JP2004061774A - 有機elパネル - Google Patents
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】第2TFT21のゲート長Lを周辺TFTのゲート長Lに比べ大きくする。これによって、第2TFT21により小さな電流まで精度よく制御することができる。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機EL素子を複数マトリクス状に配置した有機ELパネルに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、フラットディスプレイパネルの1つとして、有機ELディスプレイパネルが知られている。この有機ELディスプレイパネルは、液晶ディスプレイパネル(LCD)とは異なり、自発光であり、明るく見やすいフラットディスプレイパネルとしてその普及が期待されている。
【0003】
この有機ELディスプレイは、有機EL素子を画素として、これを多数マトリクス状に配置して構成される。また、この有機EL素子の駆動方法としては、LCDと同様にパッシブ方式とアクティブ方式があるが、LCDと同様にアクティブマトリクス方式が好ましいとされている。すなわち、画素毎にスイッチ素子を設け、そのスイッチ素子のオンオフを制御して、各画素の表示をコントロールするアクティブマトリクス方式の方が画素毎のスイッチ素子のないパッシブ方式より高精細の画面を実現でき好ましい。
【0004】
図4に、従来の薄膜トランジスタ(TFT)を利用した有機ELパネルにおける画素回路の構成例を示す。有機ELパネルは、このような画素をマトリクス配置して構成される。
【0005】
行方向に伸びるゲートラインGLには、ゲートラインGLによって選択されるnチャンネル薄膜トランジスタである第1TFT10のゲートが接続されている。この第1TFT10のドレインには列方向に伸びるデータラインDLが接続されており、そのソースには他端が容量ラインSLに接続された補助容量CSが接続されている。また、第1TFT10のソースと補助容量CSの接続点は、pチャンネル薄膜トランジスタである第2TFT21のゲートに接続されている。そして、この第2TFT21のソースが電源VLに接続され、ドレインが有機EL素子ELに接続されている。なお、有機EL素子ELの他端はカソード電源VCに接続されている。
【0006】
そして、垂直ドライバ回路60によって、ゲートラインGLがハイレベルにセットされる。すなわち、ゲートラインGLは画素の水平ライン毎に設けられており、これが順次Hレベルにセットされる。これによって、HレベルにセットされたゲートラインGLにゲートが接続されている第1TFT10がすべてオンする。
【0007】
一方、データラインDLは、水平ドライバ回路62が接続されており、この水平ドライバ62は表示すべきビデオ信号(データ)がビデオ信号ラインに供給されるタイミングで、ビデオ信号ラインとデータラインDLを接続する。
【0008】
従って、ゲートラインGLがHレベルの時に第1TFT10がオンとなり、そのときのデータラインDLのデータが補助容量CSに保持される。そして、この補助容量CSに維持されているデータ(電位)に応じて第2TFT21がオンされ、第2TFT21がオンしている場合に有機EL素子ELに電流が流れ、発光する。
【0009】
また、図5に示すように、ゲートラインGLを制御する垂直ドライバ回路60およびデータラインDLを制御する水平ドライバ回路62は、有機EL素子がマトリクス配置される表示領域の周辺に配置されている。なお、有機ELパネルで必要な電源、各種信号などは表示領域の周辺に配置されたインタフェース64を介し供給される。
【0010】
ここで、第2TFT21は、容量に保持された電圧に応じた電流を広範囲に安定して流すことが要求される。また、電流量をなるべく抑え、低消費電力を実現したいという要求がある。
【0011】
このため、この第2TFT21についての電源電圧を低く設定することが考えられる。これによって、第2TFTに流す電流を小さくでき、かつ電流量の調整の範囲を維持することができる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、第2TFT21の電源電圧を低くすると、有機EL素子のバラツキや第2TFT21のバラツキに基づいて発光量制御がうまくいかなくなるという問題もあった。
【0013】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、第2TFTの動作を十分なものに維持することができる有機ELパネルを提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明は、有機EL素子を複数マトリクス状に配置した有機ELパネルであって、各有機EL素子に対応して設けられ、対応する有機EL素子へ供給する駆動電流を制御する駆動トランジスタと、有機EL素子が配置される表示領域の周辺に配置され、有機EL素子の駆動トランジスタを制御するための信号を出力する周辺トランジスタと、を有し、前記駆動トランジスタのゲート長を前記周辺トランジスタのゲート長に比べ大きくすることを特徴とする。
【0015】
このように、本発明によれば、駆動トランジスタのゲート長が大きく設定されている。そこで、駆動トランジスタから有機EL素子に供給する電流量を小さくすることができ、かつ広範囲で確実な電流量制御が行える。
【0016】
