JP2004126216A - 電子写真用感光体の研磨方法及び研磨装置 - Google Patents

電子写真用感光体の研磨方法及び研磨装置 Download PDF

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古島 聡
Kazuhiko Takada
高田 和彦
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Abstract

【課題】電子写真感光体の研磨を、研磨スジ、研磨キズの発生を抑えて、かつ処理時間の短縮を実現する。
【解決手段】電子写真感光体の表面に研磨テープを加圧当接させるように配置されており、はじめに第一の研磨テープを用いて、次に第一の研磨テープよりも粗い第二の研磨テープで研磨することにより上記課題は達成される。
【選択図】   図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真用感光体(単に「感光体」とも言う)の表面層の研磨処理に関し、詳しくは、表面を精密に均一に研磨処理する方法と研磨装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、アモルファスシリコン系感光体(以下、アモルファスシリコンをa−Siと略記する)が実用化され10数年を経て、ますますその優れた耐磨耗性や耐熱性、光感度特性、無公害性などが向上している。
【0003】
しかし、プラズマCVD法によって導電性基体に作成されるa−Si系感光体の宿命として、わずかなゴミ、欠陥、ピット、介在物を基点に球状、乃至断面方向から見た場合、漏斗状、扇状に成長する異常成長突起がある。このa−Si系感光体の異常成長突起の形状を、図2に断面図で示す。
【0004】
図2を参照して述べると、a−Si系感光体200は、円筒状あるいは板状のアルミニウム合金などから成る導電性基板201の上に、グロー放電分解法などのプラズマCVD法により厚み20〜80μmのa−Si系光導電層204が形成され、その層上に例えばアモルファスシリコンカーバイド(a−SiC)、アモルファスカーボン(a−C)などから成る厚み0.1〜1μmの表面層205が積層されているものである。
【0005】
a−Si系感光体はその層構成によって、アナログ複写機、デジタル複写機等の用途に応じて適宜調整選択し決定される。さらに電子写真特性の調整を各種ドーパント元素や成膜パラメータの選択で行い、帯電能、残留電位、光感度、表面硬度、耐環境特性などが所要特性に改善されている。
【0006】
しかしながら、a−Si系感光体には、図2で示すように成膜途中で付着したゴミ等202を基点として異常成長突起203が多少なりとも発生し、それが感光体層表面に突起状となり、電子写真装置に組み込んだときにはクリーニングブレードを破損したり、そこを基点にトナーの融着が発生乃至成長するといった場合がある。それを解決するために、当初は導電性基体の洗浄度の向上、生産現場のクリーン度の向上といった基体精度を向上させて、ゴミ対策を試みてきた。
【0007】
こうした対応は、前述の異常成長欠陥が正常な感光体層部分に比べて耐電圧が低く、電子写真画像において黒点或いは白点状の画像欠陥となって現れて画像品質を低下させるという点もの改善には効果をあげたが、やはり、ブレードの欠けや、トナーの融着の発生を完全に無くすまでにはいたらなかった。
【0008】
上記のような問題の対策として、感光体表面の突起状の欠陥を研磨部材、具体的には研磨テープ等により研磨して除去する方法が提案され、実施されている。
【0009】
例えば、特許文献1には、a−Si系感光体の表面層を研磨する方法が開示されている。a−Si表面の研磨に関しての示唆が多いが、この方法によれば、異常成長突起の好適な研磨に関しての開示は不十分である。
【0010】
更に、特許文献2には、そのa−Si系感光体表面にあった突起を研磨して平坦化した、表面保護層が除去されて光導電層が露出した部分を後処理することに関して開示が有るが、突起を好適に平坦化する条件についての開示が無い。
【0011】
突起部分の研磨に関しては、特許文献3及び特許文献4に、a−Si感光体表面にある突起を研磨して平坦化するために、感光体を回転させて研磨テープを弾性ローラーに当接して研磨する方法や、研磨テープの送り量と弾性ローラーの侵入量を変化させて研磨する方法が開示されている。
【0012】
これらの方法で、感光体の表面突起を研磨して平坦化することはある程度可能であり、上述の課題に対しては一定の効果を得ることができる。
【0013】
しかし、高硬度なa−SiC系表面層やa−C系表面層が積層された感光体であっても、電子写真プロセスを繰り返し行う間に磨耗されて、突起部分だけでなく表面の微細形状も変化することになる。
【0014】
磨耗や摩擦と表面の微細形状の関係について、そのメカニズムは解明されていないが、微細形状が変化することにより、クリーニングブレードとの摩擦が変化し、クリーニング不良やブレード破損等が生じる場合がある。
