JP2004144488A - 半導体試験装置 - Google Patents

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Tadanobu Toba
鳥羽 忠信
Shuji Kikuchi
菊地 修司
Katsunori Hirano
平野 克典
Yuji Sonoda
其田 裕次
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Abstract

【課題】測定ユニットとパターンメモリとのインターフェイス数を大幅に削減し、半導体試験装置を小型化、低コスト化する。
【解決手段】パターン特徴抽出部2がテストパターンの特徴を抽出し、パターン変換部3が抽出したテストパターンの特徴を考慮してテストパターンの並び替え、スクランブルコードとともに出力する。パターンメモリ制御部5は、パターンメモリ4にアクセスし、パターン変換部3で変換されたテストパターンを読み出し、転送が必要な部分のみテスタ制御部6に転送する。テスタ制御部6は、読み出したテストパターンをスクランブルコードに基づいて復元し、試験波形を生成して被試験LSIに印加し、該被試験LSIの良否判定を行う。
【選択図】   図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、テストパターンを用いた半導体デバイスの試験技術に関し、特に、半導体試験装置の小型化、および低コスト化に適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図8は、本発明者が検討した半導体試験装置の概略構成である。
【0003】
図示するように、パターンシーケンサ50から生成されるパターンアドレスを基にパターンメモリ51を読み出し、このパターンメモリ51に格納されている印加・期待値情報、およびタイミング生成情報をピンファンクション52へ出力する。
【0004】
ピンファンクション52とドライバ53は、試験データを基に電気信号に変換し、試験対象である被試験LSIへ印加し、該被試験LSIの出力をコンパレータ54からピンファンクション52へ入力して期待値と比較し良否を判定する。
【0005】
このような半導体試験装置では、被試験LSIへの試験パターンをテストレートにも対応できる高速動作可能な測定ユニットへ与えることで試験を可能にしている。
【0006】
最近の半導体製造において、SoC(System On Chip)に代表される複雑で大規模なLSIのテストは、テスト項目も莫大になり、テストパターン量が増大しておりテストコストを引き上げている。このような半導体のテストコストの高まりは、試験装置への低コスト、小形化への要求を強くしている。
【0007】
半導体試験装置は、ピン毎にタイミング制御や被試験LSIへの印加、被試験LSIからの出力と期待値との比較を行う必要があり、それぞれに専用LSIで実現していた。
【0008】
そのため、被試験LSIのピン数増加に伴い、該被試験LSIとの接続ピン数が増大し、半導体試験装置を構成するLSI数が増え、該半導体試験装置のコストを上昇させていることから、コスト上昇を抑えるための測定ユニット部分の高集積化は必然的である。
【0009】
また、上記したような試験機能の高集積化は、従来試験装置と併用する形の外付け試験モジュールの実現を可能にする。図9に試験装置の測定ユニットの主要機能である、パターン発生器(PG)55とタイミング発生器(TG)56とに着目した集積化の概念を示す。
【0010】
図9は、従来の測定ユニットの構成を示している。この場合、PG55、TG56は、別チップでそれぞれ構成されており、TG56についても1ピンもしくは、2ピン単位にチップ化されている。
【0011】
また、半導体試験装置において、パターンメモリへの格納方法を圧縮し、パターンメモリの使用量を削減することで、低コスト化に対応する特許の例として、特開平5−99985号公報や特開2002−22811号公報などが知られている。
【0012】
これらは、ピン方向に見た時のパターンの相違やパターン方向(時間方向)に見た時のパターンの相違に着目し、同一パターン部分の重複を削除する方法である。
【0013】
特開平5−99985号公報は、テストパターンの組み合わせを記憶する手段を設け、この記憶手段へのインデックスをパターンメモリに格納することでパターンメモリの容量を削減する方法である。
【0014】
また、特開2002−22811号公報は、期待値パターンの不使用領域を利用することでパターンメモリを削減する方法である。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
すなわち、同一パターン部分の重複を削除する方法では、SoCなどの複数のユニットを持ち、動作シーケンスも複雑・多岐に渡る被試験LSIの試験において、パターンの組み合わせが膨大になる上、パターンメモリとのインターフェイス数が削減されない。
【0016】
また、組み合わせパターンを記憶するメモリの容量に制約されることになり、パターンによっては、格納できるパターンメモリ量が従来構成より少なくなる可能性がある。
