＷＬ−ＣＳＰは、半導体チップと同等サイズのパッケージであり、ウェハー状態のままでパッケージング工程を完了することからＣＳＰとは区別される。ウェハーサイズは、１５０ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍと規格化されているため、ウェハーサイズが同じであれば品種によらず製造装置の共有化が可能であり、さらに従来分離されていたウェハープロセスとパッケージプロセスとを一本化することで、コストに対しても優位性がある。
このようなＷＬ−ＣＳＰについては、例えばパッド再配線と樹脂封止を組み合わせたものや、インターポーザーを取り込むもの、さらにははんだバンピング技術の延長と考えるべきものなど、ＷＬ−ＣＳＰのコンセプトのもと多種多様な検討がなされている。
【０００５】
ここで、図１にＷＬ−ＣＳＰの一例を示す。
この例では、チップ１表面の電極パッド４が、パッシベーション膜３上に施された銅めっきでエリア状に再配置されている。メタルポスト６は再配置電極２上に形成され、チップ１上に形成される封止樹脂層５によって強固に保持されており、かつメタルポスト６の先端が樹脂層から突出する構造となっている。さらに、はんだボール７が突出したメタルポスト６の先端に形成されている。
このようなＷＬ−ＣＳＰにおいて、チップ１の表面を保護するとともに、メタルポスト６を保持する役割を果たす封止樹脂層５には、通常、もともとＱＦＰ、ＢＧＡ、ＣＳＰといった小型の電子機器を封止するために使用されていたエポキシ樹脂などの硬化性樹脂を主成分とする樹脂成分に、大量の無機フィラーが配合されたタブレットタイプのものが用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−１２１２６０号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のエポキシ樹脂を主成分とする材料は硬化収縮が大きく、さらに、封止樹脂とチップの熱膨張差に基づいて発生するクラックを防止する目的で、通常、無機フィラーが配合されているため、得られたウェハーは大きな反りを生じるという問題があった。ウェハーの反り量が大きいと、ダイシング時に位置ずれやチッピングが生じたり、ウェハー搬送時に吸着不良を招いたりするなど、不具合が生じる。特に近年では、ＷＬ−ＣＳＰに代表されるように、ウェハーが大口径化、薄型化しているので、このような問題が顕著になってきており、反りの生じない封止樹脂が求められている。
【０００８】
また、チップと封止樹脂とは、低温（０℃以下）〜高温（１００℃以上）の温度変化が繰り返されることで生じる応力によって、層間剥離を引き起こすことがあった。これはチップ表面が、接着性の低いポリイミド樹脂から形成されていることが多いためである。よって、層間剥離を抑制するために封止樹脂として、広い温度域にわたってポリイミド樹脂に対しても高い接着性を備えたものが求められている。
【０００９】
さらに近年、鉛フリー化によりＩＲリフロー温度が高くなっているため、封止樹脂層やパッシベーション膜に含まれる水分がリフロー時に気化して、封止樹脂層に膨れが生じるポップコーン現象が起こりやすくなっている。そこで、ポップコーン現象の原因となる水分を除去するため、リフロー前の半製品は、通常、防湿状態で管理されている。しかし、このような防湿状態での管理には多大な作業とコストがかかるため、このような特別な管理をしなくてもポップコーン現象が起こらない封止樹脂の開発も求められていた。
その他にも封止樹脂には、導体部分に接触する材料であるため、過酷な環境下での電気的な信頼性、生産性向上のための硬化時間の短縮化、さらに、再配線パターンとメタルポストを埋め込む必要があるため、成形時に高い流動性を示し発泡が起きない材料であること、などが要求される。
【００１０】
本発明は上記事情を鑑みてなされたもので、特にＷＬ−ＣＳＰのパッケージング過程で、ウェハーを樹脂封止した後に反りが発生せず、成形時に高流動性が得られるとともに発泡が起こらず、電気的信頼性やポリイミド等との接着性に優れ、無機フィラーを添加しなくてもクラックが発生しにくく、耐温度サイクル性に優れた半導体封止用接着剤組成物および半導体封止用接着シートを提供することにある。
さらには、耐湿度性に優れポップコーン現象が起こりにくく、しかも低温、短時間で硬化可能な半導体封止用硬化性接着剤組成物および接着シートを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体封止用硬化性接着剤組成物は、硬化後の−３０℃での弾性率が３ＧＰａ未満、３０℃での弾性率が１０ＭＰａ以上１ＧＰａ未満、１５０℃での弾性率が１ＭＰａ以上１００ＭＰａ未満であることを特徴とする。
本発明の半導体封止用硬化性接着剤組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）フェノール樹脂と、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体と、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物とを含有して構成されることが好ましい。
前記（Ａ）エポキシ樹脂と、前記（Ｂ）フェノール樹脂の官能基当量比は１：０．６〜１：１．４であることが好ましい。
前記（Ａ）エポキシ樹脂と、前記（Ｂ）フェノール樹脂と、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体と、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物との合計１００質量％中、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体の比率が、３０〜８０質量％であることが好ましい。
前記（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体は、ブタジエン系化合物とスチレン系化合物の質量比が１／９９〜７０／３０のスチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体がエポキシ化したものであることが好ましい。
前記（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体のエポキシ当量は１４０〜６０００であることが好ましい。
前記（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物は、一般式（１）で示される両末端にアミノ基を有する化合物であることが好ましい。
【化２】
（式（１）中のＲ１は、炭素数１〜１０のアルキレン基を表し、ｎは０〜１０の整数を示す。）
前記（Ａ）エポキシ樹脂と、前記（Ｂ）フェノール樹脂と、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体と、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物との合計１００質量％中、前記（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物の比率は、０．３〜１０質量％であることが好ましい。
本発明の半導体封止用接着シートは、例えば、支持体の片面に、前記いずれかに記載の半導体封止用硬化性接着剤組成物からなる封止樹脂層が形成されているものである。
前記支持体としては、剥離性フィルムが挙げられる。
また、本発明の半導体封止用接着シートは、とりわけ薄型、大口径の半導体、例えばＷＬ−ＣＳＰの封止に適している。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の半導体封止用硬化性接着剤組成物（以下、接着剤組成物という。）は、硬化後の−３０℃での弾性率が３ＧＰａ未満、３０℃での弾性率が１０ＭＰａ以上１ＧＰａ未満、１５０℃での弾性率が１ＭＰａ以上１００ＭＰａ未満であり、より好ましくは３０℃での弾性率が１０ＭＰａ以上１９０ＭＰａ未満である。３０℃での弾性率が１ＧＰａ以上であると、硬化収縮によって発生する反りが大きく、例えばこれをシート状の封止樹脂層として半導体封止に用いた際、ダイシング時に位置ずれやチッピングが生じたり、ウェハー搬送時に吸着不良を招いたりするなど不具合が生じる。一方、３０℃での弾性率が１ＧＰａ未満で、−３０℃での弾性率が３ＧＰａ未満で、１５０℃での弾性率が１００ＭＰａ未満であると、反りが抑制されるとともに、低温（０℃以下）〜高温（１００℃以上）の温度変化が繰り返されることによって生じる応力を緩和でき、この接着剤組成物からなるシート状の封止樹脂層と半導体チップとの間の層間剥離を防止することができる。また、各温度での弾性率が上記下限を下回ると、機械的強度が低下し、３０℃での弾性率が１０ＭＰａ未満ではタイシング時に、１５０℃での弾性率が１ＭＰａ未満では封止時に封止樹脂層の物理的損傷を招くため好ましくない。
【００１３】
また、このような接着剤組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂（以下、（Ａ）成分という場合もある。）と、（Ｂ）フェノール樹脂（以下、（Ｂ）成分という場合もある。）と、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体（以下、（Ｃ）成分という場合もある。）と、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物（以下、（Ｄ）成分という場合もある。）とを含有して構成されることが好ましい。
以下、上記各成分についてそれぞれ説明する。
【００１４】
［（Ａ）エポキシ樹脂］
（Ａ）成分のエポキシ樹脂は、分子内に２個以上のオキシシラン環を有し、硬化性のものであれば、例えば、グリシジルエーテル、グリシジルエステル、グリシジルアミン、線状脂肪族エポキサイト、脂環族エポキサイトなどいずれの構造でもよく、単独でも２種以上を併用することもできる。
具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂、トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール型エポキシ樹脂、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラグリシジルメタキシレンジアミン型エポキシ樹脂、テトラグリシジル−１，３−ビスアミノメチルシクロヘキサン型エポキシ樹脂などの多官能グリシジルアミン型エポキシ樹脂、テトラフェニルグリシジルエーテルエタン型エポキシ樹脂、トリフェニルグリシジルエーテルメタン型エポキシ樹脂などの多官能グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、フェノール型エポキシ樹脂、アルキルフェノール型エポキシ樹脂などの多官能レゾール型エポキシ樹脂、フェノール型エポキシ樹脂、クレゾール型エポキシ樹脂などの多官能ノボラツク型エポキシ樹脂などが挙げられる。
【００１５】
これらの中でも特に安価であるビスフェノール型エポキシ樹脂や、絶縁性、耐熱性に優れる多官能エポキシ樹脂が好適に用いられる。
これらエポキシ樹脂のエポキシ当量は１００〜４０００が好ましく、より好ましくは１００〜２０００、特に好ましくは１００〜１０００である。エポキシ当量が１００未満では、未硬化の物が残りやすく発泡の原因となる。エポキシ当量が４０００を超えて大きいと、溶媒に溶けにくくなり、他の成分との相溶性が悪くなる。
【００１６】
好適に用いられるエポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ社製：商品名；エピコート８０６、８２８、８３４、１００１などのビスフェノール型、ＹＸ−４０００、ＹＸ−４０００Ｈ（ビフェニル型）などの２官能エポキシ樹脂、エピコート１５２、１５４、１８０Ｓ６５、１０３２Ｈ６０、１５７Ｓ７０（多官能ノボラツク型）、６０４（テトラグリシジルジフェニルメタン型）、大日本インキ社製：商品名；ＨＰ−７２００、ＨＰ−７２００Ｈ（ジシクロ型）などの多官能エポキシ樹脂、日本化薬社製：商品名；ＥＯＣＮＩ０２Ｓ、１０３Ｓ、１０４Ｓ、１０２０（ｏ−クレゾールノボラツク型）、ＥＰＰＮ５０１Ｈ、５０２Ｈ（トリフェニルメタン型）などの多官能エポキシ樹脂を挙げることができる。
また難燃性を付与するためにハロゲン化エポキシ、特に臭素化エポキシを用いることが有効であり、臭素化エポキシの具体例としては、油化シェルエポキシ社製：商品名；エピコート５０４５、５０４６、５０５０、日本化薬社製：商品名；ＢＲＥＮ−Ｓ、ＢＲＥＮ−１０５、ＢＲＥＮ−３０１などが挙げられる。
【００１７】
［（Ｂ）フェノール樹脂］
（Ｂ）成分のフェノール樹脂は、（Ａ）成分のエポキシ樹脂と反応して３次元網状構造を形成する。
使用されるフェノール樹脂の具体例としては、レゾールフェノール樹脂、フェノールノボラツク樹脂、クレゾールノボラツク樹脂、レゾールシノール樹脂、キシレン樹脂などのフェノール誘導体が挙げられ、中でもフェノールノボラツク樹脂は、反応性に優れ、半導体封止用途において耐湿耐熱性に優れるため好ましい。
ここで使用されるフェノール樹脂の量には特に制限はないが、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の比率が官能基当量比で、（Ａ）成分：（Ｂ）成分＝１：０．６〜１：１．４となる範囲が好ましく、より好ましくは１：０．７〜１：１．１である。ここでフェノール樹脂の比率が上記範囲未満であると接着性組成物からなる硬化物が脆くなる傾向があり、一方フェノール樹脂の比率が上記範囲を超えると接着性組成物からなる硬化物の接着力が低下する傾向がある。
【００１８】
［（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体］
