JP2004061633A - 補正値算出装置、基板、基板製造方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】透過率の低下を防止すると共に、色むらの発生を防止する。
【解決手段】対向基板２０は、中央からの距離に応じて画素を区画する遮光膜２３及びマイクロレンズ７３のピッチが変化しており、中央から離れるに従って、遮光膜２３同士の間隔が狭くなると共に、マイクロレンズ７３のピッチが狭くなっている。このような遮光膜２３及びマイクロレンズ７３のスケーリングは、スケーリングしていない素子基板及び対向基板を用いて製造した液晶パネルの基板同士のずれ量を計測することで求める。対向基板２０がスケーリングされていることから、組み立て工程の開始時には素子基板と対向基板２０とは画素位置に応じたずれが生じているが、製造工程途中の熱工程及び接着工程において膨張し、完成した液晶パネルは、各画素位置を規定する遮光膜２３及びマイクロレンズ７３は夫々素子基板の遮光エリア及び開口領域に対向する。これにより、透過率の低下及び色むらの発生が防止される。
【選択図】　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、投射型のライトバルブとして使用する液晶装置等に好適な補正値算出装置、基板、基板製造方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶パネルは、ガラス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構成される。液晶パネルでは、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、ＴＦＴと称す）等の能動素子をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に封入した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能にする。
【０００３】
ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向配置される対向基板とは、別々に製造される。両基板は、パネル組立工程において高精度に貼り合わされた後、液晶が封入される。
【０００４】
液晶パネルの組立工程においては、先ず、各基板工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との対向面、即ち、対向基板及びＴＦＴ基板の液晶層と接する面上に配向膜が形成され、次いでラビング処理が行われる。次に、一方の基板上の端辺に接着剤となるシール部が形成される。ＴＦＴ基板と対向基板とをシール部を用いて貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化させることで両基板間に液晶セル容器が形成される。シール部の一部には切り欠きが設けられており、この切り欠きを介して液晶セル容器内に液晶を封入することで、液晶セルが形成される。更に、強度及び取り付け精度等の観点から、実装工程において液晶セルをケーシングすると共に、防塵ガラス等を貼り付けることによって、液晶パネルの完成品が得られる。
【０００５】
ところで、ＴＦＴはゲート電極に走査線を介して走査信号を供給することでオン状態となり、半導体層のソース領域にデータ線を介して画像信号を供給することで、オン状態となったＴＦＴを介して画素電極に画像信号が供給される。このようなＴＦＴアクティブマトリクス駆動形式の液晶装置では、各画素に設けられた画素スイッチング用ＴＦＴのチャネル領域に入射光が照射されると光による励起で光リーク電流が発生してＴＦＴの特性が変化する。そこで、ＴＦＴのチャネル領域やその周辺領域（以下、遮光エリアという）に対する入射光の遮光を行うために、対向基板に、各画素の開口領域を規定する遮光膜を形成して、遮光エリアを遮光するように構成されている。
【０００６】
また、各画素の遮光エリアに形成する遮光膜によって入射光量が低下してしまうので、対向基板に、各画素に対応したマイクロレンズを形成し、光を集光して各画素の開口領域に供給することで、開口率を向上させるようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このような液晶装置等の電気光学装置においては、表示画像の高品位化という一般的な要請が強く、このためには、画素ピッチを微細化しつつ、画素開口率を高めることが重要である。微細ピッチで且つ画素開口率を向上させるために、データ線及び走査線等、即ち、遮光エリアは狭間隔で狭幅に形成されることになり、対向基板に形成した遮光膜及びマイクロレンズを夫々遮光エリア及び開口領域に対向させるために、極めて高い組立精度が要求される。
【０００８】
ところで、液晶パネルの組立工程及び液晶パネルに対する実装工程においては、種々の熱工程がある。例えば、組立工程では液晶配向のばらつきを抑制するために加熱及び冷却を行う等方処理工程が行われる。このような熱工程によってＴＦＴ基板及び対向基板は膨張してしまう。この場合でも、ＴＦＴ基板と対向基板とが同様に膨張すれば、対向基板に形成した各画素位置の遮光膜及びマイクロレンズを、夫々ＴＦＴ基板の各画素位置の遮光エリア及び開口領域に対向配置させることができる。
【０００９】
しかしながら、組立工程及び実装工程においては、両基板間をシール材を用いて接着する接着工程が実施されるようになっており、各工程における両基板の変形量は、シール材による規制及び熱膨張の影響を受けて一定とはならない。
【００１０】
このため、組立工程以後において、ＴＦＴ基板と対向基板との変形量は相違し、遮光膜及びマイクロレンズの各位置と遮光エリア及び開口領域の各位置とがずれて、透過率低下を招来してしまう。しかも、このずれはパネルの位置によって異なり、透過率が画面位置によって変化して、色むらを生じてしまうという問題点があった。
【００１１】
特に、ＴＦＴ基板と対向基板との材質が異なる場合には、熱膨張係数の相違から、このような両基板の各画素の位置ずれは大きくなり、画質劣化は一層顕著となる。
【００１２】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、基板間の熱膨張の相違による変形量の相違がある場合でも、遮光膜やマイクロレンズを遮光エリアや開口領域に確実に対応させて、透過率の低下及び色むらの発生を防止することができる補正値算出装置、基板、基板製造方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る補正値算出装置は、一対の基板が対向配置されてマトリクス状に画素が構成された電気光学パネルに対する製造工程に起因する前記一対の基板同士の変形量のずれを計測するずれ量計測手段と、前記ずれ量計測手段の計測結果に基づいて前記一対の基板のうちの一方の基板について前記マトリクス状の画素の各画素位置における補正値を求める補正値算出手段とを具備したことを特徴とする。
【００１４】
このような構成によれば、ずれ量計測手段によって、電気光学パネルに対する製造工程に起因する一対の基板同士の変形量のずれが計測される。補正値算出手段は、このずれ量の計測結果に基づいて一対の基板のうちの一方の基板についてマトリクス状の画素の各画素位置における補正値を求める。こうして、製造工程に起因する一対の基板同士の変形量のずれに応じた補正値を得ることができ、一対の基板同士の変形量のずれを相殺するための補正が可能となる。
【００１５】
