JP2004061161A - 熱式流量センサ - Google Patents

Abstract

【課題】流体温度の変動による影響を抑えて、安定かつ正確な流量測定を行うことが可能な熱式流量センサを提供する。
【解決手段】基端側及び先端側ディバイス１６Ａ，１６ＢはそれぞれＵ字形流路１１の往路１１Ａ及び復路１１Ｂを跨ぐように配置され、基端側トランジスタ４２Ａは最高温の測定箇所Ａと最低温の測定箇所Ｂとの平均温度に応じた温度特性を示しこれに応じた位相で発振回路Ａが発振する。先端側トランジスタ４２Ｂは、中間温度の測定箇所Ｂ，Ｃの平均温度に応じた温度特性を示しこれに応じた位相で発振回路Ｂが発振する。これらの平均温度は、加熱用トランジスタ４３Ｂによる加熱がなければ流体温度が変動してもほぼ一致した温度で推移する。従って、ＣＭＯＳゲート５６から出力される信号の反転する間隔として現れる加熱用トランジスタの加熱時間は、この反転間隔が流体の流量に比例することになり、流体温度の変動による影響を抑制して安定かつ正確な流量測定が可能になる。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
【０００２】
本発明は、温度に応じた出力信号を出力する一対の温度測定素子を流体に対して伝熱的に配置して、それらの温度測定素子の温度差が一定となるように、流体を加熱し、その加熱量から流量を求める熱式流量センサに関する。
【０００３】
【従来の技術】
この種の熱式流量センサは、図７（Ａ）に示すように、管路１に直線状に貫通形成された流路２に沿って、上流側及び下流側にそれぞれサーミスタ（以下、それぞれ「上流側サーミスタ３」、「下流側サーミスタ４」という）を配置し、さらに、下流側サーミスタ４の近傍にヒータ５を設け、例えば上流側サーミスタ３より下流側サーミスタ４の測定温度が所定値だけ高くなるように、ヒータ５の発熱量を制御してしている。このような制御によって、例えば流体の流量が多くなれば流体に奪われる熱量が多くなるので、ヒータ５は、その奪われた熱量分を補充すべく発熱量を増加させるように制御される。一方、流体の流量が少なくなれば流体に奪われる熱量が少なくなるので、ヒータ５は発熱量を減少させるように制御される。従って、ヒータ５による発熱量変化を検出すれば流体の流量を測定することが可能になる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述の流路２が直線状の構成では、流体温度と周囲温度との差が微小であれば、ヒータ５により加熱しない場合における上流側及び下流側でのそれぞれの流体温度は変動することなくほぼ一定に保たれるので、流体の流量とヒータ５による発熱量とを比例させることができ正確な流量測定が可能になるが、流体温度と周囲温度との差が大きい場合には流体温度が周囲温度変化に影響されて測定誤差が生じてしまう。
【０００５】
具体的には、流体温度と周囲温度との差が大きいと、流路１上で流体温度が周囲へ拡散するために上流側の流体温度に対して下流側の流体温度が低下すると共に周囲温度変化に応じて流体温度が変動してしまう（図７（Ｂ）参照）。つまり、ヒータ５により加熱しない場合において、下流側サーミスタ４の測定温度と上流側サーミスタ３と測定温度との温度差が周囲温度変化に応じて変動しまうのである。そうすると、ヒータ５は、流体に奪われる熱量に加えて周囲温度変化に伴う両サーミスタ３，４の温度差による変動に応じた発熱量で制御されることになる。このことは、流体の流量とヒータ５による発熱量との比例関係が崩れ、ヒータ５の発熱量に基づいて流体の流量を正確に測定することができないことを意味する。
【０００６】
