JP2004152799A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004152799A JP2004152799A JP2002313120A JP2002313120A JP2004152799A JP 2004152799 A JP2004152799 A JP 2004152799A JP 2002313120 A JP2002313120 A JP 2002313120A JP 2002313120 A JP2002313120 A JP 2002313120A JP 2004152799 A JP2004152799 A JP 2004152799A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- electrode
- resin
- substrate
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【解決手段】第1の半導体チップ1がフリップチップボンディングにより基板2にバンプ3を介して電気的に接続されており、第2の半導体チップ4が第1のチップ6の裏面に積層され、第1の半導体チップ1の側面から基板2の表面に渡って樹脂5が形成されており、その樹脂5の一部に開口部10を有し、開口部10の底面に露出した基板2の電極6が第2の半導体チップ4の電極7と金属細線8により電気的に接続することにより、半導体装置を構成している。樹脂5が広がって形成されても、面積を広げることなく実装できる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の半導体チップを積層した半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、コンピューターや通信機器を中心とした電子機器の小型化と高機能化に伴い、半導体装置には小型化、高密度化、及び高速化が要求されるようになった。そのため、複数個の半導体チップを配線基板上に搭載してモジュール化し、小型、高密度化を図った半導体装置が提案されている。図7および図8に従来のマルチチップ半導体装置の構造を示す。
【0003】
図7は第1の半導体チップ1がフリップチップボンディングにより基板2にバンプ3を介して電気的に接続されており、第2の半導体チップ4が第1のチップ6の裏面に積層され、第1の半導体チップ1の側面から基板2の表面に渡って樹脂5が形成されており、基板2の電極6が第2の半導体チップ4の電極7と金属細線8により電気的に接続されているマルチチップ半導体装置を示している。
【0004】
図8は第1の半導体チップ1の裏面が基板2に接着剤9で接着されており、第1の半導体チップ1の表面に第2の半導体チップ4がフリップチップボンディングによりバンプ3を介して電気的に接続され、第2の半導体チップ4の側面から第1の半導体チップ1の表面に渡って樹脂5が形成されており、第1の半導体チップ1の電極7が基板2の電極6と金属細線8により電気的に接続している半導体装置を示している。
【0005】
なお、図7および図8のような半導体チップを積層させた半導体装置については、例えば、特開2001−44358号公報または特開平2−15660号公報にその構造と製造方法が記載されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体装置において、それぞれ以下のような問題が存在する。
【0007】
図7の半導体装置の構造では、樹脂5が流れ出る範囲外に基板2上の電極6を配置しなければならないため、基板2の面積を第1の半導体チップ1に対し十分大きくする必要があり、半導体装置を小型化できないという問題とともに、基板が大きくなることによりコストアップにも繋がる問題があった。
【0008】
図8の半導体装置の構造では、樹脂5が第1の半導体チップ上の電極7まで達しないようにするためには、第1の半導体チップ1に対し第2の半導体チップ4を十分に小さくするか、第2の半導体チップ4に対し第1の半導体チップ1を十分に大きくする必要があり、組み合わせられるチップサイズの範囲が狭いという問題がある。第2の半導体チップ4に対し第1の半導体チップ1が十分な大きさでなかった場合、搭載できるように第1の半導体チップ1のサイズを大きくすることは半導体装置を小型化できないとともにコストアップに繋がってなってしまう。
【0009】
本発明は、前記した従来の問題を解消するために、樹脂部分に形成した開口部から電極を露出させることにより、樹脂の流れ出る範囲に関係なく半導体装置を小型化でき、また組み合わせられるチップサイズの範囲を広くし、コストダウンが可能な半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため本発明の第1番目の半導体装置は、基板の第1の配線電極と第1の半導体チップの電極とが接続部材により電気的に接続され、
前記基板の前記第1の半導体チップの対向領域よりも外側に第2の配線電極が形成され、
前記第1の半導体チップの裏面と第2の半導体チップの裏面とが接着され、
前記配線基板と前記第1の半導体チップとの間に充填された樹脂が前記第1の半導体チップの周辺にはみ出して形成されている半導体装置であって、
