JP2004047648A - 縦型プローブカード - Google Patents
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Abstract
【目的】本発明の目的は、高集積化を図るに当たり、プローブ間でリークやショートの問題が起こらない縦型プローブカードを提供することにある。
【構成】縦型プローブカードAは、半導体集積回路Bの電極10に接触するプローブ200と、プローブ200を支持する支持基板300とを具備しており、プローブ200は、支持基板300の貫通孔310に挿入される基端部210と、基端部210から支持基板300の裏面320に沿うように折り曲げられており且つ当該裏面320に当接する当接部220と、支持基板300の表面320との間に所定の空間αができるように当接部220から斜め下方に折り曲げられた傾斜部230と、傾斜部230から下向きに折り曲げられた先端部240とを有する。
【選択図】 図1
【構成】縦型プローブカードAは、半導体集積回路Bの電極10に接触するプローブ200と、プローブ200を支持する支持基板300とを具備しており、プローブ200は、支持基板300の貫通孔310に挿入される基端部210と、基端部210から支持基板300の裏面320に沿うように折り曲げられており且つ当該裏面320に当接する当接部220と、支持基板300の表面320との間に所定の空間αができるように当接部220から斜め下方に折り曲げられた傾斜部230と、傾斜部230から下向きに折り曲げられた先端部240とを有する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の電気的諸特性を計測する縦型プローブカードに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の高集積化に伴って、この半導体集積回路の電気的諸特性を計測するプローブカードも高集積化が求められている。このような高集積化に適するプローブカードの一つとして縦型プローブカードがある。
【0003】
従来の縦型プローブカードは、配線パターンが形成された基板と、この基板の配線パターンに接続されており且つ半導体集積回路に形成された電極に接触する直線状のプローブと、前記基板の下側に配設されており且つ前記プローブを支持する支持基板とを具備しており、前記プローブのピッチ間隔を狭くすると共に、プローブの径を細くすることによって高集積化を図っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、半導体集積回路の高集積化に伴って、前記プローブのピッチ間隔を狭くし過ぎると、プローブ間でリークやショートが発生する。その結果、これを原因として故障してしまうという問題がある。
【0005】
本発明は、上記事情に鑑みて創案されたものであって、その目的とするところは、高集積化を図るに当たり、プローブ間でリークやショートの問題が起こらない縦型プローブカードを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の縦型プローブカードは、半導体集積回路の電気的諸特性を計測する縦型プローブカードにおいて、半導体集積回路の電極に接触するプローブと、前記プローブを支持する支持基板とを具備しており、前記プローブは、前記支持基板の貫通孔に挿入される基端部と、この基端部から前記支持基板の表面に沿うように折り曲げられており且つ少なくとも一部が支持基板の表面に当接する当接部と、前記支持基板の表面との間に所定の空間ができるように前記当接部から斜め下方に折り曲げられた傾斜部と、前記傾斜部から下向きに折り曲げられた先端部とを有することを特徴としている。
【0007】
本発明の別の縦型プローブカードは、半導体集積回路の電気的諸特性を計測する縦型プローブカードにおいて、半導体集積回路の電極に接触するプローブと、表面上の前記電極の上方位置に凹部が設けられており且つ前記プローブを支持する支持基板とを具備しており、前記プローブは、前記支持基板の貫通孔に挿入される基端部と、この基端部から前記支持基板の表面に沿うように折り曲げられており且つ少なくとも一部が前記支持基板の表面に当接する当接部と、この当接部から前記凹部の下方位置まで前記支持基板の表面に沿うように延設された延在部と、この延在部から下向きに折り曲げられた先端部とを有することを特徴としている。
【0008】
より好ましくは、半導体集積回路には、複数の電極が1又は複数列に配列されており、当該電極にプローブが各々接触する上記縦型プローブカードであって、前記プローブは、前記電極の列方向を基準として線対称となるように配置されていることが望ましい。
【0009】
より好ましくは、前記プローブとして前記支持基板の表面に沿う部分の長さが異なるものが複数種用いられていることが望ましい。
【0010】
