JP2004111560A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】パワー半導体素子を複数個搭載しパッケージングした、生産性が高く高性能の半導体装置と、その半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】外囲器4の内部に、複数の半導体チップ1が実装されたパワーモジュール基板2と、このパワーモジュール基板2が実装されたリードフレーム3の個所と、それぞれの電極間を電気的に接続している接続手段7が形成されており、また、外囲器4から外部に入出力端子5が延在している。
【選択図】 図2
【解決手段】外囲器4の内部に、複数の半導体チップ1が実装されたパワーモジュール基板2と、このパワーモジュール基板2が実装されたリードフレーム3の個所と、それぞれの電極間を電気的に接続している接続手段7が形成されており、また、外囲器4から外部に入出力端子5が延在している。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)や、パワーMOS−FETなどのパワー半導体素子を複数個搭載したパワー半導体モジュールをパッケージ構造に形成した半導体装置と、その半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
電力回路の基本構成要素のひとつにハーフブリッジ回路がある。このハーフブリッジ回路は、図1に回路図を示すように、3端子スイッチと、それに逆並列に接続された2端子ダイオードからなる半導体チップ1、1の対が、トーテムポール配置で直列接続されて、2in1の回路構成を形成している。
【0003】
このハーフブリッジ回路のパッケージングは、図9(a)に斜視図を、図9(b)その裏面図を示すように、ケースタイプのパッケージが採用されている。すなわち、樹脂インサートケース31の内部にハーフブリッジ回路を形成する半導体チップ(パワー素子)1、1を、回路パターン上に実装したパワーモジュール基板32が配置され、半導体チップ1、1とパワーモジュール基板32の相互の電極はボンディングワイヤ33によって接続されている。また、各入出力端子34は樹脂インサートケース31から外部に延在して形成されている。なお、樹脂インサートケース31の裏面には放熱用のCu板35が設けられている。
【0004】
また、ハーフブリッジ回路は、求められる回路構成として、ハーフブリッジ6in1構成の場合もある。この場合のパッケージングは、図10に一部断面斜視図を示すように、インサートケース41の内部にハーフブリッジ回路を形成する半導体チップ1、1(パワー素子)を、回路パターン上に実装したパワーモジュール基板42が配置され、半導体チップ41とパワーモジュール基板42の相互の電極(不図示)はボンディングワイヤ43によって接続されている。また、各入出力端子44の相互間はははんだ接続されている。パワーモジュール基板42はインサートケース41の底部を形成しているCu等による金属ベース45に貼り付けられている。インサートケース41の内部はキャスティング等により封止されている。
【0005】
次に、ハーフブリッジ6in1の場合の製造工程について説明する。図11は、図10に示したパッケージングの製造工程を示すフロー図である。
【0006】
まず、パワーモジュール基板42に半導体チップ1をはんだ付けする。(S11)
ワイヤボンディングにより半導体チップ1の電極とパワーモジュール基板42の電極とをボンディングワイヤ43で電気的に接合し、半導体チップ1がはんだ付けされたパワーモジュール基板42を金属ベース45にはんだ付けする。(S12)
その状態で、インサートケース41に挿入して組み込む。(S13)
ワイヤボンディングによる内部配線を行う。(S14)
次に、インサートケース41に出力端子44を取り付ける。(S15)
その後、インサートケース41の内部にキャシリコーンゲル等のスティング材を充填する。(S16)
キャスティング材が充填されたインサートケース41をオーブンに入れてキャスティング材を硬化させる。(S17)
これらの製造工程により、ハーフブリッジ6in1のモジュールパッケージ構造の半導体装置を完成している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上述のハーフブリッジ回路のようなパワー半導体モジュールにおけるモジュールパッケージ構造に要求される機能としては、(1)コレクタ分離などの所定の回路機能を実現するための内部回路構造(例えばパターニングされたパワーモジュール基板)、(2)大電力素子を使用するため、半導体チップ、インサートケース間の高放熱性(Rj−cの低減化、半導体チップ1のジャンクションとケースとの間の熱抵抗)、(3)内部回路とケースGND間の高絶縁耐圧性、(4)熱、温度サイクル、湿度に関しての対環境性などが要求されている。
【0008】
しかしながら、上述の2例のパッケージ構造はそれらの要求を実現する場合には、以下のような問題点がある。
【0009】
まず、一般にパワーモジュール基板は、それ自体が高価である。回路をパータニングしたパワーモジュール基板は更に高価になる。そのため、回路をパータニングしたパワーモジュール基板を用いた場合には、半導体モジュール全体の価格が上昇する。
【0010】
また、一般にインサートケースにインサートされたパワー半導体モジュールは、ディスクリート半導体の製造ラインに適応されるような、多連フレームでの多数個流しができず、ディスクリート半導体に比較して製造効率が悪く、製造コストが上昇する。