前記樹脂のはみ出した部分であって、かつ前記第2の配線電極の上に開口部が形成され、前記第2の配線電極は前記樹脂の開口部において露出しており、
前記前記第2の半導体チップの電極と前記第2の配線電極とが、前記樹脂の開口部を通る金属細線により電気的に接続されていることを特徴とする。
【0011】
このの半導体装置によれば、樹脂が流れ出る範囲内の基板上に電極を配置できるので、基板の面積を小さくすることが可能になり半導体装置の小型化とコストダウンが実現できる。
【0012】
本発明の第2番目の半導体装置は、基板の表面と第1の半導体チップの裏面とが接着され、
前記第1の半導体チップの第1の電極と、第2の半導体チップの電極とが接続部材により電気的に接続され、
前記第1の半導体チップの第1の電極よりも周囲側に第2の電極が形成され、
前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間に充填された樹脂が前記第2の半導体チップの周囲にはみ出して形成されている半導体装置であって、
前記樹脂のはみ出した部分であって、かつ前記第2の電極の上に開口部が形成され、前記第2の電極は前記樹脂の開口部において露出しており、
前記基板の表面に形成された配線電極と前記第1の半導体チップの前記第2の電極とが、前記樹脂の開口部を通る金属細線により電気的に接続されていることを特徴とする。
【0013】
この半導体装置によれば、樹脂が流れ出る範囲内の第1の半導体チップ上に電極を配置できるので、組み合わせられるチップサイズの範囲を広くすることが可能になり半導体装置の小型化とコストダウンが実現できる。
【0014】
本発明の第1番目の半導体装置の製造方法は、基板の第1の配線電極と第1の半導体チップの電極とを接続部材により電気的に接続する工程と、
前記第1の半導体チップの裏面と第2の半導体チップの裏面とを接着する工程と、
前記配線基板と前記第1の半導体チップとの間に樹脂を充填し、前記第1の半導体チップの周辺に前記樹脂をはみ出させる工程と、
前記樹脂のはみ出して形成された部分に開口部を形成し、前記基板の第2の配線電極を前記開口部において露出させる工程と、
前記前記第2の半導体チップの電極と前記第2の配線電極とを、前記樹脂の開口部に金属細線を通して電気的に接続することを特徴とする。
【0015】
本発明の第2番目の半導体装置の製造方法は、基板の表面と第1の半導体チップの裏面とを接着する工程と、
前記第1の半導体チップの第1の電極と第2の半導体チップの電極とを接続部材により電気的に接続する工程と、
前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間に樹脂を充填し、前記第2の半導体チップの周囲に前記樹脂をはみ出させる工程と、
前記樹脂のはみ出した部分に開口部を形成し、前記第1の半導体チップの第1の電極よりも周囲側に形成された第2の電極を前記樹脂の開口部において露出させる工程と、
前記基板の表面に形成された配線電極と前記第1の半導体チップの前記第2の電極とを、前記樹脂の開口部に金属細線を通して電気的に接続することを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【0017】
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の断面図である。この半導体装置は、第1の半導体チップ1がフリップチップボンディングにより基板2にバンプ3を介して電気的に接続されており、第2の半導体チップ4が第1のチップ6の裏面に積層され、第1の半導体チップ1の側面から基板2の表面に渡って樹脂5が形成されており、その樹脂5の一部に開口部10を有し、開口部10の底面に露出した基板2の電極6が第2の半導体チップ4の電極7と金属細線8により電気的に接続されている。
【0018】
図2は、第1の実施形態において、基板2上の電極6を樹脂5から露出させるための開口部10の近傍を拡大して表した図を示す。基板2上の電極6の表面の樹脂5に開口部10が形成されており、その露出した電極6の表面に金属細線8が電気的に接続されている。開口部10の側壁は基板2に対し45〜90°の角度をなして電極に向かって細る形状になっている。
【0019】
次に、本発明の第1の実施形態の半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。図3(a)〜(e)は、本発明の第1の実施形態における半導体装置の製造方法を示す工程ごとの断面図である。まず、図3(a)に示すように、第1の半導体チップ1の主面の電極(図示しない)上にバンプ3を形成する。ここで形成するバンプ3は、めっきバンプ、ワイヤーボンド法を用いたボールバンプなどいずれのバンプでもよく、材質もAu、ハンダでもよい。また高さは数10μm、好ましくは50μm程度がよい。
【0020】
次に、図3(b)に示すように、基板2上の電極(図示しない)に対して、第1の半導体チップ1の主面の電極(図示しない)上に形成されたバンプ3を接続する。また、この工程では、第1の半導体チップ1と基板2の間隙に樹脂5を介在させて両者を接着する。この間隙への樹脂の介在は、基板2上面に樹脂5を形成した後、第1の半導体チップ1をそのバンプ3を下側にしてフリップチップ実装する方法、また第1の半導体チップと基板2とを接続した後に樹脂5を注入する方法のいずれでもよい。なおこのとき、工法上どうしても発生してしまう余分な樹脂のはみ出しが第1の半導体チップ1の周囲の基板2上に広がり、基板2上の電極6を覆う状態となる。