【0017】
さらに、期待値パターンの不使用領域を利用してパターンメモリを削減する技術では、印加パターンの削減が考慮されておらず、期待値パターンメモリの一部を削減するだけではパターン圧縮率は高くない上、パターンメモリとのインターフェイスの削減はできない。
【0018】
以上のように、従来方式ではパターンメモリへの格納方法を圧縮し、パターンメモリの使用量を削減することで、低コスト化に対応する方式が提案されている。しかし、パターンメモリの削減だけでは試験装置コスト低減効果が小さく、測定ユニット、特にピン毎に必要なタイミング制御・発生回路であるピンファンクション部(図1)の集積化による部品点数の削減が有効である。
【0019】
ただし、ピンファンクション部を集積化することは、集積化した測定ユニットで使用するパターンデータ量を増加することになり、パターンメモリとのインターフェイス数も増加する。インターフェイスの増加は、パッケージ、および実装時に制約となり、集積化できるピンファンクション数を制限する。したがって、低コスト・小形化を実現する為には、インターフェイス数が多いパターンメモリとのインターフェイス数削減は必須である。
【0020】
本発明の目的は、被試験LSIに試験波形を供給する測定ユニットとテストパターンが格納されたパターンメモリとのインターフェイス数を大幅に削減することにより、半導体試験装置を小型化することにある。
【0021】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体試験装置は、被試験LSIに印加する試験波形、および良品判定を行う期待値を含むテストパターンの特徴を抽出し、所望のフィールド長に該テストパターンを分割して並び替えるテストパターン抽出変換手段と、該テストパターン抽出変換手段が並び替えたテストパターンを格納するテストパターン格納手段と、該テストパターン格納手段に格納されたテストパターンを読み出し、更新されたフィールドを検出して出力するテストパターン制御手段と、異なるフィールドを出力するテストパターン制御手段と、該テストパターン制御手段から出力されたテストパターンを変換ルールにしたがって復元し、その復元したテストパターンに基づいて被試験LSIに印加する試験波形を生成する制御手段とを備えたものである。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【0023】
図1は、本発明の一実施の形態による半導体試験装置のブロック図、図2は、図1の半導体試験装置に設けられたパターンメモリ制御部、およびパターン復元処理部のブロック図、図3は、図1の半導体試験装置に設けられたパターン特徴抽出部、ならびにパターン変換部によるテストパターンの変換例を示す説明図、図4は、図3のパターン特徴抽出部、およびパターン変換部によるテストパターン処理のフローチャート、図5は、図1の半導体試験装置に設けられたパターン特徴抽出部、ならびにパターン変換部によるテストパターンの変換の他の例を示す説明図、図6は、図5のパターン特徴抽出部、およびパターン変換部によるテストパターン処理のフローチャート、図7は、図5のパターン特徴抽出部、ならびにパターン変換部によって変換されたテストパターンの復元例を示す説明図である。
【0024】
本実施の形態において、半導体試験装置1は、たとえば、SoCなどの被試験LSIにおけるテストを行う。半導体試験装置1は、図1に示すように、パターン特徴抽出部(テストパターン抽出変換手段)2、パターン変換部(テストパターン抽出変換手段)3、パターンメモリ(テストパターン格納手段)4、パターンメモリ制御部(テストパターン制御手段)5、およびテスタ制御部(測定制御手段)6から構成されている。
【0025】
パターン特徴抽出部2は、テストパターンの特徴を抽出する。このパターン特徴抽出部2にはパターン変換部3が接続されている。パターン変換部3は、パターン特徴抽出部2が抽出したテストパターンの特徴を考慮してテストパターンの並び替え、または圧縮変換を行い、後述するスクランブルコードとともに出力する。
【0026】
パターンメモリ4は、パターン変換部3から出力されるテストパターンを格納する。パターンメモリ制御部5は、パターンメモリ4にアクセスし、パターン変換部3で変換されたテストパターンを読み出し、転送が必要な部分のみテスタ制御部6に転送する。
【0027】
テスタ制御部6は、パターンメモリ制御部5がパターンメモリ4から読み出したテストパターンに基づいて被試験LSIに試験波形を与え、該被試験LSIから戻ってくる応答波形と、予め用意されている期待値とを比較し、該被試験LSIの良否判定を行う測定ユニットである。
【0028】
テスタ制御部6は、パターン復元処理部7、パターン発生器8、ピンファンクション(タイミング発生器)9、ドライバコンパレータ(ドライバ)10、ならびに変換テーブル11などから構成されており、これらが1チップなどに集積化されている。
【0029】
パターン復元処理部7は、パターンメモリ制御部5が読み出した並び替え、または圧縮変換されたテストパターンを変換テーブル11の変換ルールにしたがって復元する。