また、流体温度が急激に高くなる場合には、上流側の流体温度に対して下流側の流体温度が遅れて上昇し、下流側サーミスタ４に対して上流側サーミスタ３の測定温度が一時的に著しく上昇する。そうすると、ヒータ５は、下流側サーミスタ４の測定温度を上流側サーミスタ３より所定値だけ高い温度に維持するため流体に奪われる熱量以上の発熱量で制御されることになり、その後、高温の流体が下流側に至るとヒータ５は発熱量を急激に低下させるように制御されることになりやはり正確で安定した流量測定が行えなくなるという問題が生じる。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、流体温度の変動による影響を抑えて、安定かつ正確な流量測定を行うことが可能な熱式流量センサの提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１の発明に係る熱式流量センサは、温度に応じた出力信号を出力する一対の温度測定素子を流路に流れる流体に対して伝熱的に配置すると共に、加熱手段によって温度測定素子の一方を加熱し、一対の温度測定素子からの出力信号に基づいて両温度測定素子の温度が所定の関係となるように加熱手段における発熱量を制御し、その発熱量に基づいて流体の流量を測定するようにした熱式流量センサにおいて、流路はＵ字状に折り返された形状をなし、各温度測定素子は、流路のうち互いに並行した両直線部分に流れる流体に対して伝熱的に配置されているところに特徴を有する。
【０００９】
請求項２の発明は、請求項１に記載の熱式流量センサにおいて、流路には、折り返し部分と反対側の両端部が折り返されて、直線部分のそれぞれに沿わせるように配される補助流路部が設けられているところに特徴を有する。
【００１０】
【発明の作用及び効果】
＜請求項１の発明＞
請求項１の構成によれば、一対の温度測定素子は、流路のＵ字部のうち両直線部分に流れる流体に対して伝熱的に配置されている。従って、各温度測定素子からは、両直線部分の対向部分を流れる両流体の略平均温度に応じた出力信号が出力されることになる。そして、これら各温度測定素子からの出力された出力信号に基づいて両温度測定素子が所定の温度差になるように加熱手段による発熱量が制御される。
【００１１】
ここで、流体温度と周囲温度との差が微小である場合には、流体温度は変動することなくほぼ一定に保たれ、加熱手段が流量変化にほぼ比例した発熱量となるよう制御され、従来構成と同様に、加熱手段による発熱量に基づいて流体の流量を測定することが可能になる。
【００１２】
これに対して、流体温度と周囲温度との差が大きい場合には、やはり流路のＵ字部の上流側と下流側とで流体温度の差が生じ、周囲温度変化によって流体温度が変動してしまう。具体的には、図１に示すように、流路１１において上流側から下流側に向うに連れて流体温度が拡散し測定箇所Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの順に流体温度が低下する。
【００１３】
ところが、本発明では、一対の温度測定素子のうち、一方の温度測定素子１６Ａ（同図で２点破線で表示）を最高温の測定箇所Ａと最低温の測定箇所Ｄで流体に対して伝熱的に配置してそれら測定箇所Ａ及びＤの平均温度に応じた出力信号を出力させるようにし、他方の温度測定素子１６Ｂを中間温度の測定箇所Ｂ，Ｃで流体に対して伝熱的に配置してそれら測定箇所Ｂ及びＣの平均温度に応じた出力信号を出力させるよう構成されている。これにより、加熱手段による加熱がない場合において、たとえ流体温度が変動しても両温度測定素子１６Ａ，１６Ｂからの両出力信号をほぼ同レベルに維持させることができる。換言すれば、両温度測定素子１６Ａ，１６Ｂからの両出力信号レベルに対して、上流側及び下流側の流体温度の変動による影響を抑制することができるのである。
【００１４】
従って、両温度測定素子からの出力信号に基づき両温度測定素子が所定の温度差になるように加熱手段による発熱量を制御すれば、その発熱量と流体の流量との比例関係が維持され、流体温度の変動があっても安定かつ正確な流体の流量測定を行うことができるようになる。なお、上述したような流路に高温或いは低温の流体が流れ込む場合であっても同様の作用効果を得ることができる。
【００１５】
＜請求項２の発明＞
請求項２の構成によれば、流路には、折り返し部分と反対側の両端部が折り返されて直線部分のそれぞれに沿わせるように配される補助流路部が設けられている。従って、両温度測定素子が配されるＵ字部分の周囲温度は、補助流路部に流れる流体温度に維持され、周囲温度変化による両温度測定素子における温度変動をより確実に軽減することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態を図１ないし図５によって説明する。
図１は本実施形態に係る熱式流量センサ９の平断面図であって、図２は横断面図である。このうち符号１０は管路であって、例えば金属ブロックに図１に示すようなＵ字形に折り返された流路（以下、「Ｕ字形流路１１」という）が貫通形成されている。そして、そのＵ字形流路１１の両端（上流側及び下流側）に備えた連結部１２，１２（図２において管路１０の左端に位置する）を配管１３，１３に連結して、それら配管１３と前記Ｕ字形流路１１とが連通した状態に取り付けられてる。なお、図２ではＵ字形流路１１の後述する復路１１Ｂ（図１ではＵ字形流路１１のうち下側の直線部分）の断面のみが示されている。
【００１７】
また、管路１０の上面にはＵ字形流路１１まで達している陥没部１０Ａが形成されており、本実施形態に係る熱式流量センサ９は、Ｕ字形流路１１の上側を覆うように管路１０の陥没部１０Ａ内に設置される。
【００１８】
熱式流量センサ９は、管路１０の陥没部１０Ａ内に嵌め込まれ、上面にやはり陥没部１７Ａが形成されたセンサ本体部１７と、図示しない外部機器と接続される信号ケーブル１８Ａが上面から導出された蓋部１８とからなり、センサ本体部１７の陥没部１７Ａの開放部分を回路基板２０で覆った状態にして、その上から蓋部１８が嵌め込まれている。センサ本体部１７の陥没部１７Ａの底部には、一対の凹所１４，１５がＵ字形流路１１の長手方向に沿って並べて形成されている。
【００１９】
Ｕ字形流路１１の先端側に位置する凹所１５は、図３に拡大して示すように、上側半分の内壁面にねじ溝が形成されている。ここで、凹所１５の底部はＵ字形流路１１のうち並行する両直線部分（以下、「往路１１Ａ」、「復路１１Ｂ」）に達しており、そこに例えば円盤状のセラミックディバイス（以下「先端側ディバイス１６Ｂ」）を埋め込んでＵ字形流路１１との間を閉塞してある。従って、先端側ディバイス１６Ｂは往路１１Ａ及び復路１１Ｂを跨ぐような位置関係でそれらに流れる流体に対して伝熱的に配置されることになる。そして、その先端側ディバイス１６Ｂの周縁部分に防水用のＯリング３２を配して、その上方から例えばコンプレッションリング３３を介して凹所１５のねじ溝にセットねじ３４を螺合することでＵ字形流路１１に対して密閉状態を保っている。なお、コンプレッションリング３３は、セットねじ３４螺合の際、セットねじ３４との接触によりＯリング３２が劣化するのを防ぐためのものである。
【００２０】
また、先端側ディバイス１６Ｂは、図４（Ａ）に示すようにＵ字形流路１１を流れる流体に接触するセラミック基板３５Ｂと、その上に形成された導体パターン３６Ｂとチップ部品３７Ｂとからなり、そのチップ部品３７Ｂ内には相似性の高いペアトランジスタ４１Ｂが封入されている。そして、これらは例えば前記Ｏリング３２、コンプレッションリング３３及びセットねじ３４内に通された図示しないリード線を介して、回路基板２０に接続されている。以上、凹所１５側について説明したが、Ｕ字形流路１１の基端側に位置する凹所１４及びそこに埋め込まれるセラミックディバイス（以下「基端側ディバイス１６Ａ」）についても同様の構造であり説明を省略する。
【００２１】
次に、本実施形態の回路構成について説明する。図５において、符号４１Ａは上述した基端側ディバイス１６Ａに搭載されたペアトランジスタ（以下「基端側ペアトランジスタ４１Ａ」という）、符号４１Ｂは、先端側ディバイス１６Ｂに搭載されたペアトランジスタ（以下「先端側ペアトランジスタ４１Ｂ」という）である。基端側ペアトランジスタ４１Ａのうち一方のトランジスタ（以下「基端側トランジスタ４２Ａ」という）は、シュミットインバーターのＣＭＯＳゲート４７Ａと、トランジスタ４４Ａと、抵抗４５Ａ及びコンデンサ４６Ａが直列接続されて構成された時定数回路と共に発振回路Ａを構成している。より詳しくは、トランジスタ４４Ａは、制御入力端子がＣＭＯＳゲート４７Ａの出力側に接続されると共に、コレクタ側が電源ラインＶｃｃに接続され、ＣＭＯＳゲート４７Ａからの出力信号レベルに応じてスイッチング動作を行う。
【００２２】
時定数回路は抵抗４５Ａの一端側がトランジスタ４４Ａのエミッタ側に接続され、トランジスタ４４Ａのスイッチング動作によってその出力電流が流れ込みコンデンサ４４に充電される。また、抵抗４５Ａとコンデンサ４６Ａとの接続部には、ＣＭＯＳゲート４７Ａの入力側及び基端側トランジスタ４２Ａのエミッタ側が接続されている。コンデンサ４６Ａへの充電によりコンデンサ４６Ａの分圧電位が所定値以上になったときには、ＣＭＯＳゲート４７Ａの出力が反転し、トランジスタ４４Ａが停止状態になる。これにより、コンデンサ４６Ａは充電状態から放電状態に切替り基端側トランジスタ４２Ａにコレクタ電流が流れる。
【００２３】
なお、基端側トランジスタ４２Ａのベース側の電位は、抵抗５０，５１で構成された分圧回路により所定値に維持されており、これにより基端側トランジスタ４２Ａと抵抗４８Ａとで、時定数回路Ａに対して定電流放電回路として働くことになる。そして、コンデンサ４６Ａの放電によりその分圧電位が所定値以下になったときに、再びＣＭＯＳゲート４７Ａの出力が反転してコンデンサ４６Ａへの充電が開始される。このように、発振回路Ａはコンデンサ４６Ａへの充放電を繰り返すことによりＣＭＯＳゲート４７Ａから発振信号が出力されてもって発振回路として機能する。
【００２４】
先端側ペアトランジスタ４１Ｂのうち一方のトランジスタ（以下「先端側トランジスタ４２Ｂ」という）も、シュミットインバーターのＣＭＯＳゲート４７Ｂと、トランジスタ４４Ｂと、抵抗４５Ｂ及びコンデンサ４６Ｂが直列接続されて構成された時定数回路と共に発振回路Ｂを構成し、やはり発振回路Ａと同様にコンデンサ４６Ｂへの充放電を繰り返すことによりＣＭＯＳゲート４７Ｂから発振信号が出力されてもって発振回路として機能する。なお、発振回路Ａ及び発振回路Ｂの発振信号の特性は、それぞれ流路１１近傍に配される基端側トランジスタ４２Ａ及び先端側トランジスタ４２Ｂの温度特性に依存することになり、それらのトランジスタ４２Ａ，４２Ｂが所定の温度差のときに位相が一致するようにそれぞれの時定数を調整してある。
【００２５】
そして、発振回路Ａからの発振信号は、位相差検出手段として機能するＤフリップフロップ回路５５のＣＬＫ端子、発振回路Ｂの発振信号は、Ｄ端子にそれぞれ与えられる。また、Ｑ端子はＣＭＯＳゲート５６の入力側に接続され、ＱＢＡＲ端子が先端側ペアトランジスタ４１Ｂの加熱用トランジスタ４３Ｂのベースに接続されている。なお、抵抗５７及びコンデンサ５８は、Ｄフリップフロップ５５のパワーオンリセットである。
【００２６】
また、本発明の「加熱手段」に相当する加熱用トランジスタ４３Ｂと、基端側ペアトランジスタ４１Ａのトランジスタ４３Ａとはカレントミラー接続されている。これにより、抵抗４９に流れる電流にトランジスタ４３Ａのエミッタ抵抗５３Ａの抵抗値と加熱用トランジスタ４３Ｂのエミッタ抵抗５３Ｂの抵抗値との比を乗じた値の定電流が、加熱用トランジスタ４３Ｂに流れることになる。
【００２７】
次いでこの回路の動作について説明する。
熱式流量センサ９の電源をオンすると、当初は、基端側及び先端側トランジスタ４２Ａ，４２Ｂは共に同じ温度であるため、発振回路Ａの位相に対して発振回路Ｂの位相が遅れ、当初リセット状態にあるＤフリップフロップ５５はそのままリセット状態を保持する。即ち、加熱用トランジスタ４３Ｂの制御入力端子にはＱＢＡＲ端子からＨｉレベルの出力信号が与えられ、加熱用トランジスタ４３Ｂのコレクタ損失により発熱し流路１１内の流体を加熱すると共にペアをなす先端側トランジスタ４２Ｂをも加熱する。そして、次第に先端側トランジスタ４２Ｂの温度が上昇して、基端側トランジスタ４２Ａとの温度差が所定値になったときに、両発振回路Ａ，Ｂの位相が一致する。
【００２８】
そして、さらに先端側トランジスタ４２Ｂの温度が上昇して温度差が所定値以上になると、今度は発振回路Ａの位相が発振回路Ｂに対して遅れて、Ｄフリップフロップ５５がリセット状態から反転しＱ端子からＨｉレベル、ＱＢＡＲ端子からＬｏｗレベルが出力されることになる。これにより加熱用トランジスタ４３Ｂによる加熱動作が停止する。その後、先端側トランジスタ４２Ｂの温度が低下して、基端側トランジスタ４２Ａとの温度差が所定値以下となったときには、再度加熱動作が行われもって基端側及び先端側の両トランジスタ４２Ａ，４２Ｂの温度差が所定値となるように加熱用トランジスタ４３Ｂの加熱動作が制御されることになる。
【００２９】
ここで、流量が多いときには、多くの発熱量が流体に与えられ、流量が少ないときには少ない発熱量が流体に与えられるから、流体の流量と、加熱用トランジスタ４３Ｂの加熱動作時間は連動することになる。即ち、加熱用トランジスタの加熱時間は、ＣＭＯＳゲート５６から出力される信号の反転する間隔として現れ、この反転間隔が流体の流量に比例することになる。本実施形態では、例えばＣＭＯＳゲート５６からの出力信号を信号ケーブルを介して図示しない数値計測処理部に与えて、その数値計測処理部でＨｉが継続した時間を積算することで供給した熱量に比例する数値が得られ、もって流量を検出することが可能になる。
【００３０】
なお、上記構成による効果としては、加熱用トランジスタ４３Ｂは、先端側トランジスタ４２Ｂとペアトランジスタとして同一チップで構成されているので、上述した一連の制御及び検出動作において、両トランジスタ４２Ｂ，４３Ｂはほぼ同一の温度変化に基づいて動作することになり、もって流量の検出精度が向上する。また、基端側及び先端側のトランジスタ４２Ａ，４２Ｂを含んだ両発振回路Ａ，Ｂの発振位相のずれに基づいて流量を検出するようにしたから、周波数差に基づいて流量を検出するものに比べて、微小な温度変化も検出することが可能で、それによってわずかな流量の変化も検出することができるようになる。
【００３１】
更に、加熱用トランジスタ４３Ｂと、トランジスタ４３Ａとをカレントミラー接続したことで、加熱用トランジスタは流体の温度変化にかかわらず単位時間当たりほぼ一定の発熱量で加熱動作を行うことになり、これにより流体の温度変化に影響されることなく、正確な流量を測定することができる。
【００３２】
さて、上述した構成において、例えば流体温度と周囲温度との差が大きい場合や高温或いは低温の流体がＵ字形流路１１に流れ込む場合には、やはり上流側及び下流側での流体温度に差が生じると共に基端側及び先端側ディバイス１６Ａ，１６Ｂの測定箇所Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄにおける各流体温度が変動してしまう。しかしながら、本実施形態では、上述したように基端側及び先端側ディバイス１６Ａ，１６ＢはそれぞれＵ字形流路１１の往路１１Ａ及び復路１１Ｂを跨ぐように配置されている。従って、基端側トランジスタ４２Ａは、上記測定箇所Ａ〜Ｄのうち最高温の測定箇所Ａと最低温の測定箇所Ｂとの平均温度に応じた温度特性を示しこれに応じた位相で発振回路Ａが発振することになる。また、先端側トランジスタ４２Ｂは、上記測定箇所Ａ〜Ｄのうち中間温度の測定箇所Ｂ，Ｃの平均温度に応じた温度特性を示しこれに応じた位相で発振回路Ｂが発振することになる。これらの平均温度は、加熱用トランジスタ４３Ｂによる加熱がなければ、たとえ流体温度が変動してもほぼ一致した温度で推移する。
【００３３】
従って、ＣＭＯＳゲート５６から出力される信号の反転する間隔として現れる加熱用トランジスタの加熱時間は、やはりこの反転間隔が流体の流量に比例することになり、もって流体温度の変動による影響を抑制して安定かつ正確な流量測定が可能になる。また、直線型流路を用いた従来のものでは、上流側の温度測定素子を加熱する構成と、下流側の温度測定素子を加熱する構成とでは、流量変化に伴う両温度測定素子の温度特性が異なり、これを考慮して設計する必要があった。しなしながら、本実施形態に係る熱式流量センサには、上述したように温度測定素子である基端側及び先端側トランジスタ４２Ａ，４２Ｂにより最上流箇所Ａ及び最下流箇所Ｄとの平均温度と、それらの中間箇所Ｂ，Ｃの平均温度とをそれぞれ測定する構成としたので、どちらの温度測定素子を加熱する構成であっても流量変化に伴う温度特性はほとんど異なることがない。従って、温度特性の相違を考慮することなくいずれの温度測定素子を加熱するかを定めることができる。
【００３４】
また、図１と図７（従来の構成）とを比較してわかるように、本実施形態の構成であれば、従来構成のものに対して、温度測定素子としての基端側及び先端側ディバイス１６Ａ，１６ＢのＵ字形流路１１に対する接触面積を減らすことなく、流路の断面積を略半分にすることができる。つまり、温度測定の精度を低下させることなく、従来のものに比べて同一流量に対する流速を速くすることができ、もって低流量時であってもその測定がより行い易くなる。また、流路の断面積を小さくして流速を早くすることができることにより、例えばＵ字形流路内を流体が間欠的に流れる場合であっても前記発振回路Ａ，Ｂにおける立上がり応答性を速くすることができる。
【００３５】
＜第２実施形態＞
図６は（請求項２の発明に対応する）第２実施形態を示す。前記実施形態との相違は、管路１０に貫通形成した流路の形状にあり、その他の点は前記第１実施形態と同様である。従って、第１実施形態と同一符号を付して重複する説明を省略し、異なるところのみを次に説明する。
【００３６】
図６に示すように、管路１０には、上記第１実施形態に係るＵ字形流路１１が複数段、互いの折り返し部を交互に反対側に向けつつ両端を連結してなる管路が形成されている。このうち本実施形態では、真中に位置するＵ字形流路部分６１に前記基端側及び先端側ディバイス１６Ａ，１６Ｂが配されている。従って、測定対象となるＵ字形流路部分６１は隣接する他のＵ字形流路部分６３（請求項２の「補助流路部」に相当）に挟まれることになり、Ｕ字形流路部分６１の周囲温度がＵ字形流路部分６３に流れる流体の温度に保持され管路１０の周囲温度変化による影響を受け難くすることができる。
【００３７】
＜他の実施形態＞
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に説明するような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
（１）上記各実施形態では、一対の温度測定素子をそれぞれ含む一対の発振回路Ａ，Ｂにおける発振位相のずれ時間に基づき加熱制御を行う構成としたが、これに限らず単に一対の温度測定素子（例えばサーミスタ）からの出力信号差に基づき加熱制御を行う構成であっても良い。
【００３８】
（２）上記各実施形態では、加熱手段としての加熱用トランジスタ４３Ｂを先端側ディバイス１６Ｂに配して加熱する構成を説明したが、これには逆に、加熱用トランジスタ４３Ｂを基端側ディバイス１６Ａ側に配して加熱する構成であっても良い。
【００３９】
（３）上記各実施形態において、各温度測定素子（基端側トランジスタ４２Ａ，先端側トランジスタ４２Ｂ）は、Ｕ字形流路１１の往路１１Ａ及び復路１１Ｂを跨ぐように配置した構成を説明したが、これに限らず、請求項１に記載したように「両直線部分に流れる流体に対して伝熱的に配置」、換言すれば熱交換可能に配置されていれば両直線部分の流体の平均温度を測定することが可能であり、例えばＵ字形流路１１の往路１１Ａ及び復路１１Ｂの間に挟み込むように配置した構成であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る熱式流量センサの平断面図
【図２】その部分的横断面図
【図３】凹所周辺の拡大断面図
【図４】セラミックディバイスの平面図及び側面図
【図５】熱式流量センサの回路構成図
【図６】本発明の第２実施形態に係る熱式流量センサの平断面図
【図７】従来の熱式流量センサの平断面図及びその温度分布図
【符号の説明】
９…熱式流量センサ
１１…Ｕ字形流路
１１Ａ…往路（流路の直線部分）
１１Ｂ…復路（流路の直線部分）
４２Ａ…基端側トランジスタ（温度測定素子）
４２Ｂ…先端側トランジスタ（温度測定素子）
４３Ｂ…加熱用トランジスタ（加熱手段）
６１…字形流路部分
６３…字形流路部分（補助流路部）

Claims (2)

1. 温度に応じた出力信号を出力する一対の温度測定素子を流路に流れる流体に対して伝熱的に配置すると共に、加熱手段によって前記温度測定素子の一方を加熱し、前記一対の温度測定素子からの出力信号に基づいて前記両温度測定素子の温度が所定の関係となるように前記加熱手段における発熱量を制御し、その発熱量に基づいて前記流体の流量を測定するようにした熱式流量センサにおいて、
   前記流路はＵ字状に折り返された形状をなし、
   前記各温度測定素子は、前記流路のうち互いに並行した両直線部分に流れる前記流体に対して伝熱的に配置されていることを特徴とする熱式流量センサ。
2. 前記流路には、折り返し部分と反対側の両端部が折り返されて前記直線部分のそれぞれに沿わせるように配される補助流路部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の熱式流量センサ。

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