より好ましくは、前記支持基板の表面に沿う部分の長さが互いに異なるプローブは、交互に前記電極の列方向に配置されていることが望ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図1は本発明の実施の形態に係るプローブカードの概略的断面図、図2は同プローブカードに用いられるプローブの概略的側面図、図3は同プローブの組み立て状態を説明するための図、図4は本発明の別の実施の形態に係るプローブカードの概略的断面図、図5は同プローブの別の組み立て状態を説明するための図、図6は同プローブの別の組み立て状態を説明するための図である。
【0012】
縦型プローブカードAは、図1に示すように、半導体集積回路Bの電気的諸特性を計測する縦型プローブカードであって、配線パターン(図示しない)が形成された基板100と、基板100に接続されており且つ半導体集積回路Bの電極10に接触するプローブ200と、基板100の下側に配設されており且つプローブ200を支持する支持基板300とを具備している。以下、各部を詳しく説明する。
【0013】
基板100は、一般的な基板が用いられており、表面上に形成された配線パターン(図示せず)と、後述するプローブ200の基端部210が挿入される複数の貫通孔110と、配線パターンと接続されており且つ後述するプローブ200の基端部210と接続される複数の電極120とを有している。なお、基板100は、図外のテスターと接続されている。
【0014】
支持基板300は、絶縁性を有する基板であって、後述するプローブ200の基端部210が挿入される貫通孔310が複数設けられている。この貫通孔310のピッチ間隔は、半導体集積回路Bの電極10間のピッチ間隔より広く設定されている。なお、支持基板300の表面320(半導体集積回路Bの対向面)の側の貫通孔310には、テーパー加工が施されている。
【0015】
プローブ200は、図1及び2に示すようにレニウムタングステンの合金で構成された鉤型をしており、基板100の貫通孔110及び支持基板300の貫通孔310に挿入される基端部210と、この基端部210から支持基板300の表面320に沿うように折り曲げられており且つ支持基板300の表面320に当接する当接部220と、支持基板300の表面320との間に所定の空間aができるように当接部220から斜め下方に折り曲げられた傾斜部230と、傾斜部230から下向きに折り曲げられた先端部240とを有している。これが本願発明の特徴部分である。なお、プローブ200は、ここでは、レニウムタングステンの合金から構成されるとしたが、他の合金を用いて構成しても構わない。
【0016】
プローブ200は、レニウムタングステンの合金で構成された場合、外径が65μm、基端部210の軸芯から後述する先端部240の先端242までの長さ寸法が1500〜2500μm、後述する傾斜部230の一端231から後述する先端部240の先端242までの長さ寸法が950〜1500μmとなっている。
【0017】
プローブ200の基端部210は、直線状に形成されており、一端211が基板100の貫通孔110に挿入されて基板100の電極120と半田付けされる一方、他端212が当接部220と連続している。
【0018】
プローブ200の当接部220は、一端221が基板部210の他端212と連続しており且つ直角に折り曲げられている一方、他端222が傾斜部230と連続している。
【0019】
プローブ200の傾斜部230は、一端231が当接部220の他端222と連続しており且つ斜め下方に7℃の角度で折り曲げられている一方、他端232が先端部240と連続している。傾斜部230は、斜め下方に折り曲げられたことによって、支持基板300の表面320との間に所定の空間が設けられている。
【0020】
先端部240は、下向きの略円錐であって、基端241が傾斜部230の他端232と連続しており且つ半導体集積回路Bの電極10に向けて103℃の角度で折り曲げられている一方、先端242が半導体集積回路Bの電極10と接触するようになっている。先端部240は、基端241から先端242までの長さ寸法が270μmとなっており、先端242の径が20μmとなっている。
【0021】
このようなプローブ200が取り付けられた支持基板300を半導体集積回路Bに相対的に近づけて、先端部240を電極10に接触させると(いわゆるオーバードライブを生じさせると)、これに伴って当接部220の他端222を支点として傾斜部230が所定の空間aの方向に弾性変形する。これによって、プローブ200は、半導体集積回路Bの電極10と安定した抵抗を得ることができる。
【0022】
なお、半導体集積回路Bには、複数の電極10が、ここでは1列に配列されており、プローブ200は、1列に配列された電極10に各々接触するように支持基板300に配設されている。具体的には、図3に示すように、プローブ200は、電極10の列方向を基準として線対称となるように配設されている。このように取り付けた場合、プローブ200のピッチ間隔は、プローブ200を電極10の列方向と並列に配設したときよりも、広くすることができるので、プローブ200間でリークやショートが発生しにくくなる。
