JP2004111504A - プリント配線板のバンプ形成方法 - Google Patents

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Yoshihiko Tozawa
戸澤 仁彦
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Abstract

【課題】導電性ペーストを使用せず基本的なプリント配線板の製造工程のみでバンプを形成する方法を提供する。
【解決手段】次の工程を有するバンプの形成方法。
(1)銅張り積層板1のバンプを形成すべき面に銅めっき可能な銅以外の金属めっき層2を形成し、この上に厚付け銅めっき層3を形成する工程。
(2)銅張り積層板にスルーホール4を形成し、内層となるべき面に内層回路6を形成する工程。
(3)銅張り積層板と他の銅張り積層板8とをプリプレグ7を介して積層し、加熱加圧接着により多層板を形成する工程。
(4)厚付けめっき層をエッチングする工程。
(5)銅以外の金属めっき層をエッチングする工程。
(6)多層板にスルーホール10を形成し、外層回路14を形成する工程。
【選択図】     図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はプリント配線板に関し、特に表面に配設するバンプの形成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、電子機器の小型、軽量化に伴って高密度実装技術が進展している。例えばプリント配線板への部品実装においては、スルーホールに部品リードを挿入し電気的、機械的接合を得る部品実装方法に替わって、プリント配線板表面に平面的に形成されたパッド上に部品電極を半田付けする表面実装方法が大半を占めてきた。
【0003】
特に近年では実装部品にリードを配設することを省略し、バンプを介して実装部品の電極とプリント配線板とを接続する技術が発達し、更なる高密度実装と伝送経路の短縮が図られるようになってきた。
【0004】
このバンプとしては次の三とおりの形態が考えられる。一つは実装部品の電極に突起電極であるバンプを形成した形態。他の一つは独立した金属魁であるバンプを介して実装部品の電極とプリント配線板の電極を接続する形態。更に他の一つはプリント基板の表面に突起電極であるバンプを形成した形態である。
【0005】
これらの中で最後に述べたプリント配線板の表面にバンプを形成する方法として従来より実施されていた技術に、プリント配線板の電極上に導電性ペーストを塗布してバンプを形成する方法がある。
【0006】
この方法は、外層回路が形成されたプリント配線板51の表面にメタルマスク等のマスキング52を行い(図2(a))、マスキング52の開口部である電極上に導電性ペースト53を塗布し(図2(b))、マスキング除去後前記導電性ペースト53を加熱硬化させる(図2(c))ものである。
【0007】
ここで熱硬化性樹脂を含有した一般の導電性ペーストは、硬化する前の加熱初期段階においてバンプの粘度が急激に低下する性質があるため、この際にだれが生じるという問題を有する。このだれによりバンプ高さが変化したり、バンプ上面の形状が変化したり、隣接バンプ間での短絡を引き起こしたりするため、従来より当業者間ではこの現象を極力抑えるために工夫が成されてきた。
【0008】
例えば特開2001−135140公報で開示されているように、導電性ペーストの組成物やその配合比率を工夫し、塗布性を良好に維持しつつ極力だれが生じないような導電性ペーストが開発されてきた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、現在においても完全にだれが生じない導電性ペーストを開発するのは困難であり、加えて高性能な導電性ペーストを使用したとしても、加熱硬化の際の温度と時間管理を厳密に行わねばならない。つまり通常のプリント配線板の基本的な製造工程であるめっきやエッチングに加えて導電性ペーストの塗布や加熱硬化という通常とは異なるしかも難易度の高い工程を経なければならない。
【0010】
本発明は前記課題を解決するためになされたもので、導電性ペーストを使用せず基本的なプリント配線板の製造工程のみでバンプを形成する方法を提供する。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明により、プリント配線板の製造方法において次の工程を有することを特徴とするバンプの形成方法を提供する。
【0012】
(1)銅張り積層板のバンプを形成すべき面に銅めっき可能な銅以外の金属めっき層を形成し、この上に厚付け銅めっき層を形成する工程
(2)前記銅張り積層板にスルーホールを形成し、内層となるべき面に内層回路を形成する工程
(3)前記銅張り積層板と他の銅張り積層板とをプリプレグを介して積層し、加熱加圧接着により多層板を形成する工程
(4)前記厚付け銅めっき層をエッチングする工程
(5)前記銅以外の金属めっき層をエッチングする工程
(6)前記多層板にスルーホールを形成し、外層回路を形成する工程
