JP2004103694A - Ｓｉウエハ用レーザマーキング装置 - Google Patents
Ｓｉウエハ用レーザマーキング装置 Download PDFInfo
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- JP2004103694A JP2004103694A JP2002261131A JP2002261131A JP2004103694A JP 2004103694 A JP2004103694 A JP 2004103694A JP 2002261131 A JP2002261131 A JP 2002261131A JP 2002261131 A JP2002261131 A JP 2002261131A JP 2004103694 A JP2004103694 A JP 2004103694A
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Abstract
【課題】Ｓｉウエハへの吸収率が良い高価なＳＨＧレーザ等を用いずに、高出力ではないレーザ発生装置単体で構成することができ、装置を安価で小型化することができるＳｉウエハ用レーザマーキング装置を提供する。
【解決手段】レーザ光２を照射するＹＡＧレーザ１、前記レーザ光２をＳｉウエハ４に集光させる集光手段３、前記Ｓｉウエハ４上に生じる前記レーザ光２の集光点を走査する走査手段５、前記Ｓｉウエハ４を透過したレーザ光７を反射するための全反射ミラー６を順次配置する
【選択図】 図１
【解決手段】レーザ光２を照射するＹＡＧレーザ１、前記レーザ光２をＳｉウエハ４に集光させる集光手段３、前記Ｓｉウエハ４上に生じる前記レーザ光２の集光点を走査する走査手段５、前記Ｓｉウエハ４を透過したレーザ光７を反射するための全反射ミラー６を順次配置する
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｓｉウエハへ日付や番号等の情報を持つ文字、数字、バーコードまたは２次元コード等をマーキングするＳｉウエハ用マーキング装置に関する。
【０００２】
【従来の枝術】
Ｓｉウエハへのマーキングには、従来前記Ｓｉウエハへの吸収率がよいＳＨＧレーザ等を用いている。また。ＹＡＧレーザを用いた場合には、高出力のものを使用または前記ＹＡＧレーザの他に加熱用のアシストを用いてマーキングを行っていた。
【０００３】
しかしながら、ＳＨＧレーザ等を用いた場合には、装置の構成が複雑で高価になる。また、高出力のもの、ＹＡＧレーザやＹＡＧレーザの他に加熱用のアシストレーザを用いた場合には、装置が高価になるとともに装置が大きくなる。そして、高出力ではないＹＡＧレーザ単体ではレーザが透過してしまい、マーキングできないといった問題点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は、Ｓｉウエハへの吸収率が良い高価なＳＨＧレーザ等を用いずに、高出力ではないＹＡＧレーザ等のレーザ発生装置単体で構成することができ、装置を安価で小型化することができるＳｉウエハ用レーザマーキング装置を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、Ｓｉウエハを一部が透過するレーザ光を照射するレーザ発生装置と、前記レーザ光をＳｉウエハに集光させる集光手段と、前記Ｓｉウエハ上に生じる前記レーザ光の集光点を走査する走査手段とＳｉウエハを透過したレーザ光をＳｉウエハへ反射させる全反射ミラーを具備するようにしたものである。
【０００６】
本発明実施に用いるレーザ発生装置としては、ＹＡＧレーザ、ＣＯ２レーザ、ガラスレーザ、半導体レーザ（Ｓｉウエハを一部が透過する波長の長いレーザ光を発生させるもの）等を使用する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図に基づいて説明する。
【０００８】
図１は本発明にかかるＳｉウエハ用レーザマーキング装置の概略構成を示す模式図で、１はＹＡＧレーザ、２はＹＡＧレーザ１から照射されたレーザ光、３はレーザ光２を集光するための集光手段（レンズ系）、４はＳｉウエハ、５はＳｉウエハ４を透過したレーザ光が通過可能な構成のＸ‐Ｙステージ等からなる走査手段、６はＳｉウエハ４を透過したレーザ光３を反射するための全反射ミラー、７は全反射ミラー６で反射したレーザ光である。
【０００９】