【0023】
以下、縦型プローブカードAの使用方法について説明する。
【0024】
まず、支持基板300を半導体集積回路Bに近づけて、プローブ200の先端部240を半導体集積回路Bの電極10に接触させる。
【0025】
すると、プローブ200は、当接部220の他端222を支点として傾斜部230が弾性変形し、先端部240が電極10の表面を接触しながら移動する。これにより、プローブ200は、電極10と安定した抵抗接触を得ることができる。
【0026】
このような縦型プローブカードAによる場合、プローブ200が鉤型をしているので、電極10のピッチ間隔より広いピッチ間隔で支持基板300に取り付けることができる。その結果、プローブ200間でリークやショートが発生しにくく、これを原因とする故障が起こりにくくなる。また、プローブ200の先端部240を半導体集積回路Bの電極に10に接触させると、プローブ200の傾斜部230が弾性変形するようになっているので、半導体集積回路Bの電極に10に対して安定した抵抗を得ることができる。
【0027】
以下、本発明の実施の形態に係る縦型プローブカードCについて説明する。なお、縦型プローブカードAと同一の部分は説明を省略する。
【0028】
縦型プローブカードCは、半導体集積回路Bの電気的諸特性を計測する縦型プローブカードであって、配線パターン(図示せず)が形成された基板100と、基板100の配線パターンに接続されており且つ半導体集積回路Bの電極10に接触するプローブ400と、基板100の下側に配設されており且つプローブ400を支持する支持基板500とを具備してしている。以下、各部を詳しく説明する。
【0029】
支持基板500は、支持基板300とほぼ同様の構成となっている。支持基板300と異なる点は、支持基板500の表面520(半導体集積回路Bの対向面)に凹部521が設けられていることである。
【0030】
プローブ400は、プローブ200とほぼ同様の構成となっており、プローブ200と同様に支持基板500に取り付けられる。プローブ400は、支持基板500の貫通孔510に挿入される基端部410と、この基端部410から支持基板500の表面520に沿うように折り曲げられており且つ支持基板500の表面520に当接する当接部420と、この当接部420から支持基板500の凹部521の下方位置まで支持基板500の表面520に沿うように延設された延在部430と、この延在部430から下向きに折り曲げられた先端部440とを有しており、プローブ200と異なるのは傾斜部230の代わりに延在部430を有している点である。
【0031】
このようなプローブ400が取り付けられた支持基板500を半導体集積回路Bに相対的に近づけて、先端部440を電極10に接触させる(オーバードライブを発生させる)と、これに伴って支持基板500の表面520に当接部420を支点として延在部430が弾性変形して凹部521に入り込む。これによって、プローブ400は、半導体集積回路Bの電極10に対して安定した抵抗を得ることができる。なお、プローブ400は、プローブ200と同様に配設される。
【0032】
このような縦型プローブカードCによる場合、縦型プローブカードAと同様の効果を得ることができる。
【0033】
なお、縦型プローブカードA及びCは、以下のように設計変更することが可能である。
【0034】
プローブ200、400は、ここでは、一列に配列された電極10の列方向を基準として線対称となるように支持基板300に配設されているとしたが、図5に示すように、支持基板300の表面320に沿う部分の長さが異なるプローブ200α、200β(400α、400β)を用い、プローブ200α、200β(400α、400β)を、電極10の列方向に平行且つ交互に配設することができる。この場合、プローブ200α、200β(400α、400β)は、絶縁コーティングが施されている方が良い。
【0035】
若しくは、図6に示すように、プローブ200α、200β(400α、400β)を、電極10の列方向を基準として線対称に且つ電極10の列方向に交互に配設することもできる。この場合も、プローブ200α、200β(400α、400β)は、絶縁コーティングが施されている方が良い。
【0036】
なお、電極10は、ここでは一列に配列されているとしたが、これに限定されることはなく、1又は複数列に配設することが可能である。このとき、プローブ200、400は、電極10の配列に合わせて配設するように設計変更することが可能である。
【0037】
【発明の効果】
以上に述べましたように、本発明のプローブカードによる場合、上記プローブを用いたことにより、高集積化を図るに当って、プローブのピッチ間隔は、半導体集積回路の電極のピッチ間隔より広くすることができる。その結果、プローブ間でリークやショートが発生しにくく、これを原因とする故障が起こりにくくなる。また、前記プローブは、半導体集積回路の電極と接触する際、弾性変形するので、半導体集積回路の電極と安定した抵抗を得ることができる。しかも、前記プローブのピッチ間隔が広く設定できることにより、支持基板の貫通孔のピッチ間隔を広く設定することができる。これによって貫通孔を開設する際に、生じる割れを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係るプローブカードの概略的断面図である。
【図2】同プローブカードに用いられるプローブの概略的側面図である。
【図3】同プローブの組み立て状態を説明するための図である。
【図4】本発明の実施の別の形態に係るプローブカードの概略的断面図である。
【図5】同プローブの別の組み立て状態を説明するための図である。
【図6】同プローブの別の組み立て状態を説明するための図である。
【符号の説明】
A 縦型プローブカード
200 プローブ
210 基端部
220 当接部
230 傾斜部
240 先端部
300 支持基板
B 半導体集積回路
10 電極
C 縦型プローブカード
400 プローブ
410 基端部
420 当接部
430 延在部
440 先端部
500 支持基板
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の電気的諸特性を計測する縦型プローブカードに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の高集積化に伴って、この半導体集積回路の電気的諸特性を計測するプローブカードも高集積化が求められている。このような高集積化に適するプローブカードの一つとして縦型プローブカードがある。
【0003】
従来の縦型プローブカードは、配線パターンが形成された基板と、この基板の配線パターンに接続されており且つ半導体集積回路に形成された電極に接触する直線状のプローブと、前記基板の下側に配設されており且つ前記プローブを支持する支持基板とを具備しており、前記プローブのピッチ間隔を狭くすると共に、プローブの径を細くすることによって高集積化を図っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、半導体集積回路の高集積化に伴って、前記プローブのピッチ間隔を狭くし過ぎると、プローブ間でリークやショートが発生する。その結果、これを原因として故障してしまうという問題がある。
【0005】
本発明は、上記事情に鑑みて創案されたものであって、その目的とするところは、高集積化を図るに当たり、プローブ間でリークやショートの問題が起こらない縦型プローブカードを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の縦型プローブカードは、半導体集積回路の電気的諸特性を計測する縦型プローブカードにおいて、半導体集積回路の電極に接触するプローブと、前記プローブを支持する支持基板とを具備しており、前記プローブは、前記支持基板の貫通孔に挿入される基端部と、この基端部から前記支持基板の表面に沿うように折り曲げられており且つ少なくとも一部が支持基板の表面に当接する当接部と、前記支持基板の表面との間に所定の空間ができるように前記当接部から斜め下方に折り曲げられた傾斜部と、前記傾斜部から下向きに折り曲げられた先端部とを有することを特徴としている。
【0007】
本発明の別の縦型プローブカードは、半導体集積回路の電気的諸特性を計測する縦型プローブカードにおいて、半導体集積回路の電極に接触するプローブと、表面上の前記電極の上方位置に凹部が設けられており且つ前記プローブを支持する支持基板とを具備しており、前記プローブは、前記支持基板の貫通孔に挿入される基端部と、この基端部から前記支持基板の表面に沿うように折り曲げられており且つ少なくとも一部が前記支持基板の表面に当接する当接部と、この当接部から前記凹部の下方位置まで前記支持基板の表面に沿うように延設された延在部と、この延在部から下向きに折り曲げられた先端部とを有することを特徴としている。
【0008】
より好ましくは、半導体集積回路には、複数の電極が1又は複数列に配列されており、当該電極にプローブが各々接触する上記縦型プローブカードであって、前記プローブは、前記電極の列方向を基準として線対称となるように配置されていることが望ましい。
【0009】
より好ましくは、前記プローブとして前記支持基板の表面に沿う部分の長さが異なるものが複数種用いられていることが望ましい。
【0010】
より好ましくは、前記支持基板の表面に沿う部分の長さが互いに異なるプローブは、交互に前記電極の列方向に配置されていることが望ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図1は本発明の実施の形態に係るプローブカードの概略的断面図、図2は同プローブカードに用いられるプローブの概略的側面図、図3は同プローブの組み立て状態を説明するための図、図4は本発明の別の実施の形態に係るプローブカードの概略的断面図、図5は同プローブの別の組み立て状態を説明するための図、図6は同プローブの別の組み立て状態を説明するための図である。
【0012】
縦型プローブカードAは、図1に示すように、半導体集積回路Bの電気的諸特性を計測する縦型プローブカードであって、配線パターン(図示しない)が形成された基板100と、基板100に接続されており且つ半導体集積回路Bの電極10に接触するプローブ200と、基板100の下側に配設されており且つプローブ200を支持する支持基板300とを具備している。以下、各部を詳しく説明する。
【0013】
基板100は、一般的な基板が用いられており、表面上に形成された配線パターン(図示せず)と、後述するプローブ200の基端部210が挿入される複数の貫通孔110と、配線パターンと接続されており且つ後述するプローブ200の基端部210と接続される複数の電極120とを有している。なお、基板100は、図外のテスターと接続されている。
【0014】
支持基板300は、絶縁性を有する基板であって、後述するプローブ200の基端部210が挿入される貫通孔310が複数設けられている。この貫通孔310のピッチ間隔は、半導体集積回路Bの電極10間のピッチ間隔より広く設定されている。なお、支持基板300の表面320(半導体集積回路Bの対向面)の側の貫通孔310には、テーパー加工が施されている。
【0015】
プローブ200は、図1及び2に示すようにレニウムタングステンの合金で構成された鉤型をしており、基板100の貫通孔110及び支持基板300の貫通孔310に挿入される基端部210と、この基端部210から支持基板300の表面320に沿うように折り曲げられており且つ支持基板300の表面320に当接する当接部220と、支持基板300の表面320との間に所定の空間aができるように当接部220から斜め下方に折り曲げられた傾斜部230と、傾斜部230から下向きに折り曲げられた先端部240とを有している。これが本願発明の特徴部分である。なお、プローブ200は、ここでは、レニウムタングステンの合金から構成されるとしたが、他の合金を用いて構成しても構わない。
【0016】
プローブ200は、レニウムタングステンの合金で構成された場合、外径が65μm、基端部210の軸芯から後述する先端部240の先端242までの長さ寸法が1500〜2500μm、後述する傾斜部230の一端231から後述する先端部240の先端242までの長さ寸法が950〜1500μmとなっている。
【0017】
プローブ200の基端部210は、直線状に形成されており、一端211が基板100の貫通孔110に挿入されて基板100の電極120と半田付けされる一方、他端212が当接部220と連続している。
【0018】
プローブ200の当接部220は、一端221が基板部210の他端212と連続しており且つ直角に折り曲げられている一方、他端222が傾斜部230と連続している。
【0019】
プローブ200の傾斜部230は、一端231が当接部220の他端222と連続しており且つ斜め下方に7℃の角度で折り曲げられている一方、他端232が先端部240と連続している。傾斜部230は、斜め下方に折り曲げられたことによって、支持基板300の表面320との間に所定の空間が設けられている。
【0020】
先端部240は、下向きの略円錐であって、基端241が傾斜部230の他端232と連続しており且つ半導体集積回路Bの電極10に向けて103℃の角度で折り曲げられている一方、先端242が半導体集積回路Bの電極10と接触するようになっている。先端部240は、基端241から先端242までの長さ寸法が270μmとなっており、先端242の径が20μmとなっている。
【0021】
このようなプローブ200が取り付けられた支持基板300を半導体集積回路Bに相対的に近づけて、先端部240を電極10に接触させると(いわゆるオーバードライブを生じさせると)、これに伴って当接部220の他端222を支点として傾斜部230が所定の空間aの方向に弾性変形する。これによって、プローブ200は、半導体集積回路Bの電極10と安定した抵抗を得ることができる。
【0022】
なお、半導体集積回路Bには、複数の電極10が、ここでは1列に配列されており、プローブ200は、1列に配列された電極10に各々接触するように支持基板300に配設されている。具体的には、図3に示すように、プローブ200は、電極10の列方向を基準として線対称となるように配設されている。このように取り付けた場合、プローブ200のピッチ間隔は、プローブ200を電極10の列方向と並列に配設したときよりも、広くすることができるので、プローブ200間でリークやショートが発生しにくくなる。
【0023】
以下、縦型プローブカードAの使用方法について説明する。
【0024】
まず、支持基板300を半導体集積回路Bに近づけて、プローブ200の先端部240を半導体集積回路Bの電極10に接触させる。
【0025】
すると、プローブ200は、当接部220の他端222を支点として傾斜部230が弾性変形し、先端部240が電極10の表面を接触しながら移動する。これにより、プローブ200は、電極10と安定した抵抗接触を得ることができる。
【0026】
このような縦型プローブカードAによる場合、プローブ200が鉤型をしているので、電極10のピッチ間隔より広いピッチ間隔で支持基板300に取り付けることができる。その結果、プローブ200間でリークやショートが発生しにくく、これを原因とする故障が起こりにくくなる。また、プローブ200の先端部240を半導体集積回路Bの電極に10に接触させると、プローブ200の傾斜部230が弾性変形するようになっているので、半導体集積回路Bの電極に10に対して安定した抵抗を得ることができる。
【0027】
以下、本発明の実施の形態に係る縦型プローブカードCについて説明する。なお、縦型プローブカードAと同一の部分は説明を省略する。
【0028】
縦型プローブカードCは、半導体集積回路Bの電気的諸特性を計測する縦型プローブカードであって、配線パターン(図示せず)が形成された基板100と、基板100の配線パターンに接続されており且つ半導体集積回路Bの電極10に接触するプローブ400と、基板100の下側に配設されており且つプローブ400を支持する支持基板500とを具備してしている。以下、各部を詳しく説明する。
【0029】
支持基板500は、支持基板300とほぼ同様の構成となっている。支持基板300と異なる点は、支持基板500の表面520(半導体集積回路Bの対向面)に凹部521が設けられていることである。
【0030】
プローブ400は、プローブ200とほぼ同様の構成となっており、プローブ200と同様に支持基板500に取り付けられる。プローブ400は、支持基板500の貫通孔510に挿入される基端部410と、この基端部410から支持基板500の表面520に沿うように折り曲げられており且つ支持基板500の表面520に当接する当接部420と、この当接部420から支持基板500の凹部521の下方位置まで支持基板500の表面520に沿うように延設された延在部430と、この延在部430から下向きに折り曲げられた先端部440とを有しており、プローブ200と異なるのは傾斜部230の代わりに延在部430を有している点である。
【0031】
このようなプローブ400が取り付けられた支持基板500を半導体集積回路Bに相対的に近づけて、先端部440を電極10に接触させる(オーバードライブを発生させる)と、これに伴って支持基板500の表面520に当接部420を支点として延在部430が弾性変形して凹部521に入り込む。これによって、プローブ400は、半導体集積回路Bの電極10に対して安定した抵抗を得ることができる。なお、プローブ400は、プローブ200と同様に配設される。
【0032】
このような縦型プローブカードCによる場合、縦型プローブカードAと同様の効果を得ることができる。
【0033】
なお、縦型プローブカードA及びCは、以下のように設計変更することが可能である。
【0034】
プローブ200、400は、ここでは、一列に配列された電極10の列方向を基準として線対称となるように支持基板300に配設されているとしたが、図5に示すように、支持基板300の表面320に沿う部分の長さが異なるプローブ200α、200β(400α、400β)を用い、プローブ200α、200β(400α、400β)を、電極10の列方向に平行且つ交互に配設することができる。この場合、プローブ200α、200β(400α、400β)は、絶縁コーティングが施されている方が良い。
【0035】
若しくは、図6に示すように、プローブ200α、200β(400α、400β)を、電極10の列方向を基準として線対称に且つ電極10の列方向に交互に配設することもできる。この場合も、プローブ200α、200β(400α、400β)は、絶縁コーティングが施されている方が良い。
【0036】
なお、電極10は、ここでは一列に配列されているとしたが、これに限定されることはなく、1又は複数列に配設することが可能である。このとき、プローブ200、400は、電極10の配列に合わせて配設するように設計変更することが可能である。
【0037】
【発明の効果】
以上に述べましたように、本発明のプローブカードによる場合、上記プローブを用いたことにより、高集積化を図るに当って、プローブのピッチ間隔は、半導体集積回路の電極のピッチ間隔より広くすることができる。その結果、プローブ間でリークやショートが発生しにくく、これを原因とする故障が起こりにくくなる。また、前記プローブは、半導体集積回路の電極と接触する際、弾性変形するので、半導体集積回路の電極と安定した抵抗を得ることができる。しかも、前記プローブのピッチ間隔が広く設定できることにより、支持基板の貫通孔のピッチ間隔を広く設定することができる。これによって貫通孔を開設する際に、生じる割れを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係るプローブカードの概略的断面図である。
【図2】同プローブカードに用いられるプローブの概略的側面図である。
【図3】同プローブの組み立て状態を説明するための図である。
【図4】本発明の実施の別の形態に係るプローブカードの概略的断面図である。
【図5】同プローブの別の組み立て状態を説明するための図である。
【図6】同プローブの別の組み立て状態を説明するための図である。
【符号の説明】
A 縦型プローブカード
200 プローブ
210 基端部
220 当接部
230 傾斜部
240 先端部
300 支持基板
B 半導体集積回路
10 電極
C 縦型プローブカード
400 プローブ
410 基端部
420 当接部
430 延在部
440 先端部
500 支持基板
Claims (5)
- 半導体集積回路の電気的諸特性を計測する縦型プローブカードにおいて、半導体集積回路の電極に接触するプローブと、前記プローブを支持する支持基板とを具備しており、前記プローブは、前記支持基板の貫通孔に挿入される基端部と、この基端部から前記支持基板の表面に沿うように折り曲げられており且つ少なくとも一部が支持基板の表面に当接する当接部と、前記支持基板の表面との間に所定の空間ができるように前記当接部から斜め下方に折り曲げられた傾斜部と、前記傾斜部から下向きに折り曲げられた先端部とを有することを特徴とする縦型プローブカード。
- 半導体集積回路の電気的諸特性を計測する縦型プローブカードにおいて、半導体集積回路の電極に接触するプローブと、表面上の前記電極の上方位置に凹部が設けられており且つ前記プローブを支持する支持基板とを具備しており、前記プローブは、前記支持基板の貫通孔に挿入される基端部と、この基端部から前記支持基板の表面に沿うように折り曲げられており且つ少なくとも一部が前記支持基板の表面に当接する当接部と、この当接部から前記凹部の下方位置まで前記支持基板の表面に沿うように延設された延在部と、この延在部から下向きに折り曲げられた先端部とを有することを特徴とする縦型プローブカード。
- 半導体集積回路には、複数の電極が1又は複数列に配列されており、当該電極にプローブが各々接触する請求項1又は2記載の縦型プローブカードにおいて、前記プローブは、前記電極の列方向を基準として線対称となるように配置されていることを特徴とする縦型プローブカード。
- 請求項1、2又は3記載の縦型プローブカードにおいて、前記プローブとして前記支持基板の表面に沿う部分の長さが異なるものが複数種用いられていることを特徴とする縦型プローブカード。
- 請求項4記載の縦型プローブカードにおいて、前記支持基板の表面に沿う部分の長さが互いに異なるプローブは、交互に前記電極の列方向に配置されていることを特徴とする縦型プローブカード。
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JP2002201871A JP2004047648A (ja) | 2002-07-10 | 2002-07-10 | 縦型プローブカード |
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JP2002201871A JP2004047648A (ja) | 2002-07-10 | 2002-07-10 | 縦型プローブカード |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010139240A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Japan Electronic Materials Corp | プローブカードの製造方法及び治具 |
JP2010169637A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Japan Electronic Materials Corp | プローブカード |
-
2002
- 2002-07-10 JP JP2002201871A patent/JP2004047648A/ja active Pending
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040921 |
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