【0011】
また、半導体の性能の信頼性の面でも、内部がシリコーンゲルなどでキャスティングされたケースタイプのモジュールは、ディスクリート半導体のように、熱硬化性樹脂でトランスファーモールドされた半導体パッケージに比較して、対湿性などで劣る。
【0012】
本発明はこれらの事情にもとづいてなされたもので、パワー半導体素子を複数個搭載しパッケージングした、生産性が高く高性能の半導体装置と、その半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、トランスファーモールドにより封止された外囲器が形成された半導体装置であって、
前記外囲器の内部には、複数の半導体チップが実装されたパワーモジュール基板と、このパワーモジュール基板が実装されたリードフレームの個所と、それぞれの電極間を電気的に接続している接続手段が形成されており、前記外囲器から外部に入出力端子が延在していることを特徴とする半導体装置である。
【0014】
また本発明によれば、前記半導体チップと前記パワーモジュール基板との接合、および、前記前記パワーモジュール基板と前記リードフレームとの接合はいずれもはんだ接合されており、その際に用いられているはんだの融点が前記半導体チップと前記パワーモジュール基板との接合に用いられている方が高いことを特徴とする半導体装置である。
【0015】
また本発明によれば、前記パワーモジュール基板は、実装する前記半導体チップ毎に用いていることを特徴とする半導体装置である。
【0016】
また本発明によれば、前記パワーモジュール基板は、回路がパターニングされた1枚の基板を用いていることを特徴とする半導体装置である。
【0017】
また本発明によれば、前記電極間を電気的に接続している接続手段はワイヤボンディングであることを特徴とする半導体装置である。
【0018】
また本発明によれば、前記電極間を電気的に接続している接続手段はALストラップまたはCuストラップであることを特徴とする半導体装置である。
【0019】
また本発明によれば、半導体チップをパワーモジュール基板にはんだ付けする第1の実装工程と、前記半導体チップが実装されたパワーモジュール基板を多連取りのリードフレームの所定個所にはんだ付けする第2の実装工程と、この第2の実装工程により形成された各部の電極間を電気的に接続する内部配線工程と、この内部配線工程後にトランスファーモールドにより外囲器を形成する外囲器形成工程と、前記多連取りのリードフレームを所定個所で分割しリードをカットする分離工程と、前記リードフレームからアウターリードを分離して外装はんだ付けをおこなうアウターリード分離工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態の半導体装置とその製造方法について図面を参照して説明する。
【0021】
図1に回路図を示したように、パワー半導体モジュールの例として、電力回路の基本構成要素のひとであるハーフブリッジ回路の一例は、3端子スイッチと、それに逆並列に接続された2端子ダイオードからなる2個の半導体チップ1、1の対が、トーテムポール配置で直列接続されて、2in1の回路構成を形成している。
【0022】
図2に外観図を、図3に側面断面図を示すように、ハーフブリッジ回路をパッケージングしたパッケージ構造の半導体装置は、図4(a)に平面図を、図4(b)にその側面図を示すように、半導体チップ1がパワーモジュール基板2にはんだ付けされている。さらに、半導体チップ1を搭載したパワーモジュール基板2は、リードフレーム3の上に実装されており相互の電極(不図示)同士はボンディングワイヤ7(電気的接続手段)により電気的に接続されている。また、全体が封止樹脂により樹脂封止されて外囲器4を形成している。この外囲器4からはリードフレーム3が打抜かれて形成された入出力端子5が外部に延在しており、また、外囲器4の裏面にはリードフレーム3の一部により形成された裏面放熱板6が設けられている。
【0023】
樹脂封止されてパッケージングされたハーフブリッジ回路は、ハイサイドパワー素子のコレクタ(ドレイン)電位と、ローサイドパワー素子のコレクタ(ドレイン)電位はそれぞれが独立に設けられ、かつ、ケースGNDとハイサイドパワー素子コレクタ(ドレイン)はAC3000V以上の絶縁耐圧が保障できるように設定されている。
【0024】
また、パワーモジュール基板2としては、DBC(Direct Bond Copper 登録商標)基板やAMC(Activ Metal Brazed Copper)基板が用いられている。
【0025】
DBC基板2aは、アルミナや窒化アルミニウムのセラミック基板の上に銅回路基板を直接接合したパワーモジュール基板2で、AMC基板2bは、ろう材を介してセラミックスと銅回路基板を貼り合せた耐熱サイクルに優れたパワーモジュール基板2である。なお、両基板は、従来、パワートランジスタ等の大電力半導体モジュール基板として用いられてきたメタライズ基板に、モリブテンスペーサ(Siペレットとの熱膨張係数の整合用)が、はんだ付けされた複雑な構造を必要としなくて、良好な半導体の放熱機能や絶縁機能が得られる。
【0026】
次に、上述の半導体装置の製造工程について、図5に示したフロー図を参照して説明する。なお、半導体装置の各部とその符号については、図2および図3で用いたものを援用している。
【0027】