また、前記ずれ量計測手段は、前記製造工程の途中又は終了後に前記一対の基板に付したパターンを観察することで前記変形量のずれを計測することを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、変形量のずれ量は、製造工程の途中又は終了後に一対の基板に付したパターンを観察することで得られるので、製造工程の途中まで又は最後までの変形量を相殺する補正値が得られる。
【００１７】
また、前記ずれ量計測手段は、前記一対の基板の縁辺部の１カ所以上の位置において前記一対の基板同士の変形量のずれを計測し、前記補正値算出手段は、前記一対の基板の中心位置を基準にして、中心位置からの距離に応じて補正値を求めることを特徴とする。
【００１８】
このような構成によれば、一対の基板同士の変形量のずれは、一対の基板の縁辺部の１カ所以上の位置において計測される。例えば、ずれ量を、計測位置と中心までの距離によって配分することで、中心位置からの距離に応じて補正値を求める。
【００１９】
前記一対の基板の一方は、アクティブマトリクス素子を有する素子基板が複数形成されたマザー基板であり、他方は、１チップの対向基板であることを特徴とする。
【００２０】
このような構成によれば、マザー基板上の素子基板の各画素位置の補正及び１チップの対向基板の各画素位置の補正が可能である。
【００２１】
また、前記一対の基板の一方は、アクティブマトリクス素子を有する１チップの素子基板であり、他方は、対向基板が複数形成されたマザー基板であることを特徴とする。
【００２２】
このような構成によれば、１チップの素子基板の各画素位置の補正及びマザー基板上の対向基板の各画素位置の補正が可能である。
【００２３】
また、前記一対の基板の一方は、アクティブマトリクス素子を有する素子基板が複数形成された第１のマザー基板であり、他方は、対向基板が複数形成された第２のマザー基板であることを特徴とする。
【００２４】
このような構成によれば、第１のマザー基板上の素子基板の各画素位置の補正及び第２のマザー基板上の対向基板の各画素位置の補正が可能である。
【００２５】
本発明に係る基板は、前記補正値算出装置によって求められた前記補正値に基づいて、前記画素位置を補正して形成したことを特徴とする。
【００２６】
このような構成によれば、基板は補正値算出装置によって求められた補正値に基づいて画素位置が補正されており、製造工程に起因する一対の基板同士の変形量のずれを相殺する位置に各画素が形成される。これにより、この基板を用いて電気光学パネルを構成することで、製造工程による基板の変形によって、一対の基板同士の変形量の差は０となる。画素位置が一対の基板相互間において一致するので、開口領域が広くなって透過率が向上する。また、画面全域に渡って一様な透過率が得られ、むらの発生が防止される。
【００２７】
本発明に係る基板は、前記補正値算出装置によって求められた前記補正値に基づいて、前記画素位置を規定する遮光膜、マイクロレンズ及びカラーフィルタのうちの少なくとも１つを補正して形成したことを特徴とする。
【００２８】
このような構成によれば、遮光膜、マイクロレンズ及びカラーフィルタのうちの少なくとも１つが補正されて、これにより、基板の画素位置が補正される。こうして、この基板を用いて電気光学パネルを構成することで、画素位置を一対の基板相互間において一致させることができる。
【００２９】
また、前記遮光膜又は前記カラーフィルタに対する補正は、ピッチを前記補正値に基づいて変更するものであることを特徴とする。
【００３０】
このような構成によれば、遮光膜又はカラーフィルタのピッチが補正されることによって、基板の画素位置が補正される。
【００３１】
また、前記マイクロレンズに対する補正は、レンズ中心座標同士のピッチ又はレンズの光学的中心座標同士のピッチを前記補正値に基づいて変更するものであることを特徴とする。
【００３２】
このような構成によれば、マイクロレンズのレンズ中心座標同士のピッチ又はレンズの光学的中心座標同士のピッチを補正することによって、基板の画素位置を補正する。
【００３３】
また、本発明に係る基板は、前記補正値算出装置によって求められた前記補正値に基づいて、前記画素位置を規定するアクティブマトリクス素子のピッチを補正して形成したことを特徴とする。
【００３４】
このような構成によれば、アクティブマトリクス素子のピッチが補正されて、これにより、基板の画素位置が補正される。こうして、この基板を用いて電気光学パネルを構成することで、画素位置を一対の基板相互間において一致させることができる。
【００３５】
また、前記アクティブマトリクス素子に対する補正は、開口領域の中心相互間のピッチ及び非画素領域を構成する配線同士のピッチを前記補正値に基づいて変更するものであることを特徴とする。
【００３６】
このような構成によれば、アクティブマトリクス素子の開口領域の中心相互間のピッチ及び非画素領域は構成する配線同士のピッチを補正することによって、基板の画素位置を補正する。
【００３７】
また、本発明に係る補正値算出方法は、マトリクス状に画素を形成するために補正されていない一対の基板を対向配置して貼り合わせる工程と、貼り合わせた前記一対の基板に対する接着工程及び加熱工程終了後に、前記一対の基板同士の変形量のずれを計測するずれ量計測工程と、前記ずれ量計測工程の計測結果に基づいて前記一対の基板のうちの一方の基板について前記マトリクス状の画素の各画素位置における補正値を求める補正値算出工程とを具備したことを特徴とする。
【００３８】
このような構成によれば、補正されていない一対の基板は、対向配置されて貼り合わされる。貼り合わせた一対の基板に対する接着工程及び加熱工程終了後に、一対の基板同士の変形量のずれが計測される。ずれ量の計測結果に基づいて、一対の基板のうちの一方の基板についてマトリクス状の画素の各画素位置における補正値が求められる。こうして、製造工程に起因する一対の基板同士の変形量のずれに応じた補正値が得られ、一対の基板同士の変形量のずれを相殺するための補正が可能となる。
【００３９】
前記ずれ量計測工程は、前記一対の基板に付したパターンを観察することで前記変形量のずれを計測することを特徴とする。
【００４０】
このような構成によれば、接着工程及び加熱工程終了後の、一対の基板同士の変形量を直接基板を観察することによって計測して、実際のずれ量を得ることができる。
【００４１】
また、前記ずれ量計測工程は、前記一対の基板の縁辺部の１カ所以上の位置において前記一対の基板同士の変形量のずれを計測し、前記補正値算出工程は、前記一対の基板の中心位置を基準にして、中心位置からの距離に応じて補正値を求めることを特徴とする。
【００４２】
このような構成によれば、一対の基板同士の変形量のずれを、一対の基板の縁辺部の１カ所以上の位置において計測し、この計測結果を基に、中心位置からの距離に応じて補正値を求める。
【００４３】
また、本発明に係る基板製造方法は、前記補正値算出方法によって求められた前記補正値に基づいて、前記画素位置を補正して前記一対の基板のうちの一方の基板を形成することを特徴とする。
【００４４】
このような構成によれば、補正値算出方法によって求められた補正値に基づいて画素位置を補正した基板を形成する。この補正は、製造工程に起因する一対の基板同士の変形量のずれを相殺する位置に各画素が形成されものである。これにより、この基板を用いて電気光学パネルを構成することで、製造工程による基板の変形によって、一対の基板同士の変形量の差は０となる。画素位置が一対の基板相互間において一致するので、開口領域が広くなって透過率が向上する。また、画面全域に渡って一様な透過率が得られ、むらの発生が防止される。
【００４５】
また、本発明に係る基板製造方法は、前記補正値算出方法によって求められた前記補正値に基づいて、前記画素位置を規定する遮光膜、マイクロレンズ及びカラーフィルタのうちの少なくとも１つを補正して前記一対の基板のうちの一方の基板を形成することを特徴とする。
