CN1479558A - 有机电致发光面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有机电致发光面板，根据本发明，即可有效地进行利用第二TFT所做的EL元件驱动电流的控制。将第二TFT(21)的栅极长度L设定得比周边TFT的栅极长度L大。如此，即可利用第二TFT(21)进行达到很小电流的高精度控制。
Description
技术领域
本发明涉及有多个有机电致发光(EL)元件配置成矩阵状的有机电致发光(EL)面板。
背景技术
目前，有机EL显示器面板作为平面显示器面板的一种而为人所知。该有机EL显示器面板，不同于液晶显示器面板(LCD)，为一种自发光面板，故作为一种明亮易观看的平面显示面板其普及备受期待。
该有机EL显示器，以有机EL元件作为像素，并将多个有机EL元件配置成矩阵状而构成。此外，该有机EL元件的驱动方法，与LCD相同有无源方式与有源方式，但与LCD相同以有源矩阵方式较为理想。即，在各个像素中设置开关元件，控制该开关元件的开与关(ON、OFF)，而控制各像素的显示的有源矩阵方式，相比于各像素中的未有开关元件的无源方式，可实现高精细的画面故较为理想。
图4是表示利用现有的薄膜晶体管(TFT)的有机EL面板中的像素电路的构成例。有机EL面板，将这样的像素配置成矩阵状。
延伸于行方向的栅极线GL上，连接有由栅极线GL所选择的本身为n沟道型薄膜晶体管的第一TFT10的栅极。该第一TFT10的漏极连接至在列方向延伸的数据线DL，其源极则与另一端连接至电容线SL的辅助电容CS连接。此外，第一TFT10的源极与辅助电容CS的连接点至连接至本身为p沟道型薄膜晶体管的第二TFT21的栅极。此外，该第二TFT21的源极连接至电源线VL，而漏极则与有机EL元件50连接。此外，有机EL元件50的另一端连接至阴极电源VC。
此外，利用垂直驱动电路60，将栅极线GL设定为高电平。即，栅极线GL设于各像素的水平线，其依序地被设定为H电平。由此，栅极连接于设定为H电平的栅极线GL的第一TFT10全部导通(ON)。
另一方面，数据线DL，与水平驱动电路62连接，该水平驱动电路62在应显示的视频信号(数据)被提供给视频信号线的时刻，使视频信号线与数据线DL相连接。
因此，栅极线GL在H电平时第一TFT10导通，此时的数据线DL的数据保持于辅助电容CS。之后，按照保持于辅助电容CS的数据(电位)第二TFT21导通，在第二TFT21导通时电流流通于有机EL元件EL，因而发光。
此外，如图5所示，控制栅极线GL的垂直驱动电路60及控制数据线DL的水平驱动器电路62，配置在有机EL元件被配置成矩阵状的显示区域的周边。此外，有机EL面板所需的电源、各种信号等是从配置在显示区域周边的接口64供入。
在此，对于第二TFT21，有必须使按照保持于电容的电压的电流在广范围内都能稳定地流通的要求。此外，还有尽可能地抑制电流量，以实现低消耗电力的要求。
因此，可以考虑将第二TFT21的电源电压设定得低一点。由此，即可减少流通于第二TFT的电流，同时可维持电流量的调整范围。
然而，降低第二TFT21的电源电压，将有因有机EL元件品质不平均或第二TFT21的品质不平均而造成的无法顺利地控制发光量等的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述的问题而完成的，其目的在于提供一种可以充分地维持第二TFT的动作的有机EL面板。
本发明是有多个有机EL元件配置成矩阵状的有机EL面板，其特征在于：该有机EL面板具备：与各有机EL元件对应而设置、控制提供给对应的有机EL元件的驱动电流的驱动晶体管；及配置在配置有有机EL元件的显示区域的周边、输出用于控制有机EL元件的驱动晶体管的信号的周边晶体管；上述驱动晶体管的栅极长度比上述周边晶体管的栅极长度大。
