JP2004047975A - 積層体の転写方法及び半導体装置の作製方法 - Google Patents
積層体の転写方法及び半導体装置の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004047975A JP2004047975A JP2003137073A JP2003137073A JP2004047975A JP 2004047975 A JP2004047975 A JP 2004047975A JP 2003137073 A JP2003137073 A JP 2003137073A JP 2003137073 A JP2003137073 A JP 2003137073A JP 2004047975 A JP2004047975 A JP 2004047975A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- peeled
- substrate
- adhesive
- layer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003137073A JP2004047975A (ja) | 2002-05-17 | 2003-05-15 | 積層体の転写方法及び半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002143797 | 2002-05-17 | ||
| JP2003137073A JP2004047975A (ja) | 2002-05-17 | 2003-05-15 | 積層体の転写方法及び半導体装置の作製方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004265298A Division JP4757469B2 (ja) | 2002-05-17 | 2004-09-13 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2009092389A Division JP5094776B2 (ja) | 2002-05-17 | 2009-04-06 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004047975A true JP2004047975A (ja) | 2004-02-12 |
| JP2004047975A5 JP2004047975A5 (enExample) | 2005-06-16 |
Family
ID=31719506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003137073A Withdrawn JP2004047975A (ja) | 2002-05-17 | 2003-05-15 | 積層体の転写方法及び半導体装置の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004047975A (enExample) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005311295A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2006013462A (ja) * | 2004-05-21 | 2006-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| JP2006032927A (ja) * | 2004-06-14 | 2006-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び通信システム |
| JP2009503878A (ja) * | 2005-08-05 | 2009-01-29 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 半導体構成素子を製作するための方法及び薄膜半導体構成素子 |
| WO2010026938A1 (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | 電気化学工業株式会社 | 半導体製品の製造方法 |
| KR100987917B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2010-10-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| US8058083B2 (en) | 2008-11-20 | 2011-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing flexible semiconductor device |
| US8258512B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2013004632A (ja) * | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Canon Components Inc | 半導体装置の製造方法 |
| KR101255301B1 (ko) * | 2006-02-13 | 2013-04-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이의 제조 방법 |
| JP5200538B2 (ja) * | 2005-08-09 | 2013-06-05 | 旭硝子株式会社 | 薄板ガラス積層体及び薄板ガラス積層体を用いた表示装置の製造方法 |
| KR101470806B1 (ko) * | 2007-02-02 | 2014-12-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작방법 |
| JP2015098565A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 東京応化工業株式会社 | 処理方法 |
| US9142720B2 (en) | 2007-01-29 | 2015-09-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Thin-film light emitting diode chip and method for producing a thin-film light emitting diode chip |
| US9384439B2 (en) | 2004-06-14 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and communication system |
| WO2016111197A1 (ja) * | 2015-01-06 | 2016-07-14 | シャープ株式会社 | 素子基板の製造方法 |
| JP2018195843A (ja) * | 2007-12-03 | 2018-12-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| WO2019013212A1 (ja) * | 2017-07-14 | 2019-01-17 | 信越化学工業株式会社 | 高熱伝導性のデバイス基板およびその製造方法 |
| JP2019049754A (ja) * | 2009-09-16 | 2019-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器の作製方法 |
| JPWO2022024655A1 (enExample) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007004303A1 (de) | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Dünnfilm-Halbleiterbauelement und Bauelement-Verbund |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06504139A (ja) * | 1990-12-31 | 1994-05-12 | コピン・コーポレーシヨン | 表示パネル用の単結晶シリコン配列素子 |
| JPH1095189A (ja) * | 1997-07-28 | 1998-04-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH10125929A (ja) * | 1996-08-27 | 1998-05-15 | Seiko Epson Corp | 剥離方法 |
| JPH10125931A (ja) * | 1996-08-27 | 1998-05-15 | Seiko Epson Corp | 薄膜素子の転写方法,薄膜素子,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 |
| JPH10150007A (ja) * | 1996-11-18 | 1998-06-02 | Toyo Chem Co Ltd | 半導体ウエハ固定用シート |
| JPH11142878A (ja) * | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Sharp Corp | 表示用トランジスタアレイパネルの形成方法 |
| JP2001051296A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイス装置の製造方法、薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板および電気光学装置 |
| JP2001057432A (ja) * | 1999-08-18 | 2001-02-27 | Seiko Epson Corp | 薄膜素子の転写方法 |
| JP2001189460A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスの転写・製造方法 |
| JP2002217391A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-08-02 | Seiko Epson Corp | 積層体の製造方法及び半導体装置 |
-
2003
- 2003-05-15 JP JP2003137073A patent/JP2004047975A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06504139A (ja) * | 1990-12-31 | 1994-05-12 | コピン・コーポレーシヨン | 表示パネル用の単結晶シリコン配列素子 |
| JPH10125929A (ja) * | 1996-08-27 | 1998-05-15 | Seiko Epson Corp | 剥離方法 |
| JPH10125931A (ja) * | 1996-08-27 | 1998-05-15 | Seiko Epson Corp | 薄膜素子の転写方法,薄膜素子,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 |
| JPH10150007A (ja) * | 1996-11-18 | 1998-06-02 | Toyo Chem Co Ltd | 半導体ウエハ固定用シート |
| JPH1095189A (ja) * | 1997-07-28 | 1998-04-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH11142878A (ja) * | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Sharp Corp | 表示用トランジスタアレイパネルの形成方法 |
| JP2001051296A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイス装置の製造方法、薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板および電気光学装置 |
| JP2001057432A (ja) * | 1999-08-18 | 2001-02-27 | Seiko Epson Corp | 薄膜素子の転写方法 |
| JP2001189460A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスの転写・製造方法 |
| JP2002217391A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-08-02 | Seiko Epson Corp | 積層体の製造方法及び半導体装置 |
Cited By (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005311295A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US8258512B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2006013462A (ja) * | 2004-05-21 | 2006-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| JP2006032927A (ja) * | 2004-06-14 | 2006-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び通信システム |
| US10411037B2 (en) | 2004-06-14 | 2019-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and communication system |
| US9384439B2 (en) | 2004-06-14 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and communication system |
| JP2009503878A (ja) * | 2005-08-05 | 2009-01-29 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 半導体構成素子を製作するための方法及び薄膜半導体構成素子 |
| JP5200538B2 (ja) * | 2005-08-09 | 2013-06-05 | 旭硝子株式会社 | 薄板ガラス積層体及び薄板ガラス積層体を用いた表示装置の製造方法 |
| KR101255301B1 (ko) * | 2006-02-13 | 2013-04-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이의 제조 방법 |
| US8043936B2 (en) | 2006-09-29 | 2011-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| KR100987918B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2010-10-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| US9472429B2 (en) | 2006-09-29 | 2016-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| KR100987917B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2010-10-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR101154834B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2012-06-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| US8048770B2 (en) | 2006-09-29 | 2011-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8048777B2 (en) | 2006-09-29 | 2011-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| KR101021051B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2011-03-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| US9142720B2 (en) | 2007-01-29 | 2015-09-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Thin-film light emitting diode chip and method for producing a thin-film light emitting diode chip |
| KR101470806B1 (ko) * | 2007-02-02 | 2014-12-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작방법 |
| US8994060B2 (en) | 2007-02-02 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| US9184221B2 (en) | 2007-02-02 | 2015-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP7250882B2 (ja) | 2007-12-03 | 2023-04-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子機器 |
| JP2022009486A (ja) * | 2007-12-03 | 2022-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子機器 |
| JP2018195843A (ja) * | 2007-12-03 | 2018-12-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP7471488B2 (ja) | 2007-12-03 | 2024-04-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2023073320A (ja) * | 2007-12-03 | 2023-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| WO2010026938A1 (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | 電気化学工業株式会社 | 半導体製品の製造方法 |
| JPWO2010026938A1 (ja) * | 2008-09-08 | 2012-02-02 | 電気化学工業株式会社 | 半導体製品の製造方法 |
| US8058083B2 (en) | 2008-11-20 | 2011-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing flexible semiconductor device |
| US11469387B2 (en) | 2009-09-16 | 2022-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| JP2019049754A (ja) * | 2009-09-16 | 2019-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器の作製方法 |
| US11171298B2 (en) | 2009-09-16 | 2021-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| US11997859B2 (en) | 2009-09-16 | 2024-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| JP2013004632A (ja) * | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Canon Components Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JP2015098565A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 東京応化工業株式会社 | 処理方法 |
| WO2016111197A1 (ja) * | 2015-01-06 | 2016-07-14 | シャープ株式会社 | 素子基板の製造方法 |
| US11361969B2 (en) | 2017-07-14 | 2022-06-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Device substrate with high thermal conductivity and method of manufacturing the same |
| JPWO2019013212A1 (ja) * | 2017-07-14 | 2020-04-16 | 信越化学工業株式会社 | 高熱伝導性のデバイス基板およびその製造方法 |
| WO2019013212A1 (ja) * | 2017-07-14 | 2019-01-17 | 信越化学工業株式会社 | 高熱伝導性のデバイス基板およびその製造方法 |
| WO2022024655A1 (ja) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | 東レ株式会社 | 積層体の製造方法 |
| JPWO2022024655A1 (enExample) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | ||
| JP7517341B2 (ja) | 2020-07-31 | 2024-07-17 | 東レ株式会社 | 積層体の製造方法 |
| JP2024102166A (ja) * | 2020-07-31 | 2024-07-30 | 東レ株式会社 | 積層体の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5094776B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| US10607883B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP5277263B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
| KR101043663B1 (ko) | 표시장치 제조방법 | |
| JP2004047975A (ja) | 積層体の転写方法及び半導体装置の作製方法 | |
| JP2003174153A (ja) | 剥離方法および半導体装置の作製方法、および半導体装置 | |
| JP2003163337A (ja) | 剥離方法および半導体装置の作製方法 | |
| JP2003195787A (ja) | 発光装置の作製方法 | |
| JP4267394B2 (ja) | 剥離方法、及び半導体装置の作製方法 | |
| JP4757469B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP4602035B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040913 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040913 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080122 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080314 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090217 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090408 |