【0015】
本発明者らは、このような場合に対応するために感光体表面の微細形状との相関について詳細に検討した結果、感光体使用初期の表面微細形状を一定粗さ以下にしておくことで、感光体の磨耗や摩擦の変化度合いが小さくなることが分かった。
【0016】
本発明は、突起を研磨するだけでなくドラム表面の微細形状も含めて精密に均一研磨し、微細形状を一定粗さ以下にするための研磨方法についてなされたものである。
【0017】
表面形状を含めて研磨する場合には、長時間におよぶ研磨が必要である。研磨時間を短縮するには、研磨テープの押し当て圧を強めることが望ましいが、研磨によるキズが生じやすくなるために、研磨屑や異物が研磨面に混入することを極力避けるようにしなければならない。また、突起部分は異常成長したものであるために、研磨工程において、特に押し当て圧が強くなるとハガレ落ちることがあり、それも研磨によるキズの原因となっている。
【0018】
さらに、微細形状を一定粗さ以下にするためには、研磨面での押し当て圧が分布を持たないようにしなければならない。研磨面での押し当て圧が分布を持つと偏摩耗の要因となり、歩留まりを低下させてしまうからである。押し当て圧を強くすると、押し当て圧の分布幅が広がるために、偏摩耗も生じやすくなるなど、調整が非常に難しい。
【0019】
【特許文献1】
特公平7−77702号公報
【特許文献2】
特開平7−64312号公報
【特許文献3】
特開2001−318479号公報
【特許文献4】
特開2001−318480号公報
【0020】
【発明が解決しようとする課題】
すなわち本発明の課題は、a−Si系感光体表面に発生した異常成長突起を他の良好な部分を傷つけることなく、その他良好な部分とほぼ平坦になるまで研磨し、さらには良好な部分の表面微細形状も含めて精密に均一研磨することができる良好な電子写真感光体の研磨装置及び研磨方法を提供することにある。
【0021】
本発明者らは上記のような課題を解決し、均一に微細形状まで研磨できる方法を得るに至った。
【0022】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するための本発明によれば、少なくともシリコン原子を母体とする非単結晶材料よりなる光導電層と、該光導電層上に形成され非単結晶材料よりなる表面層とが、順次積層されてなる電子写真用感光体に対して、該感光体の表面に2つの研磨テープを加圧当接させるように配置されており、その表面を、はじめに第一の研磨テープで研磨し、次に第一の研磨テープより粗い第二の研磨テープで研磨することを特徴とする研磨方法及び研磨装置が提供される。
【0023】
本発明においては、a−Si系感光体表面の異常成長突起を他の良好な部分を傷つけることなく、その他良好な部分とほぼ平坦にまで研磨し、さらにa−Si系感光体表面を均一に精密研磨し、原子間力顕微鏡(AFM)により10μm×10μmの視野でJIS B0601に準拠して計測される算術平均粗さ(Ra)が25nm以下となるまで研磨処理することができる。
【0024】
この研磨処理により、長期にわたり安定して高品位の画像を形成できる感光体を供給することが可能となる。
【0025】
具体的には、第1に成膜欠陥によるクリーニングブレードなどの損傷を防止でき、第2に長期にわたる使用中においても感光体の滑りが変化しないために、クリーニング不良の発生や黒スジ状の画像欠陥(図3参照)の発生を抑制できる感光体を得ることができる。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を詳細に説明する。
【0027】
本発明の電子写真用感光体の研磨方法及び研磨装置によれば、a−Si系感光体の表面を均一に研磨し、原子間力顕微鏡による10μm×10μmの視野での算術平均粗さ(中心線平均粗さ、Ra)25nm以下にすることで、電子写真装置のクリーニングブレードからの初期トナーのすり抜けを防止し、更なる品質信頼性の向上が図られる。
【0028】
〔研磨方法〕
電子写真感光体の表面に研磨テープが加圧当接させるように配置されており、はじめに第一の研磨テープを用いて、次に第一の研磨テープより粗い第二の研磨テープで研磨することにより、感光体の表面を研磨処理する。
【0029】
通常、研磨は、粗研磨、精密研磨と粗い研磨剤から細かい研磨剤へ変えながら行っていくことが従来からなされている。
【0030】
しかし、a−Si系感光体表面の異常成長突起の研磨時の欠落によるキズの発生を防止のためには、その突起部分が欠落しないように精密研磨することが重要である。
【0031】
図1で研磨の状況を説明する。
【0032】
まず、表面粗さが比較的小さい第一の研磨テープにより、異常成長突起101を感光体のその他の良好な部分102とほぼ平坦になるまで研磨を行う(図1(a)、図1(b)参照)。
【0033】
その後、第一の研磨テープよりも表面粗さが大きい第二の研磨テープに替えて、良好な部分102の表面微細形状を含めて研磨する(図1(c)参照)。
