JP2004038205A - 液晶表示装置およびその製造方法ならびに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】　特に透過モード時の表示の明るさを向上させた視認性に優れる半透過反射型の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】　本発明の液晶表示装置１０は、上基板１４と下基板１３との間に液晶層１６が挟持され、下基板１３上に半透過反射層１８が設けられるとともに下基板１３の外方にバックライト１２が設けられた半透過反射型の液晶表示装置である。そして、上基板１４の外面側に上偏光板３６が設けられるとともに下基板１３の外面側に下偏光板２８が設けられ、下基板１３の内面側の反射表示領域Ｒのみに１／４波長の位相のずれを持つ位相差層２０、保護層２１が順次設けられ、電圧無印加時における透過表示領域Ｔでの液晶層１６の位相のずれが１／２波長、反射表示領域Ｒでの液晶層１６の位相のずれが１／４波長に設定されている。
【選択図】　　　　図１

Description

　本発明は、液晶表示装置およびその製造方法ならびに電子機器に関し、特に、半透過反射型の液晶表示装置であって、反射モードのみならず、透過モード時にも十分に明るい表示が可能な優れた視認性を有する液晶表示装置の構成に関するものである。

　従来から、明るい場所では、通常の反射型の液晶表示装置と同様に外光を利用し、暗い場所では、内部の光源により表示を視認可能にした液晶表示装置が提案されている。この液晶表示装置は、反射型と透過型を兼ね備えた表示方式を採用しており、周囲の明るさに応じて反射表示または透過表示のいずれかの表示方式に切り替えることにより、消費電力を低減しつつ周囲が暗い場合でも明瞭な表示を行うことができる。以下、本明細書では、この種の液晶表示装置のことを「半透過反射型液晶表示装置」という。半透過反射型液晶表示装置の一形態として、アルミニウム等の金属膜に光透過用の開口部を形成した反射膜を下基板の内面に備え、この反射膜を半透過反射膜として機能させるものが提案されている。この液晶表示装置は、金属膜を下基板の内面に設けることにより、下基板の厚みによるパララックスの影響を防ぎ、特にカラーフィルタを備えた構造では混色を防ぐという効果を持っている。なお、本明細書では液晶表示装置を構成する各基板の液晶側の面を「内面」、それと反対側の面を「外面」という。

　図７は、この種の半透過反射膜を用いた半透過反射型液晶表示装置の一例を示している。
　この液晶表示装置１００では、一対のガラス基板１０１，１０２間に液晶層１０３が挟持されており、下基板１０１の内面に、開口部１０４ａを有する半透過反射層１０４、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電膜からなる透明電極１０８が積層され、透明電極１０８を覆うように配向膜１０７が形成されている。一方、上基板１０２の内面には、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極１１２が形成され、この透明電極１１２を覆うように配向膜１１３が形成されている。また、上基板１０２の外面側には、上基板１０２側から順に２枚の位相差板１１８、１１９（これら位相差板は１／４波長板１２０として機能する）、上偏光板１１４が配置され、下基板１０１の外面側には、１／４波長板１１５、下偏光板１１６がこの順に設けられている。また、光源１２２、導光板１２３、反射板１２４等からなるバックライト１１７（照明手段）が下偏光板１１６の下方に配置されている。なお、１／４波長板１１５，１２０は、ある波長帯域において直線偏光をほぼ円偏光にすることができるものである。

　図７に示す半透過反射型液晶表示装置１００の表示原理を以下、図８を用いて説明する。なお、図８では、図７の液晶表示装置の構成要素のうち、表示原理の説明に必要なものだけを図示している。
　まず、暗表示を行う場合には、液晶層１０３に電圧を印加して（オン状態として）液晶層１０３での位相のずれがない状態としておく。反射表示においては、上偏光板１１４の上方から入射した光は、上偏光板１１４の透過軸を紙面に垂直とすると、上偏光板１１４を透過した後、紙面に垂直な直線偏光となり、さらに１／４波長板１２０を透過した後、左回りの円偏光となり、そのままの状態で液晶層１０３を透過する。そして、下基板１０１上の半透過反射層１０４の表面で反射すると回転方向が反転して右回りの円偏光となり、そのままの状態で液晶層１０３を透過し、１／４波長板１２０を透過した後、紙面に平行な直線偏光となる。ここで、上偏光板１１４は紙面に垂直な透過軸を有しているので、反射光は上偏光板１１４に吸収されて外部（観察者側）へは戻らず、暗表示となる。

　一方、透過表示においては、バックライト１１７から出射された光は、下偏光板１１６の透過軸を紙面に平行とした場合、下偏光板１１６を透過した後、紙面に平行な直線偏光となり、さらに１／４波長板１１５を透過した後、右回りの円偏光となり、そのままの状態で液晶層１０３を透過する。そして、右回りの円偏光が１／４波長板１２０を透過した後、紙面に平行な直線偏光となり、反射モードと同様、上偏光板１１４に吸収されて暗表示となる。

