JP2004071274A

JP2004071274A - 表示装置

Info

Publication number: JP2004071274A
Application number: JP2002226980A
Authority: JP
Inventors: Masayasu Hayashi; 林　正健
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2002-08-05
Filing date: 2002-08-05
Publication date: 2004-03-04

Abstract

【課題】支持体の帯電の影響を適切かつ有効に低減する。
【解決手段】表示装置の構成として、複数の蛍光体４が配列されたアノード基板１と、複数の蛍光体４に対応する複数の電子放出部５が配列されたカソード基板２と、アノード基板１とカソード基板２との間に介装された支持体３とを備えるとともに、カソード基板２上で支持体３を間に挟んで隣り合う２つの電子放出部５の中心距離Ｐ２を、アノード基板１上で支持体３を間に挟んで隣り合う２つの蛍光体４の中心距離Ｐ１よりも長く設定することにより、支持体３と電子放出部５との間に十分な離間距離Ｌ２を確保する。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電界放出によって電子を放出する電子放出部を用いた表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
真空中におかれた金属等の導体あるいは半導体の表面に、ある閾値以上の電界を与えると、トンネル効果によって電子が障壁を通過し、常温時においても真空中に電子が放出される。この現象は電界放出（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）と呼ばれ、これによって電子を放出するカソードは電界放出型カソード（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｃａｔｈｏｄｅ）と呼ばれている。近年では、ミクロンサイズの電界放出型カソードを、半導体加工技術を駆使して基板上に多数形成したフラットディスプレイ装置（平面型表示装置）としてＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ）が注目されている。ＦＥＤは、電気的に選択（アドレッシング）されたエミッタから電界の集中によって電子を放出させるとともに、この電子をアノード基板側の蛍光体に衝突させて、蛍光体の励起・発光により画像を表示するものである。
【０００３】
ＦＥＤは、その構造上、カソード基板とアノード基板とを微小なギャップ（一般的には１〜２ｍｍ程度）を介して対向状態に配置し、その間のギャップ空間部を真空状態に封止している。そのため、カソード基板やアノード基板が大気圧に耐えられるよう、それらの基板の間にスペーサと呼ばれる支持体を介装し、この支持体で両基板を支持している。支持体は、ＦＥＤの画素の位置と干渉しないように、画素位置を避けた位置（通常はブラックマトリクス上）に配置されている。また一般に、支持体は絶縁材料によって構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、支持体を絶縁材料によって構成した場合は、電子ビームの衝突などによって生じた電荷が支持体の表面に帯電し、この影響で支持体の近傍を通過する電子が引っ張られたり反発し合ったりして電子ビームが曲げられ、表示画像に悪影響を与える恐れがある。
【０００５】
この対策として、例えば、支持体の表面から電荷を逃がすために、支持体に導電処理を施したり、二次電子放出率を低下させる表面処理を施すなどの対策も考えられている。しかし、この対策では、支持体の部品コストや製造コストが大幅に上昇するとともに、温度変化によって特性上のばらつきが生じたり、支持体に微少電流が流れることで電流損失が生じるなどの難点があり、十分に満足のいく結果が得られない。
【０００６】