また、有機EL素子を複数マトリクス状に配置した有機ELパネルであって、各有機EL素子に対応して設けられ、対応する有機EL素子へ供給する駆動電流を制御する駆動トランジスタと、有機EL素子が配置される表示領域の周辺に配置され、有機EL素子の駆動トランジスタを制御するための信号を出力する周辺トランジスタと、を有し、前記駆動トランジスタのゲート長L/ゲート幅Wを前記周辺トランジスタのゲート長L/ゲート幅Wに比べ大きくすることを特徴とする。
【0017】
これによっても、駆動トランジスタのゲート長が大きく設定されている。そこで、電流量を小さくすることができ、かつ広範囲で確実な電流量制御が行える。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。図1は、本実施形態に係る回路における画素部分の概略構成を示す平面図である。なお、この回路構成は、上述の図4と同一である。
【0019】
列(垂直)方向にはデータラインDLおよび電源ラインVLが所定間隔で配置され、行(水平)方向にはゲートラインGLが所定間隔で配置され、これらデータラインDLと、ゲートラインGL、電源ラインVLで区画された画素エリアに第1、第2TFT(駆動トランジスタ)10、21、容量CS、有機EL素子50が設けられている。
【0020】
データラインDLは、例えば、アルミから構成され、これに第1TFT10のドレインがコンタクト12によって接続されている。ここで、データラインDLの画素領域の右上に当たる部分には内側に向けて突出する突出部12aが設けられており、ここにコンタクト12が形成されている。
【0021】
第1TFT10は、ガラス基板上に設けられたポリシリコンからなる半導体層14を有しており、データラインDLの突出部12aの下方に半導体層14の一端が延びここが厚み方向に延びるコンタクト12によって突出部12aに接続されている。
【0022】
第1TFT10は、このコンタクト12がドレイン領域になっている。そして、この半導体層14は、水平方向に延び、その上方にはゲート絶縁膜を介し、2つのゲート電極16が配置されている。このゲート電極16は例えばMo、Crなどで形成されるゲートラインGLから下方(内側)に向けて突出形成されている。半導体層14は、ゲート電極16の下方の半導体層14がチャネル領域になっており、ドレイン領域と反対側の端部がソース領域になっている。
【0023】
半導体層14はそのまま延び容量CSの一方側の電極となっている。この容量CSは、半導体層14と、これに誘電体層を介し対向する容量電極からなっており、この容量電極は容量ラインSLの一部として形成されている。容量ラインも例えばMo、Crなどで形成される。
【0024】
ポリシリコンからなる半導体層14は、容量CSの電極の部分からそのまま下方に延びアルミで接続された一対のコンタクト18a、18bを介し第2TFT21のゲート電極20に接続される。なお、ゲート電極20は、例えばMoで形成される。ここで、第2TFT21は、半導体層22を有しており、この半導体層22の両端部が電源ラインVLに接続されるドレイン領域、中央部が有機EL素子50に接続されるソース領域、ドレイン領域とソース領域の間であってその上方にゲート絶縁膜を介しゲート電極20が配置される部分がチャネル領域になっている。
【0025】
また、第2TFT21を構成する半導体層22は、電源ラインVLに沿って延びる細長い形状をしている。そして、その上下端の一対のドレイン領域の厚み方向の上方に電源ラインVLの一部が突出して一対の突出部24a、24bが形成され、ここにコンタクト26a、26bがそれぞれ形成されて電源ラインVLと第2TFT21の一対のドレイン領域との接続が行われる。
【0026】
ここで、本実施形態においては、図2に模式的に示すように、第2TFT21のゲート長Lは、周辺ドライバ回路に用いる周辺TFT(周辺トランジスタ)に比べ長くしている。ここで、この周辺TFTとしては、ゲートラインGLや、データラインDLの選択を制御するための垂直ドライバ回路や水平ドライバ回路のシフトレジスタを構成するTFTが挙げられる。なお、周辺ドライバ回路には、各種のTFTが利用されるが、これらは基本的にすべて同一のプロセスで形成され、そのサイズも基本的には同一である。
【0027】
周辺TFTは、スイッチング動作を行うものであり、第2TFTとは異なる電源(Vdd)により高速動作する。従って、そのゲート長Lは、小さいものが好適である。
【0028】
一方、第2TFT21は、そのゲート電圧の制御により、有機EL素子51への電流量を制御して表示輝度の制御を行うものである。従って、所定の範囲の電流量を正確に制御できる必要がある。本実施形態の第2TFT21では、ゲート長Lが長くなっている。そこで、低電流領域においても、ゲート電圧による電流量制御を確実に行えるという効果が得られる。このようにゲート長Lを大きくすると、TFTの動作が遅くなる。しかし、第2TFTは、補助容量CSに保持される電圧によって、通常1フレームの期間同一の電流を流し続ける。従って、スイッチのオンオフ動作が高速である必要がなく、ゲート長Lを大きくすることで、好適な特性を得ることができる。
【0029】
なお、図2において第2TFT21は、並列接続される2つのトランジスタの内、1つのトランジスタのみを示している。
【0030】
ここで、第2TFT21のゲート長Lを設定する場合、次の条件を満足する必要がある。
【0031】
(i)画素の第2TFTに流れる電流Idsは、周辺TFTに比べ微小な電流であり、有機材料に応じたオン電流(Ion:白表示)と、オフ電流(Ioff:黒表示)が存在し、適切な階調表示の場合、Ion/Ioff≧100を満足する必要がある。
【0032】
(ii)そして、このような広範囲の電流制御を現在開発されている有機材料で形成される有機EL素子を駆動する第2TFT21において実現するには、バラツキや劣化特性を考慮し、電源ラインVLの電圧として所定の最低電源電圧PVddminと、最短ゲート長Lminが必要である。また、オン電流Ionを流せる最大電源電圧PVddmaxと最長ゲート長Lmaxも存在する。