【0034】
そのために、まず初めに用いる第一の研磨テープは、研磨粒の平均粒径(Gs1)が0.3〜4μmであり、研磨テープの算術平均粗さ(Ra1)(JIS B0601に拠る)が0.05〜0.5μmであるものの中から、a−Siの異常成長突起の数や初期微細形状によって適宜選択することが望ましい。
【0035】
第二の研磨テープは、研磨粒の平均粒径(Gs2)が3〜15μmであり、研磨テープの算術平均粗さ(Ra2)(JIS B0601に拠る)が0.4〜2.0μmであるものの中から、所望の微細表面形状と、研磨粒による研磨キズの発生の無い範囲で適宜選択することが好ましい。但し、第二の研磨テープは第一の研磨テープより表面が粗いものであることが本発明では肝要である。
【0036】
第一の研磨テープは、研磨粒の平均粒径(Gs1)及び算術平均粗さ(Ra1)が小さいほど精密研磨が可能であるが、研磨処理時間が長くなる。そのために、通常は研磨すべき異常成長突起の径や高さを参考にして選択すればよい。
【0037】
また、第一の研磨テープに塗布されている研磨粒の平均粒径(Gs1)と該第二の研磨テープに塗布されている研磨粒の平均粒径(Gs2)が、Gs2≧1.5×Gs1を満足するように決定することが好ましい。
【0038】
さらに、第一の研磨テープの算術平均粗さ(Ra1)と第二の研磨テープの算術平均粗さ(Ra2)が、Ra2≧1.2×Ra1を満足するようにするとより好ましい結果が得られる。
【0039】
ここで、Gs2<1.5×Gs1やRa2<1.2×Ra1の場合には、キズに対しては効果的で、精密研磨は可能であるが、第二の研磨テープが第一の研磨テープとの粗さの差が小さく、良好な部分を含めて研磨が非常に長時間になってしまい、生産性を下げてしまうことになる。
【0040】
また、第一の研磨テープでの異常成長突起研磨の初期と終期で、研磨テープを電子写真感光体表面へ押し当てる加圧の程度を変化又は調整することは、処理時間の短縮と研磨キズの防止を両立させるのに効果的である。第二の研磨テープでの研磨時においても、研磨テープを電子写真感光体表面へ押し当てる加圧の程度を適宜調整することがより好ましい。
【0041】
研磨テープを感光体表面に押し圧するために用いられる加圧ローラーは、通常弾性体が用いられ、JIS国際ゴム硬さで20〜80の範囲であるものから総合的に選択される。
【0042】
研磨ローラーの加圧は、9.8〜980kPaの範囲で、研磨すべき異常成長突起との径や高さ、研磨処理時間と研磨キズとの関係から総合的に決定される。
【0043】
加圧を制御するために、弾性ローラーの支持部にシリンダーを設けて、空圧や油圧等で制御することも有効である。
【0044】
第一の研磨テープと第二の研磨テープは、それぞれ別のテープであっても良いし、また1つのテープで、処理シーケンスに合わせて、第一の研磨テープ部分と第二の研磨テープ部分が交互に、また連続的に変化するようにしてもよい。また、テープの片面が第一の研磨テープ、逆面を第二の研磨テープとなるように構成してもよい。
【0045】
回転させた電子写真感光体の表面の線速度と異なる速度で研磨テープを送ることで研磨処理を行う。このとき、感光体の線速度は10〜40cm/secの範囲で、研磨テープの送り速度は1〜20cm/minの範囲で、研磨テープの消費量、研磨処理時間、研磨キズとの関係から総合的に決定される。
【0046】
研磨テープの摩擦抵抗により、感光体と連れ回りが発生し易いために、感光体の回転方向とは逆の方向に研磨テープを送って研磨処理することが望ましい。さらに、加圧とテープテンションを適正に保持することで同方向での研磨処理も、可能である。
【0047】
異常成長突起の研磨初期には、初期に多く発生する研磨屑による研磨キズを防止するために、電子写真感光体の線速度よりも大きな速度で研磨テープを送って研磨することがあるが、通常は線速度よりも小さな速度で研磨テープを送って研磨処理を行う。
【0048】
さらに、電子写真感光体は円周方向の回転と同時に、回転方向とは直行する方向に交互運動するように設置することが好ましい。これにより、研磨スジ(一定方向のみを研磨するために生じる研磨跡)の発生を抑えて、研磨の均一性が向上する。
【0049】
a−Si系電子写真感光体表面の微細表面形状の観察は、例えば原子間力顕微鏡(AFM)[Quesant社製Q−Scope250]を用いて行うことができる。さらに、微細表面形状としてAFMによる算術平均粗さ(Ra)を視野10μm×10μmの範囲で測定して、所望の微細表面形状の研磨処理条件を決定することが望ましい。図6に、視野10μm×10μmで測定した、Raが約30nmである感光体の表面微細形状を観察したデジタル像の1例を示す。
【0050】
(研磨装置)
本発明の研磨装置の例を、図4を用いて説明する。
【0051】
