JP2004138861A - フォトマスク、及び露光方法 - Google Patents
フォトマスク、及び露光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004138861A JP2004138861A JP2002304002A JP2002304002A JP2004138861A JP 2004138861 A JP2004138861 A JP 2004138861A JP 2002304002 A JP2002304002 A JP 2002304002A JP 2002304002 A JP2002304002 A JP 2002304002A JP 2004138861 A JP2004138861 A JP 2004138861A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- pattern
- mask
- area
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
【構成】マルチチップマスク12には、複数のチップパターンAが露光装置10の最大露光エリアに形成され、その周囲にチップパターンB、C、D、Eが形成されている。このため、異なる種類のチップパターンを一度でウエハ20に露光することができる。また、チップパターンAのみを露光エリアを最大限に利用して露光することができる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウエハにチップパターンを露光するためのフォトマスク、及び露光方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
チップを量産する前には、必ずチップを試作し、試作品のチップの評価を行う。チップを試作するためには、試作品のチップに対応するチップパターンが形成されたレチクルマスク(フォトマスクの一態様)を製作する必要がある。
【0003】
従来は、試作用のレチクルマスクとして、図15(a)に示すように、同一種類のチップパターンAのみが形成されたレチクルマスク100、図15(b)に示すように、複数種類のチップパターンA、B、Cが同じ比率で形成されたレチクルマスク(マルチチップマスク)102等が使用されてきた。
【0004】
レチクルマスク100は、問題がなければ、試作用をそのまま量産用として使用できるという利点がある。しかし、チップパターンAに問題が見つかると、チップパターンAに替わるチップパターンを試作するためのレチクルマスクを再度設計し、製造しなければならないので、量産に移行するまでに時間がかかってしまう。また、マルチチップマスク102は、量産で露光装置の露光エリアを最大限に利用するためには、量産用に再度マスクを設計し、製造することが必要となるので、コストアップになるという問題があった。
【0005】
また、図16に示すように、複数(図16では4種類)のパターンの異なるチップが形成されたマルチチップマスク104の得たいチップのみを投影レンズ106を使用してウエハ108に露光するという方法(例えば、特許文献1、2参照)、マルチチップマスクの得たいチップ以外の露光エリアを遮光し、得たいチップのみをウエハに露光するという方法も考案されている。
【0006】
しかしながら、これらの方法は、露光エリアを最大限に利用できないので、ウエハ処理時間が増大するという問題があった。
【0007】
【特許文献1】
特開平11−305418号公報
【特許文献2】
特開平06−020911号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記事実を考慮してなされたものであり、試作、量産を同一のフォトマスクで行うと共に露光エリアを最大限に利用して露光を行うことを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載のフォトマスクは、露光装置の最大露光エリアに同一の第1チップパターンが複数形成されたメインマスクパターンと、前記メインマスクパターンに隣接して第1チップパターンとは異なる第2チップパターンが形成されたサブマスクパターンと、を有することを特徴とする。
【0010】
請求項1に記載のフォトマスクでは、露光装置の最大露光エリアとなるメインマスクパターンに、同一の第1チップパターンが複数形成され、メインマスクパターンに隣接して設けられたサブマスクパターンに、第1チップパターンとは異なる第2チップパターンが形成されている。
【0011】
このため、第1チップパターンと第2チップパターンを一度でウエハに露光でき、一緒に評価できる。さらに、同一の第1チップパターンのみを露光する場合、露光装置の最大露光エリアを露光することができるので、露光エリアを無駄にすることがなく、ウエハ処理時間を短縮することができる。
【0012】
請求項2に記載のフォトマスクは、前記メインマスクパターンは、量産用のマスクであることを特徴とする。
【0013】
請求項2に記載のフォトマスクでは、チップの試作で第1チップパターンを評価して量産の仕様を満足していれば、量産用にフォトマスクを再設計、再製作する必要がないので、チップの開発期間の短縮、フォトマスクのコストダウンが可能となる。
【0014】
請求項3に記載のフォトマスクは、請求項1又は2に記載のフォトマスクであって、前記メインマスクパターンが中央に設けられ、前記サブマスクパターンが前記メインマスクパターンの周囲に設けられたことを特徴とする。
【0015】