図１の模式図に示すように、集光手段３により集光されたＹＡＧレーザ光２は、波長の性質により、Ｓｉウエハを透過してしまう。その透過したレーザ光を全反射ミラー６により、Ｓｉウエハ４を透過してきたレーザ光を反射することにより、裏面から反射レーザ光７をＳｉウエハ４に照射することができる。
【００１０】
この実施例の形態によれば、透過したレーザ光を全反射ミラー６により、Ｓｉウエハ４を透過してきたレーザ光を反射し、裏面からマーキングスポットへ反射レーザー光７をＳｉウエハ４に照射すれば、マーキングスポットの温度上昇にバイアスを加えることができる。
【００１１】
このことから、全反射ミラー６により、裏面からマーキングスポットへ照射する反射レーザ光は、加熱用アシストレーザの役目を果たし、高出力ではないＹＡＧレーザ単体でもレーザマーキングを行うことができる。
【００１２】
以上説明した実施例は、レーザ発生装置としてＹＡＧレーザを用いた場合であるが、前述のようにレーザ光の一部がＳｉウエハを透過するレーザ発生装置として、例えばＣＯ２レーザ、ガラスレーザ、半導体レーザ（但し波長の長いもの）を用いることができる。
【００１３】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明のＳｉウエハ用レーザマーキング装置によれば、全反射ミラー６により透過したレーザー光をマーキングスポットに照射すれば、吸収率の良いＳＨＧレーザ、高出力のＹＡＧレーザ、加熱用のアシストレーザを使用しなくても、高出力ではないレーザ発生装置単体でレーザマーキングを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明実施例の概略構成を示す模式図。
【符号の説明】
１ ＹＡＧレーザ
２ レーザ光
３ 集光手段
４ Ｓｉウエハ
５ 走査手段
６ 全反射ミラー
７ 反射レーザ光
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｓｉウエハへ日付や番号等の情報を持つ文字、数字、バーコードまたは２次元コード等をマーキングするＳｉウエハ用マーキング装置に関する。
【０００２】
【従来の枝術】
Ｓｉウエハへのマーキングには、従来前記Ｓｉウエハへの吸収率がよいＳＨＧレーザ等を用いている。また。ＹＡＧレーザを用いた場合には、高出力のものを使用または前記ＹＡＧレーザの他に加熱用のアシストを用いてマーキングを行っていた。
【０００３】
しかしながら、ＳＨＧレーザ等を用いた場合には、装置の構成が複雑で高価になる。また、高出力のもの、ＹＡＧレーザやＹＡＧレーザの他に加熱用のアシストレーザを用いた場合には、装置が高価になるとともに装置が大きくなる。そして、高出力ではないＹＡＧレーザ単体ではレーザが透過してしまい、マーキングできないといった問題点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は、Ｓｉウエハへの吸収率が良い高価なＳＨＧレーザ等を用いずに、高出力ではないＹＡＧレーザ等のレーザ発生装置単体で構成することができ、装置を安価で小型化することができるＳｉウエハ用レーザマーキング装置を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、Ｓｉウエハを一部が透過するレーザ光を照射するレーザ発生装置と、前記レーザ光をＳｉウエハに集光させる集光手段と、前記Ｓｉウエハ上に生じる前記レーザ光の集光点を走査する走査手段とＳｉウエハを透過したレーザ光をＳｉウエハへ反射させる全反射ミラーを具備するようにしたものである。
【０００６】
本発明実施に用いるレーザ発生装置としては、ＹＡＧレーザ、ＣＯ２レーザ、ガラスレーザ、半導体レーザ（Ｓｉウエハを一部が透過する波長の長いレーザ光を発生させるもの）等を使用する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図に基づいて説明する。
【０００８】
図１は本発明にかかるＳｉウエハ用レーザマーキング装置の概略構成を示す模式図で、１はＹＡＧレーザ、２はＹＡＧレーザ１から照射されたレーザ光、３はレーザ光２を集光するための集光手段（レンズ系）、４はＳｉウエハ、５はＳｉウエハ４を透過したレーザ光が通過可能な構成のＸ‐Ｙステージ等からなる走査手段、６はＳｉウエハ４を透過したレーザ光３を反射するための全反射ミラー、７は全反射ミラー６で反射したレーザ光である。
【０００９】
図１の模式図に示すように、集光手段３により集光されたＹＡＧレーザ光２は、波長の性質により、Ｓｉウエハを透過してしまう。その透過したレーザ光を全反射ミラー６により、Ｓｉウエハ４を透過してきたレーザ光を反射することにより、裏面から反射レーザ光７をＳｉウエハ４に照射することができる。