【００４６】
このような構成によれば、基板の画素位置は、遮光膜、マイクロレンズ及びカラーフィルタのうちの少なくとも１つを補正することで規定される。この基板を用いて電気光学パネルを構成することで、画素位置を一対の基板相互間において一致させることができる。
【００４７】
また、本発明に係る基板製造方法は、前記補正値算出方法によって求められた前記補正値に基づいて、前記画素位置を規定するアクティブマトリクス素子のピッチを補正して前記一対の基板のうちの一方の基板を形成することを特徴とする。
【００４８】
このような構成によれば、基板の画素位置は、アクティブマトリクス素子のピッチを補正することで規定される。この基板を用いて電気光学パネルを構成することで、画素位置を一対の基板相互間において一致させることができる。
【００４９】
本発明に係る電気光学装置は、前記基板又は前記基板製造方法によって製造された基板による対向基板と、前記対向基板に対向配置して前記対向基板と共にマトリクス状に画素を構成する素子基板とを具備したことを特徴とする。
【００５０】
このような構成によれば、対向基板が製造工程に起因する一対の基板同士の変形量のずれに応じて補正されており、製造された電気光学装置は、一対の基板同士の画素位置が一致して高い透過率が得られると共に、色むらがない画像が得られる。
【００５１】
また、本発明に係る電気光学装置は、前記基板又は前記基板製造方法によって製造された基板による素子基板と、前記素子基板に対向配置して前記素子基板と共にマトリクス状に画素を構成する対向基板とを具備したことを特徴とする。
【００５２】
このような構成によれば、素子基板が製造工程に起因する一対の基板同士の変形量のずれに応じて補正されており、製造された電気光学装置は、一対の基板同士の画素位置が一致して高い透過率が得られると共に、色むらがない画像が得られる。
【００５３】
また、本発明に係る電気光学装置は、前記基板又は前記基板製造方法によって製造された基板による対向基板及び素子基板を対向配置して構成したことを特徴とする。
【００５４】
このような構成によれば、素子基板及び対向基板が製造工程に起因する基板同士の変形量のずれに応じて補正されており、製造された電気光学装置は、基板同士の画素位置が一致して高い透過率が得られると共に、色むらがない画像が得られる。
【００５５】
また、前記対向基板及び素子基板は、前記補正値に基づく補正マークが設けられていることを特徴とする。
【００５６】
このような構成によれば、補正マークによって、製造工程に起因するずれが補正されたか否かを製造後に確認することができる。
【００５７】
また、前記対向基板及び素子基板は、前記補正値に基づく補正マーク及び組ずれ確認用マークが設けられていることを特徴とする。
【００５８】
このような構成によれば、補正マーク及び組ずれ確認用マークによって、製造後のずれが貼り合わせ時の組ずれによるものであるか、熱処理工程によるものであるか否かを判断することができる。
【００５９】
また、本発明に係る電気光学装置は、前記対向基板及び素子基板に貼り付けられる第３の基板と、前記第３の基板上に設けられ、前記補正値に基づいてピッチが補正された遮光膜とを更に具備したことを特徴とする。
【００６０】
このような構成によれば、対向基板及び素子基板に貼り付けられる第３の基板に設けられる遮光膜が補正値に基づいてピッチ補正されており、熱処理に伴って遮光膜がずれることが防止される。
【００６１】
また、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、対向配置されてマトリクス状に画素が構成される一対の基板のうち少なくとも一方の基板の画素のピッチが周辺に向かって連続的に変化する基板同士を貼り合わせる工程と、前記一対の基板に対する熱処理工程とを具備したことを特徴とする。
【００６２】
このような構成によれば、一対の基板のうちの少なくとも一方は、画素ピッチが周辺に向かって連続的に変化する。これらの基板同士は貼り合わされ、熱処理工程が施される。熱処理工程によって、一対の基板同士が異なる熱膨張率で膨張することによって、基板同士のずれが相殺されて、画素位置が一致した電気光学装置が得られる。
【００６３】
また、本発明に係る電子機器は、前記電気光学装置を画像形成手段として備えたことを特徴とする。
【００６４】
このような構成によれば、電気光学装置が高い透過率を有し、色むらがない画像を表示することができ、高画質の画像が得られる。
【００６５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る基板を示す一部の模式的平面図である。図２は図１の基板を用いた電気光学装置である液晶パネルの画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図３乃至図５は図１の基板を採用した電気光学装置に係り、図３はＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図であり、図４は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶パネルを、図３のＨ−Ｈ’線の位置で切断して示す断面図である。また、図５は液晶パネルの画素構造を詳細に示す断面図である。図６は図１の基板の一部の断面を示す断面図である。また、図７はずれ量計測パターンを示す説明図であり、図８は補正値算出装置を示す説明図である。図９は図１の基板上に構成する遮光膜及びマイクロレンズの寸法を示す説明図である。図１０はパネル組立工程を示すフローチャートであり、図１１はパネル実装工程を示すフローチャートである。なお、上記各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００６６】
本実施の形態は第１及び第２の基板を対向配置してマトリクス状に画素を構成する電気光学装置において、第１及び第２の基板の熱膨張係数の相違並びに製造工程中の加熱及び接着工程等に起因する第１及び第２の基板の画素位置のずれを検出し、検出結果に基づいて画素位置を補正した基板を得るものである。
【００６７】
例えば、電気光学装置として液晶パネルに適用した場合には、第１及び第２の基板としてＴＦＴ等を形成した素子基板と対向基板とが考えられる。素子基板と対向基板との材質が異なる場合には、熱膨張係数の相違によって組み立てた液晶パネルの上下の基板間で画素位置のずれが生じる。従って、熱膨張係数に応じた補正を施して遮光膜及びマイクロレンズ等を形成した基板を作成することが考えられる。しかしながら、熱膨張係数の相違に基づく補正だけでは、接着工程等による膨張の規制力によって、組立工程及び実装工程後の液晶パネルには上下の基板間で画素位置のずれが残る。
【００６８】
そこで、本実施の形態においては、基板上に第１，第２の基板の画素位置のずれを計測するためのずれ量計測パターンを形成し、ずれ量の計測結果に従って、基板の補正を行うようになっている。
【００６９】
先ず、図２乃至図５を参照して、組立工程及び実装工程終了後の完成した液晶パネルの構造について説明する。
【００７０】
液晶パネルは、図３及び図４に示すように、ＴＦＴ基板等の素子基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。素子基板１０上には画素を構成する画素電極等がマトリクス状に配置される。図２は画素を構成する素子基板１０上の素子の等価回路を示している。
【００７１】
図２に示すように、画素領域においては、複数本の走査線３ａと複数本のデータ線６ａとが交差するように配線され、走査線３ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線３ａとデータ線６ａの各交差部分に対応してＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０に画素電極９ａが接続される。