　次に、明表示を行う場合には、液晶層１０３に電圧を印加しない状態（オフ状態）とし、このときの液晶層１０３での複屈折効果により位相のずれが１／４波長になるように設定しておく。反射表示においては、上偏光板１１４の上方から入射し、上偏光板１１４、１／４波長板１２０を透過した後の左回りの円偏光は、液晶層１０３を透過して半透過反射層１０４の表面に到達した段階で紙面に平行な直線偏光となる。そして、半透過反射層１０４の表面で反射して液晶層１０３を透過すると、再度左回りの円偏光となり、１／４波長板１２０を透過した後、紙面に垂直な直線偏光となる。ここで、上偏光板１１４は紙面に垂直な透過軸を有しているので、反射光は上偏光板１１４を透過して外部（観察者側）へ戻り、明表示となる。

　一方、透過表示においては、バックライト１１７から入射し、下偏光板１１６、１／４波長板１１５を透過した後の右回りの円偏光は、液晶層１０３を透過した段階で紙面に垂直な直線偏光となる。そして、紙面に垂直な直線偏光が１／４波長板１２０を透過すると左回りの円偏光となり、上偏光板１１４は紙面に垂直な透過軸を有しているので、左回りの円偏光のうち、紙面に垂直な直線偏光のみが上偏光板１１４を透過して明表示となる。
特許第３２３５１０２号公報

　このように、図７、図８に示す液晶表示装置１００によれば、外光の有無に関わらず表示の視認が可能ではあるものの、反射表示に比べて透過表示の明るさが不足するという問題があった。
　その原因の一つは、図８による表示原理の説明で述べたように、透過表示で明表示を行う場合、液晶層１０３、１／４波長板１２０（位相差板１１８，１１９）を透過して上偏光板１１４に入射される光が円偏光となっているので、その円偏光の略半分の光が上偏光板１１４で吸収されてしまい、表示に寄与しないからである。

　また、他の原因の一つは、バックライト１１７から出射された光のうち、半透過反射層１０４の開口部１０４ａを通過しない光は、半透過反射層１０４の裏面で反射されると、回転方向が反転して左回りの円偏光となり、１／４波長板１１５を透過すると紙面に垂直な直線偏光になる。そして、この直線偏光が紙面に平行な透過軸を有する下偏光板１１６によって吸収されることになる。つまり、バックライト１１７から出射された光のうち、開口部１０４ａを通過しなかった光が、仮に下偏光板１１６に吸収されることなく下偏光板１１６を透過してバックライト１１７まで戻ってくれば、この戻り光が再度液晶セルに向けて出射され、バックライト１１７の輝度が実効的に向上するが、実際には半透過反射層１０４の裏面で反射した後、下偏光板１１６によってほぼ全てが吸収されてしまい、再利用できないからである。

　さらに、図７に示した液晶表示装置においては、液晶層を挟持する一対の基板の両外面に複数の位相差板や偏光板を貼付する必要があるため、構成が複雑で部品点数が多く、製造コストがかかる、液晶表示装置の薄型化が図れない、等の問題を抱えていた。

　本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、反射表示と透過表示の双方が可能な半透過反射型の液晶表示装置において、特に透過モード時の表示の明るさを向上させた視認性に優れる液晶表示装置とその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、優れた視認性を有する液晶表示部を備えた電子機器を提供することを目的とする。

　上記の目的を達成するために、本発明の液晶表示装置は、互いに対向する上基板と下基板との間に液晶層が挟持され、１つのドット領域内に透過表示領域と反射表示領域とを有する半透過反射型の液晶表示装置であって、前記上基板の外面側に上偏光板が設けられるとともに前記下基板の外面側に下偏光板が設けられ、前記下基板の内面側の前記反射表示領域に基板側から順に反射層、位相差層が設けられ、選択電圧印加時、非選択電圧印加時のいずれか一方において、前記透過表示領域における前記液晶層の位相差が前記反射表示領域における前記液晶層の位相差よりも大きいことを特徴とする。

　透過表示の明るさを低下させるいくつかの要因のうち、バックライトから出射され、半透過反射層の裏面で反射した光が下偏光板で吸収されてしまい、再利用できない点を解決すべく、本出願人は、下基板の内面側の透過表示領域にのみ位相差層（１／４波長）を設けた液晶表示装置を既に出願している。この構成によれば、下基板とバックライトとの間に位相差板（１／４波長板）を設けなくて済み、半透過反射層の裏面で反射した光はそのまま下偏光板を透過し、バックライトの反射板で反射して液晶パネル内に再入射するので、バックライト光の有効利用を図ることができる。ところが、この構成では、下側の位相差板を液晶パネルの内面に配置しただけであり、上側の位相差板、偏光板などの構成は変わらず、また、透過表示での表示原理も変わらないため、円偏光の略半分が上偏光板で吸収されることで透過表示が暗くなる問題、および、構造が複雑で部品点数が多い問題は解決されないままである。

　そこで、本発明者らは、上記の構成とは逆に、下基板の内面の反射表示領域にのみ位相差層を設け、この位相差層の存在により反射表示領域にのみ位相差が付加されるのを補償すべく、透過表示領域での液晶層の位相差を反射表示領域での液晶層の位相差よりも大きくする構成に想到した。この構成においては、位相差層、液晶層の位相差等の設定条件によって透過表示において直線偏光のみで表示を行うことが可能となり、下側の位相差板のみならず、上側の位相差板も不要とすることができる。その結果、従来の構成において円偏光の略半分が上偏光板で吸収されることで透過表示が暗くなる問題を解決することができ、従来に比べて透過表示を明るくすることができる。また、従来に比べて構造が簡単になり、装置の薄型化を図ることができる。なお、本発明の液晶表示装置の表示原理については［発明の実施の形態］の項で説明する。