（Ｃ）成分であるエポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体は、スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体中におけるブタジエン系化合物に由来する共役ジエン系二重結合がエポキシ化したものである。ここで、共役ジエン系の二重結合は部分的に水添されていてもよい。
また、スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体は、スチレン系化合物を主成分とする重合体ブロックＡと、ブタジエン系化合物を主成分とする重合体ブロックＢとからなり、Ａ−Ｂ−Ａ、Ａ−Ｂ−Ａ−Ｂ−Ａ等のＡが両末端となる構造のものである。スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体としては、このような構造のもの１種を用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、その製造方法にも特に制限はない。
【００１９】
また、スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体を構成するスチレン系化合物としては、例えばスチレン、α−メチルスチレン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、１，１−ジフェニルスチレン等の中から選ばれた少なくとも１種以上が選択でき、中でもスチレンが好ましい。
ブタジエン系化合物としては、例えばブタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、フェニル−１，３−ブタジエン等の中から選ばれた少なくとも１種以上が選択でき、中でもブタジエンが好ましい。
【００２０】
スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体におけるブタジエン系化合物：スチレン系化合物の質量比は、１／９９〜７０／３０であることが好ましく、特に１０／９０〜６０／４０の範囲が好ましい。
また、スチレン系−ブタジエン系ブロック共重合体の数平均分子量は、好ましくは５，０００〜６００，０００、より好ましくは１０，０００〜５００，０００の範囲であり、分子量分布［質量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）］は１０以下が好ましい。
【００２１】
（Ｃ）成分であるエポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体は、上述したようなスチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体またはその部分水添物を、不活性溶媒中でハイドロパーオキサイド類、過酸類等のエポキシ化剤と反応させることにより得られる。
エポキシ化に使用するハイドロパーオキサイド類としては、過酸化水素、ターシャリブチルハイドロパーオキサイド、クメンパーオキサイド等がある。過酸類としては過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、トリフルオロ過酢酸等がある。このうち過酢酸は工業的に大量に製造されており、安価に入手でき、安定度も高いことから好ましいエポキシ化剤である。
また、エポキシ化の際には必要に応じて触媒を用いることができ、例えば、エポキシ化剤として過酸類を使用する場合、炭酸ソーダ等のアルカリや硫酸等の酸が触媒として用られる。また、エポキシ化剤としてハイドロパーオキサイド類を使用する場合、タングステン酸と苛性ソーダの混合物を過酸化水素と用いたり、有機酸を過酸化水素と用いたり、モリブデンヘキサカルボニルをターシャリブチルパーオキサイドと用いたりして、触媒効果を得ることができる。
不活性溶媒は、原料粘度を低下させるため、または、エポキシ化剤を希釈して安定化するために使用でき、過酢酸の場合であれば芳香族化合物、エーテル類、エステル類等が用いられる。特に好ましい溶媒は、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、ベンゼン、酢酸エチル、四塩化炭素、クロロホルムである。
【００２２】
使用するエポキシ化剤の量に制限はなく、使用されるエポキシ化剤の種類、所望されるエポキシ化度、エポキシ化されるブロック共重合体の種類等に応じて、適量を使用すればよい。
また、エポキシ化反応条件にも制限はなく、通常、使用されるエポキシ化剤の反応性によって反応温度域は定まる。例えば、過酢酸の場合には０〜７０℃が好ましく、０℃未満では反応が遅く７０℃を超えると過酢酸の分解が起こる。
また、反応時における特別な操作は必要なく、反応物を混合して２〜１０時間撹拌すればよい。
こうして得られた生成混合物から、貧溶媒で沈殿させる方法、反応混合物を熱水中に撹拌の下で投入し溶媒を蒸留除去する方法、直接脱溶媒法等で単離することによってエポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体を得ることができる。
【００２３】
こうして得られる（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体のエポキシ当量は、好ましくは１４０〜６０００、より好ましくは２００〜２０００である。エポキシ当量が１４０未満の場合、（Ｃ）成分は重合体の弾性的な性質（伸び率の低下、弾性率の上昇等の性質）が発現しにくいものとなる傾向があり、６０００を超えるとエポキシ化による相溶性の向上等の物性が発現しにくくなる傾向がある。
また、上記エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）フェノール樹脂と、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系ブロック共重合体と、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物との合計１００質量％中、３０〜８０質量％であることが好ましい。３０質量％未満であると接着性樹脂組成物を硬化した際に硬くなりすぎて接着力が低下する傾向があり、一方８０質量％を超えると、接着性組成物の貼り付け硬化時における樹脂流れや発泡の抑制が困難となる傾向がある。また８０質量％を超えると、リフロー時にも樹脂の膨れを抑制できず、高温時における発泡の原因となる場合がある。
【００２４】
［（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物］
（Ｄ）成分であるジアミノシロキサン化合物は、下記一般式（１）で示される両末端にアミノ基を有するジアミノシロキサン化合物である。
【化３】
式（１）中のＲ１は、炭素数１〜１０のアルキレン基を表し、ｎは０〜１０の整数を示す。
【００２５】
ジアミノシロキサン化合物の接着剤組成物中の比率は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）フェノール樹脂と、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体と、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物との合計１００質量％中、０．３〜１０質量％、より好ましくは０．３〜５質量％である。０．３質量％未満であると他の成分との相溶性や硬化後の耐吸湿性が低下する傾向があり、一方、１０質量％を超えると、接着性組成物の常温時における接着力の低下が大きくなる傾向がある。
一般式（１）で示されるジアミノシロキサン化合物としては、例えば東芝シリコーン社製：商品名；ＴＳＬ９３０６、ＴＳＬ９８８６等を挙げることができる。
【００２６】
接着剤組成物には、上述した（Ａ）〜（Ｄ）成分の他に添加剤を添加することができ、例えば被着体との密着性を向上させるために、カップリング剤を添加することができる。
カップリング剤としては、有機基末端がアミノ基末端、エポキシ基末端を持っているものが特に好ましい。また、カップリング剤の添加量としては、（Ａ）〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して０．１〜１５質量部添加することが好ましい。
また、（Ａ）成分であるエポキシ樹脂の硬化を促進するために、必要に応じてイミダゾールやその誘導体、イミダゾリンやその誘導体、第三アミンなどの硬化促進剤を、（Ａ）〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して０．０１〜５質量部の範囲で用いることができる。
【００２７】
このような接着剤組成物は、熱膨張係数、熱伝導率などが適当であって、フィラーを配合しなくても硬化後にクラックが発生しないが、熱膨張係数、熱伝導率をさらに調整する目的や、作業性を制御する目的で、無機フィラーまたは有機フィラーを配合してもよい。
無機フィラーとしては無水シリカ、溶融型シリカ、アルミナ、酸化チタン、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、窒化チタン、窒化珪素、窒化硼素、硼化チタン、硼化タングステン、炭化珪素、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化モリブデン、マイカ、酸化亜鉛、カーボンブラック、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、またはこれらの表面をトリメチルシロキシル基などで処理したものなどが挙げられる。
有機フィラーとしては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ナイロン、シリコーンなどが挙げられる。
フィラーを配合する場合、その配合量は、（Ａ）〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して、好ましくは２〜９５質量部、より好ましくは２〜５０質量部である。
【００２８】
接着性組成物を製造する際には、まず、上記（Ａ）〜（Ｄ）の各必須成分と、必要に応じて添加される各種添加剤とを、（Ａ）〜（Ｄ）の各必須成分を少なくとも溶解する有機溶媒に添加して接着剤溶液を調製する。
有機溶媒としては、特に限定はなく、例えばトルエン、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン等が使用できる。また、これらの１種または２種以上を適量使用できるが、好ましくは、（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の合計が、接着剤溶液の２０質量％以上となるように調製することが好ましい。２０質量％未満であると、接着剤溶液を使用して後述するような半導体封止用接着シートを作製する際に、均一な厚みの封止樹脂層の形成が困難となる傾向がある。
【００２９】
本発明の半導体封止用接着シート（以下、接着シートという。）は、少なくとも上述した接着剤組成物からなる封止樹脂層を有するものであって、封止樹脂層のみからなる接着シートや、支持体の片面に接着剤組成物からなるシート状の封止樹脂層が形成されたものなどが挙げられる。
支持体としては、封止樹脂層が被着体の所定位置に設けられた際には剥離される剥離性フィルムが挙げられ、そのフィルム材質としては、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレンなどのポリオレフィン類、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルサルフオン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルケトン、トリアセチルセルロースなどが好ましく使用され、さらに好ましくはポリエステル類、ポリオレフィン類およびポリイミドである。より好ましい剥離性フィルムとしては、これらの材質からなるフィルムにシリコーンなどの離型剤で剥離処理を施したものが挙げられる。その場合、剥離処理が施された面に封止樹脂層が形成される。
【００３０】
このような接着シートを製造する際には、剥離性フィルムの片面に上述したような接着剤溶液を塗布した後、これを乾燥して封止樹脂層を形成するが、好ましくはこの封止樹脂層を半硬化状態とする。さらに、半硬化状態の程度を適宜コントロールすることによって、このような封止樹脂層の硬化時間を短縮したり、導体パターンの埋め込みなどにおける樹脂流れや発泡を抑制したりするなど、加工使用条件を調節することができる。半硬化状態のコントロール方法は限定しないが、例えばエージング等でコントロールできる。
また、このように形成された封止樹脂層の乾燥後の厚さは、好ましくは３〜２００μｍ、より好ましくは５〜１００μｍである。
封止樹脂層を形成した接着シートの保管時には、必要に応じて封止樹脂層の外面側に保護フィルムを貼着し、使用時には剥がして用いる。
【００３１】
以上説明した接着剤組成物および接着シートは、種々の電子部品の封止に適用できるが、硬化後に反りが発生せず、成形時に高流動性が得られるとともに発泡が起こらず、電気的信頼性や接着性に優れ、無機フィラーを添加しなくてもクラックが発生しにくく、耐温度サイクル性に優れ、さらには耐湿度性に優れポップコーン現象が起こりにくく、しかも低温、短時間で硬化可能であることから、とりわけ薄型、大口径の半導体の封止において好適である。具体的には、ＷＬ−ＣＳＰ半導体などがある。
実際に接着シートを用いて、ＷＬ−ＣＳＰに封止樹脂層を設ける方法としては、例えば、接着シートの封止樹脂層をロールラミネータでウェハーに貼り合わせ、真空プレス機にて圧着、硬化する方法が挙げられる。硬化の条件は通常、１５０〜２００℃で１〜２時間程度である。
【００３２】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいてより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