請求項3に記載のフォトマスクでは、メインマスクパターンが中央に設けられ、サブマスクパターンがメインマスクパターンの周囲に設けられている。例えば、サブマスクパターンの面積がメインマスクパターンと同等の場合、メインマスクパターンに隣接したある1箇所のエリアに集中してサブマスクパターンを設けると、横長のマスクとなり、上下に無駄な領域が生じる。しかし、サブマスクパターンをメインマスクパターンの周囲に分散して設けることによって、フォトマスクの面積を有効に利用でき無駄な領域も生じない。従って、フォトマスクの1枚当りのコストが下がる。
【0016】
請求項4に記載の露光方法は、ウエハに請求項1乃至3の何れかに記載のフォトマスクを用いて、チップパターンを露光する露光方法において、露光装置の最大露光エリアを前記メインマスクパターンの一部と前記サブマスクパターンに合わせて前記第1チップパターンと前記第2チップパターンを同時に前記ウエハに露光する第1工程と、前記露光装置の最大露光エリアを前記メインマスクパターンのみに合わせて前記第1チップパターンのみを前記ウエハに露光する第2工程と、を有することを特徴とする。
【0017】
請求項4に記載の露光方法では、第1工程で、露光装置の最大露光エリアをメインマスクパターンの一部とサブマスクパターンに合わせて第1チップパターンと第2チップパターンを同時にウエハに露光する。第2工程で、露光装置の最大露光エリアをメインマスクパターンのみに合わせて第1チップパターンのみをウエハに露光する。
【0018】
これによって、第1工程では、第1チップパターンと第2チップパターンという異なる種類のチップパターンを評価することができる。そして、第1チップパターンに問題が無ければ、第2工程では、露光装置の露光エリアを無駄にすることなく第1チップパターンのみをウエハに露光することができる。これによって、ウエハ処理時間が短縮される。
【0019】
また、第1チップパターンに問題が無ければ、第1工程から第2工程に移行するにあたって、フォトマスクの再設計、再製作を要しないので、開発期間の短縮、フォトマスクのコストダウンが可能となる。
【0020】
そして、第1工程で第1チップパターンに問題があり、サブマスクパターンの第2チップパターンに問題がなければ、直ちに第2チップパターンが露光装置の最大露光エリアに形成されたフォトマスクの設計、製造を行えばよい。このため、メインマスクパターンのみをフォトマスクに形成した場合と比して、チップの開発期間が短縮される。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下に図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。
【0022】
図1に示すように、露光装置10では、レチクルマスク(フォトマスクの一態様)に複数種類のチップパターンが縦横に多数形成されたマルチチップマスク12が、レチクルステージ14上にセットされている。レチクルステージ14の下方には、投影レンズ16、ウエハステージ18が設けられている。このウエハステージ18上にウエハ20がセットされている。
【0023】
この露光装置10では、マルチチップマスク12の最大露光エリア(図中、網掛けで図示)に光を入射させ、チップパターンを露光する。チップパターンの露光像は、投影レンズ16で縮小されウエハ20に転写される。
【0024】
この際、レチクルステージ14を図中A方向、B方向に移動させて光の入射領域を変えると共に、ウエハステージ18を図中C方向、D方向に移動させることによって、複数種類のチップパターンがウエハ20の所定位置に転写される。
【0025】
図2に示すように、マルチチップマスク12には、5種類のチップパターンA、B、C、D、Eが形成されている。マルチチップマスク12の中央には、縦横に3個ずつ合計9個のチップパターンAが配置されている。この9個のチップパターンAが配置されたメインマスクパターンであるところのエリア22(太線で図示)は、露光装置10の最大露光エリアとなっている。
【0026】
そして、エリア22の周囲のサブサブマスクパターンであるところのエリア24には、エリア22の左側に3個のチップパターンBが縦列して配置され、エリア22の上側に3個のチップパターンCが横列して配置されている。また、エリア22の右側に3個のチップパターンDが縦列して配置され、エリア22の下側には3個のチップパターンEが横列して配置されている。
【0027】
例えば、エリア24をエリア22に隣接したある1箇所に集中して設けてしまうと、チップパターンが配置されたエリアが横長になってしまい、マスクの上下に無駄な領域ができてしまう。しかし、エリア24をエリア22の周囲に分散して形成することによって、マルチチップマスク12の面積を有効に利用でき、無駄な領域も生じない。従って、マルチチップマスク12の1枚当りのコストを下げることができる。
【0028】
ここで、チップパターンA、B、C、D、Eは、全て広帯域型のオペアンプ回路であり、これらの構成を図3〜7を参照して説明する。
【0029】
図3に示すように、チップパターンAは、トランジスタQ1、Q2、…、Q22、抵抗R1、R2、…、R29、キャパシタC1を含み、図示しない外部の回路からの入力データDINを増幅して出力データRDを出力する。
【0030】
このチップパターンAには、抵抗R21が含まれているが、抵抗R21の一端がオープンになっている。このため、抵抗R21は回路動作に実質的に寄与していない。
【0031】
図4に示すように、チップパターンBは、トランジスタQ1、Q2、…、Q22、抵抗R1、R2、…、R29、キャパシタC1、C2を含み、チップパターンAにキャパシタC2が増設された構成(図中点線で囲まれた部分)になっている。チップパターンAと同様に、図示しない外部の回路からの入力データDINを増幅して出力データRDを出力する。
【0032】