　透過表示領域での液晶層の位相差を反射表示領域での液晶層の位相差よりも大きくする手段としては、例えば液晶層の厚さをｄ、液晶の屈折率異方性をΔｎとしたときに、位相差（リタデーション）はこれらの積Δｎ・ｄで表されるので、液晶層の厚さｄ、液晶の屈折率異方性Δｎの少なくともいずれか一方を透過表示領域と反射表示領域とで異ならせればよい。しかしながら、実際には透過表示領域と反射表示領域で液晶の屈折率異方性Δｎを大きく変えるのは困難なので、透過表示領域における液晶層の層厚を反射表示領域における液晶層の層厚よりも大きく設定することが容易である。

　また、前記位相差層は、透過光に対して略１／４波長の位相のずれを与えるものであり、透過表示領域における液晶層の層厚が反射表示領域における液晶層の層厚の略２倍であり、選択電圧印加時、非選択電圧印加時のいずれか一方における液晶層の位相のずれを、反射表示領域で略０、透過表示領域で略０とするとともに、他方における液晶層の位相のずれを、反射表示領域で略１／４波長、透過表示領域で略１／２波長とすることが望ましい。
　ここで、「１／４波長の位相のずれ」とは、光学異方体（例えば液晶や位相差板）に直線偏光が入射したとき出射光が円偏光になることを意味し、「１／２波長の位相のずれ」とは、出射光が入射光の直線偏光の方向とは直交する方向を持つ直線偏光になることを意味し、「０の位相のずれ」もしくは「位相のずれがない」とは、出射光が入射光の直線偏光の方向と平行な方向を持つ直線偏光になることを意味する。

　この構成によれば、反射表示と透過表示とで上偏光板の透過時の偏光状態を略同一方向の直線偏光に揃えることができ、反射表示領域における位相のずれと透過表示領域における位相のずれを略等しくすることができる。これにより、光の利用効率を最も向上でき、透過表示が最も明るい構成とすることができる。また、コントラストの高い表示を得ることができる。

　前記位相差層は、高分子液晶から構成することができる。
　この構成によれば、基板の内面側に比較的容易に位相差層を形成することができる。
　また、前記位相差層上に絶縁層を設けることが望ましい。
　本発明の液晶表示装置において、特に位相差層を高分子液晶で形成した場合、位相差層上に絶縁層を設けると絶縁層が保護膜として機能し、位相差層の変質等を防止することができる。また、本発明の構成では、反射表示領域にのみ位相差層を設けているため、その位相差層上に絶縁膜を形成すれば、反射表示領域における液晶層の層厚を透過表示領域における液晶層の層厚よりも小さくする構造を容易に実現することができる。そして、絶縁層の膜厚を調整することにより、例えば透過表示領域における液晶層の層厚を反射表示領域における液晶層の層厚の略２倍とすることも比較的容易にできる。

　上述した絶縁層のように、前記位相差層上に透過表示領域と反射表示領域とで液晶層の層厚を調整するための液晶層厚調整層を設けることが望ましい。
　この構成とした場合、液晶層厚調整層の層厚を調整することにより、反射表示領域での液晶層の層厚を透過表示領域での液晶層の層厚よりも小さくする構造を容易に実現することができる。そして、例えば透過表示領域における液晶層の層厚を反射表示領域における液晶層の層厚の略２倍とすることも比較的容易にできる。

　また、前記位相差層が、透過表示領域と反射表示領域とで液晶層の層厚を調整するための液晶層厚調整層として機能するものであってもよい。
　つまり、位相差層はそもそも反射表示領域にのみ設けるものであるため、位相差層の層厚を調整することによって、位相差層自身を反射表示領域側の液晶層厚を小さくするための液晶層厚調整層として機能させることができる。この構成によれば、絶縁層等からなる液晶層厚調整層を別個に設ける必要がないため、装置構成や製造プロセスを簡単にすることができる。

　上基板のラビング軸と上偏光板の透過軸とが垂直または平行であり、液晶層の液晶分子が、非選択電圧印加時において上基板と下基板との間で略９０°ツイストしていることが望ましい。
　この構成によれば、透過表示領域における選択電圧印加時もしくは非選択電圧印加時の位相のずれは、旋光性により１／２波長もしくは０となる。すなわち、透過表示が直線偏光を用いたＴＮ（Twisted Nematic）旋光性モードの表示となるので、光の利用効率が高く、明るい表示が可能であるとともに、視野角も広くすることができる。
　またこの時、反射表示領域における液晶層の位相差を１３０ｎｍ以上、３４０ｎｍ以下とすることが望ましい。
　このような液晶層の位相差の非常に小さい構成にすれば十分に旋光せず、反射表示領域における液晶層の選択電圧印加時もしくは非選択電圧印加時の位相のずれは、１／４波長もしくは０となる。これにより、反射表示の視認性も充分に確保することができる。なお、上記の位相差の数値範囲とすることが望ましい理由は後述する。

