JP3944219B2 - 画像表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、画像表示装置に関し、特に、複数の電子放出素子およびこれらを駆動するための配線が形成された第１の基板と、この第１の基板と対向して配置される、上記配線よりも高電位に規定された電極が形成された第２の基板と、これら基板を一定の間隔で支持するためのスペーサとを有する画像表示装置に関する。

一般に、画像表示装置では、電子源側である第１の基板と表示面側である第２の基板との間に絶縁材料で構成されたスペーサを挟み込むことで、必要な耐大気圧性を得ている。このような構成の場合、スペーサが帯電すると、それがスペーサ近傍に位置する電子放出素子から放出された電子の軌道に影響し、表示面における発光位置にずれを生じる。これは、例えばスペーサ近傍画素の発光輝度の低下や色滲みなどの画像劣化の原因となる。

従来、スペーサの帯電防止のために、高抵抗膜で被覆されたスペーサを用いることが知られている。例えば、特許文献１には、高抵抗膜で被覆された板状のスペーサを、第１の基板の配線に沿って、高抵抗膜がこの配線と第２の基板の電極に電気的に接続されるように挟み込んだものが提案されている。さらに、特許文献１には、高抵抗膜で被覆したスペーサの上下にスペーサ電極を設けておき、高抵抗膜が、スペーサ電極を介して配線および電極に接触するようにしたものも提案されている。

上記の他、特許文献２には、高抵抗膜で被覆されたスペーサの第１の基板側と第２の基板側の当接部にそれぞれ導電性の中間層（スペーサ電極）を設け、これを電子ビームの軌道を制御するための電極として作用させるものが提案されている。
特開平８−１８０８２１号公報 特開平１０−３３４８３４号公報

しかしながら、本願の発明者による鋭意検討の結果、高抵抗膜やスペーサ電極を施したスペーサを有する表示装置においても、スペーサの設置状態や、駆動条件等に起因して、スペーサの周辺部分とそれ以外の部分で電子放出素子から放出された電子の軌道が異なり、その結果、表示画像が歪むという課題を抱えていた。本発明はこの問題を解決し、良好な画像を表示しえる、画像表示装置を提供することを目的する。

上記目的を達成するため、本発明の画像表示装置は、ギャップを隔てて対向する一対の素子電極と、該一対の素子電極間に位置する電子放出部とを有する第一及び第二の電子放出素子を各々複数有する電子源と、
前記電子源に対向して位置する電極と、
前記電子源と前記電極との間であって、前記第一の電子放出素子よりも前記第二の電子放出素子に近接して位置する板状スペーサと、を有する画像表示装置であって、
前記板状スペーサの長手方向と垂直な方向に対する任意の前記第一の電子放出素子の前記ギャップの長手方向の傾きを第一の傾き、該垂直な方向に対する前記板状スペーサに近接する任意の第二の電子放出素子の前記ギャップの長手方向の傾きを第二の傾きとし、前記第二の傾きは前記第一の傾きよりも大きいことを特徴とする。

上記の画像表示装置によれば、スペーサ自体の構成はそのままで、電子放出素子の初期速度ベクトルを制御することで、所望の電子ビーム到達位置が達成される。具体的には、電子放出素子から放出される電子の放出方向、より好ましくは放出速度を、スペーサからの距離（スペーサの影響度）に応じて設定することで、スペーサに起因する電子ビームの不規則なずれが補償される。よって、電子ビーム軌道を設計通りとすることが可能となり、スペーサの高精度な設置や設計変更を行う必要もなくなる。

本発明によれば、スペーサの高精度な設置や設計変更を行うことなく、スペーサに起因する電子ビームの不規則なずれを補償することができるので、従来に比べて、低コストで、高画質の画像表示装置を提供することができる。

また、本発明による、電子放出素子から放出される電子の放出方向や放出速度といったパラメータは、例えば、パネルの形状で決まる静電界計算と、簡単な電子ビームシミュレーションにより、比較的簡単に求めることができる。本発明においては、スペーサ自身とは関係のない独立パラメータを制御することで、電子ビーム軌道の設計を行うことができるため、従来に比べて、設計の自由度が大きくなるメリットがある。

また、本発明によれば、スペーサ自身とは関係ない独立パラメータを制御することで、電子ビーム軌道の設計を行うことができるため、同一構成のスペーサで、様々な画像表示装置形態に対応可能であることから、例えば高精細化のために画素ピッチを変更したり、高輝度化のために加速電圧を高くしたりといった装置形態の仕様変更に際しても、素子電極形状或いはドライブ方法の僅かな設計変更だけで済む。このように、本発明においては、同一のスペーサ部材で複数の製品に対応することができるという効果も有するため、生産性を著しく向上させ、コストの大幅な削減に結びつけることができる。

次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。

（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態である表示パネルの一部を切り欠いた斜視図である。図１を参照すると、本実施形態の表示パネルは、第１の基板であるリアプレート１と、このリアプレート１と対向して配置された第２の基板であるフェースプレート２と、これらプレートの周縁部に沿って設けられた側壁４とからなる気密容器よりなり、その内部は真空雰囲気とされている。側壁４とリアプレート１およびフェースプレート２の周縁部との接合部は、それぞれフリットガラスなどによって封止されている。リアプレート１とフェースプレート２は、一定の間隔を維持するように板状のスペーサ３によって支持されている。

リアプレート１のフェースプレート２が面する側には、電子放出素子（冷陰極素子）８が形成された電子源基板９が固定されている。電子放出素子８は、電子放出部を有する導電性薄膜が一対の素子電極の間に接続された表面伝導型電子放出素子であって、Ｎ×Ｍ個配置されている。このＮ×Ｍ個の電子放出素子８をＭ本の行方向配線５とＮ本の列方向配線６でマトリクス配線することでマルチ電子ビーム源を構成している。

行方向配線５は列方向配線６より上に位置しており、行方向配線５と列方向配線６は後述の電極間絶縁層により絶縁されている。行方向配線５および列方向配線６には、銀ペーストや各種導電材料を用いることができる。これら行方向配線５および列方向配線６は、例えばスクリーン印刷法による塗布や、めっき法を用いて金属を析出させることで形成することができる。この他、フォトリソグラフィ法を用いて配線を形成することもできる。

各行方向配線５には、それぞれ引出端子Ｄｘ１〜Ｄｘｍを介して走査信号が印加される。各列方向配線６には、それぞれ引出端子Ｄｙ１〜Ｄｙｎを介して変調信号（画像信号）が印加される。走査信号は、−４Ｖから−１０Ｖ程度のパルス信号、変調信号は、＋４Ｖから＋１０Ｖ程度のパルス信号である。

フェースプレート２の下面（リアプレート１と対向する面）には、電子放出素子８から放出された電子によって励起されて発光する蛍光膜１０と導電性部材よりなるメタルバック（加速電極）１１が設けられている。

本実施形態の表示パネルはカラー表示パネルであるので、蛍光膜１０は、赤、緑、青の３原色の蛍光体で塗り分けられている。各色の蛍光体は、例えばストライプ状に塗り分けられており、各色の蛍光体の間には黒色の導電体（ブラックストライプ）が設けられている。

メタルバック１１は、電子放出素子８から放出される電子を加速させるための電極であって、高圧端子Ｈｖを介して高電圧が印加される。すなわち、メタルバック１１は、リアプレート１側の行方向配線５に比して高電位に規定される。

スペーサ３は行方向配線５に沿って設けられており、その両端部が、電子源基板９に固定されたブロック１２により支持されている。スペーサ３の長辺の一辺は行方向配線５に当接され、他辺はフェースプレート２のメタルバック１１に当接されている。スペーサ３は、表示パネルに耐大気圧性を持たせるために、通常、等間隔で複数設けられる。

図２Ａは、図１に示した表示パネルをスペーサ３の長手方向と直交する方向に切断した場合の断面図である。以下、図１および図２Ａを参照してスペーサ３を詳細に説明する。

スペーサ３は、リアプレート１側の行方向配線５および列方向配線６とフェースプレート２側のメタルバック１１との間に印加される高電圧に耐えるだけの絶縁性を有し、かつ、その表面への帯電を防止する程度の導電性を有する。具体的には、スペーサ３は、後述の図３Ａに記載のように、絶縁性材料で構成された基体１３と、その表面を被覆する高抵抗膜１４とから構成されている。

基体１３の構成材料としては、例えば石英ガラス、Ｎａなどの不純物含有量を減少したガラス、ソーダライムガラス、アルミナに代表されるセラミックスなどが挙げられる。

高抵抗膜１４には、高電位側となるメタルバック１１に印加される加速電圧Ｖａを高抵抗膜１４の抵抗値で除した電流が流れ、これによってスペーサ３表面への帯電が防止される。この高抵抗膜１４の抵抗値の望ましい範囲は、帯電および消費電力から決定される。帯電防止の観点からすると、高抵抗膜１４のシート抵抗は１０¹⁴Ω／□以下であり、より好ましいシート抵抗は１０¹²Ω／□以下、最も好ましいシート抵抗は１０¹¹Ω／□以下である。高抵抗膜１４のシート抵抗の下限は、スペーサ３の形状およびスペーサ３間に印加される電圧により左右されるが、消費電力を抑制するためには、１０⁵Ω／□以上であることが好ましく、１０⁷Ω／□以上であることがより好ましい。

高抵抗膜１４の構成材料としては、例えば金属酸化物を用いることができる。金属酸化物の中でも、クロム、ニッケル、銅の酸化物が好ましい。その理由は、これらの酸化物は二次電子放出効率が比較的に小さく、電子放出素子８から放出された電子がスペーサ３に当たっても帯電しにくいことにある。金属酸化物以外としては、二次電子放出効率が小さな炭素を高抵抗膜１４の構成材料として用いることができる。特に、非晶質カーボンは高抵抗であるため、これを用いれば、適切なスペーサ３の表面抵抗を得やすくなる。

本実施形態では、スペーサに近接する電子放出素子８については、スペーサ３の表面電位の影響を考慮し、放出される電子ビームが正しい位置に到達するように素子電極が形成されている。図３Ａは、電子放出素子８から放出される電子ビームの軌道を示す模式図、図３Ｂは、電子放出素子８を構成する素子電極の模式図である。

図３Ｂに示すように、電子放出素子８は、一対の素子電極８１ａ、８１ｂと、これら素子電極８１ａ、８１ｂ間に接続された、電子放出部８２を有する導電性薄膜とからなる。素子電極８１ａは、行方向配線５と接続され、マイナス電位とされる。素子電極８１ｂは、列方向配線６と接続され、プラス電位とされる。

電子放出素子８のうち、スペーサ３に近接する電子放出素子８ａの素子電極８１ａ、８１ｂは、列方向配線６に平行な線Ｌ１に対して傾きを有する。具体的には、素子電極８１ａ、８１ｂ間のギャップの長さ方向と線Ｌ１とのなす角度θが所定の角度となるように形成されている。このように構成することで、スペーサ３に近接する電子放出素子８から放出された電子ビームの軌道は、図３Ａの破線で示した電子ビーム軌道１８ａのようになる。すなわち、スペーサ３に近接する電子放出素子８においては、電子放出部８２から放出された電子は、放出直後はスペーサ３から遠ざかるように飛翔し、その後、フェースプレート２に近付くに連れてスペーサ３に近付くように飛翔し、最終的に所定の照射位置１９に到達する。

一方、スペーサ３から離れた位置にある電子放出素子８ｂの素子電極８１ａ、８１ｂは、その電極間のギャップの長さ方向が線Ｌ１と平行になるように形成されている。このように構成した電子放出素子８ｂから放出された電子ビームは、図３Ａの破線で示した電子ビーム軌道１８ｂのようにスペーサ３とほぼ平行な軌道を描き、最終的に所定の照射位置１９に到達する。

以下、本実施形態の表示パネルの特徴である、スペーサ３に近接する電子放出素子の素子電極の構成と放出される電子ビームの軌道との関係について詳細に説明する。

（１）初速度ベクトルと電子ビームの軌道の関係：
電子放出素子では、図３Ｂに示されるように、電子はマイナス電位の素子電極８１ａからプラス電位の素子電極８１ｂに向かってある初速度をもって放出される。スペーサ３に近接する電子放出素子８ａでは、一対の素子電極８１ａ、８１ｂは、列方向配線６に平行な線Ｌ１に対して角度θの傾きを持つように形成されている。よって、電子は、スペーサ３から遠ざかる成分（Ｙ方向成分）を持った初速度ベクトルＶ１で電子放出素子８ａから放出される。このため、電子放出部８２近傍では、電子ビームはスペーサ３から遠ざかるような軌道をとる。なお、スペーサ３から離れた位置にある電子放出素子８ｂから放出される電子の初速度ベクトルＶ２は、スペーサ３から遠ざかる成分を含まないので、スペーサ３と平行な軌道をとる。

ここで、角度θを持つ素子電極による電子ビームの軌道補正について説明する。

第１の状態（以下、状態Ａ）として、全ての電子放出素子８を、角度θを持たないような構成とした場合、すなわち全ての電子放出素子から放出される電子の初速度ベクトルを等しくした場合の電子ビーム軌道を図４Ａに、その初速度ベクトルを図４Ｂにそれぞれ示す。この状態Ａでは、図４Ｂに示すように、スペーサ３からの距離に関係なく、全ての電子放出素子８から放出される電子の初速度ベクトルはＶ２とされる。このため、図４Ａに示すように、スペーサ３が作り出す電位分布２０の影響によって、スペーサ３に近接する電子放出素子から放出された電子ビームの最終到達位置が所定の照射位置１９からΔＳだけスペーサ３寄りにずれることになる。

第２の状態（以下、状態Ｂ）として、図３Ａおよび図３Ｂに示した構成（一部の電子放出素子の一対の素子電極間のギャップの長手方向が、列配線に対して角度θ傾く構成）からスペーサ３を取り除いた場合の電子ビーム軌道を図５Ａに、その初速度ベクトルを図５Ｂにそれぞれ示す。この状態Ｂでは、図５Ｂに示すように、電子放出素子８ａの素子電極８１ａ、８１ｂは、列方向配線６に対して角度θの傾きを持つように形成されているので、電子放出素子８ａから放出された電子は、Ｙ方向成分（図３Ａおよび図３Ｂに示したスペーサ３から遠ざかる成分）を持った初速度ベクトルＶ１で放出される。このため、電子放出素子８ａから放出された電子ビームは、図５Ａに示すように、電位分布２０がフラットであるにもかかわらず、その最終到達位置は所定の照射位置１９からΔＹだけずれる。

図６に、角度θと電子の到達点との関係を模式的に示す。図６において、矢印Ａは、素子電極が列方向配線６に対して角度θの傾きを持つ電子放出素子８ａ（一対の素子電極間のギャップの長手方向が、列配線に対して角度θ傾く電子放出素子）から放出された電子の軌道を示し、矢印Ｂは、素子電極ギャップの長さ方向が列方向配線６と平行である電子放出素子８ｂから放出された電子の軌道を示す。矢印Ａ、Ｂの始点が電子の放出点、終点が電子の到達点である。図６は、ちょうどフェースプレート２の上方からリアプレート１の電子基板９上に形成された電子放出素子を透かして見た図に相当する。Ｌは曲進量と呼ばれるものであって、その値は初速度ベクトルの大きさに依存する。各電子放出素子の初速度ベクトルの大きさが等しい場合は、曲進量Ｌもほぼ等しくなる。すなわち、素子間の印加電圧が等しければ、曲進量Ｌもほぼ等しいことになる。したがって、矢印Ａ、Ｂの長さは同じである。このとき、電子の到達点の所望の位置からのＹ方向におけるずれΔＹは、
ΔＹ＝Ｌ×sinθ
で与えられる。また、電子の到達点の所望の位置からのＸ方向におけるずれΔＸは、
ΔＸ＝Ｌ×（1-cosθ）
で与えられる。θが十分小さければ、ΔＹに対してΔＸは十分小さい。例えば、θ＝１０°である場合は、ΔＸ／ΔＹは、０．０９以下である。

電子の初速度のスペーサ３から遠ざかる成分はθの関数で与えられる。図７に、角度θと電子ビームが到達する位置のスペーサ３からの距離との関係を示す。縦軸は電子ビーム到達位置であり、横軸は「sinθ」である。図７から分かるように、θが大きくなるほど電子ビーム軌道はスペーサ３から遠ざかることになる。

（２）スペーサ３の底面近傍における電子ビームの軌道：
スペーサ表面には正帯電が生じる場合がある。この結果、スペーサ表面の電位が上昇し、図３Ａに示したように、上に凸の等電位線２０（フェースプレート側に向けて凸の等電位線２０）を生じ、電子ビームはスペーサ３に近付くように飛翔する。また、スペーサと配線との接触状態によっても、上述のようなフェースプレート側に向けて凸の等電位線が形成される場合がある。これについて、以下に説明する。

図１６Ａは、高抵抗膜で被覆された板状のスペーサを第１の基板（電子源基板）の配線に沿って介在させたときに、高抵抗膜と配線とが意図しない部分接触になった場合のスペーサ表面の電位分布を示した図であり、図１６Ｂは図１６Ａの等価回路図である。

第１の基板側の、配線と高抵抗膜の接触部分をＡ点、非接触部分をＢ点とする。また、第２の基板側のメタルバック１１とスペーサ３の高抵抗膜が接触した部分の、Ａ点と対向する部分をＣ点、Ｂ点と対向する部分をＤ点とし、Ａ点とＣ点との間の抵抗をＲ₁とする。また、Ａ点とＢ点との間の抵抗をＲ₂とする。非接触部であるＢ点では、接触部であるＡ点との間の抵抗であるＲ₂によって生じる電圧降下分だけＡ点より電位が持ち上がる。これによって、Ｂ点近傍では、上述のようなフェースプレート側に向けて凸の等電位線が形成される。

また、行配線と列配線の間に介在させる絶縁層の形状によって、スペーサと行配線とが部分接触する場合がある。これについて、図２を用いて説明する。

図２Ｂは、図１に示した表示パネルをスペーサ３の長手方向に切断した場合の断面図、図２Ｃはスペーサ３の高抵抗膜１４と行方向配線５の接触部および非接触部の説明図である。以下、図１および図２Ａ〜図２Ｃを参照してスペーサ３と行方向配線５との圧接状態について詳細に説明する。

スペーサ３は、リアプレート１とフェースプレート２間に挟み込まれており、その表面を被覆している高抵抗膜１４は、リアプレート１側の行方向配線５と、フェースプレート２側のメタルバック１１とに圧接され、それぞれの圧接部では電気的な接続がなされている。図２Ｂに示すように、行方向配線５は、列方向配線６と交差するように形成されている。絶縁層７の形状によっては、行方向配線５の表面は、交差部が他の部分に比して列方向配線６の厚み分だけフェースプレート２側に突出した状態になってため、高抵抗膜１４は、行方向配線５の表面の突出した部分でのみ圧接される。このため、高抵抗膜１４と行方向配線５は、図２Ｃに示されるように、行方向配線５の列方向配線６との交差部である接触部１５においてのみ電気的接続がなされ、それ以外の部分は非接触部１６となっているため、電気的接続はなされていない。このときのスペーサ３表面におけるリアプレート１近傍の等電位線１７を模式的に図２Ｂに太線で示してある。

図２Ｂに示した等電位線１７から分かるように、非接触部１６に対応するスペーサの部分にも高抵抗膜１４が存在するため、非接触部１６近傍の電位が持ち上がる。これは、前述の図１６で説明したように、メタルバック１１から接触部１５へと流れる電流の経路のうち、非接触部１６を介する電流経路の抵抗値の方が、非接触部１６を介さない電流経路（例えば、接触部１５の直上部分からの電流経路）の抵抗値より大きいため、この増加抵抗値による電圧降下分だけ電位が持ち上がるために生じる。よって、この場合も、上述のようにフェースプレート側に凸の等電位線が形成される。

また、この構成においては、先の図１６の場合と異なり、非接触部１６は等間隔（制御された間隔）に存在するので、電子放出素子との相対的な位置関係にも規則性がある。つまり、列方向配線６は等間隔であることから、接触部１５と非接触部１６は行方向配線５に沿って等間隔で形成されている。電子放出素子８は、行方向配線５と列方向配線６で区切られた領域に形成されており、スペーサ３に近接する電子放出素子８は全て非接触部１６に近接する位置にある。各非接触部１６に近接する電子放出素子８から放出される電子ビームは、全て非接触部１６におけるスペーサ３の表面電位の影響を等しく受ける。

このような理由により、スペーサ近傍では、フェースプレートに向けて凸の等電位線が形成される場合があり、電子放出素子から放出される電子はスペーサに近づく向きに偏向される。

また、電子ビームのスペーサ３に近付く成分は、高抵抗膜１４と行方向配線５の接触状態、具体的には、図２Ｃに示した接触部１５の面積（接触面積）Ｓの関数によっても決まる。図８に、接触面積（当接面積）Ｓと電子ビームが到達する位置のスペーサ３からの距離との関係を示す。縦軸は電子ビーム到達位置であり、横軸は接触面積Ｓである。図８から分かるように、接触面積Ｓが大きくなるほど電子ビームが到達する位置はスペーサから遠ざかることになる。

高抵抗膜１４と行方向配線５の接触状態は、接触面積Ｓの他にも様々なパラメータで表すことができる。例えば、図２Ｃに示した接触部１５の周囲長、行方向配線５の幅方向における非接触部１６の長さＧｙ、行方向配線５の長さ方向における隣接する接触部１５間の距離Ｇｘなどの関数として、高抵抗膜１４と行方向配線５の接触状態を表すこともできる。接触部１５の周囲長が小さくなればなるほど、また、Ｇｘ、Ｇｙが大きくなればなるほど、電子ビームが到達する位置はスペーサ３に近付くことになる。

以上の説明から、角度θや、高抵抗膜１４と行方向配線５の接触状態（例えば接触面積Ｓ）という、スペーサ３自体とは関係しない別個の独立なパラメータによって電子ビームの到達位置を制御できることが分かる。

図９に、角度θとスペーサが行方向配線に当接された面積（接触面積）Ｓとの関係を示す。縦軸はθ、横軸は接触面積Ｓである。図９に示した例は、電子ビームが所定の照射位置１９に到達する場合（図３Ａ参照）の、θと接触部面積Ｓの関係を示す曲線を表したものである。図９から分かるように、電子ビームが所定の照射位置１９に到達する条件（ずれの無い条件）は複数存在する。例えば、Ａ点の条件でも、Ｂ点の条件でも、電子ビームが所定の照射位置１９に到達する条件を満たす。Ｂ点の条件は、Ａ点の条件に比してθが大きく、接触面積Ｓが小さい。Ｂ点の条件で設計する場合、例えば行方向配線５を曲率を有する凸型断面形状とする。このように行方向配線５のスペーサ３が当接される面を平面ではなく、曲面とすることで、接触面積Ｓを小さくすることができる。

実際の設計では、例えば静電界計算と電子ビーム軌道のシミュレーションから、所定の照射位置１９に到達する角度θと接触面積Ｓを決定する。この他、実測データに基づいてそのような条件を決定することも可能である。

以上説明してきた通り、本実施形態の表示パネルによれば、スペーサ３自体の構成によらず、高抵抗膜１４と行方向配線５の接触状態や素子電極の傾きである角度θを制御することで、所望の電子ビーム到達位置を達成することができる。このため、同一構成のスペーサ３を、様々な画像表示装置に使用することが可能となる。例えば、高精細化のために画素ピッチを変更したり、高輝度化のために加速電圧を高くしたりする、といった仕様の変更が行われた場合でも、スペーサ３自体は同一のものを用い、高抵抗膜１４と行方向配線５の接触状態や素子電極の傾きである角度θの変更を行うことで対応することができる。従って、生産性を著しく向上させ、コストの大幅な削減を図ることができる。

以上説明した本実施形態の表示パネルにつき、図９に示したＡ点、Ｂ点での条件を満たす面積Ｓと角度θの具体的な値を表１に示す。この例では、スペーサ３の厚さを３００μｍ、スペーサ３の高さを２．４ｍｍ、行方向配線５間の間隔を９２０μｍ、行方向配線５の幅（短手方向の長さ）を６９０μｍ、電子放出素子８の電子放出部から行方向配線５の上面までの高さを７５μｍ、メタルバック１１への印加電圧を１５ｋＶ、行方向配線５と列方向配線６の間への印加電圧を１４Ｖとしている。条件Ａは、図９に示したＡ点での条件を満たすものであり、θは「６．１°」、接触面積Ｓは「３０６２５μｍ²」である。条件Ｂは、図９に示したＢ点での条件を満たすものであり、θは「９．５°」、接触面積Ｓは「２２５００μｍ²」である。条件Ａ、Ｂのいずれにおいても、Ｘ方向の電子ビームの位置のずれ（ΔＸ）は認識されず（検知限界以下）、良好な画像を表示することができた。

次に、上述した本実施形態の表示パネルの特徴を別の観点で説明する。図１０Ａに、図４Ａおよび図４Ｂに示した状態Ａにおける電子ビームの軌道を示し、図１０Ｂに、図５Ａおよび図５Ｂに示した状態Ｂにおける電子ビームの軌道を示す。これら図１０Ａおよび図１０Ｂ、また後述の他の実施形態に対応する図１１から図１５では、スペーサと素子電極の配置および電子ビーム到達位置に限って図示しており、他の部分は便宜上、省略している（他の構成については、図３から図５参照）。

図１０Ａにおいて、矢印Ａは、スペーサ３と近接する電子放出素子８から放出された電子の軌道を示し、矢印Ｂは、スペーサ３から離れた位置にある電子放出素子８から放出された電子の軌道を示す。矢印Ａ、Ｂの始点が電子の放出点、終点が電子の到達点である。スペーサ３と近接する電子放出素子８から放出された電子の到達点は、ΔＳだけスペーサ３寄りにずれを生じる。このずれΔＳは、スペーサ３の存在によってもたらされたずれである。

一方、図１０Ｂにおいて、矢印Ａは、角度θを有する素子電極からなる電子放出素子８ａから放出された電子の軌道を示し、矢印Ｂは、角度θを持たない電子放出素子８ｂから放出された電子の軌道を示す。矢印Ａ、Ｂの始点が電子の放出点、終点が電子の到達点である。電子放出素子８ａから放出された電子の到達点は、スペーサとは無関係に、角度θを持たない電子放出素子８ｂに比してΔＹだけずれる。このずれΔＹは、スペーサの存在で生じたずれΔＳとは逆方向のずれである。よって、図１０Ｂに示した構成を用いることで、スペーサの存在で生じたずれΔＳを、角度θによって生じるずれΔＹで補償することが可能である。すなわち、図１０Ｂに示した状態Ｂにおいて、破線で示すスペーサ３を設けた場合は、そのスペーサ３と近接する電子放出素子８ａから放出された電子は、所定の照射位置に到達することになり、ずれのない画像表示を実現することができる。

以上の説明では、ずれΔＳは、スペーサの当接状態に応じて生じるずれであるとしたが、実際は、これに限ることは無く、何らかの理由でスペーサに関係するビームずれが起こった場合には、電子放出素子の初速度ベクトルを設計することで、そのビームずれを補償することができる。

以下に説明する本発明の第２から第６の実施形態においては、上述した観点に基づき、ΔＳの制御および起因については言及せず、スペーサに起因するずれΔＳを補償するための、スペーサと素子電極配置の関係、素子印加電圧、および電子ビーム到達位置について、主に状態Ａ、Ｂを対比させて説明する。

（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態の表示パネルについて説明する。本実施形態の表示パネルは、スペーサから遠ざかる方向に生じるずれΔＳを補償するものであって、その基本構成は、上述した第１の実施形態のものと同様である。

図１１Ａに、スペーサから遠ざかる方向に生じるずれΔＳを示し（状態Ａ：スペーサによってずれが生じる状態）、図１１Ｂに、そのずれΔＳとは逆の方向にずれΔＹを生じる電子放出素子を模式的に示す（状態Ｂ）。図１１Ａにおいて、矢印Ａは、スペーサ３と近接する電子放出素子８から放出された電子の軌道を示し、矢印Ｂは、スペーサ３から離れた位置にある電子放出素子８から放出された電子の軌道を示す。矢印Ａ、Ｂの始点が電子の放出点、終点が電子の到達点である。スペーサ３と近接する電子放出素子８から放出された電子の到達点は、スペーサ３から遠ざかる方向にΔＳだけずれを生じる。このずれΔＳは、スペーサ３の存在によってもたらされたずれである。尚、このようなずれを生じる一例としては、スペーサの電子源側の端面の全面に低抵抗な膜（スペーサ電極）を有するスペーサ等、図３Ａに示す、フェースプレート側に凸の等電位線とは逆向きの、リアプレート（電子源基板）側に凸の等電位線を形成するスペーサの場合である。

一方、図１１Ｂにおいて、矢印Ａは、角度θを有する素子電極からなる電子放出素子８ａから放出された電子の軌道を示し、矢印Ｂは、角度θを持たない電子放出素子８ｂから放出された電子の軌道を示す。この場合の、電子放出素子８ａを構成する素子電極の傾き（角度θ）は、図１０Ｂに示した電子放出素子８ａを構成する素子電極の傾き（角度θ）とはちょうど反対となる方向の傾きである。矢印Ａ、Ｂの始点が電子の放出点、終点が電子の到達点である。電子放出素子８ａから放出された電子の到達点は、スペーサとは無関係に、角度θを持たない電子放出素子８ｂに比してΔＹだけずれる。このずれΔＹは、スペーサの存在で生じたずれΔＳとは逆方向のずれである。よって、図１１Ｂに示した構成を用いることで、スペーサの存在で生じたずれΔＳをずれΔＹで補償することが可能である。すなわち、図１１Ｂに示した構成において、破線で示すようなスペーサ３を設けた場合、このスペーサ３と近接する電子放出素子８ａから放出された電子は、所定の照射位置に到達することになる。このように、本実施形態の表示パネルによれば、電子放出素子から放出される電子の放出方向を、スペーサからの距離（スペーサによる影響度）に応じて設定することで、スペーサ起因の電子ビームのずれを補正することができ、ずれのない画像表示を実現することができる。

（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態の表示パネルについて説明する。本実施形態の表示パネルは、スペーサの両側に近接する電子放出素子のうち、一方の電子放出素子から放出された電子の到達点がΔＳ１だけスペーサ寄りにずれ、他方の電子放出素子から放出された電子の到達点がΔＳ２（≠ΔＳ１）だけスペーサ寄りにずれる場合に、両ずれΔＳ１、ΔＳ２を補償するものであって、その基本構成は、上述した第１の実施形態のものと同様である。

図１２Ａに、ずれΔＳ１、ΔＳ２を示し（状態Ａ）、図１２Ｂに、そのずれΔＳ１、ΔＳ２とは逆の方向にずれΔＹ１、ΔＹ２を生じる電子放出素子を模式的に示す（状態Ｂ）。図１２Ａにおいて、矢印Ａ１は、スペーサ３の一方の側に近接する電子放出素子８から放出された電子の軌道を示し、矢印Ａ２は、スペーサ３の他方の側に近接する電子放出素子８から放出された電子の軌道を示し、矢印Ｂは、スペーサ３から離れた位置にある電子放出素子８から放出された電子の軌道を示す。矢印Ａ１、Ａ２、Ｂの始点が電子の放出点、終点が電子の到達点である。スペーサ３の一方の側に近接する電子放出素子８から放出された電子の到達点は、スペーサ３寄りにΔＳ１だけずれを生じる。スペーサ３の他方の側に近接する電子放出素子８から放出された電子の到達点は、スペーサ３寄りにΔＳ２（＞ΔＳ１）だけずれを生じる。これらΔＳ１、ΔＳ２は、いずれもスペーサ３の存在によってもたらされたずれである。

一方、図１２Ｂにおいて、矢印Ｂ１は、素子電極ギャップの長手方向と列方向配線とのなす角度がθ１である電子放出素子８０ａから放出された電子の軌道を示す。矢印Ｂ２は、素子電極ギャップの長手方向と列方向配線とのなす角度がθ２（＞θ１）である電子放出素子８０ｂから放出された電子の軌道を示す。矢印Ｂは、角度θを持たない電子放出素子８ｂから放出された電子の軌道を示す。この場合の、電子放出素子８０ａの傾き（角度θ１）および電子放出素子８０ｂの傾き（角度θ２）は、図１０Ｂに示した電子放出素子８ａの傾き（角度θ）と同じ方向の傾きである。矢印Ｂ1、Ｂ２、Ｂの始点が電子の放出点、終点が電子の到達点である。

電子放出素子８０ａから放出された電子の到達点は、スペーサとは無関係に、角度θを持たない電子放出素子８ｂに比してΔＹ１だけずれる。このΔＹ１は、スペーサの存在で生じたずれΔＳ１とは逆方向のずれである。また、電子放出素子８０ｂから放出された電子の到達点は、スペーサとは無関係に、角度θを持たない電子放出素子８ｂに比してΔＹ２だけずれる。このΔＹ２は、スペーサの存在で生じたずれΔＳ２とは逆方向のずれである。よって、図１２Ｂに示した構成を用いることで、スペーサの存在で生じたずれΔＳ１、ΔＳ２をずれΔＹ１、ΔＹ２で補償することが可能である。すなわち、図１２Ｂに示した構成において、破線で示すようなスペーサ３を設けた場合、このスペーサ３と近接する電子放出素子８０ａ、８０ｂから放出された電子は、所定の照射位置に到達することになる。このように、本実施形態の表示パネルによれば、スペーサに起因する電子ビームのずれがスペーサ壁面に対し非対称であっても、電子放出素子から放出される電子の放出方向を、スペーサからの距離（スペーサによる影響度）に応じて設定することで、電子ビームの軌道を補正することができ、ずれのない画像表示を実現することができる。

（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態の表示パネルについて説明する。本実施形態の表示パネルは、スペーサに最も近い第１の電子放出素子から放出された電子の到達点がΔＳ１だけスペーサ寄りにずれ、次にスペーサに近い第２の電子放出素子から放出された電子の到達点がΔＳ２（＜ΔＳ１）だけスペーサ寄りにずれる場合に、両ずれΔＳ１、ΔＳ２を補償するものであって、その基本構成は、上述した第１の実施形態のものと同様である。

図１３Ａに、ずれΔＳ１、ΔＳ２を示し（状態Ａ）、図１３Ｂに、そのずれΔＳ１、ΔＳ２とは逆の方向にずれΔＹ１、ΔＹ２を生じる電子放出素子を模式的に示す（状態Ｂ）。図１３Ａにおいて、矢印Ａ１は、スペーサ３に最も近い電子放出素子９０ａから放出された電子の軌道を示し、矢印Ａ２は、次にスペーサ３に近い電子放出素子９０ｂから放出された電子の軌道を示す。電子放出素子９０ａ、９０ｂは、いずれも素子電極ギャップの長手方向が列方向配線に対して平行な素子である。矢印Ａ１、Ａ２の始点が電子の放出点、終点が電子の到達点である。電子放出素子９０ａから放出された電子の到達点は、スペーサ３寄りにΔＳ１だけずれを生じる。電子放出素子９０ｂから放出された電子の到達点は、スペーサ３寄りにΔＳ２だけずれを生じる。これらΔＳ１、ΔＳ２は、いずれもスペーサ３の存在によってもたらされたずれである。

一方、図１３Ｂにおいて、矢印Ｂ１は、素子電極ギャップの長手方向と列方向配線とのなす角度がθ１である電子放出素子９１ａから放出された電子の軌道を示す。矢印Ｂ２は、素子電極ギャップの長手方向と列方向配線とのなす角度がθ２（＜θ１）である電子放出素子９１ｂから放出された電子の軌道を示す。この場合の、電子放出素子９１ａの傾き（角度θ１）および電子放出素子９１ｂの傾き（角度θ２）は、図１０Ｂに示した電子放出素子８ａの傾き（角度θ）と同じ方向の傾きである。矢印Ｂ１、Ｂ２の始点が電子の放出点、終点が電子の到達点である。

電子放出素子９１ａから放出された電子の到達点は、スペーサとは無関係にΔＹ１だけずれる。このΔＹ１は、スペーサの存在で生じたずれΔＳ１とは逆方向のずれである。また、電子放出素子９１ｂから放出された電子の到達点は、スペーサとは無関係にΔＹ２だけずれる。このΔＹ２は、スペーサの存在で生じたずれΔＳ２とは逆方向のずれである。よって、図１３Ｂに示した構成を用いることで、スペーサの存在で生じたずれΔＳ１、ΔＳ２をずれΔＹ１、ΔＹ２で補償することが可能である。すなわち、図１３Ｂに示した構成において、破線で示すようなスペーサ３を設けた場合、このスペーサ３に最も近い電子放出素子９１ａから放出された電子は、所定の照射位置に到達することになる。同様に、次にスペーサ３に近い電子放出素子９１ｂから放出された電子も、所定の照射位置に到達することになる。このように、本実施形態の表示パネルによれば、スペーサ起因の電子ビームのずれがスペーサに最も近い第１の電子放出素子および次にスペーサに近い第２の電子放出素子に及ぶ場合であっても、電子放出素子から放出される電子の放出方向を、スペーサからの距離（スペーサによる影響度）に応じて段階的に設定することで、電子ビームの軌道を補正することができ、ずれのない画像表示を実現することができる。

このように、本発明においては、スペーサの影響が、第一近接素子、第二近接素子のように、スペーサ近傍の素子におよぶ場合は、これらをまとめてスペーサに近接する素子と考えて、発明を適用してもよい。

（第５の実施形態）
本発明の第５の実施形態の表示パネルについて説明する。本実施形態の表示パネルは、スペーサに近接する電子放出素子から放出された電子の到達点がΔＳだけスペーサ寄りにずれる場合に、角度θを持たせることに加えて、初速度ベクトルの大きさを変えることで、ΔＳとともにＸ方向における変移量ΔＸをも補償するものであって、その基本構成は、上述した第１の実施形態のものと同様である。

図１４Ａに、ずれΔＳを示し（状態Ａ）、図１４Ｂに、そのずれΔＳとは逆の方向にずれΔＹを生じる電子放出素子を模式的に示す（状態Ｂ）。図１４Ａにおいて、矢印Ａは、スペーサ３に近接する電子放出素子８から放出された電子の軌道を示す。矢印Ａの始点が電子の放出点、終点が電子の到達点である。スペーサ３に近接する電子放出素子８から放出された電子の到達点は、スペーサ３寄りにΔＳだけずれを生じる。このΔＳは、スペーサ３の存在によってもたらされたずれである。また、状態Ａでは、ずれΔＳに加えて、Ｘ方向における変移量ΔＸが存在する。

一方、図１４Ｂにおいて、矢印Ｂは、素子電極ギャップの長手方向と列方向配線とのなす角度がθである電子放出素子９２から放出された電子の軌道を示す。この場合の、電子放出素子９２の傾き（角度θ）は、図１０Ｂに示した電子放出素子８ａの傾き（角度θ）と同じ方向の傾きである。矢印Ｂの始点が電子の放出点、終点が電子の到達点である。なお、矢印Ｂの長さが図１４Ａに示した矢印Ａに比べて長くなっているが、これは、電子放出素子９２から放出される電子の初速度ベクトルの大きさが、図１４Ａに示した電子放出素子８よりも大きいことを表している。

電子放出素子９２から放出された電子の到達点は、スペーサとは無関係にΔＹだけずれる。このΔＹは、スペーサの存在で生じたずれΔＳとは逆方向のずれである。よって、図１４Ｂに示した構成を用いることで、スペーサの存在で生じたずれΔＳ１をずれΔＹで補償することが可能である。また、初速度ベクトルの大きさを大きくするために、電子放出素子９２に印加する電圧を図１４Ａに示した電子放出素子８に印加される電圧より大きくしている。これにより、Ｘ方向における変移量ΔＸを補償することが可能である。このように、図１４Ｂに示した構成を用いることで、スペーサの存在で生じたずれΔＳおよびΔＸを補償することが可能である。すなわち、図１４Ｂに示した構成において、破線で示すようなスペーサ３を設けた場合、このスペーサ３に近接する電子放出素子９２から放出された電子は、所定の照射位置に到達することになる。このように、本実施形態の表示パネルによれば、電子放出素子から放出される電子の放出方向および放出速度を、スペーサからの距離（スペーサによる影響度）に応じて設定することで、スペーサ起因の電子ビームのずれΔＳとともにＸ方向における変移量ΔＸをも補償することができ、ずれのない画像表示を実現することができる。

なお、実際は、電子ビームの到達点を所望の位置に補正できるよう、角度θと印加電圧が適宜設計される。本実施形態は、高精細化、或いはΔＳが大きい場合に特に有効である。

（参考例）
本発明の参考例の表示パネルについて説明する。本参考例の表示パネルは、円柱状のスペーサ３に最も近い第１の電子放出素子から放出された電子の到達点がΔＳ１だけスペーサ寄りにずれ、次にスペーサ３に近い第２の電子放出素子から放出された電子の到達点がΔＳ２（＜ΔＳ１）だけスペーサ寄りにずれる場合に、両ずれΔＳ１、ΔＳ２を補償するものであって、その基本構成は、上述した第１の実施形態のものと同様である。

図１５Ａに、ずれΔＳ１、ΔＳ２を示し（状態Ａ）、図１５Ｂに、そのずれΔＳ１、ΔＳ２とは逆の方向にずれΔＹ１、ΔＹ２を生じる電子放出素子を模式的に示す（状態Ｂ）。図１５Ａにおいて、矢印Ａ１は、スペーサ３に最も近い電子放出素子９０ａから放出された電子の軌道を示し、矢印Ａ２は、次にスペーサ３に近い電子放出素子９０ｂから放出された電子の軌道を示す。電子放出素子９０ａ、９０ｂは、いずれも素子電極ギャップの長手方向が列方向配線に対して平行な素子である。矢印Ａ１、Ａ２の始点が電子の放出点、終点が電子の到達点である。電子放出素子９０ａから放出された電子の到達点は、スペーサ３寄りにΔＳ１だけずれを生じる。電子放出素子９０ｂから放出された電子の到達点は、スペーサ３寄りにΔＳ２だけずれを生じる。これらΔＳ１、ΔＳ２は、いずれもスペーサ３の存在によってもたらされたずれである。

一方、図１５Ｂにおいて、矢印Ｂ１は、素子電極ギャップの長手方向と列方向配線とのなす角度がθ１である電子放出素子９１ａから放出された電子の軌道を示す。矢印Ｂ２は、素子電極ギャップの長さ方向と行方向配線とのなす角度がθ２（＜θ１）である電子放出素子９１ｂから放出された電子の軌道を示す。この場合の、電子放出素子９１ａの傾き（角度θ１）および電子放出素子９１ｂの傾き（角度θ２）は、図１０Ｂに示した電子放出素子８ａの傾き（角度θ）と同じ方向の傾きである。矢印Ｂ１、Ｂ２の始点が電子の放出点、終点が電子の到達点である。

電子放出素子９１ａから放出された電子の到達点は、スペーサとは無関係にΔＹ１だけずれる。このΔＹ１は、スペーサの存在で生じたずれΔＳ１とは逆方向のずれである。また、電子放出素子９１ｂから放出された電子の到達点は、スペーサとは無関係にΔＹ２だけずれる。このΔＹ２は、スペーサの存在で生じたずれΔＳ２とは逆方向のずれである。よって、図１５Ｂに示した構成を用いることで、スペーサの存在で生じたずれΔＳ１、ΔＳ２をずれΔＹ１、ΔＹ２で補償することが可能である。すなわち、図１５Ｂに示した構成において、破線で示すような円柱状のスペーサ３を設けた場合、このスペーサ３に最も近い電子放出素子９１ａから放出された電子は、所定の照射位置に到達することになる。同様に、次にスペーサ３に近い電子放出素子９１ｂから放出された電子も、所定の照射位置に到達することになる。このように、本参考例の表示パネルによれば、スペーサの形状が円柱状のものであっても、電子放出素子から放出される電子の放出方向を、スペーサからの距離（スペーサによる影響度）に応じて段階的に設定することで、スペーサに起因する電子ビームのずれを補正することができ、ずれのない画像表示を実現することができる。

なお、図１５Ａおよび図１５に示した例では、円柱状のスペーサ３を用いているが、この他の形状のスペーサであっても、スペーサに起因するずれΔＳを補償するように角度θを設定すれば、同様な電子ビームのずれの補正を行うことができる。

また、ΔＳ１およびΔＳ２は、スペーサ３寄りにずれたものとしたが、反対にスペーサ３から遠ざかる方向へずれたものとしてもよい。この場合は、電子放出素子９１ａ、９１ｂの素子電極の傾きの方向が図１０Ｂに示した場合と反対の方向となる。

さらに、スペーサ３を挟んで対向して配置された２つの電子放出素子９１ａ、及び２つの電子放出素子９１ｂは、それぞれの素子電極の傾きの方向が互いに反対の方向とされ、その傾きの大きさ（角度θ１、θ２）が異なるようになっているが、この構成に限定されるものではない。設計によっては、角度θ１が角度θ２と同じになる場合も考えられる。

以上各実施形態および参考例で説明したように、本発明の画像表示装置では、一対の素子電極間のギャップの長手方向を制御して、電子放出素子から放出される電子の初速度ベクトル、具体的には、電子放出素子から放出される電子の放出方向、好ましくは放出速度を、スペーサからの距離（スペーサによる影響度）に応じて設定する。このような設定により、スペーサに起因する電子ビームの不規則なずれを補償することができ、その結果、スペーサの高精度な設置や設計変更を行うことなく、電子ビームを所望の位置に到達させることができ、電子ビーム軌道を設計通りとすることができる。

尚、本発明で言う、一対の素子電極間のギャップの長手方向とは、ギャップの両端を結ぶ直線の方向を意味する。よって、例えば一対の素子電極が、図１７に示す形状の場合、一対の素子電極のギャップの長手方向は、図の線分Ａ-Ａ‘の延びる方向となる。尚、上述の他の図面と同様、８１a、８１ｂは素子電極、８２は電子放出部を表す。

また、上記の各実施形態および参考例においては、スペーサに近接する全ての電子放出素子と、近接しない全ての電子放出素子とで、ギャップの長手方向が互いに異なる形態を説明してきた。しかし本発明はこれらに限らず、スペーサに近接する電子放出素子のうちの一部の電子放出素子のみが、スペーサに近接しない電子放出素子と、ギャップの長手方向が異なる形態も発明に含む。このような形態は、例えばスペーサ表面に部分的に電極を有する等の理由から、スペーサ表面で部分的に電位分布が異なる表示装置などに適用できる。

また、各実施形態および参考例で説明した構成は、一例であって、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することができる。例えば、第１から第４の実施形態および参考例では電子放出素子から放出される電子の放出方向のみを制御しているが、第５の実施形態のように、放出方向の制御に加えて、放出される電子の行方向における初速度を制御するようにしてもよい。具体的には、スペーサに近接する電子放出素子（スペーサの影響を受ける電子放出素子）から放出される電子の行方向における初速度と、それ以外の電子放出素子から放出される電子の行方向における初速度とが異なるように設定していもよい。これにより、Ｙ方向（列方向）におけるずれΔＳとＸ方向（行方向）におけるずれΔＸをともに補正することが可能となる。特に、素子電極の傾き（角度θ）が大きくなるような場合は、ΔＸが大きくなるため、より良好な画像表示を得るには初速度の制御が重要となる。

図１は、本発明の第１の実施形態である表示パネルの一部を切り欠いた斜視図である。 図１に示す表示パネルをスペーサの長手方向と直交する方向に切断した場合の断面図である。 図１に示す表示パネルをスペーサの長手方向に切断した場合の断面図である。 図１に示す表示パネルにおけるスペーサの高抵抗膜と行方向配線の接触部および非接触部の説明図である。 電子放出素子から放出される電子ビームの軌道を示す模式図である。 図３Ａに示す電子放出素子を構成する素子電極の模式図である。 全ての電子放出素子から放出される電子の初速度ベクトルを等しくした場合の電子ビーム軌道を示す模式図である。 図４Ａに示す電子放出素子から放出される電子の初速度ベクトルを示す模式図である。 図３Ａに示す構成からスペーサを取り除いた構成における電子ビーム軌道を示す模式図である。 図５Ａに示す電子放出素子から放出される電子の初速度ベクトルを示す模式図である。 角度θにおける電子の到達点を示す模式図である。 角度θと電子ビームが到達する位置のスペーサからの距離との関係を示すグラフである。 接触面積Ｓと電子ビームが到達する位置のスペーサからの距離との関係を示すグラフである。 角度θとスペーサが行方向配線に当接された接触面積Ｓとの関係を示す。 本発明の第１の実施形態である表示パネルの特徴を別の観点から説明するための、電子ビームの軌道を示す模式図である。 本発明の第１の実施形態である表示パネルの特徴を別の観点から説明するための、電子ビームの軌道を示す模式図である。 本発明の第２の実施形態である表示パネルを説明するための図であって、素子電極が傾きを持たない電子放出素子から放出される電子ビームの軌道を示す模式図である。 本発明の第２の実施形態である表示パネルを説明するための図であって、素子電極が傾きを有する電子放出素子から放出される電子ビームの軌道を示す模式図である。 本発明の第３の実施形態である表示パネルを説明するための図であって、素子電極が傾きを持たない電子放出素子から放出される電子ビームの軌道を示す模式図である。 本発明の第３の実施形態である表示パネルを説明するための図であって、素子電極が傾きを有する電子放出素子から放出される電子ビームの軌道を示す模式図である。 本発明の第４の実施形態である表示パネルを説明するための図であって、素子電極が傾きを持たない電子放出素子から放出される電子ビームの軌道を示す模式図である。 本発明の第４の実施形態である表示パネルを説明するための図であって、素子電極が傾きを有する電子放出素子から放出される電子ビームの軌道を示す模式図である。 本発明の第５の実施形態である表示パネルを説明するための図であって、素子電極が傾きを持たない電子放出素子から放出される電子ビームの軌道を示す模式図である。 本発明の第５の実施形態である表示パネルを説明するための図であって、素子電極が傾きを有する電子放出素子から放出される電子ビームの軌道を示す模式図である。 本発明の参考例である表示パネルを説明するための図であって、素子電極が傾きを持たない電子放出素子から放出される電子ビームの軌道を示す模式図である。 本発明の参考例である表示パネルを説明するための図であって、素子電極が傾きを有する電子放出素子から放出される電子ビームの軌道を示す模式図である。 従来の高抵抗膜で被覆された板状のスペーサを用いた構成における、高抵抗膜と配線とが意図しない部分接触になった場合のスペーサ表面の電位分布を示す模式図である。 図１６Ａに示す構成の等価回路図である。 一対の素子電極の形状の一例を説明するための図である。

符号の説明

１ リアプレート
２ フェースプレート
３ スペーサ
４ 側壁
５ 行方向配線
６ 列方向配線
７ 電極間絶縁層
８、８ａ、８ｂ 電子放出素子
９ 電子源基板
１０ 蛍光膜
１１ メタルバック
１２ ブロック
１３ 基体
１４ 高抵抗膜
１５ 接触部
１６ 非接触部
１７、２０ 等電位線
１８ａ〜１８ｃ 電子ビーム軌道
１９ 照射位置
８１ａ、８１ｂ 素子電極
Ｖ１、Ｖ２ 初速度ベクトル

Claims (5)

1. ギャップを隔てて対向する一対の素子電極と、該一対の素子電極間に位置する電子放出部とを有する第一及び第二の電子放出素子を各々複数有する電子源と、
   前記電子源に対向して位置する電極と、
   前記電子源と前記電極との間であって、前記第一の電子放出素子よりも前記第二の電子放出素子に近接して位置する板状スペーサと、
   を有する画像表示装置であって、
   前記板状スペーサの長手方向と垂直な方向に対する任意の前記第一の電子放出素子の前記ギャップの長手方向の傾きを第一の傾き、該垂直な方向に対する前記板状スペーサに近接する任意の第二の電子放出素子の前記ギャップの長手方向の傾きを第二の傾きとし、前記第二の傾きは前記第一の傾きよりも大きいことを特徴とする画像表示装置。
2. 前記電子源は複数の行配線と複数の列配線とを有し、
   前記第一及び第二の電子放出素子は、前記一対の素子電極の一方が前記複数の行配線のいずれか１つに接続し、前記一対の素子電極の他方が複数の列配線のいずれか１つに接続し、
   前記スペーサは前記行配線上に位置している、
   ことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
3. 前記板状スペーサに近接する複数の第二の電子放出素子は、前記スペーサが位置する配線に電気的に接続していることを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。
4. 前記列方向配線の長手方向が、前記板状スペーサの長手方向と垂直な方向と平行であることを特徴とする請求項２または３に記載の画像表示装置。
5. 前記板状スペーサの長手方向と垂直な方向に対する、前記板状スペーサに近接する複数の第二の電子放出素子の前記ギャップの長手方向の傾きは、前記板状スペーサからの距離が小さい電子放出素子ほど大きいことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。

Images