図5に示すように、チップパターンCは、トランジスタQ1、Q2、…、Q22、抵抗R1、R2、…、R29、キャパシタC1、C2、C3を含み、チップパターンBにキャパシタC3が増設された構成(図中点線で囲まれた部分)になっている。そして、チップパターンA、Bと同様に、図示しない外部の回路からの入力データDINを増幅して出力データRDを出力する。
【0033】
図6に示すように、チップパターンDは、トランジスタQ1、Q2、…、Q22、抵抗R1、R2、…、R29、キャパシタC1を含み、チップパターンAとは、図中点線で囲まれた部分の構成が相違する。チップパターンDは、抵抗R21の両端部が他の素子に接続されているので、抵抗21は回路動作に寄与している。しかし、チップパターンA、B、Cと同様に、図示しない外部の回路からの入力データDINを増幅して出力データRDを出力する。
【0034】
図7に示すように、チップパターンEは、トランジスタQ1、Q2、…、Q22、抵抗R1、R2、…、R29、キャパシタC1、C2を含み、チップパターンDにキャパシタC2が増設された構成(図中点線で囲まれた部分)になっている。
【0035】
以上、チップパターンA、B、C、D、Eは、図3〜7中の点線で囲まれた部分のパターン構成が異なるが、同一機能を有し、このチップパターンA、B、C、D、Eの中から量産に適した電気的特性を示すチップパターンを選択することとなる。
【0036】
次に、図8のフローチャートを参照して、チップの製造工程について説明する。
【0037】
まず、ステップ200に進んで量産するチップの仕様値を設定する。次に、ステップ202に進んで量産するチップをチップパターンAに対応するチップAと推定する。このチップAは、本フローが開始される以前に評価され電気的特性が確認されており、その評価時の電気的特性がステップ200で設定された仕様値を満足する。
【0038】
次に、ステップ204に進んでチップパターンB、C、D、Eのデバイス設計を行う。ここでは、コンピュータ、設計用ソフトウェアを使用してチップパターンAと同一機能を有し、ステップ200で設定された仕様値を満足するようなチップパターンB、C、D、Eを設計する。
【0039】
次に、ステップ206に進んでチップパターンAと、ステップ204で設計されたチップパターンB、C、D、Eを図2に示すように配置したマルチチップマスク12のマスクデータの作成を行う。
【0040】
次に、ステップ208に進んでマルチチップマスク12の製造を行う。まず、ステップ206で作成されたマスクデータがマスク描画装置のデータ制御部(図示省略)に転送されてくる。そして、レジスト付マスクブランク(図示省略)をマスク描画装置にセットし、レジスト付マスクブランクのレジストにパターン描画データを露光描画する。その後、パターン現像工程等を経てパターンが形成され、パターン検査工程、パターン修正工程等を経てマルチチップマスク12の製造が終了する。
【0041】
次に、ステップ210に進んで、ウエハ20の処理を行う。まず、図1に示すように、マルチチップマスク12を図中A方向及びB方向に移動させて露光装置10の最大露光エリアに、図9(a)に示すマルチチップマスク12の3個のチップパターンBを左端部に含み、その右側に6個のチップパターンAを含むエリア26(図中太線で図示)を合わせる。
【0042】
そして、図1に示すように、ウエハステージ18を図中C方向及びD方向に移動させて露光装置10の露光領域を、図9(b)に示すウエハ20の左上部のウエハ領域28に合わせる。そして、エリア26を露光することによって、チップパターンA、Bの露光像がウエハ領域28に転写される。
【0043】
次に、図10(a)に示すように、マルチチップマスク12の3個のチップパターンCを上端部に含み、その下側に6個のチップパターンAを含むエリア30を、図10(b)に示すウエハ領域28の右隣であるウエハ領域32に、即ち、ウエハ20の転写領域を反時計回りにシフトして露光する。
【0044】
同様にして、図11(a)に示すチップパターンD、Aを含むエリア34を、図11(b)に示すウエハ領域32から反時計回りにシフトされたウエハ領域36に露光し、図12(a)に示すチップパターンE、Aを含むエリア38を、図12(b)に示すウエハ領域36から反時計回りにシフトされたウエハ領域40に露光する。
【0045】
チップパターンA、B、C、D、Eの露光が完了しウエハ20の検査が終了すると、ステップ212に進んで、試作チップの組立、封止処理を行う。ここでは、バックグラインディング工程、ダイシング工程等の種々の工程を経て、チップパターンA、B、C、D、Eにそれぞれ対応する試作品チップA、B、C、D、Eが完成する。
【0046】
ここで、図12(b)に示すように、チップAは、他のチップよりも多数製作される。これによって、試作品チップAを製作する期間を短縮できるので、試作品チップAの納期を確保できる。
【0047】
そして、ステップ214に進んで、試作品チップA、B、C、D、Eの評価、判定を行う。ここで、チップAがステップ200で設定された量産チップの仕様値を満足すれば、チップAを量産するという判定がされ、ステップ216に進んでチップAの量産が行われる。
【0048】
ここで、図2に示すように、試作時に用いられたマルチチップマスク12のチップパターンAが形成されたエリア22は、露光装置10の最大露光エリアと同じ広さとなっている。このため、マルチチップマスク12を量産でそのまま使用し、エリア22を露光することによって、露光装置10の露光領域を無駄にすることなく、チップパターンAをウエハ20に転写していくことができる。
【0049】
また、レチクルマスクを量産用に再設計、再製作する必要がないので、試作ステージから量産ステージへの移行を短期間で行うことができる。また、レチクルマスクの再製作にかかる費用を削減できる。
【0050】