　さらに、下偏光板の外面側に、下偏光板の透過軸と略平行な透過軸を有する反射偏光板を設けることが望ましい。
　この構成によれば、バックライトから出射された光のうち、反射偏光板がない場合には下偏光板で吸収されてしまうはずの直線偏光が、反射偏光板で反射されてバックライトに戻ることでこの光も透過表示に再利用することができる。この直線偏光がいずれ反射偏光板を透過して表示に寄与できるのは、反射偏光板で反射した直線偏光が反射を繰り返すうち、偏光軸方向が変化し、当初とは異なる方向の偏光軸を有する直線偏光に変換されるからである。この構成を採用すると、透過表示をさらに明るくすることができる。

　本発明の液晶表示装置の製造方法は、前記下基板上の前記反射表示領域にあたる領域に反射層を形成する工程と、高分子液晶層、感光性樹脂層を順次形成した後、フォトリソグラフィー法を用いて前記感光性樹脂層をパターニングし、パターニングされた感光性樹脂層をマスクとして前記高分子液晶層をエッチングして局所的に前記高分子液晶層を残存させることによって、前記反射層の上方に前記高分子液晶層からなる位相差層を形成する工程とを有することを特徴とする。

　本発明の他の液晶表示装置の製造方法は、前記下基板上の前記反射表示領域にあたる領域に反射層を形成する工程と、液晶性モノマーからなる層を形成した後、フォトリソグラフィー法を用いて前記液晶性モノマーを局所的に光重合させ、液晶性モノマー重合体を形成することにより、前記反射層の上方に前記液晶性モノマー重合体からなる位相差層を形成する工程とを有することを特徴とする。なお、ここで言う「液晶性モノマー」とは、それ自身が液晶相を取り得るもの、あるいはそれ自身は液晶相を取らないが、液晶相内に混入した際に混合物の液晶状態を失わせることのないものを言う。

　いずれの方法においても、反射表示領域のみに局所的に位相差層を形成する構造を、通常のフォトリソグラフィー法を用いて比較的容易に実現することができる。そして、例えば位相差層を形成した後、感光性樹脂層を形成し、フォトリソグラフィー法を用いて感光性樹脂層をパターニングすることにより、位相差層の上方に感光性樹脂層を残存させるようにすれば、反射表示領域における液晶層の層厚を透過表示領域における液晶層の層厚よりも小さい構造を容易に実現することができる。

　本発明の電子機器は、上記本発明の液晶表示装置を備えたことを特徴とする。
　この構成によれば、透過モード時の表示も明るく、視認性に優れた液晶表示部を備えた電子機器を提供することができる。

　以上、詳細に説明したように、本発明の構成によれば、従来の装置における上位相差板を不要とすることができ、液晶層を透過した円偏光の略半分が上偏光板で吸収されることで透過表示が暗くなるという従来の問題を解決することができ、半透過反射層の下面で反射した光を再利用できる効果と相俟って、反射表示の明るさを維持しつつ透過表示を明るくすることができる。また、従来に比べて構造が簡単になり、液晶表示装置の薄型化を図ることができる。

［第１の実施の形態］
　以下、本発明の第１の実施の形態を図１、図２を参照して説明する。
　図１は本実施の形態の液晶表示装置の概略構成を示す断面図であり、図２はその表示原理を説明するための図であって、表示原理の説明に必要な構成要素のみを示す図である。本実施の形態はアクティブマトリクス方式の半透過反射型カラー液晶表示装置の例である。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。

　本実施の形態の液晶表示装置１０は、図１に示すように、液晶セル１１とバックライト１２（照明装置）とを備えたものである。液晶セル１１は、下基板１３と上基板１４とが対向配置され、これら上基板１４と下基板１３と挟まれた空間にＴＮ（Twisted Nematic）液晶等が封入されて液晶層１６が形成されている。
そして、液晶セル１１の後面側（下基板１３の外面側）にバックライト１２が配置されている。

　ガラスやプラスチックなどの透光性材料からなる下基板１３の内面側には、アルミニウム、銀、またはこれらの合金等の反射率の高い金属膜からなる半透過反射層１８が形成されている。半透過反射層１８には、バックライト１２から出射された光を透過させるための開口部１８ａが各画素毎に設けられており、半透過反射層１８の形成領域のうち、実際に金属膜が存在している部分が反射表示領域Ｒ、開口部１８ａの部分が透過表示領域Ｔを構成している。

　反射表示領域Ｒにおける半透過反射層１８上には、位相差層２０と、保護層２１とが基板側から順次積層されている。位相差層２０は例えば高分子液晶から構成され、液晶セル１１に入射される可視光の１／４波長の位相のずれを付与するものである。保護層２１は、例えばアクリル系感光性樹脂等の絶縁膜から構成されている。