まず下記のようにしてエポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体を合成した。
〔合成例１〕
撹拌機、冷却管を備えたフラスコに、スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体（商品名：ＴＲ２０００ 日本合成ゴム社製、数平均分子量１０００００、スチレン／ブタジエン共重合比［質量］＝４０／６０）３００ｇ、酢酸エチル１５００ｇを仕込み溶解した。ついで、過酢酸の３０質量％酢酸エチル溶液１６９ｇを連続滴下させ、撹拌４０℃で３時間エポキシ化反応を行った。反応液を常温に戻してフラスコより取り出し、多量のメタノールを加えて析出させ、濾過後、水洗し、乾燥させエポキシ当量５２０のエポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体を得た。
なお、使用したスチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体（ＴＲ２０００）は、スチレン系化合物としてスチレンが、ブタジエン系化合物としてブタジエンが使用されている。
【００３３】
〔合成例２〕
撹拌機、冷却管を備えたフラスコに、合成例１で使用したものと同じスチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体３００ｇ、酢酸エチル１５００ｇを仕込み溶解した。ついで、過酢酸の１５質量％酢酸エチル溶液１６９ｇを連続滴下させ、撹拌４０℃で３時間エポキシ化反応を行った。反応液を常温に戻してフラスコより取り出し、多量のメタノールを加えて析出させ、濾過後、水洗し、乾燥させエポキシ当量１０００のエポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体を得た。
【００３４】
〔合成例３〕
撹拌機、冷却管を備えたフラスコに、合成例１で使用したものと同じスチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体３００ｇ、酢酸エチル１５００ｇを仕込み溶解した。ついで、過酢酸の５質量％酢酸エチル溶液１６９ｇを連続滴下させ、撹拌４０℃で３時間エポキシ化反応を行った。反応液を常温に戻してフラスコより取り出し、多量のメタノールを加えて析出させ、濾過後、水洗し、乾燥させエポキシ当量２０００のエポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体を得た。
【００３５】
次に下記のように接着剤組成物を調製した。
〔実施例１〜１８、比較例１〜５〕
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物、シランカップリング剤、硬化促進剤及びフィラーを、メチルエチルケトンにそれぞれ表１に示す配合量となるように常温〜６０℃で混合して接着剤溶液を作製し、該溶液を固形分（すなわち、（Ａ）〜（Ｄ）成分の合計）の濃度が３５質量％になるように調整して接着剤組成物を得た。
なお、表２には、各例における各成分の比率などを示した。また、表１に示した配合物は下記表３に示したものを使用した。
フィラーについては、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物、シランカップリング剤の合計量１００質量部に対する配合比を示した。
また、比較例３については、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体の代わりに合成例１などで使用されたエポキシ化されていないスチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体を使用した。
【００３６】
【表１】
なお、表１中（Ｃ）’とは、エポキシ化されていないスチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体（商品名：ＴＲ２０００ 日本合成ゴム社製、数平均分子量１０００００、スチレン／ブタジエン共重合比［質量］＝４０／６０）である。
【００３７】
【表２】
【００３８】
【表３】
なお、Ｄ−１は式（１）中Ｒ１が炭素数３のアルキレン基で、ｎは０である。また、Ｄ−２は式（１）中Ｒ１が炭素数３のアルキレン基で、ｎは７である。
【００３９】
このようにして得られた接着剤組成物を次の方法で評価した。結果は表４〜５に示した。
なお、比較例３については、接着剤組成物が層分離していたため下記の評価は行なわなかった。これは、（Ｃ）’成分が他の成分との相溶性が悪いために生じたと考えられる。
１．硬化時間
前記実施例１〜１８および比較例１、２、４、５の接着剤組成物を、乾燥後の厚さが２５μｍとなるように、剥離処理を施した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、熱風循環型乾燥機中にて１３０℃で５分間乾燥した後、剥離処理を施した厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを貼り合わせ、７０℃／１０時間エージングして接着シートを作製した。
その後、両面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、１５０℃に加熱したホットプレート上に接着剤シートを乗せてゲル化時間を測定し、硬化時間とした。
表４の評価結果から明らかなように、実施例の接着剤組成物では１時間以内にゲル化が終了し、比較例４ではゲル化に１時間以上を要していた。
【００４０】
２．弾性率
前記実施例１〜１８および比較例１、２、４、５の接着剤組成物を、乾燥後の厚さが２５μｍとなるように、剥離処理を施した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、熱風循環型乾燥機中にて１３０℃で５分間乾燥した後、熱ラミネーターにて上記接着シートを２枚貼り合わせ厚さ５０μｍとした。さらに、片面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がした後、厚さ５０μｍの接着シートを熱ラミネーターにて２枚貼り合わせて厚さ１００μｍとし、７０℃／１０時間エージングして接着シートを作製した。
その後、両面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がして、１５０℃で１時間加熱して接着剤層（封止樹脂層）を硬化させ、０．３ｃｍ×２ｃｍに切断して得られた試料を弾性率測定用とした。
弾性率はバイブロン（オリエンテック社製）により測定し結果を表４に示した。
【００４１】
３．反り
前記実施例１〜１８および比較例１、２、４、５の接着剤組成物を、乾燥後の厚さが２５μｍとなるように、剥離処理を施した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、熱風循環型乾燥機中にて１３０℃で５分間乾燥した後、熱ラミネーターにて上記接着シートを２枚貼り合わせ厚さ５０μｍとした。さらに、片面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がした後、厚さ５０μｍの接着シートを熱ラミネーターにて２枚貼り合わせて厚さ１００μｍとし、７０℃／１０時間エージングして接着シートを作製した。
その後、片面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離しながら、この接着シートを厚さ３００μｍの８インチウェハに熱圧着した。次いで、もう一方のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がして、１５０℃で１時間加熱して該接着剤層（封止樹脂層）を硬化させ、得られた樹脂付きウェハーを反り測定用試料とした。反りは、この測定用試料を平坦な台上に置いた際、台の面から試料における最も高い位置までの距離で表した。
表５の評価結果から明らかなように、実施例の接着剤組成物では反りは０．４ｍｍ以内であり、比較例１及び２では１ｍｍ以上の反りが発生して使用上問題があることが確認された。
【００４２】
４．発泡・埋まり込み性
前記実施例１〜１８および比較例１、２、４、５の接着剤組成物を、乾燥後の厚さが２５μｍとなるように、剥離処理を施した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、熱風循環型乾燥機中にて１３０℃で５分間乾燥した後、熱ラミネーターにて上記接着シートを２枚貼り合わせ厚さ５０μｍとした。さらに、片面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がした後、厚さ５０μｍの接着シートを熱ラミネーターにて２枚貼り合わせて厚さ１００μｍとし、７０℃／１０時間エージングして接着シートを作製した。
その後、片面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離しながら、この接着シートを厚さ３００μｍの、再配線、メタルポストが形成された８インチウェハに熱圧着した。次いで、もう一方のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がして、１５０℃で１時間加熱して該接着剤層（封止樹脂層）を硬化させた後、ダイシングテープをウェハー裏面に貼り合わせてダイシングし、個片化して得られたＷＬ−ＣＳＰを発泡・埋まり込み性評価試料とした。
その後、顕微鏡により発泡（ウェハーと接着剤層の界面、及び接着剤層中における発泡の有無を観察）及び埋まり込み（再配線及びメタルポスト周辺に熱圧着未処理の空間が残っているかどうか観察）状態を評価して結果を表５に示した。発泡及び埋まり込み性に問題がなかったものを○とし、発泡を有するもの、また空間が残っているものを×とした。
表５の評価結果から明らかなように、実施例の接着剤組成物では発泡及び埋まり込み性に問題はなかった。
【００４３】
５．接着力
前記実施例１〜１８および比較例１、２、４、５の接着剤組成物を、乾燥後の厚さが２５μｍとなるように、剥離処理を施した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、熱風循環型乾燥機中にて１３０℃で５分間乾燥した後、剥離処理を施した厚さ５０μｍのポリエチレン保護フィルムを貼り合わせ、７０℃／１０時間エージングして接着シートを作製した。
その後、ポリエチレン保護フィルムを剥離しながら、この接着シートを厚さ３００μｍの８インチウェハーに熱圧着した。次いで、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がして、厚さ１８μｍのＣｕ箔（商品名：ＪＴＣ−Ａ、ジャパンエナジー社製）を接着剤層（封止樹脂層）に熱圧着し、１５０℃で１時間加熱して該接着剤層を硬化させ、ウェハーとの接着力測定用試料とした。接着力は、テンシロン（島津社製）によりＣｕ箔を９０°引き剥がすことにより測定した。
また同様の評価用試料を使い恒温恒湿試験後の接着力を測定した。
恒温恒湿試験は恒温恒湿槽を用いて、以下に示す条件で行った。温度：１２１℃、湿度：１００％ＲＨ、時間：３００時間
結果を表５に示す。なお、接着力がゼロとは、すでに剥がれている状態を示す。
【００４４】
６．吸湿率
前記実施例１〜１８および比較例１、２、４、５の接着剤組成物を、乾燥後の厚さが２５μｍとなるように、剥離処理を施した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、熱風循環型乾燥機中にて１３０℃で５分間乾燥した後、熱ラミネーターにて上記接着シートを２枚貼り合わせ厚さ５０μｍとした。さらに、片面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がした後、厚さ５０μｍの接着シートを熱ラミネーターにて２枚貼り合わせて厚さ１００μｍとし、７０℃／１０時間エージングして接着シートを作製した。
その後、両面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がして、１５０℃で１時間加熱して接着剤層を硬化させ、５ｃｍ×５ｃｍに切断して得られた試料を吸湿率測定用とした。吸湿条件は恒温恒湿槽を用いて、以下に示す条件で行った。温度：１２１℃、湿度：１００％ＲＨ、時間：２４時間
その後下記式により吸湿率を算出し結果を表５に示した。
【００４５】
【数１】
【００４６】
表５に示すように、実施例の接着剤組成物では、吸湿率が０．７％以下であるのに対して、比較例のものでは１．０％以上と高く、実用上問題があることが確認された。
【００４７】
７．耐リフロー性
前記実施例１〜１８および比較例１、２、４、５の接着剤組成物を、乾燥後の厚さが２５μｍとなるように、剥離処理を施した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、熱風循環型乾燥機中にて１３０℃で５分間乾燥した後、熱ラミネーターにて上記接着シートを２枚貼り合わせ厚さ５０μｍとした。さらに、片面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がした後、厚さ５０μｍの接着シートを熱ラミネーターにて２枚貼り合わせて厚さ１００μｍとし、７０℃／１０時間エージングして耐リフロー性評価用の接着シートを作製した。
その後、片面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、この接着シートを厚さ３００μｍの８インチウェハに熱圧着した。次いで、もう一方のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がして、１５０℃で１時間加熱して該接着剤層（封止樹脂層）を硬化させた後、ダイシングテープをウェハー裏面に貼り合わせてダイシングし、個片化して得られたＷＬ−ＣＳＰを耐リフロー性評価試料とした。
この評価試料を、恒温恒湿槽中に８５℃、８５％ＲＨの条件で１６８時間載置し、その後２６０℃に設定されたＩＲリフロー炉を通過させ、剥離、発泡の有無を観察し、その結果を表５に示した。