【００７２】
ＴＦＴ３０は走査線３ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。また、画素電極９ａと並列に蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００７３】
図５は、一つの画素に着目した液晶パネルの模式的断面図である。なお、図５では図面を簡略化するために、対向基板２０に形成されるマイクロレンズは図示を省略している。
【００７４】
ガラスや石英等の素子基板１０には、素子基板完成時の段差形状を調整するために溝１１が形成されている。この溝１１上に遮光膜１２及び第１層間絶縁膜１３を介してＬＤＤ構造をなすＴＦＴ３０が形成されている。溝１１によって、ＴＦＴ基板の液晶５０との境界面が平坦化される。
【００７５】
ＴＦＴ３０は、チャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅが形成された半導体層に絶縁膜２を介してゲート電極をなす走査線３ａが設けられてなる。なお、遮光膜１２は、ＴＦＴ３０の形成領域に対応する領域、後述するデータ線６ａ及び走査線３ａ等の形成領域、即ち各画素の非表示領域に対応した領域に形成されている。この遮光膜１２によって、反射光がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅに入射することが防止される。
【００７６】
ＴＦＴ３０上には第２層間絶縁膜１４が積層され、第２層間絶縁膜１４上には中間導電層１５が形成されている。中間導電層１５上には誘電体膜１７を介して容量線１８が対向配置されている。容量線１８は、容量層と遮光層とからなり、中間導電層１５との間で蓄積容量を構成すると共に、光の内部反射を防止する遮光機能を有する。半導体層に比較的近接した位置に中間導電層１５を形成しており、光の乱反射を効率よく防止することができる。
【００７７】
容量線１８上には第３層間絶縁膜１９が配置され、第３層間絶縁膜１９上にはデータ線６ａが積層される。データ線６ａは、第３及び第２層間絶縁膜１９，１４を貫通するコンタクトホール２４ａ，２４ｂを介してソース領域１ｄに電気的に接続される。データ線６ａ上には第４層間絶縁膜２５を介して画素電極９ａが積層されている。画素電極９ａは、第４〜第２層間絶縁膜２５，１９，１４を貫通するコンタクトホール２６ａ，２６ｂにより容量線１８を介してドレイン領域１ｅに電気的に接続される。画素電極９ａ上にはポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜１６が積層され、所定方向にラビング処理されている。
【００７８】
走査線３ａ（ゲート電極）にＯＮ信号が供給されることで、チャネル領域１ａが導通状態となり、ソース領域１ｄとドレイン領域１ｅとが接続されて、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに与えられる。
【００７９】
対向基板２０には、ＴＦＴアレイ基板のデータ線６ａ、走査線３ａ及びＴＦＴ３０の形成領域に対向する領域、即ち各画素の非表示領域において、マトリクス状に第１遮光膜２３が設けられている。この第１遮光膜２３によって、対向基板２０側からの入射光がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅに入射することが防止される。第１遮光膜２３上に、対向電極（共通電極）２１が基板２０全面に亘って形成されている。対向電極２１上にポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜２２が積層され、所定方向にラビング処理されている。
【００８０】
そして、素子基板１０と対向基板２０との間に液晶５０が封入されている。これにより、ＴＦＴ３０は所定のタイミングでデータ線６ａから供給される画像信号を画素電極９ａに書き込む。書き込まれた画素電極９ａと対向電極２１との電位差に応じて液晶５０の分子集合の配向状態が変化して、光を変調し、階調表示を可能にする。
【００８１】
図３及び図４に示すように、対向基板２０には表示領域を区画する額縁としての遮光膜４２が設けられている。遮光膜４２は例えば遮光膜２３と同一又は異なる遮光性材料によって形成されている。
【００８２】
遮光膜４２の外側の領域に液晶を封入するシール材４１が、素子基板１０と対向基板２０間に形成されている。シール材４１は対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、素子基板１０と対向基板２０を相互に固着する。シール材４１は、素子基板１０の１辺の一部において欠落しており、貼り合わされた素子基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、液晶５０を注入するための液晶注入口７８が形成される。液晶注入口７８より液晶が注入された後、液晶注入口７８を封止材７９で封止するようになっている。
【００８３】
素子基板１０のシール材４１の外側の領域には、データ線駆動回路６１及び実装端子６２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接する２辺に沿って、走査線駆動回路６３が設けられている。素子基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路６３間を接続するための複数の配線６４が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間を電気的に導通させるための導通材６５が設けられている。
【００８４】
本実施の形態においては、対向基板２０としては、図１及び図６に示す基板が採用される。図６に示すように、対向基板２０は入射面側にマイクロレンズ７３を形成したレンズ基板７１とマイクロレンズ７３による窪みに形成した接着材７４を封止する入射側基板７２との２層構造である。基板７１，７２は接着材７４によって接着されている。接着材７４と基板７１，７２との材質の相違に応じて屈折率が決定される。
【００８５】
レンズ基板７１の出射面側には、マトリクス状に遮光膜２３が形成されている。レンズ基板７１の出射面側には、遮光膜２３上も含み全域に画素電極２１が形成されている。
【００８６】
入射側基板７２の入射面側から入射した光は、基板７２内を透過し、接着材７４の入射面及び出射面（レンズ基板７１の入射面）において屈折し、レンズ基板７１の出射面側から集光されて出射されるようになっている。
【００８７】
本実施の形態においては、各画素毎に設けられるマイクロレンズ７３及び各画素を区画する遮光膜２３の画面内における座標値が、製造工程中の熱膨張の相違に基づく寸法だけ補正されている。即ち、各画素のマイクロレンズの形成位置が画面上の位置に応じて変化しており、また、遮光膜２３同士のピッチが画面上の位置に応じて変化している。図１の例では、対向基板２０の表示領域中央の画素７５近傍のマイクロレンズ同士のピッチに比べて、周辺に向かうにつれてデータ線方向及び走査線方向のいずれにも、マイクロレンズ同士のピッチが狭くなっている。同様に、遮光膜２３相互間の間隔も、表示領域中央の画素７５近傍が最も広く、周辺に向かうにつれて、データ線方向及び走査線方向のいずれにも間隔が狭くなっている。
【００８８】
次に、図７乃至図９を参照して補正値の算出手法について説明する。
【００８９】