【0021】
次に、図3(c)に示すように、第1の半導体チップ1の底面に第2の半導体チップ4の底面を接着剤9で接着し、2チップを積層した構造とする。
【0022】
次に、図3(d)に示すように、基板2上の電極6を覆っている樹脂5の一部分を除去することにより、開口部10を形成し、基板2上の電極6を露出させる。ここで樹脂5の一部分を除去する方法としては、例えば、YAGレーザーにおいて波長300nm〜800nm、パルス幅40ns前後、出力12W前後、スポット径10μm〜100μmにて加工する。
【0023】
そして、図3(e)に示すように、第2の半導体チップ4の電極7と基板2の電極6とを金属細線8で電気的に接続することにより、図1に示した半導体装置を得るものである。
【0024】
本実施形態によれば、樹脂5が流れ出る範囲外に基板2上の電極6を配置する必要がなく、基板2は第1の半導体チップ1の面積に電極6が配置できるだけの面積を加えたサイズまで小さくすることが可能となるため、半導体装置を小型化できないという課題とともに、基板が大きくなることによりコストアップにも繋がるといった課題を解消できる。
【0025】
[第2の実施形態]
図4は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の断面図である。この半導体装置は、第1の半導体チップ1の裏面が基板2に接着剤9で接着されており、第1の半導体チップ1の表面に第2の半導体チップ4がフリップチップボンディングによりバンプ3を介して電気的に接続され、第2の半導体チップ4の側面から第1の半導体チップ1の表面に渡って樹脂5が形成されており、その樹脂5の一部に開口部10を有し、開口部10の底面に露出した第1の半導体チップ1の電極7が基板2の電極6と金属細線8により電気的に接続されている。
【0026】
図5は、第2の実施形態において、第1のチップ1上の電極7を樹脂5から露出させるための開口部10の近傍を拡大して表した図を示す。第1のチップ1上の電極7の表面の樹脂5に開口部10が形成されており、その露出した電極7の表面に金属細線8が電気的に接続されている。開口部10の側壁は第1のチップ1に対し45〜90度の角度をなして電極に向かって細る形状になっている。
【0027】
次に、本発明の第2の実施形態の半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【0028】
図6(a)〜(e)は本発明の第2の実施形態の半導体装置の製造方法を示す工程ごとの断面図である。
【0029】
まず、図6(a)に示すように、第2の半導体チップ4の主面の電極(図示しない)上にバンプ3を形成する。ここで形成するバンプ3は、めっきバンプ、ワイヤーボンド法を用いたボールバンプなどいずれのバンプでもよく、材質もAu、ハンダでもよい。また高さは50μm程度の数10μmがよい。
【0030】
次に、図6(b)に示すように、第1の半導体チップ1上の電極(図示しない)に対して、第2の半導体チップ2の主面の電極(図示しない)上に形成されたバンプ3を接続し、2チップを積層した構造とする。また、この工程では、第1の半導体チップ1と第2の半導体チップ4の間隙に樹脂5を介在させて両者を接着する。この間隙への樹脂の介在は、第1の半導体チップ1表面に樹脂5を形成した後、第2の半導体チップ4をそのバンプ3を下側にしてフリップチップ実装する方法、また第1の半導体チップと第2の半導体チップ4とを接続した後に樹脂5を注入する方法のいずれでもよい。なおこのとき、工法上どうしても発生してしまう余分な樹脂のはみ出しが第2の半導体チップ4の周囲の第1の半導体チップ1上に広がり、第1の半導体チップ1上の電極7を覆う状態となる。
【0031】
次に、図6(c)に示すように、第1の半導体チップ1上の電極7を覆っている樹脂5の一部分を除去することにより、開口部10を形成し、第1の半導体チップ1上の電極7を露出させる。ここで樹脂5の一部分を除去する方法としては、例えば、YAGレーザーにおいて波長300nm〜800nm、パルス幅40ns前後、出力12W前後、スポット径10μm〜100μmにて加工する。
【0032】
次に、図6(d)に示すように、表面に第2の半導体チップ4を積層した第1の半導体チップ1の底面を接着剤9で基板2に接着する。
【0033】
そして、図6(e)に示すように、第1の半導体チップ1の電極7と基板2の電極6とを金属細線8で電気的に接続することにより、図4に示した半導体装置を得るものである。
【0034】
本実施形態によれば、樹脂5が第1の半導体チップ上の電極7まで達しないようにするために第1の半導体チップ1に対し第2の半導体チップ4を十分に小さくする、または第2の半導体チップ4に対し第1の半導体チップ1を十分に大きくする必要がなく、組み合わせられるチップサイズの範囲が狭いという課題を解消できる。また、第1の半導体チップ1は第2の半導体チップ4の面積に電極7が配置できるだけの面積を加えたサイズまで小さくすることが可能となるため、半導体装置を小型化できないという課題とともに、コストアップにも繋がるといった課題を解消できる。
【0035】