如上所述，本发明加大设定驱动晶体管的栅极长度。因此，可缩小由驱动晶体管提供给有机EL元件的电流量，且可进行广范围且确实的电流量控制。
此外，本发明是有多个有机EL元件配置成矩阵状的有机EL面板，其特征在于：该有机EL面板具备：与各有机EL元件对应而设置、控制提供给对应的有机EL元件的驱动电流的驱动晶体管；及配置在配置有有机EL元件的显示区域的周边、输出用于控制有机EL元件的驱动晶体管的信号的周边晶体管；上述驱动晶体管的栅极长度L/栅极宽度W比上述周边晶体管的栅极长度L/栅极宽度W大。
由此，亦可加大设定驱动晶体管的栅极长度。如此，即可缩小电流量，且可进行广范围且确实的电流量控制。
附图说明
图1为表示实施方式的包含第二TFT的像素的构成图。
图2为表示第二TFT与周边TFT的构成图。
图3为表示适当的栅极长度的图。
图4为表示像素电路的构成图。
图5为表示有机EL面板的全体构成图。
符号说明：21第二TFT，60垂直驱动电路，62水平驱动电路。
具体实施方式
以下，根据附图，说明本发明的实施方式。图1为表示本实施方式的电路中的像素部分的概略构成的平面图。此电路构成，与上述图4相同。
在列(垂直)方向以规定的间隔配置数据线DL及电源线VL，在行(水平)方向以规定的间隔配置栅极线GL，而在由该数据线DL、栅极线GL、电源线VL所区隔的像素区域中则设有第一、第二TFT(驱动晶体管)10，21、电容CS、有机EL元件50。
数据线DL，例如：由铝所构成，第一TFT10的漏极通过接触点12而与其连接。在此，在数据线DL的在像素区域右上方的部分设有朝内侧突出的突出部12a，接触点12即形成于此。
第一TFT10，具有设于玻璃基板上的由多晶硅所构成的半导体层14，且半导体层14延伸至数据线DL的突出部12a的下方并通过在厚度方向延伸的接触点12与突出部12a连接。
该接触点12形成第一TFT10的漏极区域。之后，该半导体层14，朝水平方向延伸，其上方隔着栅极绝缘膜而配置有两个栅极电极16。该栅极电极16从由例如钼(Mo)、铬(Cr)等所形成的栅极线GL朝下方(内侧)突出而形成。半导体层14在栅极电极16的下方的部分形成沟道区域，而与漏极区域相反侧的端部则形成源极区域。
半导体层14持续延伸形成电容CS的其中一侧的电极。该电容CS，由半导体层14及隔着介电质层而与半导体层14相向的电容电极所构成，该电容电极由电容线SL的一部份所形成。而电容线亦由例如Mo、Cr等所形成。
由多晶硅所构成的半导体层14，从电容CS的电极的部分直接向下延伸且透过以铝连接的一对接触点18a、18b与第二TFT21的栅极电极20连接。此外，栅极电极20，例如由Mo所形成。在此，第二TFT21具有半导体层22，该半导体层22的两端部为与电源线VL连接的漏极区域，中央部为与有机EL元件50连接的源极区域，而在漏极区域与源极区域之间的上方隔着栅极绝缘膜而配置有栅极电极20的部分则形成沟道区域。
此外，构成第二TFT21的半导体层22形成为沿着电源线VL延伸的细长形状。而且，在其上下端的一对漏极区域的厚度方向的上方，电源线VL的一部分突出而形成一对突出部24a、24b，在此分别形成接触点26a、26b以进行电源线VL与第二TFT21的一对漏极区域的连接。
在此，在本实施方式中，如图2所示，第二TFT21的栅极长度L，比使用于周边驱动电路的周边TFT(周边晶体管)长。在此，周边TFT可例举构成用于控制栅极线GL、数据线DL的选择的垂直驱动电路或水平驱动器电路的移位寄存器的TFT。此外，在周边驱动电路中，虽利用了各种不同的TFT，但基本上其均以相同的工序形成，其尺寸大小亦大致相同。