各画素位置の補正値を決定するためには、製造された素子基板と対向基板とに対して組立工程及び実装工程を施して、完成した液晶パネルを検査する必要がある。この場合には、対向基板としては、各画素の座標値、即ち、マイクロレンズ７３の光学的中心位置或いは物理的中心位置を基準とした画面上の位置及び遮光膜２３によって区画される画素の位置が補正されていない基板を用いる。つまり、対向基板としては、マイクロレンズ７３同士の間隔及び遮光膜２３相互間の間隔が、対向基板の全域において同一である補正されていない基板が用いられる。
【００９０】
この基板上には、図７に示すずれ量計測パターン７７が非表示領域の少なくとも１カ所に形成されている。
【００９１】
補正されていない対向基板及び素子基板によって構成した液晶パネル８０を、図８の補正値算出装置８５の検査台８１上に載置する。そして、検査台８１上の液晶パネル８０に光を照射しながら、光学顕微鏡８２によってずれ量計測パターン７７を観察する。ずれ量計測パターン７７は、パターン幅が厳密に規定されており、パターンの観察像の状態によってずれ量を計測することができる。図７の例では観察のずれ７８によって、対向基板と素子基板とが図７のＡ方向に相対的にずれていることが分かる。
【００９２】
パターンずれ検出部８３は、光学顕微鏡８２の観察像からずれ量を求めて、検出結果を補正値決定部８４に出力する。補正値決定部８４は、求めたずれ量から、対向基板の補正値を決定する。例えば、補正値決定部８４は、求めたずれ量に基づいて、対向基板の各画素の座標位置をスケーリングするためのスケーリング値を補正値として算出する。
【００９３】
図９はスケーリング値の計算方法を説明するためのものである。図９は図８の液晶パネル８０を構成する対向基板９１を平面的に示している。図９は組立工程以前の状態を示している。
【００９４】
いま、ずれ量計測パターン７７（７７ａ，７７ｂ）が図９の対向基板９１の端部の２カ所に形成されているものとする。基板９１の表示領域中心９４の座標を（０，０）として、ずれ量計測パターン７７ａの中心９５の座標が（ｘ１，−ｙ１）であるものとする。そして、パターンずれ検出部８３によって、ずれ量がｘ方向（走査線方向）に＋１μｍであったものとする。この場合には、座標１目盛り当たり、（１／ｘ１）μｍのずれ量が生じていることになる。
【００９５】
いま、仮に、ずれ量計測パターン７７ａのｘ方向のずれ量のみを用いてスケーリングを行うものとすると、補正値決定部８４は、各画素を構成するマイクロレンズ７３及び遮光膜２３のパターンを、走査線方向には、各画素の座標が１つ増加する毎に（１／ｘ１）μｍずつ小さい座標値に設定するためのスケーリング値を出力する。
【００９６】
例えば、基板９１の有効画素領域の４隅の画素のうちの右下の画素９６の中心座標が（９５００，−ｙ２）であるものとする。この場合には、走査線方向だけについて見れば、この画素９６の中心座標が、（（９５００／ｘ１），−ｙ２）となるように、スケーリング値を出力する。
【００９７】
また、例えば、基板９１の有効画素領域の４隅の画素のうちの左上の画素９７について、ずれ量計測パターン７７ａのｘ方向のずれ量のみを用いてスケーリングを行うものとする。この場合には、画素９７の中心座標が（−９５００，ｙ２）であるものとすると、走査線方向だけについて見れば、この画素９７の中心座標が、（−（９５００／ｘ１），ｙ２）となるように、スケーリング値を出力する。
【００９８】
補正値決定部８４は、基板９１上の全てのずれ量計測パターン７７において計測したずれ量に基づいて、有効画素領域の全ての画素の中心座標をスケーリングするためのスケーリング値を出力する。例えば、補正値決定部８４は、基板９１上の全てのずれ量計測パターン７７において計測したずれ量の平均値に基づいてスケーリングを行ってもよい。また、例えば、補正値決定部８４は、基板９１上の４隅にずれ量計測パターン７７を設け、有効画素領域の右上領域、右下領域、左上領域及び左下領域のスケーリングを、夫々４隅の４つのずれ量計測パターン７７によって算出するようにしてもよい。
【００９９】
スケーリングは、ずれ量計測パターン７７によって検出したずれ量に応じて、各画素毎に行われる。図９の例ではｘ方向のスケーリングのみについて説明したが、ｙ方向のスケーリングについてもｘ方向と同様に行うことができる。例えば、ずれ量計測パターン７７によって検出したｙ方向のずれ量から、ｙ方向の座標１目盛り当たりのスケーリング値を求め、座標位置に応じてスケーリングを行うようにしてもよい。また、例えば、補正値決定部８４は、各画素の水平及び垂直サイズに従って、ｙ方向のスケーリング値をｘ方向のスケーリング値から算出するようにしてもよい。
【０１００】
図１は補正値決定部８４からのスケーリング値を用いてスケーリングされた基板を示している。基板２０の略中心を基準として、その中心からの距離に応じて、スケーリング値に応じた画素位置（画素の中心座標）を設定し、設定した画素位置に画素を配置するように、画素位置を規定する遮光膜２３及びマイクロレンズ７３を形成する。こうして、スケーリングされた基板を対向基板２０として用いて、組立工程及び実装工程を実施する。
【０１０１】
次に、組立工程及び実装工程について図１０及び図１１を参照して説明する。
【０１０２】
素子基板１０（ＴＦＴ基板）と対向基板２０とは、別々に製造される。なお、素子基板１０はマザーガラス基板上に複数形成された状態で投入され、対向基板２０は各セル単位で投入されるものとして説明する。対向基板２０は、上述した手法によってスケーリングされている。ステップＳ１　，Ｓ６　で夫々用意されたＴＦＴ基板及び対向基板２０に対して、次のステップＳ２　，Ｓ７　では、配向膜１６，２２となるポリイミドを塗布する。両基板１０，２０の対向面に夫々形成する配向膜１６，２２は、例えばポリイミドを約数十ナノメーターの厚さで塗布したものである。液晶層５０に対向する両基板１０，２０の表面上に配向膜１６，２２を形成することで、液晶分子を基板面に沿って配向処理することができる。
【０１０３】
次に、ステップＳ３　，Ｓ８　において、素子基板１０表面の配向膜１６及び対向基板２０表面の配向膜２２に対して、焼成処理を施す。焼成処理では、１５０°Ｃ〜２００°Ｃの加熱処理が行われる。次に、ステップＳ４　，Ｓ９　において、素子基板１０表面の配向膜１６及び対向基板２０表面の配向膜２２に対して、ラビング処理を施す。ラビング処理は、形成された配向膜に異方性を発現させるものであり、配向膜に一定方向のラビング処理を施すことで、電圧無印加時の液晶分子の配列を規定することができる。
【０１０４】
次に、ステップＳ５　，Ｓ１０において、洗浄工程を行う。この洗浄工程は、ラビング処理によって生じた塵埃を除去するためのものである。
【０１０５】
洗浄工程が終了すると、ステップＳ１１において、シール材４１、及び導通材６５（図３参照）を形成する。シール材４１を形成した後、次に、ステップＳ１２で、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、ステップＳ１３でアライメントを施しながら圧着し、シール材４１を硬化させる。アライメントは、基板１０，２０に設けた図示しないアライメントマークを一致させることによって行われる。なお、基板１０，２０を貼り合わせた時点では、対向基板２０がスケーリングされているので、相互の画素位置にはずれが生じている。
【０１０６】
シール材４１としてはＵＶ硬化型だけでなく熱硬化型のシール材が採用されることがある。従って、ステップＳ１３における圧着硬化工程においては、基板１０，２０は相互に固定されながら加熱処理が施される。
【０１０７】
次に、ステップＳ１４において、シール材４１の一部に設けた切り欠きから液晶を封入し、切り欠きを塞いで液晶を封止する。次に、液晶配向のばらつきを解消するために、各液晶パネル内の液晶に対して等方処理が行われる（ステップＳ１５）。等方処理は、液晶を一旦等方相まで加熱し、次いで急冷してネマチック相に戻すことで液晶の再配列を行うものである。加熱は約１００°Ｃ〜１２０°Ｃで行われる。
