JP2004045875A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 縦横に列設される信号線及び走査線の各交点付近に形成される表示素子と、
   前記表示素子のそれぞれに対応して複数個ずつ設けられ、それぞれが異なる範囲の入射光を受光して電気信号に変換する光電変換部と、
   同一の前記表示素子に対応するすべての前記光電変換部で変換された電気信号に応じた電荷を蓄積する電荷蓄積部と、を備えることを特徴とする表示装置。
2. 前記光電変換部は、ポリシリコン基板上に形成されるフォトダイオードであり、
   前記表示素子は、前記ポリシリコン基板上に形成されるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記フォトダイオードは、Ｐ＋層及びＮ＋層の間にＰ−層及びＮ−層を挟み込んだ
   構造であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
4. 前記表示素子のそれぞれに対応して設けられ、対応する前記電荷蓄積部に蓄積された電荷に応じた２値データを記憶する記憶部を備えることを特徴とする請求項１及至３のいずれかに記載の表示装置。
5. 前記記憶部は、スタティックＲＡＭであることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
6. 同一の前記表示素子に対応する前記複数個の光電変換部を交互に選択する選択部を備え、
   前記電荷蓄積部は、前記選択部で選択された前記光電変換部で光電変換された電荷を蓄積することを特徴とする請求項１及至５のいずれかに記載の表示装置。
7. 縦横に列設される信号線及び走査線と、これら信号線及び走査線の各交点付近に形成される表示素子と、を有するアレイ基板と、
   前記アレイ基板に対向配置される対向基板と、
   バックライトと、を備え、
   前記アレイ基板、前記対向基板及び前記バックライトの順に配置されることを特徴とする表示装置。
8. 前記アレイ基板は、
   縦横に列設される信号線及び走査線の各交点付近に形成される表示素子と、
   前記表示素子に対応して設けられ、入射光を受光して電気信号に変換する光電変換部と、
   同一の前記表示素子に対応するすべての前記光電変換部で変換された電気信号に応じた電荷を蓄積する電荷蓄積部と、を有し、
   前記光電変換部は、前記バックライトからの光が前記対向基板及び前記アレイ基板を通過して、前記アレイ基板上に配置された画像取込み対象物で反射された光を光電変換することを特徴とする請求項７に記載の表示装置。