また、他の対策として、支持体から十分に離れたところを電子ビームが移動（通過）するように、画素ピッチを現状よりも広く設定することが考えられる。しかし、単純に画素ピッチを広く設定すると、その分だけ単位面積当たりの画素数が減少するため、例えば同じ面積で同じ明るさ（輝度）の画像を表示する場合に、一つの蛍光体に対してより高い電流密度をもって電子ビームを衝突させる必要がある。そのため、蛍光面などの面積負荷の増大によって劣化が早まり、動作上のライフ短縮（短命化）につながる恐れがある。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、支持体の帯電の影響を適切かつ有効に抑えることができる表示装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る表示装置は、複数の蛍光体が配列されたアノード基板と、複数の蛍光体に対応する複数の電子放出部が配列されたカソード基板と、アノード基板とカソード基板との間に介装された支持体とを備えるとともに、カソード基板上で支持体を間に挟んで隣り合う２つの電子放出部の中心距離を、アノード基板上で支持体を間に挟んで隣り合う２つの蛍光体の中心距離よりも長く設定した構成を採用している。
【０００９】
上記構成の表示装置においては、カソード基板上で支持体を間に挟んで隣り合う２つの電子放出部の中心距離を、アノード基板上で支持体を間に挟んで隣り合う２つの蛍光体の中心距離よりも長く設定することにより、カソード基板上で支持体と電子放出部の間に十分な離間距離を確保することが可能となる。これにより、カソード基板の近傍では、支持体から十分に離れたところを電子ビームが移動するようになるため、帯電の影響を受けにくくなる。特にカソード基板の近傍では電子ビームの移動速度や残りの移動距離などの関係で帯電の影響度が増すため、この部分で帯電の影響を抑えることが有効となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１１】
図１は本発明の実施形態に係る表示装置（ＦＥＤ）の構成例を示す要部断面図である。図示した表示装置は、大きくは、アノード基板１、カソード基板２および支持体３を備えて構成されている。アノード基板１とカソード基板２は所定のギャップ（例えば、１〜２ｍｍ程度のギャップ）を介して対向状態に配置されている。アノード基板１とカソード基板２の間のギャップ空間部は真空状態に封止されている。また、アノード基板１とカソード基板２の間には耐圧用の支持体３が介装されている。
【００１２】
アノード基板１は、表示装置の前面パネル（表示パネル）を形成するために、光透過性を有するガラス等の絶縁基板（透明ガラス基板等）をベースに構成されるものである。カソード基板３は、ガラス等の絶縁基板をベースに構成されるものである。支持体３は、電気的な絶縁性を有するもので、例えば、アノード基板１とカソード基板２が対向するギャップ空間部に隔壁を形成するように、全体に薄板の帯状に形成される。この支持体３は、基板１，２の間に一定のギャップ（スペース）を確保する機能も有することからスペーサとも呼ばれる。支持体３の形状は種々の変形例（例えば、柱状など）が考えられるが、本発明は特定の形状・構造に限らず適用可能である。
【００１３】
アノード基板１の一面（カソード基板２と対向する側の面）には、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極からなるアノード電極（不図示）とともに、複数の蛍光体４を配列した蛍光面が形成されている。各々の蛍光体４は、一つの画素と１：１の関係で対応するもので、アノード基板１の全体にわたってマトリクス状に配列されている。
【００１４】
カソード基板２の一面（アノード基板１と対向する側の面）には、上述した複数の蛍光体４に対して複数の電子放出部５が配列されている。電子放出部５は、電界放出によって電子を放出するものである。この電子放出部５は、例えば、カソード基板２のベース基板上にライン状に形成されたカソード電極（不図示）と、このカソード電極上に積層された二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）等の絶縁層５１と、この絶縁層５１上にライン状でかつカソードラインと交差するように形成されたゲート電極５２と、カソードラインとゲートラインの交差部分で複数のゲートホール内に形成されたエミッタ５３とによって構成されるもので、一つの画素に複数のエミッタ５３が対応している。各々の電子放出部５は、上記蛍光体４と同様に一つの画素と１：１の関係で対応するもので、カソード基板２の全体にわたってマトリクス状に配列されている。