【０１０８】
このような等方処理工程の加熱処理によって、配向膜表面近傍に所望としない方向で吸着、配列した液晶分子も解離する。そして、この状態から急冷することで、液晶分子は、ラビング方向で且つ所定の傾斜（チルト）方向に再配列される。
【０１０９】
次に、ステップＳ１６において、等方処理後のマザーガラス基板を液晶セル毎に分断して、図２及び図３に示す液晶パネルを得、ステップＳ１７においてパネル検査を行う。
【０１１０】
なお、ステップＳ５　，Ｓ１０における洗浄工程及びパネル検査後に行われる洗浄工程には、乾燥工程が含まれており、これらの乾燥工程においても基板１０，２０には、熱処理が施される。
【０１１１】
図１１の実装工程においては、先ず、ステップＳ２１において良品のパネルが導入される。次に、ＦＰＣ（フレキシブルプリント板）取り付け工程が行われる。素子基板１０のシール部材４１の外側の領域には、パネル上の各種駆動回路と外部機器との間で、駆動信号、タイミング信号及び画像信号等を送受するための実装端子６２が配列されている。外部機器との接続には図示しないＦＰＣが採用され、実装端子６２とＦＰＣとは、ＦＰＣに形成されたＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｏｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）（異方性導電膜）を用いて圧着される。
【０１１２】
次に、ステップＳ２３において検査が行われる。このような液晶パネルを投射型表示装置のライトバルブとして用いた場合には、液晶パネルの画面上の画像はスクリーンに拡大投射される。従って、液晶パネルの画面上にゴミが付着すると、ゴミの影響によって表示画像の画質の劣化が著しい。そこで、ゴミの影響等を低減するために、ステップＳ２４において、液晶パネルに防塵ガラスを取付けて、デフォーカス作用によってゴミの影響を無くすようになっている。また、強度及び取り付け精度等の観点から、液晶パネルは、合成樹脂又は金属等のケースに収納した後、各電気光学装置の筐体内部に取り付けるようになっており、ステップＳ２４では、防塵ガラスの貼付けと共にケーシングも行われる。
【０１１３】
そして、防塵ガラスの貼付工程においても、接着材の熱処理が行われる。
【０１１４】
こうして、液晶パネルに図示しない防塵ガラスの貼付け及びケーシングが行われて完成品の電気光学装置が得られる（ステップＳ２５）。
【０１１５】
ところで、上述した組立工程においては、ステップＳ３　，Ｓ８　の焼成工程、ステップＳ１３の圧着硬化工程及びステップＳ１５の等方処理工程において、基板１０，２０に対する加熱処理が行われる。ステップＳ３　，Ｓ８　の焼成処理における加熱処理では、基板１０，２０は別々に加熱処理されるので、夫々熱膨張係数に応じて膨張する。基板１０，２０の材質が異なる場合には、膨張による変形量は基板１０，２０で異なる。
【０１１６】
一方、ステップＳ１３の圧着硬化工程では、シール材４１によって基板１０，２０は相互に固定された状態で加熱処理される。即ち、基板１０，２０は、シール材４１による規制力を受けながら、熱膨張する。従って、この場合には、基板１０，２０は、熱膨張係数だけでなくシール材４１による規制力に基づいて変形する。
【０１１７】
ステップＳ１５の等方処理工程における加熱時には、既にシール材４１によって基板１０，２０は相互に固着されており、シール材４１による規制力を受けながら、熱膨張する。また、上述したように、各タイミングにおける洗浄工程に際しても、基板１０，２０に対する加熱が行われて、多少なりとも熱膨張が生じる。
【０１１８】
例えば、ステップＳ１７のタイミングで、図８の補正値算出装置８５による補正値の算出が行われて、この補正値に基づいてマイクロレンズ７３及び遮光膜２３の補正が行われて対向基板２０が作成されているものとする。そうすると、ステップＳ１７の時点では、素子基板１０及び対向基板２０が夫々変形したとしても、対向基板２０の各画素位置における変形は、素子基板１０の対応する画素位置の変形に一致する。即ち、いずれの画素位置においても、対向基板２０の遮光膜２３は素子基板１０の遮光エリア上に対向し、マイクロレンズ７３は、素子基板１０の開口領域に対向配置される。
【０１１９】
更に、実装工程においては、ステップＳ２３の防塵ガラス貼付工程において加熱処理が行われる。この場合の加熱処理時には、シール材４１による規制力だけでなく、防塵ガラスやケースとの間の接着材による規制力も作用し、基板１０，２０はこれらの規制力を受けながら熱膨張して変形する。
【０１２０】
例えば、ステップＳ２５のタイミングで、図８の補正値算出装置８５による補正値の算出が行われて、この補正値に基づいて各マイクロレンズ７３の中心座標が画面中心位置からの距離に応じて設定され、且つ遮光膜２３同士のピッチが画面中心位置からの距離に応じたピッチに設定されて対向基板２０が作成されているものとする。そうすると、ステップＳ２５の時点では、素子基板１０及び対向基板２０が夫々変形したとしても、対向基板２０の各画素位置における変形は、素子基板１０の対応する画素位置の変形に一致し、いずれの画素位置においても、対向基板２０の遮光膜２３は素子基板１０の遮光エリア上に対向し、マイクロレンズ７３は、素子基板１０の各画素開口部の中心に対向配置される。
【０１２１】
従って、図８の補正値算出装置８５による補正値の算出は、実装工程終了後の完成品の状態で行うのが最もよい。なお、液晶パネルの使用方法等によっては、組立工程終了後のパネル検査後の液晶パネルに対して図８の補正値算出装置８５による補正値の算出を行うようにしてもよい。
【０１２２】
このように、本実施の形態においては、素子基板と対向基板との熱膨張係数の相違だけでなく、製造工程中の加熱及び接着工程等に起因する両基板同士の画素位置のずれを検出し、検出結果に基づいて一方の基板の画素位置を補正するスケーリングを行っている。従って、製造工程中の加熱及び接着工程等によって両基板が独自の変形量で変形したとしても、最終的には、両基板の画素位置を一致させることができる。即ち、いずれの画素位置においても、対向基板２０の遮光膜２３を素子基板１０の遮光エリア上に対向配置すると共に、マイクロレンズ７３を素子基板１０の各画素開口部の中心に対向配置することができる。これにより、透過率が低下することを防止することができ、しかも、画面の全域に亘って、透過率を一様にすることができ、色むらの発生を防止することができる。
【０１２３】
なお、画素位置を補正するためのスケーリングとしては、遮光膜については、隣接する遮光膜間のピッチを画面中央からの距離に応じて変化させる方法を採用すればよく、カラーフィルタについては、カラーフィルタのピッチを画面中央からの距離に応じて変化させる方法を採用すればよい。また、マイクロレンズについては、レンズ中心座標相互間（物理的中心）のピッチあるいは光学的中心座標（集光させる光学中心（必ずしもレンズ中心とは限らない））相互間のピッチを画面中央からの距離に応じて変化させる方法を採用すればよい。
【０１２４】
上記実施の形態においては、ずれ量計測パターン７７を用いたずれ量に従った補正値に基づいて、対向基板のマイクロレンズ７３の中心座標を画面中心位置からの距離に応じて設定し、遮光膜２３の間隔を画面中心位置からの距離に応じたピッチに設定した例について説明したが、対向基板として、マイクロレンズと遮光膜の一方のみを有するものに適用することも可能である。図１２及び図１３はこの場合の対向基板の断面を示す断面図である。
【０１２５】