【0033】
上述のような条件を満足するためには、図3に斜線で示すように、第2TFT21を有効な動作範囲内で動作させるために、適切なゲート長Lの許容範囲が存在する。そして、このゲート長Lは、周辺トランジスタにおいて適切なゲート長と比べ必ず長くなる。従って、本実施形態に係る第2TFT21により、好適な階調制御が行え、かつ周辺トランジスタにおいて、十分な高速動作を維持することができる。また、周辺トランジスタは、電源をVddとし、ゲート電圧で決まる最大駆動電流Idsmaxで動作する。
【0034】
さらに、周辺トランジスタにおいて、十分な電流を得、また第2駆動TFT21においてIonを確保するためには、ゲート幅Wとしてほぼ同一のものが必要であり、第2TFT21のゲート長L/ゲート幅Wを周辺回路におけるTFTのゲート長L/ゲート幅Wに比べ大きくすることが必要になる。
【0035】
なお、周辺トランジスタのゲート幅W/ゲート長Lは5〜500μm/1〜10μm,第2駆動TFTのゲート幅W/ゲート長Lは5〜10μm/10〜100μm程度が好ましい。
【0036】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、駆動トランジスタのゲート長を大きくまたはゲート幅/ゲート長比を小さく設定する。そこで、電流量を小さくすることができ、かつ広範囲で確実な電流量制御が行える。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態に係る第2TFTを含む画素の構成を示す図である。
【図2】第2TFTと周辺TFTの構成を示す図である。
【図3】適切なゲート長の示す図である。
【図4】画素回路の構成を示す図である。
【図5】有機ELパネルの全体構成を示す図である。
【符号の説明】
21 第2TFT、60 垂直ドライバ回路、62 水平ドライバ回路。
Claims (2)
- 有機EL素子を複数マトリクス状に配置した有機ELパネルであって、
各有機EL素子に対応して設けられ、対応する有機EL素子へ供給する駆動電流を制御する駆動トランジスタと、
有機EL素子が配置される表示領域の周辺に配置され、有機EL素子の駆動トランジスタを制御するための信号を出力する周辺トランジスタと、
を有し、
前記駆動トランジスタのゲート長を前記周辺トランジスタのゲート長に比べ大きくすることを特徴とする有機ELパネル。 - 有機EL素子を複数マトリクス状に配置した有機ELパネルであって、
各有機EL素子に対応して設けられ、対応する有機EL素子へ供給する駆動電流を制御する駆動トランジスタと、
有機EL素子が配置される表示領域の周辺に配置され、有機EL素子の駆動トランジスタを制御するための信号を出力する周辺トランジスタと、
を有し、
前記駆動トランジスタのゲート長L/ゲート幅Wを前記周辺トランジスタのゲート長L/ゲート幅Wに比べ大きくすることを特徴とする有機ELパネル。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002218862A JP4128045B2 (ja) | 2002-07-26 | 2002-07-26 | 有機elパネル |
TW092116761A TW591568B (en) | 2002-07-26 | 2003-06-20 | Organic EL panel |
CNA031503276A CN1479558A (zh) | 2002-07-26 | 2003-07-24 | 有机电致发光面板 |
KR1020030051278A KR20040010385A (ko) | 2002-07-26 | 2003-07-25 | 유기 el 패널 |
US10/627,148 US7049637B2 (en) | 2002-07-26 | 2003-07-25 | Organic EL panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002218862A JP4128045B2 (ja) | 2002-07-26 | 2002-07-26 | 有機elパネル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004061774A true JP2004061774A (ja) | 2004-02-26 |
JP4128045B2 JP4128045B2 (ja) | 2008-07-30 |
Family
ID=31939945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002218862A Expired - Lifetime JP4128045B2 (ja) | 2002-07-26 | 2002-07-26 | 有機elパネル |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7049637B2 (ja) |
JP (1) | JP4128045B2 (ja) |
KR (1) | KR20040010385A (ja) |
CN (1) | CN1479558A (ja) |
TW (1) | TW591568B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4031901B2 (ja) * | 2000-07-19 | 2008-01-09 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP4086550B2 (ja) * | 2002-05-30 | 2008-05-14 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