まず、ハーフブリッジ2in1回路を実現するパッケージ構造の半導体装置の製造工程として、複数のパワーモジュール基板2であるDBC基板2a(またはAMC基板2b)に、ハーフブリッジ2in1回路が形成された半導体チップ1をはんだ付けする(第1の実装工程)。(S1)
なお、その際に、DBC基板2a(またはAMC基板2b)は回路がパターニングされている必要はない。また、用いられている基板2a(2b)は半導体チップ1の搭載面積と、他素子の搭載面積や、他端子へのボンディング面積を満足する最小の面積に形成されている。
【0028】
次に、図6に平面図を示すように、半導体チップ1がチップマウントにより、はんだ付けされたパワーモジュール基板2を、それぞれCuまたはCu合金で形成された多連個取りのリードフレーム3の上にはんだ付けする(第2の実装工程)。(S2)
ワイヤボンディングにより半導体チップ1の電極とパワーモジュール基板2の電極とをボンディングワイヤ7により電気的に接合する(内部配線工程)。(S3)
次に、封止樹脂を用いたトランスファーモールドにより外囲器4を形成する(外囲器形成工程)。(S4)
リードフレーム3の上に形成された外囲器4について、多連取りのセパレーションとリードカットを行こない分離する(分離工程)。(S5)
アウターリード8を分離して外装はんだ付けをおこなう(アウターリード分離工程)。(S6)
なお、はんだ接合の際に用いるはんだについては、例えば、半導体チップ1とパワーモジュール基板2の間の接合に用いるはんだを融点310度のPbはんだを使用し、一方、パワーモジュール基板2とリードフレーム3の間の接合に用いるはんだを融点243度のSn−Sbはんだを使用している。
【0029】
上述のように、多連のリードフレーム3の上に複数のパワーモジュール基板2であるAMCまたはDBC基板2aを搭載する構造の半導体装置は、製造の際のチップマウント、基板マウントおよびワイヤボンディングの各工程において、従来からディスクリート半導体を製造している既存の製造ラインをそのまま適用することができるので新たな設備を必要としない。しかも、従来の技術の項で説明したインサートケースに収納するケースタイプの1個流し製造ラインに比較して、生産効率の向上を図ることが容易であるので、半導体装置の原価を低減することができる。
【0030】
特に、樹脂封止に際して、多連のリードフレーム3によるトランスファーモールド法を用いることができるので、外囲器4の形成を極めて効率的におこなうことができる。
【0031】
また、一般に高価であるAMCまたはDBC基板2aをチップ搭載面積とボンディング面積の最小限としワイヤボンディングにより基板、リードフレーム3、パワーチップの接続をおこなっているので、高価なAMC基板2bまたはDBC基板2aの面積を縮小することができ、使用部材の原価の低減を図ることができる。
【0032】
更に、AMC基板2bまたはDBC基板2aを分割してリードフレーム3の上にはんだ付けすることで、前者を1枚基板で構成するよりも、はんだ付け後に基板内に生じる応力が低減されるので、基板割れなどの品質不良が生じる惧れがない。
【0033】
更に、上述の半導体装置はチップ、ケース間の高放熱性が要求に対して、DBC基板2aまたはAMC基板2bをリードフレーム3にはんだ付けすることで、従来技術であるDBC基板2aで単体ケース構造の場合と遜色のない熱抵抗を実現することができる。
【0034】
また、放熱性(熱抵抗)について、図7(a)に示した従来構造と図7(b)に示した上述の実施の形態での構造について比較計算した結果、
従来の構造では、Rj−c=0.13℃/W
本実施の形態の構造では、Rj−C=0.181℃/W
Rj−cは、半導体チップ1のジャンクションとケースとの間の熱抵抗(R)
したがって、両者の熱抵抗はほとんど差異がなく、本実施の形態の構造でも良好は放熱特性を維持することが可能である。
【0035】
また、従来の構造のDBC基板2aを用いた単体ケース構造は、図9に示したように、DBC基板2aが外部に露出してる構造のため、締め付けなど外力や、落下などの衝撃加重に対して基板割れを引き起こしやすいが、本実施の形態の構造では、DBC基板2aがリードフレーム3にはんだ付けされているので、リードフレーム3やはんだがDBC基板2aに対し保護の機能として働き、基板の割れが生じにくく、品質向上が図れる。
【0036】
また、上述の実施の形態でははんだについて、半導体チップ1とDBC基板2a間のはんだを融点310度のPbはんだを使用し、DBC基板2aとリードフレーム3間のはんだを融点243度のSn−Sbはんだを使用し、はんだ融点を異ならせている。それにより、信頼性が向上し、かつ、組立性が容易になった。
【0037】
つまり、通常の半導体チップ1、DBC基板2aの組立て工程では、最初に半導体チップ1をDBC基板2aにはんだ付けし、その後半導体チップ1を搭載したDBC基板2aをリードフレーム3にはんだ付けしている。その際に、半導体チップ1とDBC基板2a間のはんだと、DBC基板2aとリードフレーム3間のはんだの融点が同一である場合は、半導体チップ1を搭載したDBC基板2aをリードフレーム3にはんだ付けする際、半導体チップ1の下のはんだが再溶融し、信頼性の劣化を引き起こす問題点がある。
【0038】
その問題を回避するため、半導体チップ1、DBC基板2aを同一はんだ付け工程でリードフレーム3上にはんだ付けする方法もおこなわれているが、その場合、リードフレーム3上のDBC基板2aの位置とDBC基板2a上の半導体チップ1の位置とを同時に位置決めしてはんだ付けする必要があり、技術的に高精度な位置決めは困難である。