a−Si系感光体400は、支持機構420に保持され、移動ステージ440上の移動範囲441の所定位置に固定されている。支持機構420は具体的には空気圧ホルダーであり、例えば、ブリジストン社製空気圧ホルダー(商品名:エアーピック、型番:PO45TCA*820)を使用することができる。研磨テープ431は、送り出しローラー432に保持され、そこから繰り出され、テープガイドローラー436を経て送られ、加圧弾性ローラー430にてa−Si系感光体400に押し当てられ、さらに第2のテープガイドローラー436を経て、定量引き取りローラー434とキャプスタンローラー435に挟持され、定量速度で引き取られ、巻き取りローラー433にて巻き取られる。なお、加圧弾性ローラー430は加圧機構437によって感光体に押し当てられている。
【0052】
研磨テープは、通常ラッピングテープと呼ばれるものが好ましく、砥粒としてはC(ダイヤ)、SiO、SiC、Al、Fe、Crなどが用いられ、例えば、富士フィルム社製ラッピングテープLT−C2000等が市販されている。
【0053】
感光体の支持は、すぼめた状態の空気圧ホルダーに感光体基体の空洞部に挿入し、次いで、100kPa〜1000kPaの空気を送り込むことによって達成される。研磨に際しては、ユニット全体を回転させ、感光体を回転させる。ガイドとして、嵌め合いの緩い、潤滑性に富み、弾性を有するガイドフランジを設けても良い。ガイドフランジの材質としては、ポリアセタール(POM)、ポリアミド(PA)、ポリカーボネート(PC)等の樹脂が好ましい。感光体の弾性は空気圧ホルダーの空気圧で制御され、ビビリ、突入ショックなどの微少振動は空気圧ホルダーにより吸収緩和される。
【0054】
図4の例では、第一の研磨テープで研磨した後に、第二の研磨テープに交換して、研磨処理するように構成されている。
【0055】
移動ステージの左側にも研磨テープユニット430〜437の機構を設けて、右側に第一の研磨テープでの研磨装置部分、左側に第二の研磨テープの研磨装置部分となるように構成してもよい。その場合は、まず、第一の研磨テープユニットでの研磨を開始する。
【0056】
図5は、片面を第一の研磨テープにし、逆面を第二の研磨テープにした両面研磨テープを用いた研磨装置の概略図である。
【0057】
感光体500は支持機構520に保持され、移動ステージ540の移動範囲541の所定位置に固定されている。研磨テープ531は送り出しローラー532に保持され、加圧弾性ローラー530にて感光体500に押し当てられ、定量引き取りローラー534とキャプスタンローラー535に挟持され定量的に引き取られ、テープガイドローラー536に巻き回され、ついで第二の加圧弾性ローラー530にて逆の面から感光体500に2回目の押し当てが行われ、引取りローラー533に巻き取られる。なお、研磨テープ531の細かい研磨粒の面が感光体500に当接する方を先に押し当てるように、加圧弾性ローラー530の駆動を調節する必要がある。
【0058】
【実施例】
以下、実施例および比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に制限されるものではない。
【0059】
実施例1
直径80mm、長さ358mm、肉厚3mmのアルミニウム筒状基体の表面を鏡面加工したものを用い、プラズマ化学気相成長(PCVD)装置(不図示)にて、膜厚30μmのa−Si系光導電層および膜厚0.7μmのa−SiC系表面保護層を有するa−Si系電子写真感光体を製造した。この感光体には異常成長突起が見られた。また、その表面の微細形状を観測したところ、算術平均粗さRaが65nmであった。
【0060】
この感光体を用い、図4の研磨装置を用いて、表1に示す条件で研磨処理した。なお、研磨処理のモニターとして、径20μm、高さ10μm異常成長突起を観察した。なお、加圧弾性ローラーとしてJIS国際ゴム硬さ40のものを用いた。
【0061】
研磨テープとして、炭化珪素系または酸化クロム系の研磨粒を用い、所望の粗さ及び粒径のテープに調整して使用した。また、検討用にLT−AX4000等の酸化アルミニウム系の研磨粒をもちいたテープも使用した。
【0062】
第一の研磨処理で、突起部とその他正常部分が同一面になるまで研磨し、その後に第二の研磨処理を行った。
【0063】
評価は次のように行った。評価結果は表1に示す。
【0064】
(処理時間)
Ra=25nmになるまでの研磨処理時間を計測し、比較例1にかかった時間を100%として評価した。
◎:80%未満
○:80%以上95%未満
△:95%以上105%未満
×:105%以上
【0065】
(研磨スジ、キズの有無)
処理後に感光体の表面を光学顕微鏡で観察し、研磨スジの有無を評価し、さらに電子写真装置に装着して、ハーフトーン画像を出力し、研磨キズの発生があるかどうかを評価した。
◎:研磨スジ、研磨キズの発生が全くない
○:研磨スジが僅かに認められるが、研磨キズの発生はない
△:研磨スジが認められ、10万枚画像出力後に僅かに研磨キズが発生している
×:研磨キズが発生している
【0066】
(研磨の均一性)