KR101950473B1 (ko) | 2012-10-05 | 2019-02-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 패널 |
CN113936601A (zh) * | 2016-04-22 | 2022-01-14 | 索尼公司 | 显示装置与电子设备 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001005426A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El表示装置及び電子装置 |
JP2001111053A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び表示装置 |
JP2001222240A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-08-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El表示装置及び電気器具 |
JP2002006777A (ja) * | 2000-04-17 | 2002-01-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びそれを用いた電気器具 |
JP2002190390A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-07-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の修理方法及び作製方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6420758B1 (en) * | 1998-11-17 | 2002-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an impurity region overlapping a gate electrode |
-
2002
- 2002-07-26 JP JP2002218862A patent/JP4128045B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-06-20 TW TW092116761A patent/TW591568B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-07-24 CN CNA031503276A patent/CN1479558A/zh active Pending
- 2003-07-25 US US10/627,148 patent/US7049637B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-25 KR KR1020030051278A patent/KR20040010385A/ko active Search and Examination
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001005426A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El表示装置及び電子装置 |
JP2001111053A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び表示装置 |
JP2001222240A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-08-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El表示装置及び電気器具 |
JP2002006777A (ja) * | 2000-04-17 | 2002-01-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びそれを用いた電気器具 |
JP2002190390A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-07-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の修理方法及び作製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200405228A (en) | 2004-04-01 |
US7049637B2 (en) | 2006-05-23 |
CN1479558A (zh) | 2004-03-03 |
JP4128045B2 (ja) | 2008-07-30 |
TW591568B (en) | 2004-06-11 |
US20040159845A1 (en) | 2004-08-19 |
KR20040010385A (ko) | 2004-01-31 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130523 Year of fee payment: 5 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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