【0039】
次に本発明の変形例について説明する。なお、以下の変形例については、上述の実施の形態と異なる部分のみについて説明する。それ以外の部分は上述の実施の形態を援用し、重複説明を避けるため説明は省略する。
【0040】
(変形例1)
上述の実施の形態のモジュール構造においては、半導体チップ1を実装したパターニングされてない複数のDBC基板2aまたはAMC基板2bをリードフレーム3上に搭載したが、複数の基板を用いる替わりに、図8(a)に全体の斜視図を、図8(b)に単独の斜視図を示すように、所定の回路にパターニングされた1枚のDBC基板2aまたはAMC基板2bを使用し、この1枚の基板2a(2b)にの上に2個の半導体チップ1、1を実装している。
【0041】
この場合、回路をパターニングしたDBC基板2a(あるいはAMC基板2b)を1枚単独で使用することにより、複数のDBC基板2a(あるいはAMC基板2b)をリードフレーム3の上に搭載する構造に対して、当該基板2a、2bをリードフレーム3にはんだ付けする際の工数が削減できる。
【0042】
また、ワイヤボンディングによってだけでは、要求される回路を実現することが困難な場合でも、パターニングされたDBC基板2a(あるいはAMC基板2b)を使用することで設計の自由度が高まり、モジュール構造のコンパクト化が実現できる。
【0043】
(変形例2)
上述の実施の形態のモジュール構造においては、所定の回路を実現するための内部の配線をワイヤボンディングによるボンディングワイヤ7で接合して実現しているが、ボンディングワイヤ7の替わりに、CuストラップあるいはALストラップ等の方法でのそれぞれの金属箔(不図示)で相互を電気的に接続することもできる。
【0044】
この場合、一般に、大電流を要求される半導体モジュールは、多数本のボンディングワイヤ7で接合する必要があるが、その場合、ワイヤボンディング工程でのボンディング時間が長くなり、製造コストの上昇の原因となる。それに対して、相互の接続を電流容量の高いAL、Cu箔などを使用した、CuまたはALストラップ接合技術を用いることで、接合時間の短縮を図ることができ、製造コストの低減が図れる。
【0045】
以上に説明したように、本発明によれば、本発明によれば、多連リードフレーム3の上に複数のパワーモジュール基板2であるAMCまたはDBC基板2aを搭載する構造の半導体装置を構成しているので、製造の際のチップマウント、基板マウントおよびワイヤボンディングの各工程において、従来からディスクリート半導体を製造している既存の製造ラインをそのまま適用することができ、新たな設備を必要としないので効率のよい生産をおこなうことができる。
【0046】
また、従来用いられていたインサートケースに収納するケースタイプの1個流し製造ラインに比較して、例えば、樹脂封止に際して、多連リードフレーム3によるトランスファーモールド法を用いることができるので、外囲器4の形成を極めて効率的におこなうことができて、それにより生産効率の向上を図ることができ、半導体装置の原価を低減することができる。
【0047】
【発明の効果】
本発明によれば、パワー半導体素子を複数個搭載しパッケージングした、生産性が高く高性能の半導体装置と、その半導体装置の製造方法が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ハーフブリッジ回路の回路図。
【図2】本発明の半導体装置の外観図。
【図3】本発明の半導体装置の側面断面図。
【図4】(a)および(b)は、半導体チップとパワーモジュール基板との関係の説明図。
【図5】本発明の半導体装置の製造工程のフロー図。
【図6】本発明の半導体装置の製造工程の平面図。
【図7】(a)および(b)は、放熱性についての従来構造と本発明の構造との説明図。
【図8】(a)および(b)は、本発明の変形例の説明図。
【図9】従来の半導体装置の斜視図。
【図10】従来の半導体装置の一部断面斜視図。
【図11】従来の半導体装置の製造工程のフロー図。
【符号の説明】
1…半導体チップ、2…パワーモジュール基板、2a…DBC基板、2b…AMC基板、3…リードフレーム、4…外囲器、5…入出力端子、6…裏面放熱板、7…ボンディングワイヤ
【発明の属する技術分野】
本発明は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)や、パワーMOS−FETなどのパワー半導体素子を複数個搭載したパワー半導体モジュールをパッケージ構造に形成した半導体装置と、その半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
電力回路の基本構成要素のひとつにハーフブリッジ回路がある。このハーフブリッジ回路は、図1に回路図を示すように、3端子スイッチと、それに逆並列に接続された2端子ダイオードからなる半導体チップ1、1の対が、トーテムポール配置で直列接続されて、2in1の回路構成を形成している。
【0003】
このハーフブリッジ回路のパッケージングは、図9(a)に斜視図を、図9(b)その裏面図を示すように、ケースタイプのパッケージが採用されている。すなわち、樹脂インサートケース31の内部にハーフブリッジ回路を形成する半導体チップ(パワー素子)1、1を、回路パターン上に実装したパワーモジュール基板32が配置され、半導体チップ1、1とパワーモジュール基板32の相互の電極はボンディングワイヤ33によって接続されている。また、各入出力端子34は樹脂インサートケース31から外部に延在して形成されている。なお、樹脂インサートケース31の裏面には放熱用のCu板35が設けられている。