図１２は遮光膜２３のみを有する対向基板を示している。この場合には、補正値算出装置８５による補正値を用いて、遮光膜２３を補正すればよい。即ち、遮光膜２３同士の間隔を画面中心位置からの距離に応じたピッチに設定すればよい。
【０１２６】
また、図１３はマイクロレンズ７３のみを有する対向基板を示している。この場合には、補正値算出装置８５による補正値を用いて、マイクロレンズ７３を補正すればよい。即ち、マイクロレンズ７３の中心座標を画面中心位置からの距離に応じて設定すればよい。
【０１２７】
更に、素子基板１０の開口領域に対応させてカラーフィルタを設けた対向基板が採用されることがある。この場合には、補正値算出装置８５による補正値を用いて、カラーフィルタを補正することによって、透過率を向上させると共に、色の再現性を向上させることができることは明らかである。カラーフィルタの補正においては、例えば、補正値に応じて、各画素に対応するカラーフィルタを、その画面中心位置からの距離に応じた座標位置に配置するように設定する。
【０１２８】
更に、上記実施の形態においては、対向基板を補正する例について説明したが、防塵ガラスに設けた遮光膜を補正するようにしてもよい。防塵ガラスの縁辺部には、額縁として遮光膜が形成されている。素子基板、対向基板及び防塵ガラスに対する規制力を伴う熱処理によって、素子基板、対向基板及び防塵ガラスは夫々変形する。この場合において、防塵ガラスの遮光膜をずれ量計測結果に基づいて補正することで、完成時に遮光膜がずれて遮光性能が劣化したり、有効画素領域を狭くしたりすることを防止することができる。
【０１２９】
また、更に、素子基板の座標値を補正するようにしてもよい。例えば、基板材料がネオセラムと石英とを用いた場合には、ネオセラムは収縮し、石英は膨張する。いずれか一方の基板を基準にして、他方の基板の座標値を補正することによって、使用材料及び製造工程に起因する熱膨張による変形量を相殺して、両基板の画素位置を一致させることができる。例えば、素子基板の補正は、素子基板上に形成するＴＦＴ素子の画素ピッチを画面中央からの距離に応じて、ずれ量に基づくスケーリングを施すことによって可能である。例えば、画素ピッチとしては開口領域の中心同士の距離を用いてもよい。また、素子基板上の非画素領域を形成する配線、例えば、データ線、走査線、遮光膜、容量線等のピッチを、画面中央からの距離に応じて連続的に変化させるようにしてもよい。
【０１３０】
また、更に、対向基板と素子基板の双方の座標値を補正するようにしてもよいことは明らかである。
【０１３１】
また、上記実施の形態における製造方法の説明では、素子基板はマザーガラス基板上に複数形成された状態（以下、ウェハ状態という）で投入され、対向基板は各セル単位で投入された状態（以下、チップ状態という）であるものとして説明したが、素子基板をチップ状態で投入し、対向基板をウェハ状態で投入してもよく、更に、素子基板と対向基板の双方をウェハ状態で投入してもよい。
【０１３２】
また、上記実施の形態においては、四角形状のずれ量計測パターンを光学顕微鏡で観察することによって、素子基板と対向基板とのずれ量を計測したが、ずれ量の計測方法は種々考えられる。例えば、計測装置付き顕微鏡を用いて、パターンを計測するようにしてもよく、また、計測パターンとしてバーニアを設けるようにしてもよい。
【０１３３】
更に、スケーリングした基板を用いて構成した電気光学装置（完成品）に対して熱処理によるずれ検査を可能とするために、両基板の対向する位置にスケーリングマーク（補正マーク）を設けるようにすることも可能である。このスケーリングマークは、ウェハ状態又はチップ状態で投入された基板の非表示領域であって、スケーリング値に応じた座標位置に形成する。製造工程中の熱処理によるずれに対して、両基板のスケーリングマークの位置が一致することによって、良品，不良品を判断することができる。
【０１３４】
また、更に、組ずれ確認用マークを両基板に設け、不良になった場合、両基板の貼り合わせ時の組ずれが原因であるか、両基板の貼り合わせ時には基板中心位置が正確に一致していたものが熱処理によってずれたものであるかを確認することもできる。
【０１３５】
図１４は本発明の第２の実施の形態を示す概略構成図である。本実施の形態は第１の実施の形態の液晶装置を用いた電子機器の一例である投射型表示装置を示している。
【０１３６】
図１４において、光源２１０は、メタルハライド等のランプ２１１とランプ２１１の光を反射するリフレクタ２１２とによって構成される。光源２１０からの出射光路上に、青色光・緑色光反射のダイクロイックミラー２１３及び反射ミラー２１７が配設される。ダイクロイックミラー２１３は、光源２１０からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。反射ミラー２１７は、ダイクロイックミラー２１３を透過した赤色光を反射する。
【０１３７】
ダイクロイックミラー２１３の反射光の光路上には、緑色光反射のダイクロイックミラー２１４及び反射ミラー２１５が配設され、ダイクロイックミラー２１４は、入射光のうち緑色光を反射し、青色光を透過させる。反射ミラー２１５はダイクロイックミラー２１４の透過光を反射する。反射ミラー２１５の反射光の光路上には反射ミラー２１６が配設されており、反射ミラー２１６は、反射ミラー２１５の反射光（青色光）を更に反射する。
【０１３８】
反射ミラー２１７，ダイクロイックミラー２１４及び反射ミラー２１６の出射光路上には、夫々光変調装置である液晶装置２２２，２２３，２２４が配設されている。液晶装置２２２乃至２２４には、夫々赤色光、緑色光又は青色光が入射し、液晶装置２２２乃至２２４は、夫々Ｒ，Ｇ，Ｂ画像信号に応じて、入射光を光変調し、各Ｒ，Ｇ，Ｂの画像光をダイクロイックプリズム２２５に出射する。
【０１３９】
ダイクロイックプリズム２２５は、４つの直角プリズムが貼り合わされて構成され、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。ダイクロイックプリズム２２５は、これらの誘電体多層謨によって、３つのＲ，Ｇ，Ｂ色光を合成して、カラー画像の画像光を出射する。
【０１４０】
ダイクロイックプリズム２２５の出射光路上には投射光学系を構成する投射レンズ２２６が配設されており、投射レンズ２２６は、合成された画像光をスクリーン２２７上に投射する。こうして、スクリーン２２７には、拡大された画像が表示される。
【０１４１】
このように構成された実施の形態においては、液晶装置２２２，２２３，２２４は、図１の対向基板２０と同様にスケーリングされた基板を用いており、透過率が高く、また、色むらが低減されている。これにより、液晶装置２２２，２２３，２２４によってスクリーン２２７上に投射される画像は、高コントラストで、明るく、色むらがない高品位の画像となる。
【０１４２】
尚、本発明は、電気光学装置は液晶パネルに限るものでなく、有機エレクトロルミネッセンス装置や無機エレクトロルミネッセンス装置のエレクトロルミネッセンス装置、電気泳動装置等も適用できることは言うまでも無い。
【０１４３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、基板間の熱膨張の相違による変形量の相違がある場合でも、遮光膜やマイクロレンズを遮光エリアや開口領域に確実に対応させて、透過率の低下及び色むらの発生を防止することができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板を示す一部の模式的平面図。
【図２】図１の基板を用いた電気光学装置である液晶パネルの画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。
【図３】ＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。