また、ステップ214でチップパターンAの判定がOKであった場合は、チップAの量産とは別に、ステップ218でチップB、C、D、Eの評価データを記録する。このデータは、次期の開発に役立てられる。
【0051】
これに対して、ステップ214で判定がNGであった場合は、評価を行ったチップB、C、D、Eの中からチップAに替わって量産するチップを絞り込む。ここで、チップB、C、D、Eの中で、電気的特性が仕様値を満足し、且つ量産に最も適するチップをチップBとする。
【0052】
そして、図13の製造フローに示すように、ステップ222に進んで図14に示すチップBのレチクルマスク50を設計する。ここでは、チップBに対応するチップパターンBのみを露光装置10の最大露光エリアに形成する。そして、ステップ224でレチクルマスク50を製造し、ステップ226に進んでウエハ処理を行う。ここでは、チップパターンBのみをウエハ52に露光する。
【0053】
そして、ステップ228に進んで、組立・封止処理を行い、試作品のチップBを製作し、ステップ230で、チップBの評価、判定を行う。チップBの電気的特性が、量産チップの仕様値を満足すれば、チップBを量産するという判定がされ、ステップ232に進んでチップBの量産が行われる。
【0054】
以上、チップBの製造フローを説明したが、チップAのNG判定の後、直ちにチップAに替えるためのチップB、C、D、Eを評価することになっている。これは、チップAの試作時に使用されたマルチチップマスク12にチップパターンB、C、D、Eが形成されていることによる。これによって、チップAのNG判定からチップBの量産開始までの期間が短縮されている。
【0055】
なお、本実施形態では、チップパターンB、C、D、Eを全てチップパターンAと同一機能を有し、量産チップに対応するチップパターンを5種類の中から選択するという例を取って説明したが、これに限らず、チップパターンB、C、D、Eの何れかをチップパターンAとは全く機能が異なるチップパターンとしてもよい。
【0056】
この場合、評価したい新規回路を同一のマルチチップマスクに形成して試作、評価することによって、次期のチップ開発の期間を短縮することができる。また、ここで評価したことによって、本実施形態のチップパターンAのように、量産チップに対応するチップパターンとして推定することができる。
【0057】
【発明の効果】
本発明は上記構成としたので、試作、量産を同一のフォトマスクで行うことができると共に、露光装置の露光エリアを最大限に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態に係る露光装置を示す斜視図である
【図2】本実施形態に係るマルチチップマスクを示す図である
【図3】本実施形態に係るマルチチップマスクに形成されたチップパターンAの構成を示す回路図である。
【図4】本実施形態に係るマルチチップマスクに形成されたチップパターンBの構成を示す回路図である。
【図5】本実施形態に係るマルチチップマスクに形成されたチップパターンCの構成を示す回路図である。
【図6】本実施形態に係るマルチチップマスクに形成されたチップパターンDの構成を示す回路図である。
【図7】本実施形態に係るマルチチップマスクに形成されたチップパターンEの構成を示す回路図である。
【図8】本実施形態に係るマルチチップマスクを用いて製造されるチップAの製造フローを示すフローチャートである。
【図9】(a)本実施形態に係るマルチチップマスクを示す図である。
(b)本実施形態に係るウエハを示す図である。
【図10】(a)本実施形態に係るマルチチップマスクを示す図である。
(b)本実施形態に係るウエハを示す図である。
【図11】(a)本実施形態に係るマルチチップマスクを示す図である。
(b)本実施形態に係るウエハを示す図である。
【図12】(a)本実施形態に係るマルチチップマスクを示す図である。
(b)本実施形態に係るウエハを示す図である。
【図13】本実施形態に係るマルチチップマスクを用いて製造されるチップBの製造フローを示すフローチャートである。
【図14】(a)本実施形態に係るマルチチップマスクを示す図である。
(b)本実施形態に係るウエハを示す図である。
【図15】(a)従来例に係るフォトマスクを示す図である。
(b)従来例に係るフォトマスクを示す図である。
【図16】従来例に係る露光装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
10 露光装置
12 マルチチップマスク(フォトマスク)
20 ウエハ
22 エリア(メインマスクパターン)
24 エリア(サブマスクパターン)
Claims (4)
- 露光装置の最大露光エリアに同一の第1チップパターンが複数形成されたメインマスクパターンと、
前記メインマスクパターンに隣接して第1チップパターンとは異なる第2チップパターンが形成されたサブマスクパターンと、
を有することを特徴とするフォトマスク。 - 前記メインマスクパターンは、量産用のマスクであることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記メインマスクパターンが中央に設けられ、前記サブマスクパターンが前記メインマスクパターンの周囲に設けられたことを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスク。
- ウエハに請求項1乃至3の何れかに記載のフォトマスクを用いて、チップパターンを露光する露光方法において、
露光装置の最大露光エリアを前記メインマスクパターンの一部と前記サブマスクパターンに合わせて前記第1チップパターンと前記第2チップパターンを同時に前記ウエハに露光する第1工程と、
前記露光装置の最大露光エリアを前記メインマスクパターンのみに合わせて前記第1チップパターンのみを前記ウエハに露光する第2工程と、