処理後に感光体表面のAMFによる算術平均粗さRaを、原子間力顕微鏡[Quesant社製Q−Scope250]を用い、視野10μm×10μmの範囲で測定した。その際、感光体母線方向10点×周方向4点の計40点を測定した。AMFによる算術平均粗さRaの40点の標準偏差から、均一性を評価した。
◎:非常に良好  (標準偏差2.0未満)
○:良好     (標準偏差2.0以上3.5未満)
△:実用上問題なし(標準偏差3.5以上5.0未満)
×:実用上難あり (標準偏差5.0以上)
【0067】
比較例1
実施例1において、第一の研磨処理条件のみで処理する以外は実施例1と同様にした。表1に評価結果を示す。
【0068】
比較例2
実施例1において、第二の研磨処理条件のみで処理する以外は実施例1と同様にした。表1に評価結果を示す。
【0069】
比較例3
比較例1において、加圧弾性ローラーの加圧を900kPaに変更する以外は比較例1と同様にした。表1に評価結果を示す。
【0070】
【表1】
Figure 2004126216
【0071】
表1から分かるように、本発明の研磨装置を用いて、かつ本発明の研磨方法で、研磨処理することで、研磨スジ、研磨キズの発生を抑えつつも、処理時間を短縮することができることが分かる。
【0072】
処理時間を短縮するために加圧を大きくすると、異常成長突起からの研磨屑に伴う研磨スジが僅かであるが認められた。
【0073】
均一性に関しては、本発明の研磨装置を用いたので良好であったが、第一の研磨処理を行った場合のほうが、均一性が向上した。しかし、比較例3からも押し当て圧を上げすぎない方が均一性に対して良好であることが分かる。
【0074】
実施例2
実施例1において、第一の研磨テープの研磨粒の平均粒径(Gs1)および算術平均粗さ(Ra1)を変え、加圧弾性ローラーをJIS国際ゴム硬さ60のものに代える他は実施例1と同様にした。研磨条件を表2に、第一の研磨テープのGs1及びRa1を表3に示す。評価は実施例1と同様に行った。ただし、処理時間は、研磨テープAを用いたときを100%として評価した。評価結果は表3に示す。
【0075】
【表2】
Figure 2004126216
【0076】
【表3】
Figure 2004126216
【0077】
表3に見られるように、第一の研磨テープを、研磨粒の平均粒径(Gs1)を0.3〜4μm、かつ算術平均粗さ(Ra1)を0.05〜0.5μmにすることで、研磨スジ、研磨キズの発生を抑えつつも処理時間を短縮することができることが分かる。さらに、良好な均一性が得られることが分かる。
【0078】
実施例3
実施例1において、第二の研磨テープの研磨粒の平均粒径(Gs2)および算術平均粗さ(Ra2)を変え、加圧弾性ローラーをJIS国際ゴム硬さ60のものに代える他は実施例1と同様にした。研磨条件を表4に、第一の研磨テープのGs1及びRa1を表5に示す。評価は実施例1と同様に行った。ただし、処理時間は、研磨テープAAを用いたときを100%として評価した。評価結果は表5に示す。
【0079】
【表4】
Figure 2004126216
【0080】
【表5】
Figure 2004126216
【0081】
表5に見られるように、第二の研磨テープを、研磨粒の平均粒径(Gs2)を3〜15μm、かつ算術平均粗さ(Ra2)を0.4〜2.0μmにすることで、研磨スジ、研磨キズの発生を抑えつつも処理時間を短縮することができることが分かる。さらに、良好な均一性が得られることが分かる。
【0082】
また、実施例2、3の結果から、第一の研磨テープに塗布されている研磨粒の平均粒径(Gs1)と第二の研磨テープに塗布されている研磨粒の平均粒径(Gs2)が、Gs2≧1.5×Gs1、かつ第一の研磨テープの算術平均粗さ(Ra1)と第二の研磨テープの算術平均粗さ(Ra2)が、Ra2≧1.2×Ra1であるときが、均一性も良く、研磨スジ、キズを抑えながらも処理時間の短縮のために有効であることが分かる。
【0083】
実施例4
直径108mm、長さ358mm、肉厚5mmのアルミニウム筒状基体の表面を鏡面加工したものを用い、PCVD装置(不図示)にて、膜厚28μmのa−Si系光導電層および膜厚0.8μmのa−SiC系表面保護層を有するa−Si系電子写真感光体を製造した。この感光体には異常成長突起が見られた。また、その表面の微細形状を観測したところ、算術平均粗さRaが65nmであった。
【0084】
この感光体を用い、図4の研磨装置を用いて、表6に示す条件で研磨処理した。なお、研磨処理のモニターとして、径40μm、高さ20μm異常成長突起を観察した。なお、加圧弾性ローラーとしてJIS国際ゴム硬さ20のものを用いた。
【0085】
第一の研磨処理で、突起部とその他正常部分が同一面になり、さらにRaが60μmになるまで研磨し、その後に第二の研磨処理を行った。
【0086】
実施例1と同様の評価を行った。評価結果は表6に示す。
【0087】
【表6】
Figure 2004126216
【0088】
比較例4
実施例4において、第一の研磨処理条件のみで処理する以外は実施例4と同様にした。表6に評価結果を示す。