【図４】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶パネルを、図３のＨ−Ｈ’線の位置で切断して示す断面図。
【図５】液晶パネルの画素構造を詳細に示す断面図。
【図６】図６は図１の基板の一部の断面を示す断面図。
【図７】ずれ量計測パターンを示す説明図。
【図８】補正値算出装置を示す説明図。
【図９】図１の基板上に構成する遮光膜及びマイクロレンズの寸法を示す説明図。
【図１０】パネル組立工程を示すフローチャート。
【図１１】パネル実装工程を示すフローチャート。
【図１２】対向基板の断面を示す断面図。
【図１３】対向基板の断面を示す断面図。
【図１４】本発明の第２の実施の形態を示す概略構成図。
【符号の説明】
２０…対向基板、２３…遮光膜、７３…マイクロレンズ。

Claims (26)

1. 一対の基板が対向配置されてマトリクス状に画素が構成された電気光学パネルに対する製造工程に起因する前記一対の基板同士の変形量のずれを計測するずれ量計測手段と、
   前記ずれ量計測手段の計測結果に基づいて前記一対の基板のうちの一方の基板について前記マトリクス状の画素の各画素位置における補正値を求める補正値算出手段とを具備したことを特徴とする補正値算出装置。
2. 前記ずれ量計測手段は、前記製造工程の途中又は終了後に前記一対の基板に付したパターンを観察することで前記変形量のずれを計測することを特徴とする請求項１に記載の補正値算出装置。
3. 前記ずれ量計測手段は、前記一対の基板の縁辺部の１カ所以上の位置において前記一対の基板同士の変形量のずれを計測し、
   前記補正値算出手段は、前記一対の基板の中心位置を基準にして、中心位置からの距離に応じて補正値を求めることを特徴とする請求項１に記載の補正値算出装置。
4. 前記一対の基板の一方は、アクティブマトリクス素子を有する素子基板が複数形成されたマザー基板であり、他方は、１チップの対向基板であることを特徴とする請求項１に記載の補正値算出装置。
5. 前記一対の基板の一方は、アクティブマトリクス素子を有する１チップの素子基板であり、他方は、対向基板が複数形成されたマザー基板であることを特徴とする請求項１に記載の補正値算出装置。
6. 前記一対の基板の一方は、アクティブマトリクス素子を有する素子基板が複数形成された第１のマザー基板であり、他方は、対向基板が複数形成された第２のマザー基板であることを特徴とする請求項１に記載の補正値算出装置。
7. 請求項１乃至６いずれか１つに記載の補正値算出装置によって求められた前記補正値に基づいて、前記画素位置を補正して形成したことを特徴とする基板。
8. 請求項１乃至６のいずれか１つに記載の補正値算出装置によって求められた前記補正値に基づいて、前記画素位置を規定する遮光膜、マイクロレンズ及びカラーフィルタのうちの少なくとも１つを補正して形成したことを特徴とする基板。
9. 前記遮光膜又は前記カラーフィルタに対する補正は、ピッチを前記補正値に基づいて変更するものであることを特徴とする請求項７又は８のいずれか一方に記載の基板。
10. 前記マイクロレンズに対する補正は、レンズ中心座標同士のピッチ又はレンズの光学的中心座標同士のピッチを前記補正値に基づいて変更するものであることを特徴とする請求項７又は８のいずれか一方に記載の基板。
11. 請求項１乃至６のいずれか１つに記載の補正値算出装置によって求められた前記補正値に基づいて、前記画素位置を規定するアクティブマトリクス素子のピッチを補正して形成したことを特徴とする基板。
12. 前記アクティブマトリクス素子に対する補正は、開口領域の中心相互間のピッチ及び非画素領域を構成する配線同士のピッチを前記補正値に基づいて変更するものであることを特徴とする請求項１１に記載の基板。
13. マトリクス状に画素を形成するために補正されていない一対の基板を対向配置して貼り合わせる工程と、
    貼り合わせた前記一対の基板に対する接着工程及び加熱工程終了後に、前記一対の基板同士の変形量のずれを計測するずれ量計測工程と、
    前記ずれ量計測工程の計測結果に基づいて前記一対の基板のうちの一方の基板について前記マトリクス状の画素の各画素位置における補正値を求める補正値算出工程とを具備したことを特徴とする補正値算出方法。
14. 前記ずれ量計測工程は、前記一対の基板に付したパターンを観察することで前記変形量のずれを計測することを特徴とする請求項１３に記載の補正値算出方法。
15. 前記ずれ量計測工程は、前記一対の基板の縁辺部の１カ所以上の位置において前記一対の基板同士の変形量のずれを計測し、
    前記補正値算出工程は、前記一対の基板の中心位置を基準にして、中心位置からの距離に応じて補正値を求めることを特徴とする請求項１３に記載の補正値算出方法。
16. 請求項１３乃至１５のいずれか１つに記載の補正値算出方法によって求められた前記補正値に基づいて、前記画素位置を補正して前記一対の基板のうちの一方の基板を形成することを特徴とする基板製造方法。
17. 請求項１３乃至１５のいずれか１つに記載の補正値算出方法によって求められた前記補正値に基づいて、前記画素位置を規定する遮光膜、マイクロレンズ及びカラーフィルタのうちの少なくとも１つを補正して前記一対の基板のうちの一方の基板を形成することを特徴とする基板製造方法。
18. 請求項１３乃至１５のいずれか１つに記載の補正値算出方法によって求められた前記補正値に基づいて、前記画素位置を規定するアクティブマトリクス素子のピッチを補正して前記一対の基板のうちの一方の基板を形成することを特徴とする基板製造方法。
19. 前記請求項７若しくは８の基板又は前記請求項１６若しくは１７の基板製造方法によって製造された基板による対向基板と、
    前記対向基板に対向配置して前記対向基板と共にマトリクス状に画素を構成する素子基板とを具備したことを特徴とする電気光学装置。
20. 前記請求項１１の基板又は前記請求項１８の基板製造方法によって製造された基板による素子基板と、
    前記素子基板に対向配置して前記素子基板と共にマトリクス状に画素を構成する対向基板とを具備したことを特徴とする電気光学装置。
21. 前記請求項７若しくは８の基板又は前記請求項１６若しくは１７の基板製造方法によって製造された基板による対向基板と、
    前記請求項１１の基板又は前記請求項１８の基板製造方法によって製造された基板による素子基板と、
    を対向配置して構成したことを特徴とする電気光学装置。
22. 前記対向基板及び素子基板は、前記補正値に基づく補正マークが設けられていることを特徴とする請求項１９乃至２１のいずれか１つに記載の電気光学装置。
23. 前記対向基板及び素子基板は、前記補正値に基づく補正マーク及び組ずれ確認用マークが設けられていることを特徴とする請求項１９乃至２１のいずれか１つに記載の電気光学装置。
24. 前記対向基板及び素子基板に貼り付けられる第３の基板と、
    前記第３の基板上に設けられ、前記補正値に基づいてピッチが補正された遮光膜とを更に具備したことを特徴とする請求項１９乃至２１のいずれか１つに記載の電気光学装置。
25. 対向配置されてマトリクス状に画素が構成される一対の基板のうち少なくとも一方の基板の画素のピッチが周辺に向かって連続的に変化する基板同士を貼り合わせる工程と、
    前記一対の基板に対する熱処理工程とを具備したことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
26. 請求項１９乃至２４のいずれか１つに記載の電気光学装置を画像形成手段として備えたことを特徴とする電子機器。

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