を有することを特徴とする露光方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002304002A JP3614839B2 (ja) | 2002-10-18 | 2002-10-18 | フォトマスク、及び露光方法 |
US10/673,572 US7150948B2 (en) | 2002-10-18 | 2003-09-30 | Photomask and method for exposing chip pattern |
US11/592,149 US7303843B2 (en) | 2002-10-18 | 2006-11-03 | Photomask and method for exposing chip pattern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002304002A JP3614839B2 (ja) | 2002-10-18 | 2002-10-18 | フォトマスク、及び露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004138861A true JP2004138861A (ja) | 2004-05-13 |
JP3614839B2 JP3614839B2 (ja) | 2005-01-26 |
Family
ID=32211556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002304002A Expired - Fee Related JP3614839B2 (ja) | 2002-10-18 | 2002-10-18 | フォトマスク、及び露光方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7150948B2 (ja) |
JP (1) | JP3614839B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3614839B2 (ja) * | 2002-10-18 | 2005-01-26 | 沖電気工業株式会社 | フォトマスク、及び露光方法 |
US7302673B2 (en) * | 2005-09-15 | 2007-11-27 | International Business Machines Corporation | Method and system for performing shapes correction of a multi-cell reticle photomask design |
US9005848B2 (en) * | 2008-06-17 | 2015-04-14 | Photronics, Inc. | Photomask having a reduced field size and method of using the same |
US9005849B2 (en) * | 2009-06-17 | 2015-04-14 | Photronics, Inc. | Photomask having a reduced field size and method of using the same |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01239555A (ja) | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Rohm Co Ltd | ガラスマスク |
JPH02127640A (ja) | 1988-11-07 | 1990-05-16 | Nec Kyushu Ltd | レティクル |
JPH0620911A (ja) | 1992-07-03 | 1994-01-28 | Nec Corp | 縮小投影露光方法 |
JPH09134870A (ja) | 1995-11-10 | 1997-05-20 | Hitachi Ltd | パターン形成方法および形成装置 |
JPH11305418A (ja) | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | レチクルマスク、半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP3614839B2 (ja) * | 2002-10-18 | 2005-01-26 | 沖電気工業株式会社 | フォトマスク、及び露光方法 |
-
2002
- 2002-10-18 JP JP2002304002A patent/JP3614839B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-09-30 US US10/673,572 patent/US7150948B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-11-03 US US11/592,149 patent/US7303843B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7150948B2 (en) | 2006-12-19 |
US7303843B2 (en) | 2007-12-04 |
US20040091793A1 (en) | 2004-05-13 |
US20070048632A1 (en) | 2007-03-01 |