【0089】
比較例5
実施例4において、第二の研磨処理条件のみで処理する以外は実施例4と同様にした。表6に評価結果を示す。
【0090】
実施例5
直径108mm、長さ358mm、肉厚5mmのアルミニウム筒状基体の表面を鏡面加工したものを用い、PCVD装置(不図示)にて、膜厚38μmのa−Si系光導電層および膜厚0.4μmのa−C系表面保護層を有するa−Si系電子写真感光体を製造した。この感光体には異常成長突起が見られた。また、その表面の微細形状を観測したところ、算術平均粗さRaが70nmであった。
【0091】
この感光体を用い、図4の研磨装置を用いて、表6に示す条件で研磨処理した。なお、研磨処理のモニターとして、径30μm、高さ20μm異常成長突起を観察した。なお、加圧弾性ローラーとしてJIS国際ゴム硬さ80のものを用いた。
【0092】
第一の研磨処理で、突起部とその他正常部分が同一面になり、さらにRaが65nmになるまで研磨し、その後に第二の研磨処理を行った。
【0093】
実施例1と同様の評価を行った。評価結果は表6に示す。
【0094】
表6から分かるように、最初に研磨粒の細かな第一の研磨テープで処理することで、研磨スジ、研磨キズの発生を抑えつつも処理時間を短縮することができることが分かる。さらに均一性に対しても有効であることが分かる。
【0095】
実施例6
直径108mm、長さ358mm、肉厚5mmのアルミニウム筒状基体の表面を鏡面加工したものを用い、PCVD装置(不図示)にて、膜厚32μmのa−Si系光導電層および膜厚0.6μmのa−C系表面保護層を有するa−Si系電子写真感光体を製造した。この感光体には異常成長突起が見られた。また、その表面の微細形状を観測したところ、算術平均粗さRaが50nmであった。
【0096】
この感光体を図5の研磨装置に両面研磨テープをセットして、表7に示す条件で研磨処理した。研磨処理のモニターとして、径20μm、高さ15μm異常成長突起を観察した。なお、加圧弾性ローラーとしてJIS国際ゴム硬さ50のものを用いた。
【0097】
第一の研磨処理と第二の研磨処理が同一に行われ、トータルでRaが25nmになるまで研磨処理を行った。
【0098】
実施例1と同様の評価を行った。評価結果は表7に示す。
【0099】
比較例6
実施例5において、第一の研磨処理のみが行われるようにする他は実施例5と同様にした。表7に評価結果を示す。
【0100】
【表7】
Figure 2004126216
【0101】
表7からわかるように、表裏を独立した粗さにした研磨テープを用いて研磨処理を行っても、研磨スジの発生もなく、良好な研磨が行えることが分かる。すなわち、本実施例の様な装置構成にすることで、装置コスト、消耗品である研磨テープのコストを下げられるという利点もある。さらに、均一性に対しても、良好な結果が得られた。
【0102】
実施例7
直径80mm、長さ358mm、肉厚3mmのアルミニウム筒状基体の表面を鏡面加工したものを用い、PCVD装置(不図示)にて、膜厚27μmのa−Si系光導電層および膜厚0.8μmのa−SiC系表面保護層を有するa−Si系電子写真感光体を製造した。この感光体には異常成長突起が見られた。また、その表面の微細形状を観測したところ、算術平均粗さRaが40nmであった。
【0103】
この感光体を用い、図4の研磨装置を用い、回転方向とは直行する方向に交互運動(1cmストローク)するようにして、表8に示す条件で研磨処理した。なお、研磨処理のモニターとして、径15μm、高さ8μm異常成長突起を観察した。なお、加圧弾性ローラーとしてJIS国際ゴム硬さ50のものを用いた。
【0104】
第一の研磨処理で、突起部とその他正常部分が同一面になり、さらにRaが36nmになるまで研磨し、その後に第二の研磨処理を行った。
【0105】
実施例1と同様の評価を行った。評価結果は表8に示す。
【0106】
【表8】
Figure 2004126216
【0107】
実施例8
実施例7において、交互運動をさせずに研磨処理した。実施例1と同様の評価を行った。評価結果は表8に示す
表8からわかるように、交互運動を取り入れることで、研磨スジの発生もなく、研磨方向が2次元になることで研磨処理時間も短縮できることがわかる。また、均一性は、実施例8に比べると、僅かであるが実施例7は良好であった。
【0108】
実施例9
直径108mm、長さ358mm、肉厚5mmのアルミニウム筒状基体の表面を鏡面加工したものを用い、PCVD装置(不図示)にて、膜厚40μmのa−Si系光導電層および膜厚0.5μmのa−C系表面保護層を有するa−Si系電子写真感光体を製造した。この感光体には異常成長突起が見られた。また、その表面の微細形状を観測したところ、算術平均粗さRaが70nmであった。
【0109】