【0030】
パターンメモリ制御部6は、必要なパターンのみをパターン復元処理部7に転送するのでパターンデータ転送量を大幅に削減することができる。よって、インターフェイス数を削減しても従来のスループットを達成できる。
【0031】
また、前述したように、テスタ制御部6を1チップ化した半導体集積回路装置によって形成することにより、被試験LSIへの入出力インターフェースを大幅に増やすことができる。
【0032】
たとえば、テスタ制御部6を1チップ化した半導体集積回路装置に、64ビットの被試験LSIへの入出力インターフェースが設けられた場合、1024ピンの被試験LSIを試験する際には、該半導体集積回路装置が16個でよいことになる。
【0033】
さらに、32ピンなどのピン数の少ない被試験LSIでは、テスタ制御部6を1チップで形成した1つの半導体集積回路装置によって、2つ(あるいはそれ以上)の被試験LSIを接続することができるので、該被試験LSIを並列して試験することができ、試験効率を大幅に向上することができる。
【0034】
それらによって、半導体試験装置1の小型化、および試験コストの軽減を図ることができる。
【0035】
パターン発生器8は、パターン復元処理部7が復元したテストパターンに基づいて’1’、’0’のパターンを生成する。ピンファンクション9は、パターン発生器8が生成した’1’、’0’のパターンにタイミング情報を付加したパルス信号に変換するとともに、被試験LSIから出力された応答波形と期待値との判定を行う。
【0036】
ドライバコンパレータ10は、ピンファンクション9が生成したパルス信号を被試験LSIに印加する電気信号に変換するとともに、被試験LSIの応答信号を該ピンファンクション9に取り込む。
【0037】
変換テーブル11は、パターン復元処理部7がテストパターンを復元する際に用いる並べ替え規則を格納する。この並べ替え規則は、パターン変換部3がテストパターンを並べ替え、かつあるフィールド単位に分割した結果であり、パターンメモリ制御部6がテストパターンをパターン復元処理部7に出力する前に予め格納される。
【0038】
これにより、インターフェイスを削減するためにデータ変換、および並び替えされたテストパターンが格納されるパターンメモリ4から読み出したパターンデータをパターンメモリ制御部5が読み出し、テスタ制御部6に転送し、該テスタ制御部6は、変換テーブル11の変換ルールにしたがい、パターンを復元する。
【0039】
また、パターンメモリ制御部5、およびテスタ制御部6に設けられたパターン復元処理部7の内部構成について図2を用いて説明する。
【0040】
パターンメモリ制御部5は、メモリアクセス制御部12、第1データ記憶部13、第2データ記憶部14、比較部15、更新フィールド検出部16、およびデータ分割送出部(データ送出部)17から構成されている。
【0041】
メモリアクセス制御部12は、パターンメモリ4とのパターンデータにおけるリード/ライト制御を行う。第1データ記憶部13は、パターンメモリ4から転送される1テストサイクル分のパターンデータを一時受信し、記憶する。
【0042】
第2データ記憶部14は、第1データ記憶部13が記憶したパターンデータの1テストサイクル分前のパターンデータ(1テストサイクル分)を保存する。比較部15は、第1データ記憶部13、ならびに第2データ記憶部14に格納されたパターンデータの違いを検出する。更新フィールド検出部16は、第1データ記憶部13、ならびに第2データ記憶部14に格納されたパターンデータの中で更新、変更されたフィールドを検出する。
【0043】
データ分割送出部17は、更新フィールド検出部16の更新フィールド検出結果に基づいて、フィールドID、スクランブルインデックス、およびパターンデータ分割送出の制御を行う。
【0044】
さらに、パターン復元処理部7は、第3データ記憶部18、第4データ記憶部19、パターンマージ部20、デ・スクランブル処理部21、およびFIFO22から構成されている。
【0045】
第3データ記憶部18は、パターンメモリ制御部5から転送されるパターンデータを一時受信し、記憶する。第4データ記憶部19は、一転送サイクル前のデータを記憶する。
【0046】
パターンマージ部20は、データ分割送出部17から出力されるフィールドIDに基づいて1転送サイクル前のデータと更新データとをマージする。デ・スクランブル処理部21は、データ分割送出部17から出力されたスクランブルインデックスに基づいて変換テーブル11を参照し、該変換テーブル11に格納されるスクランブルコードを基に並べ替えを行い、被試験LSIへのテストパターンに復元する。
【0047】
FIFO22は、いわゆる先入れ先出し方式(First In FirstOut)のバッファからなり、タイミング発生器を含むピンファンクション部9とのタイミング調整を行う。
【0048】