周边TFT，用于进行开关动作，其通过不同于第二TFT的电源(Vdd)而高速动作。因此，其栅极长度L，以较小者为佳。
另一方面，第二TFT，通过其栅极电压的控制，控制流入有机EL元件50的电流量而进行显示亮度的控制。因此，必须正确地控制规定范围的电流量。在本实施方式的第二TFT21中，栅极长度L变长。因此，即使在低电流区域中，其亦可获得确实进行利用栅极电压所做的电流量控制的效果。如上所述加大栅极长度L后，TFT的动作会变得迟缓。但，第二TFT，通过保持在辅助电容CS的电压，一般而言即可在一帧(frame)期间持续流通相同的电流。因此，不须以高速进行开关的开关动作，通过加大栅极长度L，可获得适当的特性。
此外，在图2中第二TFT21，仅显示并列连接的两个晶体管中的其中一个晶体管。
在此，设定第二TFT的栅极长度为L时，必须满足以下条件。
(i)流通于像素的第二TFT的电流Ids，相比于周边TFT为一微小的电流，在根据有机材料而定的导通(ON)电流(Ion：白显示)及截止(OFF)电流(Ioff：黑显示)存在，且有适当的色调显示时，必须满足Ion/Ioff≥100。
(ii)此外，为在用于驱动目前所开发的有机材料所形成的有机EL元件的第二TFT21中实现上述的广范围的电流控制时，考虑品质的不平均与劣化特性，必须有作为电源线VL的电压的规定的最低电源电压PVddmin及最短栅极长度Lmin。此外，使导通(ON)电流Ion流通的最大电源电压PVddmax及最长栅极长度Lmax亦要存在。
为满足上述的条件，如图3的斜线所示，存在有能为使第二TFT在有效的动作范围内动作的适当的栅极长度L的允许范围。且，该栅极长度L，必须比周边晶体管的适当的栅极长度长。因此，利用本实施方式的第二TFT21，即可进行适当的色调控制，且于周边晶体管中，可维持一定的高速动作。此外，周边晶体管，将电源设定为Vdd，以由栅极电压所决定的最大驱动电流Idsmax动作。
为了在周边晶体管中获得充分的电流，以及在第二驱动TFT21中确保Ion，栅极宽度W必须具有大致相同的宽度，且必须将第二TFT21的栅极长度L/栅极宽度W设定得比周边电路的TFT的栅极长度L/栅极宽度W大。
此外，周边晶体管的栅极宽度W/栅极长度L以5至500μm/l至10μm较为理想，而第二驱动TFT的栅极宽度W/栅极长度L则以5至10μm/10至100μm较为理想。
发明的效果
如上述的说明，根据本发明，即可加大驱动晶体管的栅极长度或缩小栅极宽度/栅极长度比。因而，可缩小电流量，且可进行广泛范围且确实的电流量控制。
Claims (2)
1.一种有机电致发光面板，有多个有机电致发光元件配置成矩阵状，其特征在于：
具备：与各有机电致发光元件对应而设置、控制提供给对应的有机电致发光元件的驱动电流的驱动晶体管；和
配置在配置有有机电致发光元件的显示区域的周边、输出用于控制有机电致发光元件的驱动晶体管的信号的周边晶体管；
所述驱动晶体管的栅极长度比所述周边晶体管的栅极长度大。
2.一种有机电致发光面板，有多个有机电致发光元件配置成矩阵状，其特征在于：
具备：与各有机电致发光元件对应而设置、控制提供给对应的有机电致发光元件的驱动电流的驱动晶体管；和
配置在配置有有机电致发光元件的显示区域的周边、输出用于控制有机电致发光元件的驱动晶体管的信号的周边晶体管；
所述驱动晶体管的栅极长度L/栅极宽度W比所述周边晶体管的栅极长度L/栅极宽度W大。
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