この感光体を、図4の研磨装置に、実施例5の研磨条件に合う様に第一の研磨テープ長および第二の研磨テープ長に交互に研磨粒の粗さが異なる部分を有する研磨テープをセットし、表9に示す条件で第一の研磨処理と第二の研磨処理を連続して行った。なお、このときにもRaは25nmとなっていた。研磨処理のモニターは、径15μm、高さ8μm異常成長突起とした。なお、加圧弾性ローラーとしてJIS国際ゴム硬さ80のものを用いた。
【0110】
実施例1と同様の評価を行ったところ、表9に示すように実施例5と同等で良好な結果が得られた。
【0111】
【表9】
Figure 2004126216
【0112】
研磨粒の粗さが異なる部分をそれぞれの処理時間に合わせて交互に配置した研磨テープを用いることで、研磨装置の構造を単純化でき、研磨テープの残量管理も容易になる。量産現場での研磨処理を効率よくおこなうためには有効な方法である。
【0113】
実施例10
図4の研磨装置に実施例5と同様に製造した感光体をセットし、表10に示す条件で研磨処理した。このとき、電子写真感光体には、アモルファスシリコン系光導電層にa−C系表面層を堆積させた感光体を用いた。モニターとして、径30μm、高さ20μmの異常成長突起を観察し、感光体の初期の表面微細形状は、Raが70nmであった。なお、加圧ローラーとしてJIS国際ゴム硬さ80のものを用いた。
【0114】
第一の研磨処理で、突起部とその他正常部分が同一面になるまで研磨し、その後にRaが10nmになるまで第二の研磨処理を行った。
【0115】
実施例1と同様の評価を行った。評価結果は表10に示す。
【0116】
比較例7
実施例10において、第二の研磨条件でRaが10nmになるまで研磨した。実施例10と同様に評価した。結果を表10に示す。
【0117】
【表10】
Figure 2004126216
【0118】
表10から分かるように、Ra=10nmまで研磨を行うような場合でも、最初に第一の粗さの研磨テープで処理することで、研磨スジ、研磨キズの発生を抑えつつも処理時間を短縮することができることが分かる。均一性も良好であった。
【0119】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の電子写真感光体の研磨方法によれば、感光体表面の異常成長突起を他の良好な部分を傷つける事無く、その他良好な部分とほぼ平坦にまで研磨し、さらにa−Si系感光体表面を均一に精密研磨し、原子間力顕微鏡による10μm×10μmの視野でのJIS B0601に準拠して計測される算術平均粗さ(Ra)が25nm以下となるまで効率よく研磨処理することができる。本発明の研磨方法を採用した研磨装置を用いることで、研磨処理時間を短縮することができる。
【0120】
この研磨方法、研磨装置を用いることにより、長期にわたり安定して高品位の画像を形成できる感光体を供給することが可能となる。
【0121】
具体的には、第1に成膜欠陥によるクリーニングブレードなどの損傷を防止でき、第2に長期にわたる使用中においても感光体の滑りが変化しないために、クリーニング不良の発生や黒スジ状の画像欠陥の発生を抑制できる感光体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】感光体表面の研磨の様子を説明するための模式的断面図である。
【図2】感光体の層構成と異常成長突起を説明する断面図である。
【図3】不良画像の一例である。
【図4】本発明の研磨装置を説明するための模式的断面図である
【図5】本発明の別の研磨装置を説明するための模式的断面図である
【図6】研磨前の感光体表面のAFMによるデジタル測定図である。
【図7】第一の研磨テープ部分と第二の研磨テープ部分が交互に形成された研磨テープを示す模式図である。
【符号の説明】
101  異常成長突起
102  表面微細形状
200  アモルファスシリコン系感光体
201  導電性基板
202  異常成長突起の成長基点
203  異常成長突起
204  光導電層
205  表面層
400、500  アモルファスシリコン系感光体
420、520  弾性支持機構
430、530  加圧弾性ローラー
431、531  研磨テープ
432、531  送り出しローラー
433、533  巻き取りローラー
434、534  定量引き取りローラー
435、535  キャプスタンローラー
436、536  ガイドローラー
437、537  加圧機構
700  研磨テープ
701  第一の粗さ部分(第一の研磨処理時間分)
702  第二の粗さ部分(第二の研磨処理時間分)
703  研磨テープの送り方向

Claims (20)

  1. 円筒状導電性基体の上に非晶質シリコンを含む光導電層と非晶質材料からなる表面保護層を順次積層して形成される電子写真感光体の表面を研磨するに際し、電子写真感光体の表面を、まず、第一の研磨テープを用いて研磨し、次に、第一の研磨テープよりも粗い第二の研磨テープで研磨することを特徴とする電子写真感光体の研磨方法。
  2. 電子写真感光体の表面粗さを、原子間力顕微鏡による10μm×10μmの範囲における算術平均粗さ(Ra)で25nm以下とすることを特徴とする請求項1に記載の電子写真感光体の研磨方法。
