JP2004083894A5

JP2004083894A5 -

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Publication number: JP2004083894A5
Application number: JP2003191128A
Authority: JP
Filing date: 2003-07-03
Publication date: 2006-08-17
Anticipated expiration: 2023-07-03

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】下記式（１）〜（３）
【化１】

（式中、ｍ、ｎ、ｐはそれぞれ０〜３の整数を示し、Ｘ^１〜Ｘ^３はそれぞれＣ（Ｏ）、Ｏ−Ｃ（Ｏ）、またはＣ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｏ）を示し、Ｙ^１〜Ｙ^３はそれぞれ直接結合、炭素数１〜３のメチレン鎖を示し、Ｚ^１〜Ｚ^３はそれぞれ炭素数１〜６のメチレン鎖を示し、Ｒ^１、Ｒ^７、Ｒ^１２はそれぞれ水素原子またはメチル基を示し、Ｒ^２〜Ｒ^６、Ｒ^８〜Ｒ^１１、Ｒ^１３〜Ｒ^１７はそれぞれ水素原子、炭素数１〜６の直鎖もしくは分岐アルキル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数１〜６のエステル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アミノ基、またはシアノ基を示し、Ｒ^４とＲ^５、Ｒ^１０とＲ^１１、Ｒ^１５とＲ^１６は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−または炭素数１〜６のメチレン鎖でつながっていてもよい。ここで、前記アルキル基およびメチレン鎖は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数１〜６のエステル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アミノ基、またはシアノ基を有していてもよく、炭素数１〜６のメチレン鎖は、鎖状構造の中に−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−を有していてもよい。式（２）においてＸ^２、Ｙ^２を含む環とＺ^２を含む環は、位置が相互に入れ替わってもよい。）
で表される構成単位から選ばれる１種又は２種以上を構成単位として含有する重合体。
【請求項２】下記式（Ａ）〜（Ｃ）
【化２】

（式中、ｑは１〜４の整数を示し、Ｒ^２９、Ｒ^３１はそれぞれ水素原子またはメチル基を示し、Ｒ^３０は炭素数１〜６の直鎖もしくは分岐アルキル基、炭素数４〜８の環式飽和炭化水素基、炭素数４〜１６の橋かけ環式飽和炭化水素基を示し、Ｒ^３２は水素原子、親水性官能基または親水性官能基を有する炭素数１〜６の直鎖もしくは分岐アルキル基、炭素数４〜８の環式飽和炭化水素基、炭素数４〜１６の橋かけ環式飽和炭化水素基を示し、Ｒ^３３、Ｒ^３４はそれぞれ水素原子、メチル基、またはエチル基を示す。ここで、環式飽和炭化水素基、橋かけ環式飽和炭化水素基、親水性官能基は炭素数１〜６の直鎖もしくは分岐アルキル基を有していてもよく、さらにヒドロキシ基、カルボキシ基または炭素数１〜６のエステル基を有していてもよい。）
で表される構成単位から選ばれる１種または２種以上を構成単位として含有する請求項１記載の重合体。
【請求項３】前記式（１）〜（３）で表される構成単位が下記式（４）〜（６）
【化３】

（式中、Ｚ^４〜Ｚ^６はそれぞれ炭素数３〜４のメチレン鎖を示し、Ｒ^１８、Ｒ^２２、Ｒ^２５はそれぞれ水素原子またはメチル基を示し、Ｒ^１９〜Ｒ^２１、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２６〜Ｒ^２８はそれぞれ水素原子、炭素数１〜６の直鎖もしくは分岐アルキル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数１〜６のエステル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アミノ基、またはシアノ基を示し、Ｑ^１〜Ｑ^３はそれぞれＣＨ_２、Ｃ（ＣＨ_３）_２またはＯを示す。ここで、前記のアルキル基およびメチレン鎖は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数１〜６のエステル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アミノ基、またはシアノ基を有していてもよい。式（５）において、ラクトン環とＺ^５を含む環は、位置が相互に入れ替わってもよい。）
で表される構成単位である請求項１記載の重合体。
【請求項４】質量平均分子量が１，０００〜１００，０００である請求項１〜３のいずれかに記載の重合体。
【請求項５】重合することにより本発明の重合体の構成単位となる単量体を有機溶剤に溶解させた溶液を、重合温度に加熱された有機溶剤中に滴下しながら重合を行う請求項１〜４のいずれかに記載の重合体の製造方法。
【請求項６】請求項１〜４のいずれかに記載の重合体を含有することを特徴とするレジスト組成物。
【請求項７】光酸発生剤を含有する請求項６記載のレジスト組成物。
【請求項８】請求項６または７に記載のレジスト組成物を被加工基板上に塗布する工程と、２５０ｎｍ以下の波長の光で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成方法。
【請求項９】請求項６または７に記載のレジスト組成物を被加工基板上に塗布する工程と、２５０ｎｍ以下の波長の光で露光する工程と、加熱処理した後現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成方法。
【請求項１０】露光に用いる光が、ＡｒＦエキシマーレーザーであることを特徴とする請求項８または９に記載のパターン形成方法。
【請求項１１】請求項６または７に記載のレジスト組成物を被加工基板上に塗布する工程と、電子線で露光する工程と、現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成方法。
【請求項１２】請求項６または７に記載のレジスト組成物を被加工基板上に塗布する工程と、電子線で露光する工程と、加熱処理した後現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成方法。

（式中、ｍ、ｎ、ｐはそれぞれ０〜３の整数を示し、Ｘ^１〜Ｘ^３はそれぞれＣ（Ｏ）、Ｏ−Ｃ（Ｏ）、またはＣ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｏ）を示し、Ｙ^１〜Ｙ^３はそれぞれ直接結合、炭素数１〜３のメチレン鎖を示し、Ｚ^１〜Ｚ^３はそれぞれ炭素数１〜６のメチレン鎖を示し、Ｒ^１、Ｒ^７、Ｒ^１２はそれぞれ水素原子またはメチル基を示し、Ｒ^２〜Ｒ^６、Ｒ^８〜Ｒ^１１、Ｒ^１３〜Ｒ^１７はそれぞれ水素原子、炭素数１〜６の直鎖もしくは分岐アルキル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数１〜６のエステル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アミノ基、またはシアノ基を示し、Ｒ^４とＲ^５、Ｒ^１０とＲ^１１、Ｒ^１５とＲ^１６は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−または炭素数１〜６のメチレン鎖でつながっていてもよい。ここで、前記アルキル基およびメチレン鎖は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数１〜６のエステル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、アミノ基、またはシアノ基を有していてもよく、炭素数１〜６のメチレン鎖は、鎖状構造の中に−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−を有していてもよい。式（２）においてＸ^２、Ｙ^２を含む環とＺ^２を含む環は、位置が相互に入れ替わってもよい。）
で表される構成単位から選ばれる１種又は２種以上を構成単位として含有する重
合体にある。