各実施例及び比較例では評価試料を５個作製し、剥離及び発泡のない評価試料の個数を表５に示した。表５の評価結果から明らかなように実施例の接着剤組成物では剥離及び発泡の発生がなかったが、比較例のものでは剥離又は発泡が生じていた。
【００４８】
８．耐温度サイクル性
前記耐リフロー性評価と同様にして試料を作製し、耐温度サイクル性評価試料とした。
この評価試料を用いて、−６５℃〜１５０℃の温度サイクル試験を行った。
但し、この場合、１５０℃および−６５℃ではそれぞれ３０分間の温度履歴を必須とし、［高温−低温］を１サイクルとして、５００サイクルの条件で実施した。温度サイクル試験実施後、剥離、発泡の有無を観察し結果を表５に示した。
各実施例及び比較例では評価試料を５個作製し、剥離及び発泡のない評価試料の個数を表５に示した。表５の評価結果から明らかなように実施例の接着剤組成物では剥離及び発泡の発生がなかったが、比較例のものでは剥離又は発泡が生じていた。
【００４９】
９．電気特性
前記実施例１〜１８および比較例１、２、４、５の接着剤組成物を、乾燥後の厚さが２５μｍとなるように、剥離処理を施した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、熱風循環型乾燥機中にて１３０℃で５分間乾燥した後、剥離処理を施した厚さ５０μｍのポリエチレン保護フィルムを貼り合わせ７０℃／１０時間エージングして接着シートを作製した。
一方、フレキシブル基板（商品名：エスパネックス、新日鐵化学社製）にフォトレジスト膜を熱圧着、エッチング、レジスト膜剥離を経て、導体／導体間距離５０μｍ／５０μｍのくし型回路を作製し、その回路上にポリエチレン保護フィルムを剥離しながら、上記接着シートを熱圧着した。次いで、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がして１５０℃で１時間加熱して接着剤層を硬化させ、電気特性評価試料とした。
この評価試料を温度：１３０℃及び湿度：８５％ＲＨに調整した恒温恒湿槽内で、くし型回路に直流電圧を５Ｖ加えながら３００時間載置した後、くし型回路の状態を評価しその結果を表５に示した。表５において、くし型回路の導体（銅箔部）にマイグレーションが発生したものを×、発生しなかったものを○として記した。表５の評価結果から明らかなように実施例の接着剤組成物ではマイグレーションの発生はなかった。
【００５０】
【表４】
【００５１】
【表５】
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の接着剤組成物によれば、ウェハーを樹脂封止した後に反りが発生せず、成形時に高流動性が得られるとともに発泡が起こらず、電気的信頼性やポリイミド等との接着性に優れ、無機フィラーを添加しなくてもクラックが発生しにくく、耐温度サイクル性にも優れている。さらに、本発明の接着剤組成物は、耐湿度性に優れポップコーン現象が起こりにくく、しかも低温、短時間で硬化可能である。よって、この接着剤組成物を使用することによって、信頼性の高い半導体パッケージを、ウェハーへの熱的ダメージを与えること無く、生産性良く製造することができる。
また、特にこの接着剤組成物からなる封止樹脂層を備えた接着シートの形態として使用することにより、容易に封止後の樹脂厚さを制御できる。
本発明の接着剤組成物および接着シートは種々の形態の半導体封止用に使用できるが、特に上述のような特性を備えていることから、とりわけ薄型、大口径の半導体、例えばＷＬ−ＣＳＰの封止に適している。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＷＬ−ＣＳＰの一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１ チップ
２ 再配置電極
３ パッシベーション膜
４ 電極パッド
５ 封止樹脂層
６ メタルポスト
７ はんだボール
【発明が属する技術分野】
本発明は、各種の半導体が使用された半導体装置、特に、ウェハー状態のままでパッケージング工程を完了し、半導体チップと同等サイズが得られるＷＬ−ＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ − Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）の封止に好適な半導体封止用硬化性接着剤組成物および半導体封止用接着シートに関する。
【０００２】
【従来の技術】
携帯型パソコン、携帯電話の普及が進む今日、電子機器にはさらなる小型化、薄型化、多機能化が要求されている。
この要求を実現するには電子部品の小型化、高集積化は必須のことであるが、さらに電子部品の高密度実装技術が必要となる。
近年の電子部品の中核を構成しているＩＣ（半導体集積回路）パッケージは、従来、その形態がＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）やＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）といった周辺実装型が主流であったが、最近ではＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｌｌａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＷＬ−ＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＯＣ（Ｂｏａｒｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）と呼ばれる面実装型や、ＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる多ＩＣチップ型パッケージが、高密度実装可能なＩＣパッケージとして脚光を浴びている。
【０００３】
ＢＧＡ、ＣＳＰおよびＢＯＣは、パッケージの裏面に面格子状にはんだボールを外部接続端子として設けている。ＩＣの電極は、回路配線パターン変換基板であるＩＣ用基板を介してプリント基板の電極に接続する。
ＣＳＰはＢＧＡをさらに小型化、高密度化したパッケージであり、マイクロＢＧＡ、ファインピッチＢＧＡとも呼ばれている。特に、ＣＳＰはその構造から低インピーダンス、周波数応答の高速性などの優れた電気特性も有するパッケージである。
【０００４】
ＷＬ−ＣＳＰは、半導体チップと同等サイズのパッケージであり、ウェハー状態のままでパッケージング工程を完了することからＣＳＰとは区別される。ウェハーサイズは、１５０ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍと規格化されているため、ウェハーサイズが同じであれば品種によらず製造装置の共有化が可能であり、さらに従来分離されていたウェハープロセスとパッケージプロセスとを一本化することで、コストに対しても優位性がある。
このようなＷＬ−ＣＳＰについては、例えばパッド再配線と樹脂封止を組み合わせたものや、インターポーザーを取り込むもの、さらにははんだバンピング技術の延長と考えるべきものなど、ＷＬ−ＣＳＰのコンセプトのもと多種多様な検討がなされている。
【０００５】
ここで、図１にＷＬ−ＣＳＰの一例を示す。
この例では、チップ１表面の電極パッド４が、パッシベーション膜３上に施された銅めっきでエリア状に再配置されている。メタルポスト６は再配置電極２上に形成され、チップ１上に形成される封止樹脂層５によって強固に保持されており、かつメタルポスト６の先端が樹脂層から突出する構造となっている。さらに、はんだボール７が突出したメタルポスト６の先端に形成されている。
このようなＷＬ−ＣＳＰにおいて、チップ１の表面を保護するとともに、メタルポスト６を保持する役割を果たす封止樹脂層５には、通常、もともとＱＦＰ、ＢＧＡ、ＣＳＰといった小型の電子機器を封止するために使用されていたエポキシ樹脂などの硬化性樹脂を主成分とする樹脂成分に、大量の無機フィラーが配合されたタブレットタイプのものが用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−１２１２６０号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のエポキシ樹脂を主成分とする材料は硬化収縮が大きく、さらに、封止樹脂とチップの熱膨張差に基づいて発生するクラックを防止する目的で、通常、無機フィラーが配合されているため、得られたウェハーは大きな反りを生じるという問題があった。ウェハーの反り量が大きいと、ダイシング時に位置ずれやチッピングが生じたり、ウェハー搬送時に吸着不良を招いたりするなど、不具合が生じる。特に近年では、ＷＬ−ＣＳＰに代表されるように、ウェハーが大口径化、薄型化しているので、このような問題が顕著になってきており、反りの生じない封止樹脂が求められている。
【０００８】
また、チップと封止樹脂とは、低温（０℃以下）〜高温（１００℃以上）の温度変化が繰り返されることで生じる応力によって、層間剥離を引き起こすことがあった。これはチップ表面が、接着性の低いポリイミド樹脂から形成されていることが多いためである。よって、層間剥離を抑制するために封止樹脂として、広い温度域にわたってポリイミド樹脂に対しても高い接着性を備えたものが求められている。
【０００９】
さらに近年、鉛フリー化によりＩＲリフロー温度が高くなっているため、封止樹脂層やパッシベーション膜に含まれる水分がリフロー時に気化して、封止樹脂層に膨れが生じるポップコーン現象が起こりやすくなっている。そこで、ポップコーン現象の原因となる水分を除去するため、リフロー前の半製品は、通常、防湿状態で管理されている。しかし、このような防湿状態での管理には多大な作業とコストがかかるため、このような特別な管理をしなくてもポップコーン現象が起こらない封止樹脂の開発も求められていた。
その他にも封止樹脂には、導体部分に接触する材料であるため、過酷な環境下での電気的な信頼性、生産性向上のための硬化時間の短縮化、さらに、再配線パターンとメタルポストを埋め込む必要があるため、成形時に高い流動性を示し発泡が起きない材料であること、などが要求される。
【００１０】
本発明は上記事情を鑑みてなされたもので、特にＷＬ−ＣＳＰのパッケージング過程で、ウェハーを樹脂封止した後に反りが発生せず、成形時に高流動性が得られるとともに発泡が起こらず、電気的信頼性やポリイミド等との接着性に優れ、無機フィラーを添加しなくてもクラックが発生しにくく、耐温度サイクル性に優れた半導体封止用接着剤組成物および半導体封止用接着シートを提供することにある。
さらには、耐湿度性に優れポップコーン現象が起こりにくく、しかも低温、短時間で硬化可能な半導体封止用硬化性接着剤組成物および接着シートを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体封止用硬化性接着剤組成物は、硬化後の−３０℃での弾性率が３ＧＰａ未満、３０℃での弾性率が１０ＭＰａ以上１ＧＰａ未満、１５０℃での弾性率が１ＭＰａ以上１００ＭＰａ未満であることを特徴とする。
本発明の半導体封止用硬化性接着剤組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）フェノール樹脂と、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体と、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物とを含有して構成されることが好ましい。
前記（Ａ）エポキシ樹脂と、前記（Ｂ）フェノール樹脂の官能基当量比は１：０．６〜１：１．４であることが好ましい。
前記（Ａ）エポキシ樹脂と、前記（Ｂ）フェノール樹脂と、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体と、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物との合計１００質量％中、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体の比率が、３０〜８０質量％であることが好ましい。
前記（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体は、ブタジエン系化合物とスチレン系化合物の質量比が１／９９〜７０／３０のスチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体がエポキシ化したものであることが好ましい。
前記（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体のエポキシ当量は１４０〜６０００であることが好ましい。
前記（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物は、一般式（１）で示される両末端にアミノ基を有する化合物であることが好ましい。
【化２】
前記（Ａ）エポキシ樹脂と、前記（Ｂ）フェノール樹脂と、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体と、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物との合計１００質量％中、前記（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物の比率は、０．３〜１０質量％であることが好ましい。
本発明の半導体封止用接着シートは、例えば、支持体の片面に、前記いずれかに記載の半導体封止用硬化性接着剤組成物からなる封止樹脂層が形成されているものである。
前記支持体としては、剥離性フィルムが挙げられる。