　これら位相差層２０および保護層２１は、例えば以下の２通りの方法によって形成することができる。
　第１の方法は、まず最初に、半透過反射層１８を形成した基板上に配向膜材料であるＳＥ−３１４０（商品名、日産化学（株）製）をスピンコート法、あるいはフレキソ印刷法で塗布、焼成した後、ラビング処理を行う。次に、この配向膜上に高分子液晶溶液をスピンコート法（例えば回転数７００ｒｐｍで３０秒）により塗布する。ここで用いる高分子液晶は、例えばＰＬＣ−７０２３（商品名、旭電化工業（株）製）の８％溶液であり、溶媒はシクロヘキサノンとメチルエチルケトンの混合液、アイソトロピック転移温度が１７０℃、屈折率異方性Δｎが０．２１のものである。

　次に、高分子液晶層のプレベイクを８０℃で１分間行い、さらに高分子液晶のアイソトロピック転移温度（１７０℃）以上となる１８０℃で３０分間加熱した後、徐々に冷却して高分子液晶を配向させる。本発明者らがこの条件で実際に製造したところ、膜厚は６３０ｎｍ、位相差は１３３ｎｍが得られた。

　次に、保護層の材料としてアクリル系感光性樹脂ＮＮ−５２５（商品名、ＪＳＲ（株）製）をスピンコート法（例えば回転数７００ｒｐｍで３０秒）で塗布する。このとき、膜厚は２．３μｍであった。次に、保護層のプレベイクを８０℃で３分間行った後、フォトマスクを用いた露光（例えば露光強度が１４０ｍＪ／ｃｍ^２、３５０ｎｍに感度を持つ紫外線光量計で測定した値）を行い、アルカリ性現像液中に室温で９０秒浸漬して現像を行い、反射表示領域にのみ保護層を残存させる。なお、上記のアクリル系感光性樹脂はネガ型のため、反射表示領域が露光されるようにフォトマスクを形成しておく必要がある。

　次に、保護層を完全に硬化させるため、ポスト露光を露光強度２０００ｍＪ／ｃｍ^２で行う。なお、１０００ｍＪ／ｃｍ^２以下では次工程の高分子液晶の現像時に保護層の剥離が生じたが、１３００ｍＪ／ｃｍ^２以上では問題なかったので、２０００ｍＪ／ｃｍ^２と設定した。次いで、Ｎメチル−２ピロリジノンからなるエッチング液に室温で３０分間浸漬し、高分子液晶のエッチングを行う。次いで、この基板を８０℃で３分間乾燥することにより、高分子液晶からなる位相差層２０とアクリル系感光性樹脂からなる保護層２１が形成される。

　第２の方法は、第１の方法と同様にして配向膜を形成した基板上に、液晶性モノマーであるＵＶキュアラブル液晶ＵＣＬ−００８−Ｋ１（商品名、大日本インキ化学工業（株）製）の溶液を、スピンコート法（例えば回転数７００ｒｐｍで３０秒）により塗布する。ここで用いる液晶性モノマー溶液は、Ｎメチル−２ピロリジノンとγ−ブチロラクトンの混合溶媒に２５％に希釈したものであり、アイソトロピック転移温度が６９℃、屈折率異方性Δｎが０．２０である。

　次に、液晶性モノマーを６０℃で５分間乾燥させ、アイソトロピック転移温度（６９℃）以上となる９０℃で５分間加熱した後、徐々に冷却して液晶性モノマーを配向させる。本発明者らがこの条件で実際に製造したところ、膜厚は６５０ｎｍが得られた。次いで、フォトマスクを用いた露光（例えば露光強度が３０００ｍＪ／ｃｍ^２）を行うことにより液晶性モノマーを局所的に光重合させた後、アルカリ性現像液、もしくはケトン系有機溶剤中に６０秒浸漬して現像を行い、反射表示領域にのみ液晶性モノマー重合体を残存させる。これにより、液晶性モノマー重合体からなる位相差層２０が形成される。その後、第１の方法と同様に、位相差層２０上に保護層２１を形成すればよい。

　このように、本実施の形態の液晶表示装置１０においては、反射表示領域Ｒにのみ位相差層２０、保護層２１が設けられたことにより、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間に段差が形成されている。そして、この段差に沿ってＩＴＯ等の透明導電膜からなる画素電極２３が形成され、画素電極２３を覆うようにポリイミド等からなる配向膜２４が積層されている。本実施の形態の場合、下基板１３はＴＦＴ等の画素スイッチング素子、データ線、走査線等が形成された素子基板から構成されているが、図１においては画素スイッチング素子、データ線、走査線等の図示は省略する。また、下基板１３の外面側には下偏光板２８が設けられており、従来の位相差板は設けられていない。

　一方、ガラスやプラスチックなどの透光性材料からなる上基板１４の内面側には、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる共通電極３２、ポリイミド等からなる配向膜３３が順次積層されている。また、上基板１４の外面側には上偏光板３６が設けられており、従来の位相差板は設けられていない。なお、図示を省略したが、上基板の内面側にはＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色素層を有するカラーフィルタが設けられている。

