JP2004109425A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2004109425A5
JP2004109425A5 JP2002271300A JP2002271300A JP2004109425A5 JP 2004109425 A5 JP2004109425 A5 JP 2004109425A5 JP 2002271300 A JP2002271300 A JP 2002271300A JP 2002271300 A JP2002271300 A JP 2002271300A JP 2004109425 A5 JP2004109425 A5 JP 2004109425A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical waveguide
electrode
substrate surface
waveguide device
oxide film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002271300A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP4085423B2 (ja
JP2004109425A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2002271300A priority Critical patent/JP4085423B2/ja
Priority claimed from JP2002271300A external-priority patent/JP4085423B2/ja
Publication of JP2004109425A publication Critical patent/JP2004109425A/ja
Publication of JP2004109425A5 publication Critical patent/JP2004109425A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4085423B2 publication Critical patent/JP4085423B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP2002271300A 2002-09-18 2002-09-18 光導波路デバイスの製造方法 Expired - Fee Related JP4085423B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002271300A JP4085423B2 (ja) 2002-09-18 2002-09-18 光導波路デバイスの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002271300A JP4085423B2 (ja) 2002-09-18 2002-09-18 光導波路デバイスの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2004109425A JP2004109425A (ja) 2004-04-08
JP2004109425A5 true JP2004109425A5 (https=) 2005-11-04
JP4085423B2 JP4085423B2 (ja) 2008-05-14

Family

ID=32268652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002271300A Expired - Fee Related JP4085423B2 (ja) 2002-09-18 2002-09-18 光導波路デバイスの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4085423B2 (https=)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4559818B2 (ja) * 2004-04-30 2010-10-13 アルプス電気株式会社 シリコン基板の無電解めっき方法およびシリコン基板上の金属層形成方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5984437A (ja) * 1982-11-04 1984-05-16 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS62206521A (ja) * 1986-03-07 1987-09-11 Nec Corp 導波型光信号処理デバイス
JPH0748485B2 (ja) * 1987-02-23 1995-05-24 日本電装株式会社 エツチング方法
EP0658784A3 (de) * 1991-02-08 1995-08-23 Siemens Ag Optoelektronisches Bauelement zum Ein- und Auskoppeln von Strahlung.
WO1994010592A1 (fr) * 1992-10-28 1994-05-11 Fujitsu Limited Procede pour la production de dispositifs a guide d'ondes
JPH09326435A (ja) * 1996-06-06 1997-12-16 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JPH103015A (ja) * 1996-06-14 1998-01-06 Furukawa Electric Co Ltd:The ハイブリッド光集積回路の製造方法
JPH10308555A (ja) * 1997-05-01 1998-11-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ハイブリッド導波形光回路とその製造方法
JPH11190811A (ja) * 1997-12-25 1999-07-13 Kyocera Corp 光デバイス実装用基板及びその製造方法並びに光モジュール
JPH11211925A (ja) * 1998-01-27 1999-08-06 Japan Aviation Electronics Ind Ltd 光導波路
JP2000216473A (ja) * 1999-01-22 2000-08-04 Hitachi Cable Ltd 光モジュ―ル用素子及びその製造方法
JP3902892B2 (ja) * 1999-02-04 2007-04-11 日本オプネクスト株式会社 光モジュール
JP2001242349A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Kyocera Corp 光部品実装用基板およびそれを用いた光モジュール
JP2001337242A (ja) * 2000-05-25 2001-12-07 Minolta Co Ltd 光結合回路の製造方法
JP2001356228A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Furukawa Electric Co Ltd:The 光導波路デバイス
JP4671480B2 (ja) * 2000-09-01 2011-04-20 京セラ株式会社 光実装基板の製造方法及び光モジュールの製造方法
JP3712934B2 (ja) * 2000-11-01 2005-11-02 株式会社日立製作所 光導波路部材、その製造方法及び光モジュール
JP2002162527A (ja) * 2000-11-28 2002-06-07 Furukawa Electric Co Ltd:The 光デバイスおよびその光デバイス用半製品

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60140379D1 (de) Soi/glas-verfahren zur herstellung von dünnen mikrobearbeiteten strukturen
JP2002079499A (ja) 針形状物の作製方法および作製された針
CN103738914B (zh) Mems器件的制造方法
WO2007143072B1 (en) Wet etch suitable for creating square cuts in si and resulting structures
CN101920932A (zh) 制作纳米尺寸间距的电极的方法
WO2011052989A2 (ko) 식각액 조성물
JPWO2022162494A5 (ja) 表示装置の作製方法
WO2018136795A3 (en) Etching platinum-containing thin film using protective cap layer
TWI676606B (zh) 玻璃加工方法、玻璃蝕刻液、及玻璃基板
JP2003251598A (ja) 基板貫通エッチング方法
JP2005526399A5 (https=)
JP2004109425A5 (https=)
JP2003183652A (ja) エッチング剤
CN105460887B (zh) 图形化多孔硅的制备方法
CN114955980B (zh) 基于pdms-硅纳米膜的柔性心音传感器及其制备方法
CN105023842B (zh) 一种加固碳化光刻胶与Si基底结合的凹槽刻蚀方法
WO2002089192A8 (en) Method of wet etching an inorganic antireflection layer
CN103681306A (zh) 一种平缓光滑侧壁形貌的氮氧硅刻蚀方法
CN104528631A (zh) 一种硅片表面纳米孔结构的制备方法
JP2002031898A (ja) パターン形成方法
JPWO2022144666A5 (https=)
CN1322591C (zh) 一种加工制造微电子机械系统元器件的方法
CN105712287B (zh) 半导体器件的制作方法
JP2006313300A (ja) プリズムの製造方法
TWI364074B (en) Method of forming spaces by etching sacrificial layer