この図2においては、パターンメモリ制御部5で変換後のテストパターンを入力し、まず、全フィールドを転送する。次のパターンデータから、1転送サイクル過去のパターンデータと入力したパターンデータを比較し、更新されているフィールドを検出する。検出した結果、更新フィールドのフィールド位置を示すフィールドIDを変換テーブル11のスクランブルコードを参照するスクランブルインデックスとともにテスタ制御部6へ転送する。
【0049】
テスタ制御部6は、受け取ったフィールドデータを1テストサイクル前のフィールド分割されたパターンデータと比較して更新が必要なフィールドのデータ置換を行い、スクランブルインデックスで指示される変換テーブル11のデータにしたがい、パターンデータをデ・スクランブルして復元する。
【0050】
一般的なテストパターンは、ピン毎に印加パターンと期待値パターンとを決め、テストサイクル(テストレート)毎に記述される。SoCなどに代表される最近の大規模LSIなどの被試験LSIは、いくつかの機能ブロックを1チップに収めているため、テストパターンも機能モジュール毎に定義されることが多い。
【0051】
そのため、注目する機能ブロックを動作させるための設定ピンについては、その機能ブロックのテストが終了するまでほとんど変化しない場合が多く、被試験LSIの入力専用ピンや出力専用ピンであれば、対象の被試験LSIに対して一度定義すれば、その被試験LSIを変えない限り、変更されることはなく、入出力切り替え可能ピンは、テストの内容にしたがって変更されるもので、テストレート毎に変化することは少ない。
【0052】
加えて、テスト内容によっては、一部のレジスタに対する細かな設定変更を加えたテストを連続で行う場合についても、当該レジスタの設定部分のみ頻繁に変更されることになる。期待値についても、全てのテスト項目毎に違う期待値を設定することは少なく、テスト条件を振った時に正常に動作するかを検証することがほとんどである。
【0053】
図3は、テストパターンにおける変換の一例を示す説明図である。図3の上方から下方にかけては、各ピンにおける自動生成されたテストパターンの変化、該テストパターンの変化頻度の検出結果、その検出結果に基づくパターンスクランブル、ならびに各ピン毎の固定長のフィールド分割をそれぞれ示している。
【0054】
図示するように、自動生成されたテストパターンの全データは、テストレート方向に変化頻度がそれぞれ検出される。そして、この変化頻度の分布を基にスクランブルが行われ、該変化頻度毎に並べ替えられたテストパターンをシステム仕様として定義したあるピン数毎に固定長のフィールドに分割する。
【0055】
これにより、変化頻度が大きいピンを特定フィールドに固めることになり、転送フィールド数を少なくすることが可能になり、転送スループットを上げることができる。
【0056】
図2におけるパターンメモリ制御部5からテスタ制御部6への転送フィールド数を削減できることになる。なお、フィールド分割単位は、固定長でなくてもよい。たとえば、変化頻度が高いピンを集めたフィールドの長さを短くすることで、変化するフィールド数が減り、転送するフィールド数を削減することが可能である。
【0057】
次に、本実施の形態における半導体試験装置1の作用について説明する。
【0058】
始めに、図3で説明した転送量削減方式を実現する、パターン特徴抽出部2、およびパターン変換部3の処理技術の一例を図4のフローチャートを用いて説明する。
【0059】
まず、パターン特徴抽出部2はテストパターンを読み込み(ステップS101)、パターンの変化しているピンを検出する(ステップS102)。この変化点を記録、保存し(ステップS103)、次のテストレートのパターンを読み込む(ステップS104)。
【0060】
これらステップS102〜S104の処理をテストパターンの終わりまで行い(ステップS105)、その後、パターン変換部3がパターンデータを変化頻度が多い順に並べ替え(ステップS106)、フィールド分割する(ステップS107)。
【0061】
そして、パターン変換部3は、変換したテストパターンをメモリパターン4に出力するとともに、並べ替えた順序とフィールド分割ルールとをスクランブルコードとして変換テーブル11に出力する(ステップS108)。
【0062】
また、パターン変換の際にハードウエアやソフトウエアのエラーにより、誤ったパターン変換が行われたり、パターンメモリへの書きこみ、読み出し時やテスタ制御部6へのパターン転送時のエラーによる誤りが発生する可能性があるため、変換前のテストパターンにパリティやECC(Error Correct Code)などのエラーチェックやエラーコレクトコードを付加することにより、信頼性を向上できる。
【0063】
なお、上記エラーチェック・コレクトコードなどのチェックコードは、もとのパターンのみではなく、処理単位、またはハードウエアユニット毎に付加、判定回路を設けることにより、より信頼性を向上することが可能である。
【0064】
また、図5は、テストパターンの特徴抽出方法、ならびに転送データ削減方法における他の例の説明図である。
【0065】
この場合、図5の上方に示すように、テストパターンを固定長のフィールドに分割する。次に、図5の下方に示すように、分割したフィールド毎にテストレート方向(テスト時間方向)に変化頻度を検出する。そして、その変化頻度にしたがってフィールド毎に並べ替えを行う。
【0066】
さらに、図5の転送量削減方式を実現する、パターン特徴抽出部2、およびパターン変換部3の処理方法のについて図6のフローチャートを用いて説明する。
【0067】
まず、パターン特徴抽出部2が入力されたテストパターンを読み込み(ステップS201)、決められた長さのフィールド長に分割する(ステップS202)。
【0068】
次に、パターン特徴抽出部2は、フィールド単位にテストレート方向に変化点を検出し(ステップS203)、変化頻度をフィールド毎に記録し(ステップS204)、次のテストレートのパターンを読み込む(ステップS205)。これをテストパターン終了まで行う(ステップS206)。
【0069】
そして、パターン変換部3が変化頻度にしたがってパターンデータの並べ替えを行う(ステップS207)。その後、パターン変換部3が並べ替えたテストパターンをメモリパターン4に出力するとともに、パターン特徴抽出部2が、並べ替え順序を含む変換ルールと並べ替えルールを選択するための検索IDとなるスクランブルコードとして出力する(ステップS208)。
【0070】
また、テスタ制御部6による図5におけるテストパターン復元の一例について図7を用いて説明する。
【0071】
まず、テストパターンの転送量を削減するテスタ制御部6に設けられたデ・スクランブル処理部21aの構成について説明する。
【0072】
デ・スクランブル処理部21aは、図7に示すように、マルチプレクス23、フィールドレジスタ24、ならびにスイッチング回路(スイッチング処理部)25などから構成されている。
【0073】
マルチプレクス23は、パターンメモリ制御部5から出力されたフィールドIDに基づいて、転送された更新フィールドをフィールドID順に並べ替えを行う。
【0074】
フィールドレジスタ24は、マルチプレクス23によって並び替えられたフィールドを記憶する。スイッチング回路25は、変換テーブル11に格納されたスクランブルコードに基づいて元のテストパターンデータに並べ替える。
【0075】
テストパターンデータは、パターン特徴抽出部2、ならびにパターン変換部3によって、あるフィールド単位毎にテストパターンの変化頻度にしたがった並べ替えが行われ、フィールド分割が行われた後、更新されたフィールドだけがテスタ制御部6に転送される。
【0076】
転送された該フィールドは、同時に送信されたフィールドIDに基づいて、マルチプレクス23が各フィールドの順に並び替えてフィールドレジスタ24に一旦格納する。
【0077】
そして、スイッチング回路は、パターン特徴抽出部2から出力されたスクランブルコードによって変換テーブル11を参照し、元のテスタパターンデータへのデータスイッチングを行う。
【0078】
これにより、更新されたフィールドだけをテスタ制御部6に転送することによって、転送量を削減することができるので、インターフェイス数を少なくしても必要なスループットを得ることができる。
【0079】
なお、この場合においてもフィールド分割単位は固定長でなくてもよく、たとえば、変化頻度が高いピンを集めたフィールドの長さを短くすることによって変化するフィールド数が減り、転送するフィールド数を削減することができる。
【0080】
それにより、本実施の形態によれば、タイミング発生器などを含むテスタ制御部6とパターンメモリ制御部5とのインターフェイス数を大幅に削減することができるので、被試験LSIに接続するテスタ制御部6の接続ピン数を大幅に増やすことができ、半導体試験装置1の低コスト、および小形化を実現することができる。
【0081】
本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0082】
さらに、前記実施の形態において開示した観点の代表的なものは次の通りである。
1.半導体試験装置であって、被試験LSIに印加する試験波形、および良品判定を行う期待値を含むテストパターンの特徴を抽出し、所望のフィールド長に前記テストパターンを分割して並び替えるテストパターン抽出変換手段と、前記テストパターン抽出変換手段が並び替えたテストパターンを格納するテストパターン格納手段と、前記テストパターン格納手段に格納されたテストパターンを読み出し、更新されたフィールドを検出して出力するテストパターン制御手段と、
前記テストパターン制御手段から出力されたテストパターンを変換ルールにしたがって復元し、前記復元したテストパターンに基づいて前記被試験LSIに印加する試験波形を生成する測定制御手段とを備えたものである。
2.前記第1項において、前記テストパターン抽出変換手段は、テストパターンの変化頻度を検出するパターン特徴抽出部と、前記パターン特徴抽出部が検出した変化頻度が大きい順に前記テストパターンを並べ替え、あるフィールド単位に分割するパターン変換部とよりなり、前記テストパターン制御手段は、前記テストパターン格納手段から読み出した1テストサイクル分のテストパターンを記憶する第1データ記憶部と、前記第1データ記憶部が記憶したテストパターンの1つ前のテストサイクルにおけるテストパターンを記憶する第2データ記憶部と、前記第1、および第2データ記憶部が記憶したテストパターンを比較する比較部と、前記比較部によりテストパターンの不一致が検出された際に、不一致となったテストパターンのフィールドを検出するフィールド検出部と、前記フィールド検出部により検出されたフィールドのテストパターンを出力するデータ送出部とを設け、前記測定制御手段は、前記テストパターンの並べ替え、および分割のルールを示したスクランブルコードを格納する変換テーブルと、前記データ送出部から出力された前記テストパターンを、前記変換テーブルに格納されたスクランブルコードに基づいて並び替え、テストパターンを復元するパターン復元処理部とを備えたものである。
3.前記第2項において、前記パターン復元処理部が、前記データ送出部から出力されるテストパターンを記憶する第3データ記憶部と、前記第3データ記憶部に記憶される1転送サイクル前のテストパターンを記憶する第4データ記憶部と、前記第3、ならびに第4データ記憶部に格納されたテストパターンをマージするパターンマージ部と、前記パターンマージ部から出力されたテストパターンを、前記変換テーブルに格納されたスクランブルコードに基づいて並び替え、テストパターンを復元するデ・スクランブル処理部とを備えたものである。
4.前記第1項において、前記テストパターン抽出変換手段は、テストパターンをあるフィールド単位に分割した後、前記フィールド単位毎の変化頻度を検出するパターン特徴抽出部と、前記パターン特徴抽出部が検出した変化頻度が大きい順に前記フィールド毎のテストパターンを並べ替えるパターン変換部とよりなり、前記テストパターン制御手段は、前記テストパターン格納手段から読み出したフィールド単位のテストパターンを記憶する第1データ記憶部と、前記第1データ記憶部が記憶したテストパターンの1つ前のフィールド単位におけるテストパターンを記憶する第2データ記憶部と、前記第1、および第2データ記憶部が記憶したテストパターンを比較する比較部と、前記比較部によりテストパターンの不一致が検出された際に、不一致となったテストパターンのフィールドを検出するフィールド検出部と、前記フィールド検出部により検出されたフィールドのテストパターンをフィールド情報とともに出力するデータ送出部とを設け、前記測定制御手段は、前記テストパターンの並べ替え、および分割のルールを示したスクランブルコードを格納する変換テーブルと、転送された各フィールドのテストパターンを、前記変換テーブルに格納されたスクランブルコードに基づいて並び替え、テストパターンを復元するデ・スクランブル処理部とを備えたものである。
5.前記第4項において、前記デ・スクランブル処理部は、転送された各フィールドのテストパターンを前記フィールド情報に基づいて並び替えるマルチプレクスと、前記マルチプレクスにより並び替えられた各フィールドのテストパターンを格納するフィールド格納部と、前記フィールド格納部に格納された各フィールドのテストパターンを、前記変換テーブルに格納されたスクランブルコードに基づいて並び替え、テストパターンを復元するスイッチング処理部とを備えたものである。
6.前記第1項〜前記第5項のいずれかにおいて、前記パターン変換部は、前記テストパターンを並べ替えた際に、前記スクランブルコードを出力するものである。
7.前記第1項〜前記第6項のいずれかにおいて、前記フィールドの長さが固定長よりなるものである。
8.前記第1項〜前記第7項のいずれかにおいて、前記フィールドの長さは不定長であり、前記フィールド長が変化頻度が高くなるにしたがって短くなるものである。
9.前記第1項〜前記第8項のいずれかにおいて、前記テストパターン抽出変換手段に出力するテストパターンにチェックコードを付加し、前記テストパターンが復元された際にエラーチェックやエラーコレクトを行うものである。
10.前記第9項において、前記テストパターンに付加されるチェックコードが、パリティビット、またはECCのいずれかよりなるものである。
11.前記第1項〜前記第10項のいずれかにおいて、前記測定制御手段は、前記パターン復元処理部が復元したテストパターンに基づいてパターンデータを生成するパターン発生器と、前記パターン発生器が生成したパターンデータから、試験波形を生成するタイミング発生器と、前記タイミング発生器が生成した試験波形を被試験LSIに印加するドライバとを備え、前記測定制御手段を1チップの半導体集積回路装置に形成したものである。
12.被試験LSIの試験方法であって、被試験LSIに印加する試験波形、および良品判定を行う期待値を含むテストパターンの特徴を抽出し、その抽出した特徴にしたがってあるフィールド長を1単位とするフィールド毎に前記テストパターンを分割して並び替え、異なるフィールドのテストパターンを出力し、前記テストパターンを変換ルールにしたがって復元したテストパターンを用いて試験波形を生成し、その試験波形を用いて被試験LSIを試験するものである。