　上基板１４と下基板１３との間に挟持された液晶層１６は、反射表示領域Ｒのみに位相差層２０と保護層２１が設けられ、これらの層が液晶層１６側に突出するように形成されたことにより、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとで層厚が異なっている。本実施の形態の場合、保護層２１の膜厚は位相差層２０の膜厚の略４倍程度であり、液晶層１６の層厚は主に保護層２１の膜厚によって調整されている。具体的には、透過表示領域Ｔの液晶層１６の層厚は反射表示領域Ｒの液晶層１６の層厚の略２倍となっている。そして、液晶層１６の材料としてポジ型の晶が用いられ、選択電圧印加（電圧オン）時には電界方向に沿って液晶分子が立ち上がり、液晶層１６の位相のずれが反射表示領域Ｒ、透過表示領域Ｔともに０となる一方、非選択電圧印加（電圧オフ）時には液晶分子が寝た状態となり、液晶層１６の位相のずれが反射表示領域Ｒでは１／４波長、透過表示領域Ｔでは１／２波長となるように、液晶の屈折率異方性Δｎおよび液晶層厚ｄが設定されている。上基板１４のラビング軸と上偏光板３６の透過軸とが垂直または平行であり、液晶層１６の液晶分子が、非選択電圧印加時において上基板１４と下基板１３との間で９０°ツイストした状態となっている。

　また、バックライト１２は、光源３７と反射板３８と導光板３９を有しており、導光板３９の下面側（液晶パネル１と反対側）には、導光板３９中を透過する光を液晶セル１１側に向けて出射させるための反射板４０が設けられている。

　以下、本実施の形態の液晶表示装置１０の表示原理を図２を用いて説明する。
　まず、暗表示を行う場合には、液晶層１６に電圧を印加した状態（選択電圧印加状態）とし、液晶層１６での位相のずれを０（位相のずれがない）としておく。反射表示においては、上偏光板３６の上方から入射した光は、上偏光板３６の透過軸を紙面に垂直とすると、上偏光板３６を透過した後、紙面に垂直な直線偏光となり、そのままの状態で液晶層１６を透過する。そして、紙面に垂直な直線偏光は、下基板１３上の位相差層２０により１／４波長の位相差が付与され、位相差層２０を透過した後、左回りの円偏光となる。次に、この円偏光が半透過反射層１８の表面で反射すると回転方向が反転して右回りの円偏光となり、位相差層２０を再度透過した後、紙面に平行な直線偏光となり、そのままの状態で液晶層１６を透過する。ここで、上偏光板３６は紙面に垂直な透過軸を有しているので、紙面に平行な直線偏光は上偏光板３６に吸収されて外部（観察者側）へは戻らず、暗表示となる。

　一方、透過表示においては、バックライト１２から出射された光は、下偏光板２８の透過軸を紙面に平行とした場合、下偏光板２８を透過した後、紙面に平行な直線偏光となり、そのままの状態で液晶層１６を透過する。この光は、反射モードと同様、上偏光板３６に吸収されるので、暗表示となる。

　次に、明表示を行う場合には、液晶層１６に電圧を印加しない状態（非選択電圧印加状態）とし、反射表示領域Ｒにおける位相のずれが１／４波長、透過表示領域Ｔにおける位相のずれが１／２波長となるようにする。反射表示においては、上偏光板１１４を透過した紙面に垂直な直線偏光は、液晶層１６により１／４波長の位相のずれが付与されて液晶層１６を透過して位相差層２０の表面に到達した段階で左回りの円偏光となる。そして、位相差層２０を透過した後、紙面に平行な直線偏光となり、半透過反射層１８の表面でそのままの偏光状態で反射し、位相差層２０を再度透過すると、左回りの円偏光に戻る。次に、この光が液晶層１６を再度透過した段階で紙面に垂直な直線偏光に戻り、紙面に垂直な透過軸を有する上偏光板３６を透過して外部（観察者側）へ戻り、明表示となる。

　一方、透過表示においては、バックライト１２から出射され、下偏光板２８を透過した紙面に平行な直線偏光は、液晶層１６の持つ旋光性によって１／２波長の位相のずれが付与され、液晶層１６を透過した段階で紙面に垂直な直線偏光となり、紙面に垂直な透過軸を有する上偏光板３６を透過して外部へ戻り、明表示となる。

　また、透過表示において、下偏光板２８を透過した紙面に平行な直線偏光のうち、半透過反射層１８の裏面で反射した光は、そのまま下偏光板２８を透過してバックライト１２に戻り、バックライト１２下面の反射板４０で反射して再度液晶セル１１に向けて出射されるので、半透過反射層１８の裏面で反射した光を再利用して透過表示に寄与させることができる。

　本実施の形態の液晶表示装置１０においては、下基板１３内面の反射表示領域Ｒにのみ１／４波長の位相差を持つ位相差層２０を設け、さらに、透過表示領域Ｔにおける液晶層１６の層厚を反射表示領域Ｒにおける液晶層１６の層厚の略２倍とし、電圧無印加時の液晶層１６の位相のずれを反射表示領域Ｒで１／４波長、透過表示領域Ｔで１／２波長としたことによって、透過表示については直線偏光のみで表示を行うことが可能となり、図７に示す従来の装置で用いていた液晶セルの上下の位相差板をともに不要とすることができる。