なお、第1と第2の実施形態において第1の半導体チップと第2の半導体チップの厚みとしては概ね200[μm]前後の厚みのものを採用しているが、50μm厚の薄厚の半導体チップを用いることもでき、薄型の半導体装置を実現できる。また、基板2としてはリードフレーム、樹脂基板、セラミック基板、チップと同じ材料で作られた基板等回路構成され、外部との信号接続可能な基板であればよい。また、樹脂5としてはアンダーフィル材、絶縁性ペースト材、絶縁性フィルム材、異方性導電性ペースト、異方性導電性フィルムなどを用いる。また、金属細線8は、例えば、ボンディング用のAuワイヤなどである。
【0036】
なお、上記実施形態は一例を述べたものであり、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
【0037】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【0038】
【発明の効果】
本発明の半導体装置によれば、樹脂が流れ出る範囲内の基板上に電極を配置できるので、基板の面積を小さくすることが可能になり半導体装置の小型化とコストダウンが実現できる。また本発明の別の半導体装置によれば、樹脂が流れ出る範囲内の第1の半導体チップ上に電極を配置できるので、組み合わせられるチップサイズの範囲を広くすることが可能になり半導体装置の小型化とコストダウンが実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態における半導体装置を示す断面図である。
【図2】本発明の第1の実施形態における開口部近傍を拡大して表した断面図である。
【図3】(a)〜(e)は、本発明の第1の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図4】本発明の第2の実施形態における半導体装置を示す断面図である。
【図5】本発明の第2の実施形態形態における開口部近傍を拡大して表した断面図である。
【図6】(a)〜(e)は、本発明の第2の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図7】従来の半導体装置を示す断面図である。
【図8】従来の半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
1 第1の半導体チップ
2 基板
3 バンプ
4 第2の半導体チップ
5 樹脂
6 電極
7 電極
8 金属細線
9 接着剤
10 開口部
Claims (4)
- 基板の第1の配線電極と第1の半導体チップの電極とが接続部材により電気的に接続され、
前記基板の前記第1の半導体チップの対向領域よりも外側に第2の配線電極が形成され、
前記第1の半導体チップの裏面と第2の半導体チップの裏面とが接着され、
前記配線基板と前記第1の半導体チップとの間に充填された樹脂が前記第1の半導体チップの周辺にはみ出して形成されている半導体装置であって、
前記樹脂のはみ出した部分であって、かつ前記第2の配線電極の上に開口部が形成され、前記第2の配線電極は前記樹脂の開口部において露出しており、
前記前記第2の半導体チップの電極と前記第2の配線電極とが、前記樹脂の開口部を通る金属細線により電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 基板の表面と第1の半導体チップの裏面とが接着され、
前記第1の半導体チップの第1の電極と、第2の半導体チップの電極とが接続部材により電気的に接続され、
前記第1の半導体チップの第1の電極よりも周囲側に第2の電極が形成され、
前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間に充填された樹脂が前記第2の半導体チップの周囲にはみ出して形成されている半導体装置であって、
前記樹脂のはみ出した部分であって、かつ前記第2の電極の上に開口部が形成され、前記第2の電極は前記樹脂の開口部において露出しており、
前記基板の表面に形成された配線電極と前記第1の半導体チップの前記第2の電極とが、前記樹脂の開口部を通る金属細線により電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 基板の第1の配線電極と第1の半導体チップの電極とを接続部材により電気的に接続する工程と、
前記第1の半導体チップの裏面と第2の半導体チップの裏面とを接着する工程と、
前記配線基板と前記第1の半導体チップとの間に樹脂を充填し、前記第1の半導体チップの周辺に前記樹脂をはみ出させる工程と、
前記樹脂のはみ出して形成された部分に開口部を形成し、前記基板の第2の配線電極を前記開口部において露出させる工程と、
前記前記第2の半導体チップの電極と前記第2の配線電極とを、前記樹脂の開口部に金属細線を通して電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板の表面と第1の半導体チップの裏面とを接着する工程と、
前記第1の半導体チップの第1の電極と第2の半導体チップの電極とを接続部材により電気的に接続する工程と、
前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間に樹脂を充填し、前記第2の半導体チップの周囲に前記樹脂をはみ出させる工程と、