【0004】
また、ハーフブリッジ回路は、求められる回路構成として、ハーフブリッジ6in1構成の場合もある。この場合のパッケージングは、図10に一部断面斜視図を示すように、インサートケース41の内部にハーフブリッジ回路を形成する半導体チップ1、1(パワー素子)を、回路パターン上に実装したパワーモジュール基板42が配置され、半導体チップ41とパワーモジュール基板42の相互の電極(不図示)はボンディングワイヤ43によって接続されている。また、各入出力端子44の相互間はははんだ接続されている。パワーモジュール基板42はインサートケース41の底部を形成しているCu等による金属ベース45に貼り付けられている。インサートケース41の内部はキャスティング等により封止されている。
【0005】
次に、ハーフブリッジ6in1の場合の製造工程について説明する。図11は、図10に示したパッケージングの製造工程を示すフロー図である。
【0006】
まず、パワーモジュール基板42に半導体チップ1をはんだ付けする。(S11)
ワイヤボンディングにより半導体チップ1の電極とパワーモジュール基板42の電極とをボンディングワイヤ43で電気的に接合し、半導体チップ1がはんだ付けされたパワーモジュール基板42を金属ベース45にはんだ付けする。(S12)
その状態で、インサートケース41に挿入して組み込む。(S13)
ワイヤボンディングによる内部配線を行う。(S14)
次に、インサートケース41に出力端子44を取り付ける。(S15)
その後、インサートケース41の内部にキャシリコーンゲル等のスティング材を充填する。(S16)
キャスティング材が充填されたインサートケース41をオーブンに入れてキャスティング材を硬化させる。(S17)
これらの製造工程により、ハーフブリッジ6in1のモジュールパッケージ構造の半導体装置を完成している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上述のハーフブリッジ回路のようなパワー半導体モジュールにおけるモジュールパッケージ構造に要求される機能としては、(1)コレクタ分離などの所定の回路機能を実現するための内部回路構造(例えばパターニングされたパワーモジュール基板)、(2)大電力素子を使用するため、半導体チップ、インサートケース間の高放熱性(Rj−cの低減化、半導体チップ1のジャンクションとケースとの間の熱抵抗)、(3)内部回路とケースGND間の高絶縁耐圧性、(4)熱、温度サイクル、湿度に関しての対環境性などが要求されている。
【0008】
しかしながら、上述の2例のパッケージ構造はそれらの要求を実現する場合には、以下のような問題点がある。
【0009】
まず、一般にパワーモジュール基板は、それ自体が高価である。回路をパータニングしたパワーモジュール基板は更に高価になる。そのため、回路をパータニングしたパワーモジュール基板を用いた場合には、半導体モジュール全体の価格が上昇する。
【0010】
また、一般にインサートケースにインサートされたパワー半導体モジュールは、ディスクリート半導体の製造ラインに適応されるような、多連フレームでの多数個流しができず、ディスクリート半導体に比較して製造効率が悪く、製造コストが上昇する。
【0011】
また、半導体の性能の信頼性の面でも、内部がシリコーンゲルなどでキャスティングされたケースタイプのモジュールは、ディスクリート半導体のように、熱硬化性樹脂でトランスファーモールドされた半導体パッケージに比較して、対湿性などで劣る。
【0012】
本発明はこれらの事情にもとづいてなされたもので、パワー半導体素子を複数個搭載しパッケージングした、生産性が高く高性能の半導体装置と、その半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、トランスファーモールドにより封止された外囲器が形成された半導体装置であって、
前記外囲器の内部には、複数の半導体チップが実装されたパワーモジュール基板と、このパワーモジュール基板が実装されたリードフレームの個所と、それぞれの電極間を電気的に接続している接続手段が形成されており、前記外囲器から外部に入出力端子が延在していることを特徴とする半導体装置である。
【0014】
また本発明によれば、前記半導体チップと前記パワーモジュール基板との接合、および、前記前記パワーモジュール基板と前記リードフレームとの接合はいずれもはんだ接合されており、その際に用いられているはんだの融点が前記半導体チップと前記パワーモジュール基板との接合に用いられている方が高いことを特徴とする半導体装置である。
【0015】
また本発明によれば、前記パワーモジュール基板は、実装する前記半導体チップ毎に用いていることを特徴とする半導体装置である。
【0016】
また本発明によれば、前記パワーモジュール基板は、回路がパターニングされた1枚の基板を用いていることを特徴とする半導体装置である。
【0017】
また本発明によれば、前記電極間を電気的に接続している接続手段はワイヤボンディングであることを特徴とする半導体装置である。
【0018】
また本発明によれば、前記電極間を電気的に接続している接続手段はALストラップまたはCuストラップであることを特徴とする半導体装置である。
【0019】
また本発明によれば、半導体チップをパワーモジュール基板にはんだ付けする第1の実装工程と、前記半導体チップが実装されたパワーモジュール基板を多連取りのリードフレームの所定個所にはんだ付けする第2の実装工程と、この第2の実装工程により形成された各部の電極間を電気的に接続する内部配線工程と、この内部配線工程後にトランスファーモールドにより外囲器を形成する外囲器形成工程と、前記多連取りのリードフレームを所定個所で分割しリードをカットする分離工程と、前記リードフレームからアウターリードを分離して外装はんだ付けをおこなうアウターリード分離工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態の半導体装置とその製造方法について図面を参照して説明する。
【0021】
図1に回路図を示したように、パワー半導体モジュールの例として、電力回路の基本構成要素のひとであるハーフブリッジ回路の一例は、3端子スイッチと、それに逆並列に接続された2端子ダイオードからなる2個の半導体チップ1、1の対が、トーテムポール配置で直列接続されて、2in1の回路構成を形成している。
【0022】
図2に外観図を、図3に側面断面図を示すように、ハーフブリッジ回路をパッケージングしたパッケージ構造の半導体装置は、図4(a)に平面図を、図4(b)にその側面図を示すように、半導体チップ1がパワーモジュール基板2にはんだ付けされている。さらに、半導体チップ1を搭載したパワーモジュール基板2は、リードフレーム3の上に実装されており相互の電極(不図示)同士はボンディングワイヤ7(電気的接続手段)により電気的に接続されている。また、全体が封止樹脂により樹脂封止されて外囲器4を形成している。この外囲器4からはリードフレーム3が打抜かれて形成された入出力端子5が外部に延在しており、また、外囲器4の裏面にはリードフレーム3の一部により形成された裏面放熱板6が設けられている。
【0023】
樹脂封止されてパッケージングされたハーフブリッジ回路は、ハイサイドパワー素子のコレクタ(ドレイン)電位と、ローサイドパワー素子のコレクタ(ドレイン)電位はそれぞれが独立に設けられ、かつ、ケースGNDとハイサイドパワー素子コレクタ(ドレイン)はAC3000V以上の絶縁耐圧が保障できるように設定されている。
【0024】
また、パワーモジュール基板2としては、DBC(Direct Bond Copper 登録商標)基板やAMC(Activ Metal Brazed Copper)基板が用いられている。
【0025】
DBC基板2aは、アルミナや窒化アルミニウムのセラミック基板の上に銅回路基板を直接接合したパワーモジュール基板2で、AMC基板2bは、ろう材を介してセラミックスと銅回路基板を貼り合せた耐熱サイクルに優れたパワーモジュール基板2である。なお、両基板は、従来、パワートランジスタ等の大電力半導体モジュール基板として用いられてきたメタライズ基板に、モリブテンスペーサ(Siペレットとの熱膨張係数の整合用)が、はんだ付けされた複雑な構造を必要としなくて、良好な半導体の放熱機能や絶縁機能が得られる。
【0026】
次に、上述の半導体装置の製造工程について、図5に示したフロー図を参照して説明する。なお、半導体装置の各部とその符号については、図2および図3で用いたものを援用している。
【0027】
まず、ハーフブリッジ2in1回路を実現するパッケージ構造の半導体装置の製造工程として、複数のパワーモジュール基板2であるDBC基板2a(またはAMC基板2b)に、ハーフブリッジ2in1回路が形成された半導体チップ1をはんだ付けする(第1の実装工程)。(S1)
なお、その際に、DBC基板2a(またはAMC基板2b)は回路がパターニングされている必要はない。また、用いられている基板2a(2b)は半導体チップ1の搭載面積と、他素子の搭載面積や、他端子へのボンディング面積を満足する最小の面積に形成されている。
【0028】
次に、図6に平面図を示すように、半導体チップ1がチップマウントにより、はんだ付けされたパワーモジュール基板2を、それぞれCuまたはCu合金で形成された多連個取りのリードフレーム3の上にはんだ付けする(第2の実装工程)。(S2)
ワイヤボンディングにより半導体チップ1の電極とパワーモジュール基板2の電極とをボンディングワイヤ7により電気的に接合する(内部配線工程)。(S3)
次に、封止樹脂を用いたトランスファーモールドにより外囲器4を形成する(外囲器形成工程)。(S4)
リードフレーム3の上に形成された外囲器4について、多連取りのセパレーションとリードカットを行こない分離する(分離工程)。(S5)
アウターリード8を分離して外装はんだ付けをおこなう(アウターリード分離工程)。(S6)
なお、はんだ接合の際に用いるはんだについては、例えば、半導体チップ1とパワーモジュール基板2の間の接合に用いるはんだを融点310度のPbはんだを使用し、一方、パワーモジュール基板2とリードフレーム3の間の接合に用いるはんだを融点243度のSn−Sbはんだを使用している。
【0029】
上述のように、多連のリードフレーム3の上に複数のパワーモジュール基板2であるAMCまたはDBC基板2aを搭載する構造の半導体装置は、製造の際のチップマウント、基板マウントおよびワイヤボンディングの各工程において、従来からディスクリート半導体を製造している既存の製造ラインをそのまま適用することができるので新たな設備を必要としない。しかも、従来の技術の項で説明したインサートケースに収納するケースタイプの1個流し製造ラインに比較して、生産効率の向上を図ることが容易であるので、半導体装置の原価を低減することができる。
【0030】
特に、樹脂封止に際して、多連のリードフレーム3によるトランスファーモールド法を用いることができるので、外囲器4の形成を極めて効率的におこなうことができる。
【0031】
また、一般に高価であるAMCまたはDBC基板2aをチップ搭載面積とボンディング面積の最小限としワイヤボンディングにより基板、リードフレーム3、パワーチップの接続をおこなっているので、高価なAMC基板2bまたはDBC基板2aの面積を縮小することができ、使用部材の原価の低減を図ることができる。
【0032】
更に、AMC基板2bまたはDBC基板2aを分割してリードフレーム3の上にはんだ付けすることで、前者を1枚基板で構成するよりも、はんだ付け後に基板内に生じる応力が低減されるので、基板割れなどの品質不良が生じる惧れがない。
【0033】
更に、上述の半導体装置はチップ、ケース間の高放熱性が要求に対して、DBC基板2aまたはAMC基板2bをリードフレーム3にはんだ付けすることで、従来技術であるDBC基板2aで単体ケース構造の場合と遜色のない熱抵抗を実現することができる。
【0034】
また、放熱性(熱抵抗)について、図7(a)に示した従来構造と図7(b)に示した上述の実施の形態での構造について比較計算した結果、
従来の構造では、Rj−c=0.13℃/W
本実施の形態の構造では、Rj−C=0.181℃/W
Rj−cは、半導体チップ1のジャンクションとケースとの間の熱抵抗(R)
したがって、両者の熱抵抗はほとんど差異がなく、本実施の形態の構造でも良好は放熱特性を維持することが可能である。
【0035】
また、従来の構造のDBC基板2aを用いた単体ケース構造は、図9に示したように、DBC基板2aが外部に露出してる構造のため、締め付けなど外力や、落下などの衝撃加重に対して基板割れを引き起こしやすいが、本実施の形態の構造では、DBC基板2aがリードフレーム3にはんだ付けされているので、リードフレーム3やはんだがDBC基板2aに対し保護の機能として働き、基板の割れが生じにくく、品質向上が図れる。
【0036】
また、上述の実施の形態でははんだについて、半導体チップ1とDBC基板2a間のはんだを融点310度のPbはんだを使用し、DBC基板2aとリードフレーム3間のはんだを融点243度のSn−Sbはんだを使用し、はんだ融点を異ならせている。それにより、信頼性が向上し、かつ、組立性が容易になった。
【0037】
つまり、通常の半導体チップ1、DBC基板2aの組立て工程では、最初に半導体チップ1をDBC基板2aにはんだ付けし、その後半導体チップ1を搭載したDBC基板2aをリードフレーム3にはんだ付けしている。その際に、半導体チップ1とDBC基板2a間のはんだと、DBC基板2aとリードフレーム3間のはんだの融点が同一である場合は、半導体チップ1を搭載したDBC基板2aをリードフレーム3にはんだ付けする際、半導体チップ1の下のはんだが再溶融し、信頼性の劣化を引き起こす問題点がある。
【0038】
その問題を回避するため、半導体チップ1、DBC基板2aを同一はんだ付け工程でリードフレーム3上にはんだ付けする方法もおこなわれているが、その場合、リードフレーム3上のDBC基板2aの位置とDBC基板2a上の半導体チップ1の位置とを同時に位置決めしてはんだ付けする必要があり、技術的に高精度な位置決めは困難である。
【0039】
次に本発明の変形例について説明する。なお、以下の変形例については、上述の実施の形態と異なる部分のみについて説明する。それ以外の部分は上述の実施の形態を援用し、重複説明を避けるため説明は省略する。
【0040】
(変形例1)
上述の実施の形態のモジュール構造においては、半導体チップ1を実装したパターニングされてない複数のDBC基板2aまたはAMC基板2bをリードフレーム3上に搭載したが、複数の基板を用いる替わりに、図8(a)に全体の斜視図を、図8(b)に単独の斜視図を示すように、所定の回路にパターニングされた1枚のDBC基板2aまたはAMC基板2bを使用し、この1枚の基板2a(2b)にの上に2個の半導体チップ1、1を実装している。
【0041】
この場合、回路をパターニングしたDBC基板2a(あるいはAMC基板2b)を1枚単独で使用することにより、複数のDBC基板2a(あるいはAMC基板2b)をリードフレーム3の上に搭載する構造に対して、当該基板2a、2bをリードフレーム3にはんだ付けする際の工数が削減できる。
【0042】
また、ワイヤボンディングによってだけでは、要求される回路を実現することが困難な場合でも、パターニングされたDBC基板2a(あるいはAMC基板2b)を使用することで設計の自由度が高まり、モジュール構造のコンパクト化が実現できる。
【0043】
(変形例2)
上述の実施の形態のモジュール構造においては、所定の回路を実現するための内部の配線をワイヤボンディングによるボンディングワイヤ7で接合して実現しているが、ボンディングワイヤ7の替わりに、CuストラップあるいはALストラップ等の方法でのそれぞれの金属箔(不図示)で相互を電気的に接続することもできる。
【0044】
この場合、一般に、大電流を要求される半導体モジュールは、多数本のボンディングワイヤ7で接合する必要があるが、その場合、ワイヤボンディング工程でのボンディング時間が長くなり、製造コストの上昇の原因となる。それに対して、相互の接続を電流容量の高いAL、Cu箔などを使用した、CuまたはALストラップ接合技術を用いることで、接合時間の短縮を図ることができ、製造コストの低減が図れる。
【0045】
以上に説明したように、本発明によれば、本発明によれば、多連リードフレーム3の上に複数のパワーモジュール基板2であるAMCまたはDBC基板2aを搭載する構造の半導体装置を構成しているので、製造の際のチップマウント、基板マウントおよびワイヤボンディングの各工程において、従来からディスクリート半導体を製造している既存の製造ラインをそのまま適用することができ、新たな設備を必要としないので効率のよい生産をおこなうことができる。
【0046】
また、従来用いられていたインサートケースに収納するケースタイプの1個流し製造ラインに比較して、例えば、樹脂封止に際して、多連リードフレーム3によるトランスファーモールド法を用いることができるので、外囲器4の形成を極めて効率的におこなうことができて、それにより生産効率の向上を図ることができ、半導体装置の原価を低減することができる。
【0047】
【発明の効果】
本発明によれば、パワー半導体素子を複数個搭載しパッケージングした、生産性が高く高性能の半導体装置と、その半導体装置の製造方法が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ハーフブリッジ回路の回路図。
【図2】本発明の半導体装置の外観図。
【図3】本発明の半導体装置の側面断面図。
【図4】(a)および(b)は、半導体チップとパワーモジュール基板との関係の説明図。
【図5】本発明の半導体装置の製造工程のフロー図。
【図6】本発明の半導体装置の製造工程の平面図。
【図7】(a)および(b)は、放熱性についての従来構造と本発明の構造との説明図。
【図8】(a)および(b)は、本発明の変形例の説明図。
【図9】従来の半導体装置の斜視図。
【図10】従来の半導体装置の一部断面斜視図。
【図11】従来の半導体装置の製造工程のフロー図。
【符号の説明】
1…半導体チップ、2…パワーモジュール基板、2a…DBC基板、2b…AMC基板、3…リードフレーム、4…外囲器、5…入出力端子、6…裏面放熱板、7…ボンディングワイヤ
Claims (7)
- トランスファーモールドにより封止された外囲器が形成された半導体装置であって、
前記外囲器の内部には、複数の半導体チップが実装されたパワーモジュール基板と、このパワーモジュール基板が実装されたリードフレームの個所と、それぞれの電極間を電気的に接続している接続手段が形成されており、前記外囲器から外部に入出力端子が延在していることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体チップと前記パワーモジュール基板との接合、および、前記前記パワーモジュール基板と前記リードフレームとの接合はいずれもはんだ接合されており、その際に用いられているはんだの融点が前記半導体チップと前記パワーモジュール基板との接合に用いられている方が高いことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記パワーモジュール基板は、実装する前記半導体チップ毎に用いていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記パワーモジュール基板は、回路がパターニングされた1枚の基板を用いていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記電極間を電気的に接続している接続手段はワイヤボンディングであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記電極間を電気的に接続している接続手段はALストラップまたはCuストラップであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 半導体チップをパワーモジュール基板にはんだ付けする第1の実装工程と、前記半導体チップが実装されたパワーモジュール基板を多連取りのリードフレームの所定個所にはんだ付けする第2の実装工程と、この第2の実装工程により形成された各部の電極間を電気的に接続する内部配線工程と、この内部配線工程後にトランスファーモールドにより外囲器を形成する外囲器形成工程と、前記多連取りのリードフレームを所定個所で分割しリードをカットする分離工程と、前記リードフレームからアウターリードを分離して外装はんだ付けをおこなうアウターリード分離工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2002270489A JP2004111560A (ja) | 2002-09-17 | 2002-09-17 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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JP2007027261A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュール |
JP2009070934A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-04-02 | Hitachi Ltd | パワー半導体モジュール及びその製法 |
-
2002
- 2002-09-17 JP JP2002270489A patent/JP2004111560A/ja active Pending
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