　この構成によれば、従来の構成において液晶層側から入射される円偏光の略半分が上偏光板で吸収されることで透過表示が暗くなる問題、半透過反射層の裏面で反射された照明光が下偏光板で吸収され、表示に再利用できない問題の双方を同時に解決することができるので、従来に比べて透過表示を明るくすることができる。また本実施の形態の場合、特に透過表示領域Ｔでの位相差を反射表示領域Ｒの２倍としたことにより、反射表示と透過表示とで上偏光板３６を透過する前の偏光状態を同一方向の直線偏光に揃えることができるため、光の利用効率を最も向上でき、透過表示が最も明るい構成とすることができる。また、コントラストの高い表示を得ることができる。特に本実施の形態の場合、透過表示が直線偏光を用いたＴＮモードの表示となるので、光の利用効率が高く、明るい表示が可能であるとともに、視野角も広くすることができる。また、透過表示領域のセル厚がばらついても、更にはかなり厚く反射表示領域のセル厚の２倍以上（例えば３倍、４倍）になっても、旋光性を利用しているため、コントラストの高い表示が可能である。

　本実施の形態の構成によれば、高分子液晶で位相差層２０を形成しているが、その上に絶縁膜を形成しているので、この絶縁膜が保護膜２１として機能し、位相差層２０の変質等を防止することができる。また、反射表示領域Ｒにのみ位相差層２０を設けているため、その位相差層２０上に保護層２１を形成したことにより、反射表示領域Ｒにおける液晶層１６の層厚を透過表示領域Ｔにおける液晶層１６の層厚よりも小さくする構造を容易に実現することができる。さらに、外付けの位相差板が要らないので、従来に比べて構造が簡単になり、部品点数を削減できるとともに、装置の薄型化を図ることができる。

　本発明者は、本実施の形態の液晶表示装置において反射表示領域の位相差（リタデーションＲ＝Δｎ・ｄ）と反射率との相関関係をシミュレーションにより求めた。シミュレーション結果を図１３に示す。図１３の横軸はΔｎ・ｄ［ｎｍ］、縦軸は反射率［−］である。本実施の形態の場合、透過表示がＴＮモードの表示となることから光の利用効率が高く、明るい表示となる一方、反射表示に対しては実用上必要な明るさとして少なくとも反射率２０％以上が要求される。このレベルの反射率を得るためには、反射表示領域の位相差（Δｎ・ｄ）を、１３０ｎｍ≦Δｎ・ｄ≦３４０ｎｍの範囲とする必要がある。この条件を満たすように反射表示領域のΔｎ・ｄを設定することによって、反射表示の視認性も確保することができる。

［第２の実施の形態］
　以下、本発明の第２の実施の形態を図３を参照して説明する。
　図３は本実施の形態の液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。本実施の形態の液晶表示装置の基本構成は第１の実施の形態と同様であり、異なる点は下基板の外面側に反射偏光板を付加した点のみである。したがって、図３において図１と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

　本実施の形態の液晶表示装置５０は、図３に示すように、下基板１３の外面側、より具体的には下偏光板２８の外面側に反射偏光板５１が設けられている。反射偏光板５１は、所定の方向の直線偏光を透過する透過軸を有し、その透過軸と直交する方向の直線偏光を反射する機能を持つものである。反射偏光板５１は、その透過軸が下偏光板２８の透過軸と略平行になるように配置されている。反射偏光板５１としては、例えばＤ−ＢＥＦ（商品名、住友スリーエム（株）製）、ＰＣＦ（商品名、日東電工（株）製、特開平１０−３１９２３５号公報に開示されている）などが用いられる。

　本実施の形態の液晶表示装置５０においても、従来に比べて透過表示を明るくすることができる、コントラストの高い表示が得られる、部品点数を削減できるとともに装置の薄型化が図れる、といった第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。

　さらに、第１の実施の形態では、透過表示においてバックライト１２からの光が下偏光板２８に入射した際に下偏光板２８の透過軸に合致した直線偏光のみが透過し、それ以外の直線偏光は下偏光板２８に吸収されていたため、この光を表示に使うことはできなかった。これに対して、本実施の形態の場合、バックライト１２からの光が下偏光板２８に入射される前に反射偏光板５１に入射されるため、第１の実施の形態では下偏光板２８に吸収されていた直線偏光がその前に反射偏光板５１で反射し、この光も再利用して透過表示に使うことができる。したがって、本実施の形態の構成によれば、透過表示において、第１の実施の形態の効果、すなわち液晶層１６を透過した光が上偏光板３６で吸収されないようにした効果、および半透過反射層１８の裏面で反射された光を表示に再利用できるようにした効果に加えて、バックライト１２から出射された光が下偏光板２８で吸収されないようにした効果が相俟って、第１の実施の形態に比べてさらに透過表示を明るくすることができる。

［第３の実施の形態］
　以下、本発明の第３の実施の形態を図９を参照して説明する。
　図３は本実施の形態の液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。本実施の形態の液晶表示装置の基本構成は第１の実施の形態と同様であり、異なる点は下基板上に反射表示用、透過表示用それぞれのカラーフィルターを備えたことである。したがって、図９において図１と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