また、本発明の半導体封止用接着シートは、とりわけ薄型、大口径の半導体、例えばＷＬ−ＣＳＰの封止に適している。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の半導体封止用硬化性接着剤組成物（以下、接着剤組成物という。）は、硬化後の−３０℃での弾性率が３ＧＰａ未満、３０℃での弾性率が１０ＭＰａ以上１ＧＰａ未満、１５０℃での弾性率が１ＭＰａ以上１００ＭＰａ未満であり、より好ましくは３０℃での弾性率が１０ＭＰａ以上１９０ＭＰａ未満である。３０℃での弾性率が１ＧＰａ以上であると、硬化収縮によって発生する反りが大きく、例えばこれをシート状の封止樹脂層として半導体封止に用いた際、ダイシング時に位置ずれやチッピングが生じたり、ウェハー搬送時に吸着不良を招いたりするなど不具合が生じる。一方、３０℃での弾性率が１ＧＰａ未満で、−３０℃での弾性率が３ＧＰａ未満で、１５０℃での弾性率が１００ＭＰａ未満であると、反りが抑制されるとともに、低温（０℃以下）〜高温（１００℃以上）の温度変化が繰り返されることによって生じる応力を緩和でき、この接着剤組成物からなるシート状の封止樹脂層と半導体チップとの間の層間剥離を防止することができる。また、各温度での弾性率が上記下限を下回ると、機械的強度が低下し、３０℃での弾性率が１０ＭＰａ未満ではタイシング時に、１５０℃での弾性率が１ＭＰａ未満では封止時に封止樹脂層の物理的損傷を招くため好ましくない。
【００１３】
また、このような接着剤組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂（以下、（Ａ）成分という場合もある。）と、（Ｂ）フェノール樹脂（以下、（Ｂ）成分という場合もある。）と、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体（以下、（Ｃ）成分という場合もある。）と、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物（以下、（Ｄ）成分という場合もある。）とを含有して構成されることが好ましい。
以下、上記各成分についてそれぞれ説明する。
【００１４】
［（Ａ）エポキシ樹脂］
（Ａ）成分のエポキシ樹脂は、分子内に２個以上のオキシシラン環を有し、硬化性のものであれば、例えば、グリシジルエーテル、グリシジルエステル、グリシジルアミン、線状脂肪族エポキサイト、脂環族エポキサイトなどいずれの構造でもよく、単独でも２種以上を併用することもできる。
具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂、トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール型エポキシ樹脂、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラグリシジルメタキシレンジアミン型エポキシ樹脂、テトラグリシジル−１，３−ビスアミノメチルシクロヘキサン型エポキシ樹脂などの多官能グリシジルアミン型エポキシ樹脂、テトラフェニルグリシジルエーテルエタン型エポキシ樹脂、トリフェニルグリシジルエーテルメタン型エポキシ樹脂などの多官能グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、フェノール型エポキシ樹脂、アルキルフェノール型エポキシ樹脂などの多官能レゾール型エポキシ樹脂、フェノール型エポキシ樹脂、クレゾール型エポキシ樹脂などの多官能ノボラツク型エポキシ樹脂などが挙げられる。
【００１５】
これらの中でも特に安価であるビスフェノール型エポキシ樹脂や、絶縁性、耐熱性に優れる多官能エポキシ樹脂が好適に用いられる。
これらエポキシ樹脂のエポキシ当量は１００〜４０００が好ましく、より好ましくは１００〜２０００、特に好ましくは１００〜１０００である。エポキシ当量が１００未満では、未硬化の物が残りやすく発泡の原因となる。エポキシ当量が４０００を超えて大きいと、溶媒に溶けにくくなり、他の成分との相溶性が悪くなる。
【００１６】
好適に用いられるエポキシ樹脂としては、油化シェルエポキシ社製：商品名；エピコート８０６、８２８、８３４、１００１などのビスフェノール型、ＹＸ−４０００、ＹＸ−４０００Ｈ（ビフェニル型）などの２官能エポキシ樹脂、エピコート１５２、１５４、１８０Ｓ６５、１０３２Ｈ６０、１５７Ｓ７０（多官能ノボラツク型）、６０４（テトラグリシジルジフェニルメタン型）、大日本インキ社製：商品名；ＨＰ−７２００、ＨＰ−７２００Ｈ（ジシクロ型）などの多官能エポキシ樹脂、日本化薬社製：商品名；ＥＯＣＮＩ０２Ｓ、１０３Ｓ、１０４Ｓ、１０２０（ｏ−クレゾールノボラツク型）、ＥＰＰＮ５０１Ｈ、５０２Ｈ（トリフェニルメタン型）などの多官能エポキシ樹脂を挙げることができる。
また難燃性を付与するためにハロゲン化エポキシ、特に臭素化エポキシを用いることが有効であり、臭素化エポキシの具体例としては、油化シェルエポキシ社製：商品名；エピコート５０４５、５０４６、５０５０、日本化薬社製：商品名；ＢＲＥＮ−Ｓ、ＢＲＥＮ−１０５、ＢＲＥＮ−３０１などが挙げられる。
【００１７】
［（Ｂ）フェノール樹脂］
（Ｂ）成分のフェノール樹脂は、（Ａ）成分のエポキシ樹脂と反応して３次元網状構造を形成する。
使用されるフェノール樹脂の具体例としては、レゾールフェノール樹脂、フェノールノボラツク樹脂、クレゾールノボラツク樹脂、レゾールシノール樹脂、キシレン樹脂などのフェノール誘導体が挙げられ、中でもフェノールノボラツク樹脂は、反応性に優れ、半導体封止用途において耐湿耐熱性に優れるため好ましい。
ここで使用されるフェノール樹脂の量には特に制限はないが、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の比率が官能基当量比で、（Ａ）成分：（Ｂ）成分＝１：０．６〜１：１．４となる範囲が好ましく、より好ましくは１：０．７〜１：１．１である。ここでフェノール樹脂の比率が上記範囲未満であると接着性組成物からなる硬化物が脆くなる傾向があり、一方フェノール樹脂の比率が上記範囲を超えると接着性組成物からなる硬化物の接着力が低下する傾向がある。
【００１８】
［（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体］
（Ｃ）成分であるエポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体は、スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体中におけるブタジエン系化合物に由来する共役ジエン系二重結合がエポキシ化したものである。ここで、共役ジエン系の二重結合は部分的に水添されていてもよい。
また、スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体は、スチレン系化合物を主成分とする重合体ブロックＡと、ブタジエン系化合物を主成分とする重合体ブロックＢとからなり、Ａ−Ｂ−Ａ、Ａ−Ｂ−Ａ−Ｂ−Ａ等のＡが両末端となる構造のものである。スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体としては、このような構造のもの１種を用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、その製造方法にも特に制限はない。
【００１９】
また、スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体を構成するスチレン系化合物としては、例えばスチレン、α−メチルスチレン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、１，１−ジフェニルスチレン等の中から選ばれた少なくとも１種以上が選択でき、中でもスチレンが好ましい。
ブタジエン系化合物としては、例えばブタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、フェニル−１，３−ブタジエン等の中から選ばれた少なくとも１種以上が選択でき、中でもブタジエンが好ましい。
【００２０】
スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体におけるブタジエン系化合物：スチレン系化合物の質量比は、１／９９〜７０／３０であることが好ましく、特に１０／９０〜６０／４０の範囲が好ましい。
また、スチレン系−ブタジエン系ブロック共重合体の数平均分子量は、好ましくは５，０００〜６００，０００、より好ましくは１０，０００〜５００，０００の範囲であり、分子量分布［質量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）］は１０以下が好ましい。
【００２１】
（Ｃ）成分であるエポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体は、上述したようなスチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体またはその部分水添物を、不活性溶媒中でハイドロパーオキサイド類、過酸類等のエポキシ化剤と反応させることにより得られる。
エポキシ化に使用するハイドロパーオキサイド類としては、過酸化水素、ターシャリブチルハイドロパーオキサイド、クメンパーオキサイド等がある。過酸類としては過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、トリフルオロ過酢酸等がある。このうち過酢酸は工業的に大量に製造されており、安価に入手でき、安定度も高いことから好ましいエポキシ化剤である。
また、エポキシ化の際には必要に応じて触媒を用いることができ、例えば、エポキシ化剤として過酸類を使用する場合、炭酸ソーダ等のアルカリや硫酸等の酸が触媒として用られる。また、エポキシ化剤としてハイドロパーオキサイド類を使用する場合、タングステン酸と苛性ソーダの混合物を過酸化水素と用いたり、有機酸を過酸化水素と用いたり、モリブデンヘキサカルボニルをターシャリブチルパーオキサイドと用いたりして、触媒効果を得ることができる。
不活性溶媒は、原料粘度を低下させるため、または、エポキシ化剤を希釈して安定化するために使用でき、過酢酸の場合であれば芳香族化合物、エーテル類、エステル類等が用いられる。特に好ましい溶媒は、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、ベンゼン、酢酸エチル、四塩化炭素、クロロホルムである。
【００２２】
使用するエポキシ化剤の量に制限はなく、使用されるエポキシ化剤の種類、所望されるエポキシ化度、エポキシ化されるブロック共重合体の種類等に応じて、適量を使用すればよい。
また、エポキシ化反応条件にも制限はなく、通常、使用されるエポキシ化剤の反応性によって反応温度域は定まる。例えば、過酢酸の場合には０〜７０℃が好ましく、０℃未満では反応が遅く７０℃を超えると過酢酸の分解が起こる。
また、反応時における特別な操作は必要なく、反応物を混合して２〜１０時間撹拌すればよい。
こうして得られた生成混合物から、貧溶媒で沈殿させる方法、反応混合物を熱水中に撹拌の下で投入し溶媒を蒸留除去する方法、直接脱溶媒法等で単離することによってエポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体を得ることができる。
【００２３】
こうして得られる（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体のエポキシ当量は、好ましくは１４０〜６０００、より好ましくは２００〜２０００である。エポキシ当量が１４０未満の場合、（Ｃ）成分は重合体の弾性的な性質（伸び率の低下、弾性率の上昇等の性質）が発現しにくいものとなる傾向があり、６０００を超えるとエポキシ化による相溶性の向上等の物性が発現しにくくなる傾向がある。
また、上記エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）フェノール樹脂と、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系ブロック共重合体と、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物との合計１００質量％中、３０〜８０質量％であることが好ましい。３０質量％未満であると接着性樹脂組成物を硬化した際に硬くなりすぎて接着力が低下する傾向があり、一方８０質量％を超えると、接着性組成物の貼り付け硬化時における樹脂流れや発泡の抑制が困難となる傾向がある。また８０質量％を超えると、リフロー時にも樹脂の膨れを抑制できず、高温時における発泡の原因となる場合がある。
【００２４】
［（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物］
（Ｄ）成分であるジアミノシロキサン化合物は、下記一般式（１）で示される両末端にアミノ基を有するジアミノシロキサン化合物である。
【化３】
【００２５】
ジアミノシロキサン化合物の接着剤組成物中の比率は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）フェノール樹脂と、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体と、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物との合計１００質量％中、０．３〜１０質量％、より好ましくは０．３〜５質量％である。０．３質量％未満であると他の成分との相溶性や硬化後の耐吸湿性が低下する傾向があり、一方、１０質量％を超えると、接着性組成物の常温時における接着力の低下が大きくなる傾向がある。
一般式（１）で示されるジアミノシロキサン化合物としては、例えば東芝シリコーン社製：商品名；ＴＳＬ９３０６、ＴＳＬ９８８６等を挙げることができる。
【００２６】
接着剤組成物には、上述した（Ａ）〜（Ｄ）成分の他に添加剤を添加することができ、例えば被着体との密着性を向上させるために、カップリング剤を添加することができる。
カップリング剤としては、有機基末端がアミノ基末端、エポキシ基末端を持っているものが特に好ましい。また、カップリング剤の添加量としては、（Ａ）〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して０．１〜１５質量部添加することが好ましい。
また、（Ａ）成分であるエポキシ樹脂の硬化を促進するために、必要に応じてイミダゾールやその誘導体、イミダゾリンやその誘導体、第三アミンなどの硬化促進剤を、（Ａ）〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して０．０１〜５質量部の範囲で用いることができる。
【００２７】
このような接着剤組成物は、熱膨張係数、熱伝導率などが適当であって、フィラーを配合しなくても硬化後にクラックが発生しないが、熱膨張係数、熱伝導率をさらに調整する目的や、作業性を制御する目的で、無機フィラーまたは有機フィラーを配合してもよい。
無機フィラーとしては無水シリカ、溶融型シリカ、アルミナ、酸化チタン、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、窒化チタン、窒化珪素、窒化硼素、硼化チタン、硼化タングステン、炭化珪素、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化モリブデン、マイカ、酸化亜鉛、カーボンブラック、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、またはこれらの表面をトリメチルシロキシル基などで処理したものなどが挙げられる。
有機フィラーとしては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ナイロン、シリコーンなどが挙げられる。
フィラーを配合する場合、その配合量は、（Ａ）〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して、好ましくは２〜９５質量部、より好ましくは２〜５０質量部である。
【００２８】
接着性組成物を製造する際には、まず、上記（Ａ）〜（Ｄ）の各必須成分と、必要に応じて添加される各種添加剤とを、（Ａ）〜（Ｄ）の各必須成分を少なくとも溶解する有機溶媒に添加して接着剤溶液を調製する。
有機溶媒としては、特に限定はなく、例えばトルエン、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン等が使用できる。また、これらの１種または２種以上を適量使用できるが、好ましくは、（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の合計が、接着剤溶液の２０質量％以上となるように調製することが好ましい。２０質量％未満であると、接着剤溶液を使用して後述するような半導体封止用接着シートを作製する際に、均一な厚みの封止樹脂層の形成が困難となる傾向がある。
【００２９】
本発明の半導体封止用接着シート（以下、接着シートという。）は、少なくとも上述した接着剤組成物からなる封止樹脂層を有するものであって、封止樹脂層のみからなる接着シートや、支持体の片面に接着剤組成物からなるシート状の封止樹脂層が形成されたものなどが挙げられる。
支持体としては、封止樹脂層が被着体の所定位置に設けられた際には剥離される剥離性フィルムが挙げられ、そのフィルム材質としては、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレンなどのポリオレフィン類、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルサルフオン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルケトン、トリアセチルセルロースなどが好ましく使用され、さらに好ましくはポリエステル類、ポリオレフィン類およびポリイミドである。より好ましい剥離性フィルムとしては、これらの材質からなるフィルムにシリコーンなどの離型剤で剥離処理を施したものが挙げられる。その場合、剥離処理が施された面に封止樹脂層が形成される。
【００３０】
このような接着シートを製造する際には、剥離性フィルムの片面に上述したような接着剤溶液を塗布した後、これを乾燥して封止樹脂層を形成するが、好ましくはこの封止樹脂層を半硬化状態とする。さらに、半硬化状態の程度を適宜コントロールすることによって、このような封止樹脂層の硬化時間を短縮したり、導体パターンの埋め込みなどにおける樹脂流れや発泡を抑制したりするなど、加工使用条件を調節することができる。半硬化状態のコントロール方法は限定しないが、例えばエージング等でコントロールできる。
また、このように形成された封止樹脂層の乾燥後の厚さは、好ましくは３〜２００μｍ、より好ましくは５〜１００μｍである。
封止樹脂層を形成した接着シートの保管時には、必要に応じて封止樹脂層の外面側に保護フィルムを貼着し、使用時には剥がして用いる。
【００３１】
以上説明した接着剤組成物および接着シートは、種々の電子部品の封止に適用できるが、硬化後に反りが発生せず、成形時に高流動性が得られるとともに発泡が起こらず、電気的信頼性や接着性に優れ、無機フィラーを添加しなくてもクラックが発生しにくく、耐温度サイクル性に優れ、さらには耐湿度性に優れポップコーン現象が起こりにくく、しかも低温、短時間で硬化可能であることから、とりわけ薄型、大口径の半導体の封止において好適である。具体的には、ＷＬ−ＣＳＰ半導体などがある。
実際に接着シートを用いて、ＷＬ−ＣＳＰに封止樹脂層を設ける方法としては、例えば、接着シートの封止樹脂層をロールラミネータでウェハーに貼り合わせ、真空プレス機にて圧着、硬化する方法が挙げられる。硬化の条件は通常、１５０〜２００℃で１〜２時間程度である。
【００３２】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいてより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
まず下記のようにしてエポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体を合成した。
〔合成例１〕
撹拌機、冷却管を備えたフラスコに、スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体（商品名：ＴＲ２０００ 日本合成ゴム社製、数平均分子量１０００００、スチレン／ブタジエン共重合比［質量］＝４０／６０）３００ｇ、酢酸エチル１５００ｇを仕込み溶解した。ついで、過酢酸の３０質量％酢酸エチル溶液１６９ｇを連続滴下させ、撹拌４０℃で３時間エポキシ化反応を行った。反応液を常温に戻してフラスコより取り出し、多量のメタノールを加えて析出させ、濾過後、水洗し、乾燥させエポキシ当量５２０のエポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体を得た。
なお、使用したスチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体（ＴＲ２０００）は、スチレン系化合物としてスチレンが、ブタジエン系化合物としてブタジエンが使用されている。
【００３３】
〔合成例２〕
撹拌機、冷却管を備えたフラスコに、合成例１で使用したものと同じスチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体３００ｇ、酢酸エチル１５００ｇを仕込み溶解した。ついで、過酢酸の１５質量％酢酸エチル溶液１６９ｇを連続滴下させ、撹拌４０℃で３時間エポキシ化反応を行った。反応液を常温に戻してフラスコより取り出し、多量のメタノールを加えて析出させ、濾過後、水洗し、乾燥させエポキシ当量１０００のエポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体を得た。
【００３４】
〔合成例３〕
撹拌機、冷却管を備えたフラスコに、合成例１で使用したものと同じスチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体３００ｇ、酢酸エチル１５００ｇを仕込み溶解した。ついで、過酢酸の５質量％酢酸エチル溶液１６９ｇを連続滴下させ、撹拌４０℃で３時間エポキシ化反応を行った。反応液を常温に戻してフラスコより取り出し、多量のメタノールを加えて析出させ、濾過後、水洗し、乾燥させエポキシ当量２０００のエポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体を得た。
【００３５】
次に下記のように接着剤組成物を調製した。
〔実施例１〜１８、比較例１〜５〕
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物、シランカップリング剤、硬化促進剤及びフィラーを、メチルエチルケトンにそれぞれ表１に示す配合量となるように常温〜６０℃で混合して接着剤溶液を作製し、該溶液を固形分（すなわち、（Ａ）〜（Ｄ）成分の合計）の濃度が３５質量％になるように調整して接着剤組成物を得た。
なお、表２には、各例における各成分の比率などを示した。また、表１に示した配合物は下記表３に示したものを使用した。
フィラーについては、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物、シランカップリング剤の合計量１００質量部に対する配合比を示した。
また、比較例３については、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体の代わりに合成例１などで使用されたエポキシ化されていないスチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体を使用した。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【表３】
【００３９】
このようにして得られた接着剤組成物を次の方法で評価した。結果は表４〜５に示した。
なお、比較例３については、接着剤組成物が層分離していたため下記の評価は行なわなかった。これは、（Ｃ）’成分が他の成分との相溶性が悪いために生じたと考えられる。
１．硬化時間
前記実施例１〜１８および比較例１、２、４、５の接着剤組成物を、乾燥後の厚さが２５μｍとなるように、剥離処理を施した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、熱風循環型乾燥機中にて１３０℃で５分間乾燥した後、剥離処理を施した厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを貼り合わせ、７０℃／１０時間エージングして接着シートを作製した。
その後、両面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、１５０℃に加熱したホットプレート上に接着剤シートを乗せてゲル化時間を測定し、硬化時間とした。
表４の評価結果から明らかなように、実施例の接着剤組成物では１時間以内にゲル化が終了し、比較例４ではゲル化に１時間以上を要していた。
【００４０】
２．弾性率
前記実施例１〜１８および比較例１、２、４、５の接着剤組成物を、乾燥後の厚さが２５μｍとなるように、剥離処理を施した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、熱風循環型乾燥機中にて１３０℃で５分間乾燥した後、熱ラミネーターにて上記接着シートを２枚貼り合わせ厚さ５０μｍとした。さらに、片面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がした後、厚さ５０μｍの接着シートを熱ラミネーターにて２枚貼り合わせて厚さ１００μｍとし、７０℃／１０時間エージングして接着シートを作製した。
その後、両面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がして、１５０℃で１時間加熱して接着剤層（封止樹脂層）を硬化させ、０．３ｃｍ×２ｃｍに切断して得られた試料を弾性率測定用とした。
弾性率はバイブロン（オリエンテック社製）により測定し結果を表４に示した。
【００４１】
３．反り
前記実施例１〜１８および比較例１、２、４、５の接着剤組成物を、乾燥後の厚さが２５μｍとなるように、剥離処理を施した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、熱風循環型乾燥機中にて１３０℃で５分間乾燥した後、熱ラミネーターにて上記接着シートを２枚貼り合わせ厚さ５０μｍとした。さらに、片面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がした後、厚さ５０μｍの接着シートを熱ラミネーターにて２枚貼り合わせて厚さ１００μｍとし、７０℃／１０時間エージングして接着シートを作製した。
その後、片面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離しながら、この接着シートを厚さ３００μｍの８インチウェハに熱圧着した。次いで、もう一方のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がして、１５０℃で１時間加熱して該接着剤層（封止樹脂層）を硬化させ、得られた樹脂付きウェハーを反り測定用試料とした。反りは、この測定用試料を平坦な台上に置いた際、台の面から試料における最も高い位置までの距離で表した。
表５の評価結果から明らかなように、実施例の接着剤組成物では反りは０．４ｍｍ以内であり、比較例１及び２では１ｍｍ以上の反りが発生して使用上問題があることが確認された。
【００４２】
４．発泡・埋まり込み性
前記実施例１〜１８および比較例１、２、４、５の接着剤組成物を、乾燥後の厚さが２５μｍとなるように、剥離処理を施した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、熱風循環型乾燥機中にて１３０℃で５分間乾燥した後、熱ラミネーターにて上記接着シートを２枚貼り合わせ厚さ５０μｍとした。さらに、片面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がした後、厚さ５０μｍの接着シートを熱ラミネーターにて２枚貼り合わせて厚さ１００μｍとし、７０℃／１０時間エージングして接着シートを作製した。
その後、片面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離しながら、この接着シートを厚さ３００μｍの、再配線、メタルポストが形成された８インチウェハに熱圧着した。次いで、もう一方のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がして、１５０℃で１時間加熱して該接着剤層（封止樹脂層）を硬化させた後、ダイシングテープをウェハー裏面に貼り合わせてダイシングし、個片化して得られたＷＬ−ＣＳＰを発泡・埋まり込み性評価試料とした。
その後、顕微鏡により発泡（ウェハーと接着剤層の界面、及び接着剤層中における発泡の有無を観察）及び埋まり込み（再配線及びメタルポスト周辺に熱圧着未処理の空間が残っているかどうか観察）状態を評価して結果を表５に示した。発泡及び埋まり込み性に問題がなかったものを○とし、発泡を有するもの、また空間が残っているものを×とした。
表５の評価結果から明らかなように、実施例の接着剤組成物では発泡及び埋まり込み性に問題はなかった。
【００４３】
５．接着力
前記実施例１〜１８および比較例１、２、４、５の接着剤組成物を、乾燥後の厚さが２５μｍとなるように、剥離処理を施した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、熱風循環型乾燥機中にて１３０℃で５分間乾燥した後、剥離処理を施した厚さ５０μｍのポリエチレン保護フィルムを貼り合わせ、７０℃／１０時間エージングして接着シートを作製した。
その後、ポリエチレン保護フィルムを剥離しながら、この接着シートを厚さ３００μｍの８インチウェハーに熱圧着した。次いで、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がして、厚さ１８μｍのＣｕ箔（商品名：ＪＴＣ−Ａ、ジャパンエナジー社製）を接着剤層（封止樹脂層）に熱圧着し、１５０℃で１時間加熱して該接着剤層を硬化させ、ウェハーとの接着力測定用試料とした。接着力は、テンシロン（島津社製）によりＣｕ箔を９０°引き剥がすことにより測定した。
また同様の評価用試料を使い恒温恒湿試験後の接着力を測定した。
恒温恒湿試験は恒温恒湿槽を用いて、以下に示す条件で行った。温度：１２１℃、湿度：１００％ＲＨ、時間：３００時間
結果を表５に示す。なお、接着力がゼロとは、すでに剥がれている状態を示す。
【００４４】
６．吸湿率
前記実施例１〜１８および比較例１、２、４、５の接着剤組成物を、乾燥後の厚さが２５μｍとなるように、剥離処理を施した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、熱風循環型乾燥機中にて１３０℃で５分間乾燥した後、熱ラミネーターにて上記接着シートを２枚貼り合わせ厚さ５０μｍとした。さらに、片面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がした後、厚さ５０μｍの接着シートを熱ラミネーターにて２枚貼り合わせて厚さ１００μｍとし、７０℃／１０時間エージングして接着シートを作製した。
その後、両面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がして、１５０℃で１時間加熱して接着剤層を硬化させ、５ｃｍ×５ｃｍに切断して得られた試料を吸湿率測定用とした。吸湿条件は恒温恒湿槽を用いて、以下に示す条件で行った。温度：１２１℃、湿度：１００％ＲＨ、時間：２４時間
その後下記式により吸湿率を算出し結果を表５に示した。
【００４５】
【数１】
表５に示すように、実施例の接着剤組成物では、吸湿率が０．７％以下であるのに対して、比較例のものでは１．０％以上と高く、実用上問題があることが確認された。
【００４７】
７．耐リフロー性
前記実施例１〜１８および比較例１、２、４、５の接着剤組成物を、乾燥後の厚さが２５μｍとなるように、剥離処理を施した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、熱風循環型乾燥機中にて１３０℃で５分間乾燥した後、熱ラミネーターにて上記接着シートを２枚貼り合わせ厚さ５０μｍとした。さらに、片面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がした後、厚さ５０μｍの接着シートを熱ラミネーターにて２枚貼り合わせて厚さ１００μｍとし、７０℃／１０時間エージングして耐リフロー性評価用の接着シートを作製した。
その後、片面のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、この接着シートを厚さ３００μｍの８インチウェハに熱圧着した。次いで、もう一方のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がして、１５０℃で１時間加熱して該接着剤層（封止樹脂層）を硬化させた後、ダイシングテープをウェハー裏面に貼り合わせてダイシングし、個片化して得られたＷＬ−ＣＳＰを耐リフロー性評価試料とした。
この評価試料を、恒温恒湿槽中に８５℃、８５％ＲＨの条件で１６８時間載置し、その後２６０℃に設定されたＩＲリフロー炉を通過させ、剥離、発泡の有無を観察し、その結果を表５に示した。
各実施例及び比較例では評価試料を５個作製し、剥離及び発泡のない評価試料の個数を表５に示した。表５の評価結果から明らかなように実施例の接着剤組成物では剥離及び発泡の発生がなかったが、比較例のものでは剥離又は発泡が生じていた。
【００４８】
８．耐温度サイクル性
前記耐リフロー性評価と同様にして試料を作製し、耐温度サイクル性評価試料とした。
この評価試料を用いて、−６５℃〜１５０℃の温度サイクル試験を行った。
但し、この場合、１５０℃および−６５℃ではそれぞれ３０分間の温度履歴を必須とし、［高温−低温］を１サイクルとして、５００サイクルの条件で実施した。温度サイクル試験実施後、剥離、発泡の有無を観察し結果を表５に示した。
各実施例及び比較例では評価試料を５個作製し、剥離及び発泡のない評価試料の個数を表５に示した。表５の評価結果から明らかなように実施例の接着剤組成物では剥離及び発泡の発生がなかったが、比較例のものでは剥離又は発泡が生じていた。
【００４９】
９．電気特性
前記実施例１〜１８および比較例１、２、４、５の接着剤組成物を、乾燥後の厚さが２５μｍとなるように、剥離処理を施した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、熱風循環型乾燥機中にて１３０℃で５分間乾燥した後、剥離処理を施した厚さ５０μｍのポリエチレン保護フィルムを貼り合わせ７０℃／１０時間エージングして接着シートを作製した。
一方、フレキシブル基板（商品名：エスパネックス、新日鐵化学社製）にフォトレジスト膜を熱圧着、エッチング、レジスト膜剥離を経て、導体／導体間距離５０μｍ／５０μｍのくし型回路を作製し、その回路上にポリエチレン保護フィルムを剥離しながら、上記接着シートを熱圧着した。次いで、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がして１５０℃で１時間加熱して接着剤層を硬化させ、電気特性評価試料とした。
この評価試料を温度：１３０℃及び湿度：８５％ＲＨに調整した恒温恒湿槽内で、くし型回路に直流電圧を５Ｖ加えながら３００時間載置した後、くし型回路の状態を評価しその結果を表５に示した。表５において、くし型回路の導体（銅箔部）にマイグレーションが発生したものを×、発生しなかったものを○として記した。表５の評価結果から明らかなように実施例の接着剤組成物ではマイグレーションの発生はなかった。
【００５０】
【表４】
【表５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の接着剤組成物によれば、ウェハーを樹脂封止した後に反りが発生せず、成形時に高流動性が得られるとともに発泡が起こらず、電気的信頼性やポリイミド等との接着性に優れ、無機フィラーを添加しなくてもクラックが発生しにくく、耐温度サイクル性にも優れている。さらに、本発明の接着剤組成物は、耐湿度性に優れポップコーン現象が起こりにくく、しかも低温、短時間で硬化可能である。よって、この接着剤組成物を使用することによって、信頼性の高い半導体パッケージを、ウェハーへの熱的ダメージを与えること無く、生産性良く製造することができる。
また、特にこの接着剤組成物からなる封止樹脂層を備えた接着シートの形態として使用することにより、容易に封止後の樹脂厚さを制御できる。
本発明の接着剤組成物および接着シートは種々の形態の半導体封止用に使用できるが、特に上述のような特性を備えていることから、とりわけ薄型、大口径の半導体、例えばＷＬ−ＣＳＰの封止に適している。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＷＬ−ＣＳＰの一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１ チップ
２ 再配置電極
３ パッシベーション膜
４ 電極パッド
５ 封止樹脂層
６ メタルポスト
７ はんだボール
Claims (12)
- 硬化後の−３０℃での弾性率が３ＧＰａ未満、３０℃での弾性率が１０ＭＰａ以上１ＧＰａ未満、１５０℃での弾性率が１ＭＰａ以上１００ＭＰａ未満であることを特徴とする半導体封止用硬化性接着剤組成物。
- （Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）フェノール樹脂と、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体と、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物とを含有することを特徴とする請求項１に記載の半導体封止用硬化性接着剤組成物。
- 前記（Ａ）エポキシ樹脂と、前記（Ｂ）フェノール樹脂の官能基当量比が１：０．６〜１：１．４であることを特徴とする請求項２に記載の半導体封止用硬化性接着剤組成物。
- 前記（Ａ）エポキシ樹脂と、前記（Ｂ）フェノール樹脂と、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体と、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物との合計１００質量％中、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体の比率が、３０〜８０ 質量％であることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体封止用硬化性接着剤組成物。
- 前記（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体は、ブタジエン系化合物とスチレン系化合物の質量比が１／９９〜７０／３０のスチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体がエポキシ化したものであることを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の半導体封止用硬化性接着剤組成物。
- 前記（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体のエポキシ当量が１４０〜６０００であることを特徴とする請求項２ないし５のいずれかに記載の半導体封止用硬化性接着剤組成物。
- 前記（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物が一般式（１）で示される両末端にアミノ基を有する化合物であることを特徴とする請求項２ないし６のいずれかに記載の半導体封止用硬化性接着剤組成物。
- 前記（Ａ）エポキシ樹脂と、前記（Ｂ）フェノール樹脂と、（Ｃ）エポキシ化スチレン系−ブタジエン系−スチレン系ブロック共重合体と、（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物との合計１００質量％中、前記（Ｄ）ジアミノシロキサン化合物の比率が、０．３〜１０質量％であることを特徴とする請求項２ないし７のいずれかに記載の半導体封止用硬化性接着剤組成物。
- 請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体封止用硬化性接着剤組成物からなる封止樹脂層を有することを特徴とする半導体封止用接着シート。
- 支持体の片面に前記封止樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体封止用接着シート。
- 前記支持体が剥離性フィルムであることを特徴とする請求項１０に記載の半導体封止用接着シート。
- ＷＬ−ＣＳＰ用であることを特徴とする請求項９ないし１１１のいずれかに記載の半導体封止用接着シート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002329417A JP3998564B2 (ja) | 2002-11-13 | 2002-11-13 | 半導体封止用硬化性接着剤組成物および接着シート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002329417A JP3998564B2 (ja) | 2002-11-13 | 2002-11-13 | 半導体封止用硬化性接着剤組成物および接着シート |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004161886A true JP2004161886A (ja) | 2004-06-10 |