【0013】
また前記工程において、前記銅以外の金属めっき層がニッケルから成ることを特徴とするバンプの形成方法を提供する。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図1に基づいて説明する。図1は本発明に係るバンプの形成方法を示す断面模式図である。
【0015】
図1(a)において1は銅張り積層板であり基材1Aと銅箔1B、1Cとで構成されている。この銅張り積層板1のバンプを形成すべき側の面に銅めっき可能な銅以外の金属めっきである例えばニッケルめっき層2を形成し、さらにその上に厚付け銅めっき層3を形成する。
【0016】
さらに、図1(b)のようにスルーホール4を形成する。このスルーホールを形成する際、貫通孔にスルーホールめっき5A(無電解銅めっき後電解銅めっき)を施すため、両主面にもめっき層5B、5Cが形成される。
【0017】
次に図1(c)のように内層となるべき面に回路パターン6を形成し、図1(d)のようにプリプレグ(絶縁接着層)7を介して他の銅張り積層板8を積層し、加熱加圧接着する。
【0018】
この時他の銅張り積層板8としては外層となるべき面に銅箔8Bを備えたものを使用するが、内層となるべき面の銅箔8Cは必要に応じて設け、これで内層回路パターンを形成すればよい。また、図では他の銅張り積層板8を一枚としているが、これが複数枚であって、それぞれの間にプリプレグを介して積層してもよい。
【0019】
このように加熱加圧接着することでプリプレグ7は一時的に流動化し、前記スルーホール4に充満する。
【0020】
次に図1(e)で示すように、前記厚付け銅めっき層3、前記銅以外の金属めっき層2を順次エッチング除去する。このときまず銅を侵食可能なエッチング液によりエッチングするが、厚付け銅めっき層3を侵食したのちは銅以外の金属層(本実施例の場合ニッケルめっき層)があるのでこれを侵食しない。
【0021】
さらに銅以外の金属(本実施例ではニッケル)を侵食可能なエッチング液によりエッチングするが、これは銅箔を侵食しない。そしてこの結果、プリプレグ7のスルーホール4に充満した部分が突起9として残存する。
【0022】
さらに図1(f)で示すように他のスルーホール10を形成する。このときめっきレジスト11を配設してスルーホール銅めっき12を施しさらに半田めっき13を施せば、同時に突起部9も銅めっき12、はんだめっき13の順序で被覆される。
【0023】
このあとめっきレジスト11を除去し銅をエッチングすることで図1(g)に示すような半田めっき13に被覆された外層回路パターン14が形成され、また同時に樹脂をコアとした突起電極であるバンプ15が形成される。
【0024】
このときこのはんだめっき13をヒュージングしてもよいし、このはんだめっき13を除去してソルダレジスト16を形成し、レベリングによりソルダコートしてもよい。また、はんだめっき13を除去して表面が銅であるバンプとしてもよいし、表面に金等の異種金属層を形成してもよい。
【0025】
【発明の効果】
本発明によれば、めっきとエッチング工程でバンプを形成可能としたので、導電ペーストの塗布技術や加熱硬化の技術を駆使せずに済む。この結果工程の簡略化が達成できる。
【0026】
また、銅以外の金属めっき層を配することによりハーフエッチングのような厳密な侵食管理を必要とせずに済む。
【0027】
さらにスルーホールに充満したプリプレグを利用することにより、バンプ形成のエッチングの際レジストする必要がない。つまりレジストの位置合わせ工程が省略できる他、レジストの位置ずれによるエッチングの位置ずれの可能性が排除できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるバンプの形成の工程を示す断面模式図
【図2】従来技術によるバンプの形成方法を示す断面模式図
【符号の説明】
1 銅張り積層板
2 銅以外の金属めっき層
3 厚付け銅めっき層
4 スルーホール
7 プリプレグ
8 他の銅張り積層板
10 他のスルーホール
15 バンプ
16 ソルダーレジスト

Claims (2)

  1. プリント配線板の製造方法において、次の工程を有することを特徴とするバンプの形成方法。
    (1)銅張り積層板のバンプを形成すべき面に銅めっき可能な銅以外の金属めっき層を形成し、この上に厚付け銅めっき層を形成する工程
    (2)前記銅張り積層板にスルーホールを形成し、内層となるべき面に内層回路を形成する工程
    (3)前記銅張り積層板と他の銅張り積層板とをプリプレグを介して積層し、加熱加圧接着により多層板を形成する工程
    (4)前記厚付け銅めっき層をエッチングする工程
    (5)前記銅以外の金属めっき層をエッチングする工程
    (6)前記多層板にスルーホールを形成し、外層回路を形成する工程
  2. 前記銅以外の金属めっき層がニッケルから成ることを特徴とする請求項1に記載のバンプの形成方法。
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