JP3614839B2 (ja) | 2005-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6602728B1 (en) | Method for generating a proximity model based on proximity rules | |
US7469401B2 (en) | Method for using partitioned masks to build a chip | |
US11138360B2 (en) | Semiconductor device with filler cell region, method of generating layout diagram and system for same | |
JP4628832B2 (ja) | フォトマスクデータベースパターンの不良検査方法 | |
JP2008096468A (ja) | パターン設計方法 | |
JP2002341513A (ja) | 露光用マスク及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP2006527398A (ja) | レチクルを設計し、半導体素子をレチクルで作製する方法 | |
KR20120007569A (ko) | 포토마스크 형성 방법, 이를 수행하는 프로그래밍된 명령을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체 및 마스크 이미징 시스템 | |
US7303843B2 (en) | Photomask and method for exposing chip pattern | |
US20020182549A1 (en) | Alternate exposure method for improving photolithography resolution | |
JP5979908B2 (ja) | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 | |
JP4022389B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
US6413685B1 (en) | Method of reducing optical proximity effect | |
JP2004012932A (ja) | マスクの製造方法、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP2004012722A (ja) | フォトマスク及びパターン作製方法及び半導体装置 | |
US20020182550A1 (en) | Optical mask correction method | |
KR100785186B1 (ko) | 설계 패턴의 작성 방법, 포토 마스크의 제조 방법,레지스트 패턴의 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR100816194B1 (ko) | 오피씨 모델 형성을 위한 반도체 장치 및 포토 마스크 | |
JP2007264475A (ja) | フォトマスクの作製方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2004047687A (ja) | 露光方法 | |
JPH11133585A (ja) | 露光用マスク及びその製造方法 | |
JP2001189254A (ja) | 露光用レチクル、露光方法並びに半導体素子 | |
JP2005283609A (ja) | 縮小投影露光装置用レチクル | |
JP4269559B2 (ja) | 半導体装置及びその設計方法 | |
JP2005284272A (ja) | マスクパターン補正方法、マスクパターン検証方法、フォトマスク製造方法および半導体装置製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20040209 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20040217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040420 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040610 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040713 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040909 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041026 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041027 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081112 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081112 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101112 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101112 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111112 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |