JP2004158872A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板上に、該基板に格子不整合するn型及びp型の窒化ガリウム系化合物半導体層が順に積層された発光素子において、n型窒化ガリウム系化合物半導体層は、p型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部がエッチングされ、p型窒化ガリウム系化合物半導体層の両側にn型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を有すると共に、基板の分離部が、n型窒化ガリウム系化合物半導体層から露出されている。
【選択図】 図6
Description
また、本発明に係る発光素子では、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層の両側にある前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面のうちの一方に、n型電極を設けることができる。
さらに、本発明に係る発光素子では、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面は、n型窒化ガリウム系化合物半導体層の途中までエッチングされることにより形成されていてもよい。
またさらに、本発明に係る発光素子では、前記基板の分離部に、スクライブライン跡を有していてもよい。
本実施の形態の製造方法は、サファイア基板上にn型およびp型の窒化ガリウム系化合物半導体が順に積層されたウエハーをチップ状に分離する方法であって、(1)サファイア基板を研磨して薄くする工程と、(2)p型層の一部をn型層までエッチングする工程と、(3)n型層をサファイア基板までエッチングまたはダイシングする工程と、(4)サファイア基板をダイシング、またはスクライビングにより切断する工程と、を具備することを特徴とするものである。
以下図面を参照して説明する。図1〜図6は窒化ガリウム系化合物半導体ウエハー、および素子の構造を示す断面図であり、1はサファイア基板、2はn型窒化ガリウム系化合物半導体層(以下n型層という。)、3はp型窒化ガリウム系化合物半導体層(以下p型層という。)である。但し、本発明の方法は、図面の構造の窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーにのみ適用されるものではない。
図6は、(4)の工程のスクライビングまたはダイシングによって分離された窒化ガリウム系化合物半導体素子のn型層2、およびp型層3に電極6を形成した状態を示す断面図である。
実施例1と同一のGaNエピタキシャルウエハーを、同様にしてn型GaN層までエッチングした後、サファイア基板を研磨せずに、直接ダイサーを用い、同じくブレード回転数30,000rpm、切断速度0.3mm/secの条件で、350μm角のチップにフルカットしたところ、切断線に対し無数のクラックが生じ、歩留は30%以下であった。また、残ったGaNチップのp型層およびn型層に同じくAu電極を取り付け、発光ダイオードとしたところ、順方向電圧4.0Vにおいて、発光出力20μW、発光寿命は50〜70時間であった。
2・・・・・・n型窒化ガリウム系化合物半導体層、
3・・・・・・p型窒化ガリウム系化合物半導体層、
4・・・・・・保護膜、
5・・・・・・スクライブライン、
6・・・・・・電極。
Claims (4)
- 基板上に、該基板に格子不整合するn型及びp型の窒化ガリウム系化合物半導体層が順に積層された発光素子において、
前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層は、p型窒化ガリウム系化合物半導体層の両側に、p型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部がエッチングされることにより形成された、n型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を有すると共に、
前記基板の分離部が、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層から露出されていることを特徴とする発光素子。 - 前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層の両側にある前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面のうちの一方に、n型電極が設けられている請求項1記載の発光素子。
- 前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面は、n型窒化ガリウム系化合物半導体層の途中までエッチングされることにより形成された請求項1又は2記載の発光素子。
- 前記基板の分離部に、スクライブライン跡を有する請求項1〜3のうちのいずれか1つに記載の発光素子。
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Cited By (5)
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---|---|---|---|---|
JP2006024914A (ja) * | 2004-06-11 | 2006-01-26 | Showa Denko Kk | 化合物半導体素子ウェハーの製造方法 |
JP2007335529A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP2014099668A (ja) * | 2009-06-10 | 2014-05-29 | Toshiba Techno Center Inc | 半導体装置の製造方法 |
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