【００１５】
ここで、アノード基板１上で隣り合う２つの蛍光体４の中心距離は、支持体３との位置関係によらず、アノード基板１の所定の方向（例えば、垂直方向あるいは水平方向）で常に同じ中心距離Ｐ１に設定されている。すなわち、アノード基板１上で支持体３を間に挟んで隣り合う２つの蛍光体４の中心距離と、アノード基板１上で支持体３を間に挟まずに隣り合う２つの蛍光体４の中心距離は、同じ距離（長さ）Ｐ１に設定されている。この理由は、アノード基板１においては、表示画像を構成する画素のピッチに合わせて蛍光体４を一定のピッチで配列する必要があるためである。
【００１６】
これに対して、カソード基板２上で隣り合う２つの電子放出部５の中心距離は、支持体３との位置関係により、カソード基板２の所定の方向（例えば、垂直方向あるいは水平方向）で異なる距離Ｐ２，Ｐ３に設定されている。すなわち、カソード基板２上で支持体３を間に挟んで隣り合う２つの電子放出部５の中心距離は距離Ｐ２に設定され。カソード基板２上で支持体３を間に挟まずに隣り合う２つの電子放出部５の中心距離は距離Ｐ２もしくはそれよりも短い距離Ｐ３に設定されている。
【００１７】
また、カソード基板２上で支持体３を間に挟んで隣り合う２つの電子放出部５の中心距離Ｐ２は、アノード基板１上で支持体３を間に挟んで隣り合う２つの蛍光体４の中心距離Ｐ１よりも長く設定されている。これにより、カソード基板１上で支持体３とその両側の蛍光体４との間に確保される離間距離Ｌ１に比較して、カソード基板２上で支持体３とその両側の電子放出部５との間に確保される離間距離Ｌ２が十分に長いものとなる（Ｌ１＜Ｌ２）。つまり、アノード基板１側では画素ピッチに合わせて蛍光体４の中心距離Ｐ１を設定し、カソード基板２側ではそれよりも電子放出部５の中心距離Ｐ２を長く設定することで、支持体３から大きく離れた位置に電子放出部５を配置する。
【００１８】
また、本実施形態に係る表示装置は、電子放出部５から放出される電子ビームを偏向する偏向手段を備えている。この偏向手段は、カソード基板２上の電子放出部５から放出された電子ビームを、狙いとする蛍光体４に照射するために設けられるものである。すなわち、上述のように蛍光体４と電子放出部５を配列すると、各々の中心位置（ピッチ）にずれが生じるため、両者（４，５）の位置関係に合わせて電子ビームの軌道を可変制御する必要がある。そこで本実施形態においては、偏向手段の一つとして、図２に示すような偏向電極６を備えた構成を採用している。この偏向電極６は、当該偏向電極６に所定の偏向電圧を印加することにより偏向作用を発生させ、ゲート電極５２から引き出された電子ビーム７を電界によって偏向（静電偏向）するものである。
【００１９】
ちなみに、図２においては、カソード電極８とアノード電極９との間の距離（基板間キャップ）を２ｍｍとして、カソード電極８に０Ｖのカソード電圧、アノード電極９に８ｋＶのアノード電圧、支持体３の下に位置する偏向電極６に７００Ｖの偏向電圧をそれぞれ印加した場合の等電位線の分布とそこを通過する電子ビーム７の軌道をシミュレーションした結果を示している。このシミュレーション結果から、偏向電圧を印加した偏向電極６に近い領域で、電子ビームがより大きく偏向されることが分かる。したがって、電子放出部５と偏向電極６の位置関係や、偏向電極６に印加する偏向電圧などを調整することにより、電子ビームの偏向量を任意に制御することができる。また、偏向電極６に対して電子放出部５を左右どちら側に配置するかによって、電子ビームの偏向方向を任意に制御することができる。
【００２０】
さらに本実施形態に係る表示装置では、カソード基板２上において上述のように配列された複数の電子放出部５を複数個ずつの単位（まとまり）でグループ化し、かつ、各々のグループ間で上記偏向手段（偏向電極６）による電子ビームの偏向量を同一条件で設定した構成を採用している。
【００２１】
さらに詳述すると、電子放出部５のグループ化は、例えば２つの支持体３の間に１００個の電子放出部５が介在するものとすると、２つの支持体３の間で４つの電子放出部５を一つのまとまりとして計２５個のグループを形成することにより行われる。このとき、上記図１に示すように、一つのグループを構成する４つの電子放出部５は、当該４つの電子放出部５に対応する４つの蛍光体４と共通の中心軸Ｋを有するものとする。そして、この中心軸Ｋの基準とした線対称な位置に各々の電子放出部５が配置されるものとする。また、一つのグループ内で隣り合う２つの電子放出部５の中心距離は上記Ｐ１よりも短い上記Ｐ３に設定し、異なるグループ間で隣り合う２つの電子放出部５の中心距離は上記Ｐ３よりも長い上記Ｐ２に設定するものとする。このとき、グループ間で隣り合う２つの電子放出部５の間（中間位置）に、必要に応じて支持体（３）を配置することも可能である（図１参照）。
【００２２】
このように複数の電子放出部５を４つずつの単位でグループ化すると、図３に示すように、各々のグループ内で中心軸Ｋを間に挟んで隣り合う２つの電子放出部５Ａ，５Ｂから放出される電子ビームは、偏向電極６に偏向電圧を印加した際に形成される電界により、それぞれビーム径を徐々に拡大しつつ中心軸Ｋから離れる方向に偏向される。このとき、狙いとする蛍光体４Ａ，４Ｂは基準軸Ｋから等距離の位置に存在するため、上記２つの電子放出部５Ａ，５Ｂから放出された電子ビームの偏向量は互いに等しくなる。
【００２３】
また、各々のグループ内で両端に位置する２つの電子放出部５Ｃ，５Ｄから放出される電子ビームについても、偏向電極６に偏向電圧を印加した際に形成される電界により、それぞれビーム径を徐々に拡大しつつ中心軸Ｋから離れる方向に偏向されるともに、狙いとする蛍光体４Ｃ，４Ｄが基準軸Ｋから等距離の位置に存在するため、偏向量は互いに等しくなる。このとき、カソード基板２側で１つのグループを構成する４つの電子放出部５Ａ〜５Ｂの配列ピッチ（図１における距離Ｐ３）に比較してアノード基板４での蛍光体の配列ピッチ（図１における距離Ｐ１）が広くなっているため、内側２つの電子放出部５Ａ，５Ｂから放出された電子ビームの偏向量に比較して、外側２つの電子放出部５Ｃ，５Ｄから放出された電子ビームの偏向量が多くなる。また、各々のグループ間では、４つの電子放出部５Ａ〜５Ｄとこれに対応する４つの蛍光体４Ａ〜４Ｄの位置関係が等しくなっているため、電子ビームの偏向量が同じになる。よって、各々のグループ間で電子ビームの偏向量が同一条件で設定されることになる。
【００２４】
上記構成からなる表示装置においては、カソード基板２上で支持体３を間に挟んで隣り合う２つの電子放出部５の中心距離Ｐ２を、アノード基板１上で支持体３を間に挟んで隣り合う２つの蛍光体４の中心距離Ｐ１よりも長く設定したことにより、カソード基板２上において支持体３とその両側の電子放出部５との間に長い離間距離Ｌ２を確保することができる。これにより、支持体３から十分に離れた位置で電子放出部５により電子の放出が行われる。そのため、カソード基板２側（特に、カソード基板２の近傍）では、支持体３から離れたところを電子ビームが移動するようになる。
【００２５】
一方、アノード基板１側では画素のピッチに合わせて蛍光体４を一定のピッチで配列しているため、支持体３とその両側の蛍光体４との間の離間距離Ｌ１が、カソード基板１側での離間距離Ｌ２に比較して短いものとなる。したがって、アノード基板１側においては、支持体３の両側の蛍光体４を狙って偏向された電子ビームが支持体３の近傍を移動することになる。
【００２６】
ここで、表示装置の厚み方向（図１の上下方向）で電子ビームの移動速度を比較すると、アノード基板１の近傍はカソード基板２の近傍よりも電子ビームの移動速度が速くなる。そのため、支持体３の表面に帯電した電荷が電子ビームに作用する時間的な長さは、カソード基板２の近傍がアノード基板１の近傍よりも長くなる。また、表示装置の厚み方向で電子ビームの残りの移動距離を比較すると、カソード基板２の近傍がアノード基板１の近傍よりも電子ビームの残りの移動距離が長くなる。そのため、支持体３の表面に帯電した電荷との電気的な吸引または反発作用により、移動中の電子ビームが同じ量だけ曲げられたとしても、その曲がりの影響（アノード基板１上での電子ビームの位置ずれ）は、カソード基板２の近傍で曲げられた方がアノード基板１の近傍で曲げられるよりも大きく現れる。
【００２７】
以上のことから、支持体３の表面に帯電した電荷の影響（電子ビームの曲がり）を抑えるには、カソード基板２上で支持体３から電子放出部５を離して配置することが有効となる。そして、支持体３と電子放出部５との間に十分な離間距離Ｌ２を確保するためには、上述のようにカソード基板２上で支持体３を間に挟んで隣り合う２つの電子放出部５の中心距離Ｐ２を、アノード基板１上で支持体３を間に挟んで隣り合う２つの蛍光体４の中心距離Ｐ１よりも長く設定することが有効な手段となる。
【００２８】
このように支持体３と電子放出部５の間に十分な離間距離Ｌ２を確保することにより、仮に支持体３の表面が帯電していたとしても、カソード基板２の近傍では電子ビームが帯電の影響を受けにくくなる。そのため、カソード基板２の近傍で、支持体３の帯電に伴う電子ビームの曲がりを有効に抑えることができる。一方、アノード基板１側においては、支持体３の近傍を電子ビームが移動するものの、上述した電子ビームの移動速度と残りの飛行距離の関係で、電子ビームの曲がりやこれによる影響が小さく抑えられる。その結果、支持体３の帯電による電子ビームの曲がりを大幅に低減することが可能となる。また、アノード基板１側で蛍光体４のピッチ（中心距離Ｐ１）を広げる必要がないため、蛍光体４の面積負荷が増大することもない。
【００２９】
図４は支持体の帯電による電子ビームの曲がりの影響を実験的に調べた結果をグラフ化した図である。図４においては、カソード基板２のカソード電極からアノード基板１のアノード電極までの高さ位置を横軸に示すとともに、電子ビームの偏向量に対する帯電の影響比を左側の縦軸に、帯電の影響で電子ビームが曲げられたときの偏向量を正規化した値を縦軸にそれぞれ示している。
【００３０】
図４から明らかなように、カソード基板２の近傍はアノード基板１の近傍よりも帯電の影響が非常に強く現れている。特に、電子ビームの最大偏向量のほぼ８割程度は、カソード電極をゼロ基準とした全高さ寸法（図例では１．２ｍｍ）の１／３（０．４ｍｍ）以下の領域、すなわちカソード基板１の近傍の領域に起因し、上記最大偏向量のほぼ９割程度は、全高さ寸法の１／２（０．６ｍｍ）以下の領域、すなわちカソード基板１寄りの領域に起因している。このことから、アノード基板１上で蛍光体４の配列を変えなくても、カソード基板２上で電子放出部５の配列を変えるだけで、帯電の影響を十分に低減できることが容易に理解できる。
【００３１】
また、偏向電極６を用いて電子ビームを偏向する場合に、例えば電子ビームの偏向量に応じて蛍光体４の輝度に差が生じるものとすると、電子ビームの偏向量の差が蛍光体４の輝度のばらつきとなって現れる。そのため、電子ビームの偏向量が幾通りもあると、その分だけ蛍光体４の輝度のばらつきが顕著化し、画面上での画質劣化につながる。これに対して本実施形態においては、カソード基板２上に配列された複数の電子放出部５を４つずつの単位でグループ化し、かつ、各々のグループ間で電子ビームの偏向量を同一条件に設定しているため、電子ビームの偏向量としては、表示装置全体で２通りしか存在しない。すなわち、一つのグループ内に存在する２通りのビーム偏向量がそのまま表示装置全体のビーム偏向量の組み合わせ数となる。さらに、４つの電子放出部５からなる各々のグループはカソード基板２全体に細かく分散して配置されるため、一つのグループ内で電子ビームの偏向量が２通り存在するとしても、これによる蛍光体の輝度差は表示装置全体で平均化（平滑化）される。そのため、電子ビームの偏向量の差が、画面上での蛍光体４の輝度差となって認識されることはない。したがって、電子ビームの偏向量の違いによる、画面上での輝度のばらつきを有効に回避することができる。
【００３２】
なお、上記実施形態においては、複数の電子放出部５を４つずつの単位でグループ化するとしたが、このグループ化に際しては、一つのグループを２つまたは３つの電子放出部５で構成してもよいし、５つ以上の電子放出部５で構成してもよい。ただし、一つのグループを構成する電子放出部５の個数が増えると、それにつれて電子ビームの偏向量の組み合わせ数が増えるとともに、カソード基板２上で一つのグループの占める領域が拡大するため、この点を考慮して電子放出部５をグループ化する際の個数を設定することが望ましい。
【００３３】
また、上記実施形態においては、電子放出部５から放出された電子ビームを偏向する偏向手段として偏向電極６を例示し、この偏向電極６の電界によって偏向するとしたが、これ以外にも、磁界によって電子ビームを偏向（電磁偏向）するものであってもよい。また、カソード基板２上でカソード電極面を適宜傾けて形成し、このカソード電極面の傾きを利用して、狙いとする蛍光体に向けて電子放出部５から電子ビームを放出させる構成としてもよい。
【００３４】
さらに、電子放出部５から放出された電子ビームを偏向する偏向手段の構成としては、図５に示すように、カソード基板２の表面上に絶縁層５１、ゲート電極５２及びエミッタ５３によって凹凸を設け、この凹凸による電界歪みにより偏向作用を発生させるものであってもよい。この場合、カソード基板２表面上の凹凸は、電子放出部５の配列方向（図の左右方向）で絶縁層５１とエミッタ５３の厚み寸法を段階的に変化させることにより形成される。このような凹凸を形成することにより、各々の電子放出部５でゲート電極５２の電界に歪みが生じ、この歪みによって電子ビームが偏向されるようになる。したがって、各々の電子放出部５とこれに対応する蛍光体４との位置関係に合わせてカソード基板２の表面上に凹凸を形成することにより、電子放出部５から放出された電子ビームを凹凸によるゲート電極５２の電界歪みによって偏向させ、狙いとする蛍光体に照射させることが可能となる。
【００３５】
また、図５に示す偏向手段の構成では、カソード基板２上に配列された複数の電子放出部５を複数個（図例では４つ）ずつの単位でグループ化し、各グループ内で一つの凸部を形成する一方、各グループ間で一つの凹部を形成するように、カソード基板１の表面上に上記凹凸を周期的に設けることにより、各々のグループ間で偏向手段による電子ビームの偏向量を同一条件で設定することも可能である。
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、カソード基板上で支持体を間に挟んで隣り合う２つの電子放出部の中心距離を、アノード基板上で支持体を間に挟んで隣り合う２つの蛍光体の中心距離よりも長く設定することにより、蛍光体などの面積負荷を増大させることなく、カソード基板上で支持体と電子放出部の間に十分な離間距離を確保することができる。これにより、帯電の影響度の高いカソード基板の近傍で支持体と電子ビームの間に十分な距離を確保し、帯電の影響を抑えることができる。その結果、支持体の帯電の影響を適切かつ有効に低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置の構成例を示す要部断面図である。
【図２】本発明の実施形態で採用した偏向手段の構成例を示す図である。
【図３】蛍光体と電子放出部の位置関係を示す概略断面図である。
【図４】支持体の帯電による電子ビームの曲がりの影響を実験的に調べた結果をグラフ化した図である。
【図５】偏向手段の他の例を説明する図である。
【符号の説明】
１…アノード基板、２…カソード基板、３…支持体、４…蛍光体、５…電子放出部、６…偏向電極

Claims

複数の蛍光体が配列されたアノード基板と、
前記複数の蛍光体に対応する複数の電子放出部が配列されたカソード基板と、
前記アノード基板と前記カソード基板との間に介装された支持体と
を備えるとともに、
前記カソード基板上で前記支持体を間に挟んで隣り合う２つの電子放出部の中心距離を、前記アノード基板上で前記支持体を間に挟んで隣り合う２つの蛍光体の中心距離よりも長く設定してなる
ことを特徴とする表示装置。
前記電子放出部から放出される電子ビームを偏向する偏向手段を有することを特徴とする請求項１記載の表示装置。
前記電子放出部から放出される電子ビームを偏向する偏向手段として、静電的な偏向電極を設け、前記偏向電極に偏向電圧を印加することにより偏向作用を発生させることを特徴とする請求項２記載の表示装置。
前記電子放出部から放出される電子ビームを偏向する偏向手段として、前記カソード基板表面上に凹凸を設け、前記凹凸による電界歪により偏向作用を発生させることを特徴とする請求項２記載の表示装置。
前記カソード基板上において、前記複数の電子放出部を複数個ずつの単位でグループ化し、かつ、各々のグループ間で前記偏向手段による電子ビームの偏向量を同一条件で設定してなることを特徴とする請求項２記載の表示装置。
前記カソード基板上において、前記複数の電子放出部を複数個ずつの単位でグループ化し、かつ、各々のグループ間で前記偏向手段による電子ビームの偏向量を同一条件で設定してなることを特徴とする請求項３記載の表示装置。
前記カソード基板上において、前記複数の電子放出部を複数個ずつの単位でグループ化し、かつ、各々のグループ間で前記偏向手段による電子ビームの偏向量を同一条件で設定してなることを特徴とする請求項４記載の表示装置。