【００１０】
この実施例の形態によれば、透過したレーザ光を全反射ミラー６により、Ｓｉウエハ４を透過してきたレーザ光を反射し、裏面からマーキングスポットへ反射レーザー光７をＳｉウエハ４に照射すれば、マーキングスポットの温度上昇にバイアスを加えることができる。
【００１１】
このことから、全反射ミラー６により、裏面からマーキングスポットへ照射する反射レーザ光は、加熱用アシストレーザの役目を果たし、高出力ではないＹＡＧレーザ単体でもレーザマーキングを行うことができる。
【００１２】
以上説明した実施例は、レーザ発生装置としてＹＡＧレーザを用いた場合であるが、前述のようにレーザ光の一部がＳｉウエハを透過するレーザ発生装置として、例えばＣＯ２レーザ、ガラスレーザ、半導体レーザ（但し波長の長いもの）を用いることができる。
【００１３】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明のＳｉウエハ用レーザマーキング装置によれば、全反射ミラー６により透過したレーザー光をマーキングスポットに照射すれば、吸収率の良いＳＨＧレーザ、高出力のＹＡＧレーザ、加熱用のアシストレーザを使用しなくても、高出力ではないレーザ発生装置単体でレーザマーキングを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明実施例の概略構成を示す模式図。
【符号の説明】
１ ＹＡＧレーザ
２ レーザ光
３ 集光手段
４ Ｓｉウエハ
５ 走査手段
６ 全反射ミラー
７ 反射レーザ光
Claims (1)
- Ｓｉウエハを一部が透過するレーザ光を照射するレーザ発生装置と、前記レーザ光をＳｉウエハに集光させる集光手段と、前記Ｓｉウエハ上に生じる前記レーザ光の集光点を走査する走査手段とＳｉウエハを透過したレーザ光をＳｉウエハへ反射させる全反射ミラーを具備したことを特徴とするＳｉウエハ用レーザマーキング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002261131A JP2004103694A (ja) | 2002-09-06 | 2002-09-06 | Ｓｉウエハ用レーザマーキング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002261131A JP2004103694A (ja) | 2002-09-06 | 2002-09-06 | Ｓｉウエハ用レーザマーキング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004103694A true JP2004103694A (ja) | 2004-04-02 |
Family
ID=32261594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002261131A Pending JP2004103694A (ja) | 2002-09-06 | 2002-09-06 | Ｓｉウエハ用レーザマーキング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004103694A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104708206A (zh) * | 2015-03-03 | 2015-06-17 | 四川飞阳科技有限公司 | 激光打标装置及激光打标方法 |
| KR101545501B1 (ko) | 2013-11-15 | 2015-08-19 | 주식회사 에스에프에이 | 글래스 절단 장치 |
-
2002
- 2002-09-06 JP JP2002261131A patent/JP2004103694A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101545501B1 (ko) | 2013-11-15 | 2015-08-19 | 주식회사 에스에프에이 | 글래스 절단 장치 |
| CN104708206A (zh) * | 2015-03-03 | 2015-06-17 | 四川飞阳科技有限公司 | 激光打标装置及激光打标方法 |
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