  3. 第一の研磨テープが、塗布されている研磨粒の平均粒径(Gs1)が0.3〜4μmのものであること特徴とする請求項1又は2に記載の電子写真感光体の研磨方法。
  4. 第二の研磨テープが、塗布されている研磨粒の平均粒径(Gs2)が3〜15μmのものであること特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子写真感光体の研磨方法。
  5. 第一の研磨テープが、算術平均粗さ(Ra1)0.05〜0.5μmのものであること特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の電子写真感光体の研磨方法。
  6. 第二の研磨テープが、算術平均粗さ(Ra2)0.4〜2.0μmのものであること特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の電子写真感光体の研磨方法。
  7. 第一の研磨テープに塗布されている研磨粒の平均粒径(Gs1)と該第二の研磨テープに塗布されている研磨粒の平均粒径(Gs2)が、Gs2≧1.5×Gs1を満足することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の電子写真感光体の研磨方法。
  8. 第一の研磨テープの算術平均粗さ(Ra1)と第二の研磨テープの算術平均粗さ(Ra2)が、Ra2≧1.2×Ra1を満足することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の電子写真感光体の研磨方法。
  9. 電子写真感光体は円周方向の回転と同時に、回転方向とは直行する方向に交互運動することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の電子写真感光体の研磨方法。
  10. 第一の研磨テープを用いて、はじめに該感光体表面に存在する突起部分を研磨することを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の電子写真感光体の研磨方法。
  11. 円筒状導電性基体の上に非晶質シリコンを含む光導電層と非晶質材料からなる表面保護層を順次積層して形成される電子写真感光体の表面を研磨する装置であって、
    電子写真感光体の表面に研磨テープが加圧当接させるように配置されており、
    はじめに第一の研磨テープが当接し、次に第一の研磨テープより粗い第二の研磨テープが当接する
    ことを特徴とする電子写真感光体の研磨装置。
  12. 電子写真感光体が表面の10μm×10μmの範囲における算術平均粗さ(Ra)を25nm以下まで研磨できることを特徴とする請求項11に記載の電子写真感光体の研磨装置。
  13. 第一の研磨テープが、塗布されている研磨粒の平均粒径(Gs1)が0.3〜4μmのものであること特徴とする請求項11又は12に記載の電子写真感光体の研磨装置。
  14. 第二の研磨テープが、塗布されている研磨粒の平均粒径(Gs2)が3〜15μmのものであること特徴とする請求項11〜13のいずれか1項に記載の電子写真感光体の研磨装置。
  15. 第一の研磨テープが、算術平均粗さ(Ra1)0.05〜0.5μmのものであること特徴とする請求項11〜14のいずれか1項に記載の電子写真感光体の研磨装置。
  16. 第二の研磨テープが、算術平均粗さ(Ra2)0.4〜2.0μmのものであること特徴とする請求項11〜15のいずれか1項に記載の電子写真感光体の研磨装置。
  17. 第一の研磨テープに塗布されている研磨粒の平均粒径(Gs1)と第二の研磨テープに塗布されている研磨粒の平均粒径(Gs2)が、Gs2≧1.5×Gs1を満足することを特徴とする請求項11〜16のいずれか1項に記載の電子写真感光体の研磨装置。
  18. 第一の研磨テープの算術平均粗さ(Ra1)と第二の研磨テープの算術平均粗さ(Ra2)が、Ra2≧1.2×Ra1を満足することを特徴とする請求項11〜16のいずれか1項に記載の電子写真感光体の研磨装置。
  19. 電子写真感光体を円周方向の回転と同時に、回転方向とは直行する方向に交互運動させうることを特徴とする請求項11〜18のいずれか1項に記載の電子写真感光体の研磨装置。
  20. 第一の研磨テープが、電子写真感光体の表面に存在する突起部分を研磨することを特徴とする請求項11〜19のいずれか1項に記載の電子写真感光体の研磨装置。
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JP5251877B2 (ja) * 2008-01-30 2013-07-31 旭硝子株式会社 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法

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