13.被試験LSIの試験方法であって、テストパターンの変化頻度を検出し、その変化頻度が大きい順に前記テストパターンを並べ替えてあるフィールド単位に分割し、1テストサイクル分のテストパターンと、前記1テストサイクル分のテストパターンの1つ前のテストサイクルとを比較してテストパターンの不一致が検出された際に、不一致となったフィールドのテストパターンをスクランブルコードに基づいて並び替え、復元したテストパターンを用いて試験波形を生成し、その試験波形を用いて被試験LSIを試験するものである。
14.被試験LSIの試験方法であって、テストパターンをあるフィールド単位に分割した後、変化頻度を検出し、変化頻度が大きい順にフィールド毎のテストパターンを並べ替え、フィールド単位のテストパターンとフィールド単位のテストパターンとを比較し、不一致が検出された際に、不一致となったフィールドのテストパターンをスクランブルコードに基づいて並び替えて復元したテストパターンを用いて試験波形を生成し、その試験波形を用いて被試験LSIを試験するものである。
【0083】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体試験装置における小型化、および低コスト化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態による半導体試験装置のブロック図である。
【図2】図1の半導体試験装置に設けられたパターンメモリ制御部、およびパターン復元処理部のブロック図である。
【図3】図1の半導体試験装置に設けられたパターン特徴抽出部、ならびにパターン変換部によるテストパターンの変換例を示す説明図である。
【図4】図3のパターン特徴抽出部、およびパターン変換部によるテストパターン処理のフローチャートである。
【図5】図1の半導体試験装置に設けられたパターン特徴抽出部、ならびにパターン変換部によるテストパターンの変換の他の例を示す説明図である。
【図6】図5のパターン特徴抽出部、およびパターン変換部によるテストパターン処理のフローチャートである。
【図7】図5のパターン特徴抽出部、ならびにパターン変換部によって変換されたテストパターンの復元例を示す説明図である。
【図8】本発明者が検討した半導体試験装置の概略を示す説明図である。
【図9】図8における測定ユニットの主要機能を示す概念図である。
【符号の説明】
1 半導体試験装置
2 パターン特徴抽出部(テストパターン抽出変換手段)
3 パターン変換部(テストパターン抽出変換手段)
4 パターンメモリ(テストパターン格納手段)
5 パターンメモリ制御部(テストパターン制御手段)
6 テスタ制御部(測定制御手段)
7 パターン復元処理部
8 パターン発生器
9 ピンファンクション(タイミング発生器)
10 ドライバコンパレータ(ドライバ)
11 変換テーブル
12 メモリアクセス制御部
13 第1データ記憶部
14 第2データ記憶部
15 比較部
16 更新フィールド検出部
17 データ分割送出部(データ送出部)
18 第3データ記憶部
19 第4データ記憶部
20 パターンマージ部
21 デ・スクランブル処理部
21a デ・スクランブル処理部
22 FIFO
23 マルチプレクス
24 フィールドレジスタ
25 スイッチング回路(スイッチング処理部)

Claims (11)

  1. 被試験LSIに印加する試験波形、および良品判定を行う期待値を含むテストパターンの特徴を抽出し、所望のフィールド長に前記テストパターンを分割して並び替えるテストパターン抽出変換手段と、
    前記テストパターン抽出変換手段が並び替えたテストパターンを格納するテストパターン格納手段と、
    前記テストパターン格納手段に格納されたテストパターンを読み出し、更新されたフィールドを検出して出力するテストパターン制御手段と、
    前記テストパターン制御手段から出力されたテストパターンを変換ルールにしたがって復元し、前記復元したテストパターンに基づいて前記被試験LSIに印加する試験波形を生成する測定制御手段とを備えたことを特徴とする半導体試験装置。
  2. 請求項1記載の半導体試験装置において、
    前記テストパターン抽出変換手段は、
    テストパターンの変化頻度を検出するパターン特徴抽出部と、
    前記パターン特徴抽出部が検出した変化頻度に従い前記テストパターンを並べ替え、あるフィールド単位に分割するパターン変換部とよりなり、
    前記テストパターン制御手段は、
    前記テストパターン格納手段から読み出した1テストサイクル分のテストパターンを記憶する第1データ記憶部と、
    前記第1データ記憶部が記憶したテストパターンの1つ前のテストサイクルにおけるテストパターンを記憶する第2データ記憶部と、
    前記第1、および第2データ記憶部が記憶したテストパターンを比較する比較部と、
    前記比較部によりテストパターンの不一致が検出された際に、不一致となったテストパターンのフィールドを検出するフィールド検出部と、
    前記フィールド検出部により検出されたフィールドのテストパターンを出力するデータ送出部とを設け、
    前記測定制御手段は、
    前記テストパターンの並べ替え、および分割のルールを示したスクランブルコードを格納する変換テーブルと、