| JP3998564B2 JP3998564B2 (ja) | 2007-10-31 |
Family
ID=32807424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002329417A Expired - Lifetime JP3998564B2 (ja) | 2002-11-13 | 2002-11-13 | 半導体封止用硬化性接着剤組成物および接着シート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3998564B2 (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021933A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板構造および携帯端末 |
| JP2008260845A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Nitto Denko Corp | 封止用熱硬化型接着シート |
| JP2008308686A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-12-25 | Fujikura Ltd | エポキシ系接着剤、カバーレイ、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板 |
| WO2010079831A1 (ja) | 2009-01-09 | 2010-07-15 | ナガセケムテックス株式会社 | 半導体パッケージの製造方法、半導体封止方法及び溶剤型半導体封止エポキシ樹脂組成物 |
| US7928583B2 (en) | 2007-12-21 | 2011-04-19 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2011236303A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
| EP2461356A1 (en) | 2010-12-03 | 2012-06-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Wafer mold material and method for manufacturing semiconductor apparatus |
| US8927641B2 (en) | 2005-11-11 | 2015-01-06 | Nissin Kogyo Co., Ltd. | Thermosetting resin composition and method of producing the same |
| WO2016002614A1 (ja) * | 2014-07-04 | 2016-01-07 | Dic株式会社 | 粘着テープ、電子機器及び物品の解体方法 |
| JP2016027081A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-18 | Dic株式会社 | 粘着テープ、電子機器及び物品の解体方法 |
| JP5978380B1 (ja) * | 2015-12-25 | 2016-08-24 | 太陽インキ製造株式会社 | 半導体用封止材 |
| CN106459678A (zh) * | 2014-07-04 | 2017-02-22 | Dic株式会社 | 粘合带、电子机器及物品的拆卸方法 |
| JP2017118094A (ja) * | 2016-07-22 | 2017-06-29 | 太陽インキ製造株式会社 | 半導体用封止材 |
| CN111440565A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-07-24 | 上海嘉好胶粘制品有限公司 | 一种pvc地板用耐老化高持粘热熔压敏胶及其制备方法 |
-
2002
- 2002-11-13 JP JP2002329417A patent/JP3998564B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8927641B2 (en) | 2005-11-11 | 2015-01-06 | Nissin Kogyo Co., Ltd. | Thermosetting resin composition and method of producing the same |
| JP2008021933A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板構造および携帯端末 |
| JP2008260845A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Nitto Denko Corp | 封止用熱硬化型接着シート |
| JP2008308686A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-12-25 | Fujikura Ltd | エポキシ系接着剤、カバーレイ、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板 |
| US7928583B2 (en) | 2007-12-21 | 2011-04-19 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2010079831A1 (ja) | 2009-01-09 | 2010-07-15 | ナガセケムテックス株式会社 | 半導体パッケージの製造方法、半導体封止方法及び溶剤型半導体封止エポキシ樹脂組成物 |
| JP2011236303A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
| EP2461356A1 (en) | 2010-12-03 | 2012-06-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Wafer mold material and method for manufacturing semiconductor apparatus |
| WO2016002614A1 (ja) * | 2014-07-04 | 2016-01-07 | Dic株式会社 | 粘着テープ、電子機器及び物品の解体方法 |
| JP2016027081A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-18 | Dic株式会社 | 粘着テープ、電子機器及び物品の解体方法 |
| CN106459678A (zh) * | 2014-07-04 | 2017-02-22 | Dic株式会社 | 粘合带、电子机器及物品的拆卸方法 |
| JP5978380B1 (ja) * | 2015-12-25 | 2016-08-24 | 太陽インキ製造株式会社 | 半導体用封止材 |
| JP2017118094A (ja) * | 2016-07-22 | 2017-06-29 | 太陽インキ製造株式会社 | 半導体用封止材 |
| CN111440565A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-07-24 | 上海嘉好胶粘制品有限公司 | 一种pvc地板用耐老化高持粘热熔压敏胶及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3998564B2 (ja) | 2007-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6414296B2 (ja) | 接着シート及び半導体装置の製造方法 | |
| JP5315690B2 (ja) | エリア実装型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP5277537B2 (ja) | 電子部品用液状樹脂組成物及びこれを用いた電子部品装置 | |
| JP3998564B2 (ja) | 半導体封止用硬化性接着剤組成物および接着シート | |
| JP3785047B2 (ja) | 半導体装置用接着剤組成物および接着シート | |
| JP4994743B2 (ja) | フィルム状接着剤及びそれを使用する半導体パッケージの製造方法 | |
| JP2001230341A (ja) | 半導体装置 | |
| TW593611B (en) | Adhesive composition for semiconductor device and adhesive sheet for semiconductor device using the same | |
| JP2001288244A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、その製法及びそれを用いた製品 | |
| JP5692212B2 (ja) | 電子部品用液状樹脂組成物及びこれを用いた電子部品装置 | |
| JP3621337B2 (ja) | 半導体装置用接着剤組成物及び接着シート | |
| JP2012180442A (ja) | 接着フィルム及びこの接着フィルムを有する半導体装置 | |
| WO2010131655A1 (ja) | 接着シート | |
| JP4691401B2 (ja) | 半導体装置用接着剤組成物および半導体装置用接着シート | |
| JP2011129717A (ja) | 半導体パッケージおよび半導体装置 | |
| JP2004186204A (ja) | 回路部材接続用フィルム状接着剤及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP2006117824A (ja) | 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シート | |
| KR100482672B1 (ko) | 반도체 소자용 접착제 조성물, 그를 이용한 접착 쉬트 및 접착 테이프 | |
| JP2001294843A (ja) | 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シートならびに半導体装置 | |
| JP2002322457A (ja) | 半導体装置用接着剤組成物及び半導体装置用接着シート | |
| JP3770993B2 (ja) | 液状樹脂組成物および該液状樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
| WO2020255749A1 (ja) | 封止用組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2023145355A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱硬化性樹脂シート、絶縁シート及び半導体装置 | |
| JP2023145370A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、熱硬化性樹脂シート、絶縁シート及び半導体装置 | |
| KR20210091470A (ko) | 반도체 접착용 수지 조성물, 반도체 접착용 필름 및 이를 이용한 반도체 패키지 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041220 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070306 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070427 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070724 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070807 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3998564 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100817 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110817 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110817 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120817 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120817 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130817 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130817 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130817 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |