JP2004069918A5 - - Google Patents
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- 光触媒の作用により特性が変化する特性変化層と、光触媒を含有する光触媒含有層および基材を有する光触媒含有層側基板とを、前記光触媒含有層および前記特性変化層が密着、もしくは200μm以下となるように間隙をおいて配置した後、エネルギーを照射し、特性の異なる部位からなるパターンを形成するパターン形成工程を有するパターン形成体の製造方法であって、前記パターン形成工程前に、前記光触媒含有層表面の不純物を分解除去または洗浄する光触媒含有層不純物除去工程を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法。
- 前記光触媒含有層不純物除去工程が、前記光触媒含有層にエネルギーを照射することにより、前記光触媒含有層表面の不純物を分解除去する工程であることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記光触媒含有層不純物除去工程が、前記光触媒含有層表面の不純物を液体により洗浄する工程であることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成体の製造方法。
- 光触媒の作用により特性が変化する特性変化層と、光触媒を含有する光触媒含有層および基材を有する光触媒含有層側基板とを、前記光触媒含有層および前記特性変化層が密着、もしくは200μm以下となるように間隙をおいて配置した後、エネルギーを照射し、特性の異なる部位からなるパターンを形成するパターン形成工程を有するパターン形成体の製造方法であって、前記間隙中の酸素濃度が20mol%以上であることを特徴とするパターン形成体の製造方法。
- 光触媒の作用により特性が変化する特性変化層と、光触媒を含有する光触媒含有層および基材を有する光触媒含有層側基板とを、前記光触媒含有層および前記特性変化層が密着、もしくは200μm以下となるように間隙をおいて配置した後、エネルギーを照射し、特性の異なる部位からなるパターンを形成するパターン形成工程を有するパターン形成体の製造方法であって、前記間隙中の相対湿度が10%以上であることを特徴とするパターン形成体の製造方法。
- 光触媒の作用により特性が変化する特性変化層と、光触媒を含有する光触媒含有層および基材を有する光触媒含有層側基板とを、前記光触媒含有層および前記特性変化層が密着、もしくは200μm以下となるように間隙をおいて配置した後、エネルギーを照射し、特性の異なる部位からなるパターンを形成するパターン形成工程を有するパターン形成体の製造方法であって、前記エネルギー照射前に前記特性変化層および前記光触媒含有層の少なくとも一方の表面に水を吸着させる処理を行うことを特徴とするパターン形成体の製造方法。
- 光触媒の作用により特性が変化する特性変化層と、光触媒を含有する光触媒含有層および基材を有する光触媒含有層側基板とを、前記光触媒含有層および前記特性変化層が密着、もしくは200μm以下となるように間隙をおいて配置した後、エネルギーを照射し、特性の異なる部位からなるパターンを形成するパターン形成工程を有するパターン形成体の製造方法であって、前記エネルギー照射がエキシマーランプによる照射であることを特徴とするパターン形成体の製造方法。
- 光触媒の作用により特性が変化する特性変化層と、光触媒を含有する光触媒含有層および基材を有する光触媒含有層側基板とを、前記光触媒含有層および前記特性変化層が密着、もしくは200μm以下となるように間隙をおいて配置した後、エネルギーを照射し、特性の異なる部位からなるパターンを形成するパターン形成工程を有するパターン形成体の製造方法であって、前記光触媒含有層に第2の成分としての金属元素が含有されており、この金属元素が鉄および鉄よりイオン化傾向の小さい金属から選択される少なくとも一種の金属元素であることを特徴とするパターン形成体の製造方法。
- 光触媒の作用により特性が変化する特性変化層と、光触媒を含有する光触媒含有層および基材を有する光触媒含有層側基板とを、前記光触媒含有層および前記特性変化層が密着、もしくは200μm以下となるように間隙をおいて配置した後、エネルギーを照射し、特性の異なる部位からなるパターンを形成するパターン形成工程を有するパターン形成体の製造方法であって、前記光触媒含有層が波長254nmの光を5%〜90%透過させる膜厚の層であり、かつ前記エネルギー照射が光触媒含有層側基板から行われることを特徴とするパターン形成体の製造方法。
- 光触媒の作用により特性が変化する特性変化層と、光触媒を含有する光触媒含有層および基材を有する光触媒含有層側基板とを、前記光触媒含有層および前記特性変化層が密着、もしくは200μm以下となるように間隙をおいて配置した後、エネルギーを照射し、特性の異なる部位からなるパターンを形成するパターン形成工程を有するパターン形成体の製造方法であって、前記光触媒が可視光応答化されたものであることを特徴とするパターン形成体の製造方法。
- 前記光触媒が、酸化チタン(TiO2)が窒化処理されたものであることを特徴とする請求項10に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記特性変化層が、基板上に形成されていることを特徴とする請求項1から請求項11までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記光触媒含有層が、光触媒を真空成膜法により基材上に成膜してなる層であることを特徴とする請求項1から請求項12までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記光触媒含有層が、光触媒とバインダとを有する層であることを特徴とする請求項1から請求項12までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記光触媒が、酸化チタン(TiO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)、酸化タングステン(WO3)、酸化ビスマス(Bi2O3)、および酸化鉄(Fe2O3)から選択される1種または2種以上の物質であることを特徴とする請求項1から請求項14までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記光触媒が酸化チタン(TiO2)であることを特徴とする請求項15記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記エネルギー照射が、光触媒含有層を加熱しながらなされることを特徴とする請求項1から請求項16までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記特性変化層の表面に、前記光触媒含有層を間隙をおいてエネルギー照射する際に、前記光触媒含有層と、前記特性変化層表面との間隔を、0.2μm〜10μmの範囲内とすることを特徴とする請求項1から請求項17までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記特性変化層が、光触媒を含まない層であることを特徴とする請求項1から請求項18までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記特性変化層が、前記光触媒含有層中の光触媒の作用により、エネルギー照射された際に液体との接触角が低下するように濡れ性が変化する濡れ性変化層であることを特徴とする請求項1から請求項19までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記濡れ性変化層上における表面張力40mN/mの液体との接触角が、エネルギー照射されていない部分において10°以上であり、エネルギー照射された部分において9°以下であることを特徴とする請求項20に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記濡れ性変化層が、オルガノポリシロキサンを含有する層であることを特徴とする請求項20または請求項21に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記オルガノポリシロキサンが、フルオロアルキル基を含有するポリシロキサンであることを特徴とする請求項22に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記オルガノポリシロキサンが、YnSiX(4−n)(ここで、Yはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基またはエポキシ基を示し、Xはアルコキシル基またはハロゲンを示す。nは0〜3までの整数である。)で示される珪素化合物の1種または2種以上の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンであることを特徴とする請求項22または請求項23に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記濡れ性変化層が自己支持性を有することを特徴とする請求項20から請求項24までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記特性変化層が、前記光触媒含有層中の光触媒の作用により、エネルギー照射された際に分解除去される分解除去層であることを特徴とする請求項1から請求項19までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記分解除去層に対する液体の接触角が、前記分解除去層が分解除去された際に露出する基板に対する液体の接触角と異なるものであることを特徴とする請求項26に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記分解除去層が、自己組織化単分子膜、ラングミュア−ブロジェット膜、もしくは交互吸着膜のいずれかであることを特徴とする請求項26または請求項27に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記基板上の濡れ性が、表面張力40mN/mの液体との接触角として9°以下であり、かつ前記分解除去層上において10°以上であることを特徴とする請求項26から請求項28までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
- 基材と、前記基材上に形成された光触媒および金属元素を含有する光触媒含有層とを有するパターン形成体製造用光触媒含有層側基板であって、前記金属元素が鉄および鉄よりイオン化傾向の小さい金属から選択される少なくとも一種の金属元素であることを特徴とするパターン形成体製造用光触媒含有層側基板。
- 基材と、前記基材上に形成された光触媒を含有する光触媒含有層とを有するパターン形成体製造用光触媒含有層側基板であって、前記光触媒含有層が波長254nmの光を5%〜90%透過させる膜厚の層であることを特徴とするパターン形成体製造用光触媒含有層側基板。
- 基材と、前記基材上に形成された光触媒を含有する光触媒含有層とを有するパターン形成体製造用光触媒含有層側基板であって、前記光触媒が可視光応答化されたものであることを特徴とするパターン形成体製造用光触媒含有層側基板。
- 前記光触媒が、酸化チタン(TiO2)が窒化処理されたものであることを特徴とする請求項32に記載のパターン形成体製造用光触媒含有層側基板。
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