前記樹脂のはみ出した部分に開口部を形成し、前記第1の半導体チップの第1の電極よりも周囲側に形成された第2の電極を前記樹脂の開口部において露出させる工程と、
前記基板の表面に形成された配線電極と前記第1の半導体チップの前記第2の電極とを、前記樹脂の開口部に金属細線を通して電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002313120A JP2004152799A (ja) | 2002-10-28 | 2002-10-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002313120A JP2004152799A (ja) | 2002-10-28 | 2002-10-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004152799A true JP2004152799A (ja) | 2004-05-27 |
Family
ID=32457823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002313120A Pending JP2004152799A (ja) | 2002-10-28 | 2002-10-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004152799A (ja) |
-
2002
- 2002-10-28 JP JP2002313120A patent/JP2004152799A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9905502B2 (en) | Sintered conductive matrix material on wire bond | |
JP3633559B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP3526788B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US8841765B2 (en) | Multi-chip module with stacked face-down connected dies | |
US8487421B2 (en) | Microelectronic package with stacked microelectronic elements and method for manufacture thereof | |
TWI330872B (en) | Semiconductor device | |
US8525338B2 (en) | Chip with sintered connections to package | |
US20110180933A1 (en) | Semiconductor module and semiconductor module manufacturing method | |
TW201248812A (en) | Flip-chip, face-up and face-down centerbond memory wirebond assemblies | |
KR20140028015A (ko) | 플립-칩, 페이스-업 및 페이스-다운 와이어본드 조합 패키지 | |
JP2001223326A (ja) | 半導体装置 | |
JP2001156251A (ja) | 半導体装置 | |
JP2003243605A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP2006228897A (ja) | 半導体装置 | |
JP4047819B2 (ja) | Bgaハンダ・ボールによる相互接続部およびその作製方法 | |
JP4052078B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2002343930A (ja) | 半導体装置 | |
US8344500B2 (en) | Integrated circuit package module and method of the same | |
JP2004152799A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP3824545B2 (ja) | 配線基板、それを用いた半導体装置、それらの製造方法 | |
JP2004363319A (ja) | 実装基板及び半導体装置 | |
JP2019050297A (ja) | 半導体装置 | |
JP2008211225A (ja) | 半導体パッケージ | |
JP2007234683A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2002270763A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070118 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070220 |