    前記データ送出部から出力された前記テストパターンを、前記変換テーブルに格納されたスクランブルコードに基づいて並び替え、テストパターンを復元するパターン復元処理部とを備えたことを特徴とする半導体試験装置。
  3. 請求項2記載の半導体試験装置において、
    前記パターン復元処理部が、
    前記データ送出部から出力されるテストパターンを記憶する第3データ記憶部と、
    前記第3データ記憶部に記憶される1転送サイクル前のテストパターンを記憶する第4データ記憶部と、
    前記第3、ならびに第4データ記憶部に格納されたテストパターンをマージするパターンマージ部と、
    前記パターンマージ部から出力されたテストパターンを、前記変換テーブルに格納されたスクランブルコードに基づいて並び替え、テストパターンを復元するデ・スクランブル処理部とを備えたことを特徴とする半導体試験装置。
  4. 請求項1記載の半導体試験装置において、
    前記テストパターン抽出変換手段は、
    テストパターンをあるフィールド単位に分割した後、前記フィールド単位毎の変化頻度を検出するパターン特徴抽出部と、
    前記パターン特徴抽出部が検出した変化頻度に従い前記フィールド毎のテストパターンを並べ替えるパターン変換部とよりなり、
    前記テストパターン制御手段は、
    前記テストパターン格納手段から読み出したフィールド単位のテストパターンを記憶する第1データ記憶部と、
    前記第1データ記憶部が記憶したテストパターンの1つ前のフィールド単位におけるテストパターンを記憶する第2データ記憶部と、
    前記第1、および第2データ記憶部が記憶したテストパターンを比較する比較部と、
    前記比較部によりテストパターンの不一致が検出された際に、不一致となったテストパターンのフィールドを検出するフィールド検出部と、
    前記フィールド検出部により検出されたフィールドのテストパターンをフィールド情報とともに出力するデータ送出部とを設け、
    前記測定制御手段は、
    前記テストパターンの並べ替え、および分割のルールを示したスクランブルコードを格納する変換テーブルと、
    転送された各フィールドのテストパターンを、前記変換テーブルに格納されたスクランブルコードに基づいて並び替え、テストパターンを復元するデ・スクランブル処理部とを備えたことを特徴とする半導体試験装置。
  5. 請求項4記載の半導体試験装置において、
    前記デ・スクランブル処理部は、
    転送された各フィールドのテストパターンを前記フィールド情報に基づいて並び替えるマルチプレクスと、
    前記マルチプレクスにより並び替えられた各フィールドのテストパターンを格納するフィールド格納部と、
    前記フィールド格納部に格納された各フィールドのテストパターンを、前記変換テーブルに格納されたスクランブルコードに基づいて並び替え、テストパターンを復元するスイッチング処理部とを備えたことを特徴とする半導体試験装置。
  6. 請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体試験装置において、前記パターン変換部は、前記テストパターンを並べ替えた際に、前記スクランブルコードを出力することを特徴とする半導体試験装置。
  7. 請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体試験装置において、前記フィールドの長さが、固定長であることを特徴とする半導体試験装置。
  8. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体試験装置において、前記フィールドの長さは不定長であり、前記フィールド長が変化頻度が高くなるにしたがって短くなることを特徴とする半導体試験装置。
  9. 請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体試験装置において、前記テストパターン抽出変換手段に出力するテストパターンにチェックコードを付加し、前記テストパターンが復元された際にエラーチェックやエラーコレクトを行うことを特徴とする半導体試験装置。
  10. 請求項9記載の半導体試験装置において、前記テストパターンに付加されるチェックコードが、パリティビット、またはECCのいずれかであることを特徴とする半導体試験装置。
  11. 請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体試験装置において、
    前記測定制御手段は、
    前記パターン復元処理部が復元したテストパターンに基づいてパターンデータを生成するパターン発生器と、
    前記パターン発生器が生成したパターンデータから、試験波形を生成するタイミング発生器と、
    前記タイミング発生器が生成した試験波形を被試験LSIに印加するドライバとを備え、
    前記測定制御手段を1チップの半導体集積回路装置に形成したことを特徴とする半導体試験装置。
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