　本実施の形態の液晶表示装置６０は、図９に示すように、下基板１３の内面側に光透過用の開口部１８ａを有する半透過反射層１８が形成されており、反射表示領域Ｒにあたる半透過反射層１８上に反射表示用のカラーフィルターの色素層６１Ｒが形成される一方、透過表示領域Ｔにあたる開口部１８ａに透過表示用のカラーフィルターの色素層６１Ｔが形成されている。反射表示用カラーフィルターの色素層６１Ｒは透過表示用カラーフィルターの色素層６１Ｔよりも色の彩度が低くなるように調整されている。反射表示用カラーフィルターの色素層６１Ｒ上にアクリル樹脂等からなる絶縁層６２が形成され、この絶縁層６２が透過表示領域Ｔに対して反射表示領域Ｒでの液晶層厚を小さくするための液晶層厚調整層として機能している。絶縁層６２上に第１の実施の形態と同様の位相差層２０が形成され、その上に画素電極２３、配向膜２４が順次積層されている。上基板１４側の構成は第１、第２の実施の形態と同様である。

　本実施の形態の液晶表示装置６０においても、従来に比べて透過表示を明るくすることができる、コントラストの高い表示が得られる、部品点数を削減できるとともに装置の薄型化が図れる、といった第１、第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。さらに、本実施の形態の液晶表示装置６０において、反射表示領域Ｒではカラーフィルターを光が２回透過し、透過表示領域Ｔではカラーフィルターを光が１回だけ透過する。したがって、仮に反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔで同じカラーフィルターを用いていたとすると透過表示の色よりも反射表示の色の方が濃くなってしまい、色の彩度のバランスが悪くなる。その点、本実施の形態の場合、反射表示用カラーフィルターと透過表示用カラーフィルターを作り分け、反射表示用カラーフィルターの色素層６１Ｒが透過表示用カラーフィルターの色素層６１Ｔよりも色の彩度が低く設定されているため、反射表示と透過表示とで表示色の彩度のバランスが良いものとなっている。

［第４の実施の形態］
　以下、本発明の第４の実施の形態を図１０を参照して説明する。
　図１０は本実施の形態の液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。本実施の形態の液晶表示装置の基本構成は第１の実施の形態と同様であり、異なる点は下基板上の絶縁層が存在しない点のみである。したがって、図１０において図１と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

　本実施の形態の液晶表示装置７０は、図１０に示すように、下基板１３の内面側に半透過反射層１８が形成されており、反射表示領域Ｒにあたる半透過反射層１８上に反射表示用カラーフィルターの色素層６１Ｒが形成される一方、透過表示領域Ｔにあたる開口部１８ａに透過表示用カラーフィルターの色素層６１Ｔが形成されている。反射表示用カラーフィルターの色素層６１Ｒは透過表示用カラーフィルターの色素層６１Ｔよりも色の彩度が低くなるように調整されている。ここまでの構成は第３の実施の形態と同様である。そして、反射表示用カラーフィルターの色素層６１Ｒ上に位相差層２０が形成され、この位相差層２０自身が透過表示領域Ｔに対して反射表示領域Ｒの液晶層厚を小さくするための液晶層厚調整層として機能している。その上に画素電極２３、配向膜２４が順次積層されている。上基板１４側の構成は第１〜第３の実施の形態と同様である。

　本実施の形態の液晶表示装置７０においても、従来に比べて透過表示を明るくすることができる、コントラストの高い表示が得られる、部品点数を削減できるとともに装置の薄型化が図れる、反射表示と透過表示とで表示色の彩度のバランスが良いものとなる、といった上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。さらに本実施の形態の場合、位相差層２０が液晶層厚調整層を兼ねるため、絶縁膜を別途形成する必要がなくなり、例えば第３の実施の形態に比べて製造プロセスを簡単化することができる。

　その他、液晶層厚調整層として機能する絶縁層と半透過反射層との位置関係については、図１１に示すように、絶縁層６２の上層側に半透過反射層１８を形成し、さらに半透過反射層１８上に位相差層２０を形成する構成としても良い。あるいは、図１２に示すように、下基板１３側に半透過反射層１８と位相差層２０を形成し、上基板１４側に絶縁層６２を形成する構成としても良い。

［電子機器］
　上記実施の形態の液晶表示装置を備えた電子機器の例について説明する。
　図４は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図４において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示している。

　図５は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図５において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示している。

　図６は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図６において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示している。

　図４〜図６に示す電子機器は、上記実施の形態の液晶表示装置を用いた液晶表示部を備えているので、透過モードで明るい表示が得られる表示部を有する電子機器を実現することができる。

　なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記実施の形態では、反射表示領域上の位相差層での位相差を１／４波長とし、透過表示領域の液晶層の層厚を反射表示領域の２倍とすることで選択電圧印加時の液晶層の位相のずれが反射表示領域、透過表示領域ともに０、非選択電圧印加時の液晶層の位相のずれが反射表示領域で１／４波長、透過表示領域で１／２波長とした。この設定が透過表示を最も明るくし、コントラストが最も向上できる構成ではあるが、各部の位相のずれは必ずしも上記の設定通りでなくても良く、少なくとも反射表示領域にのみ位相のずれが付与され、その位相のずれを緩和すべく透過表示領域での位相のずれが反射表示領域での位相のずれよりも大きければよい。この構成とすれば、少なくとも従来に比べて透過表示を明るくすることができる。

　また、上記実施の形態ではポジ型液晶を用い、初期状態を水平配向として電圧印加時に位相のずれが０、電圧無印加時に反射表示領域の位相のずれが１／４波長、透過表示領域の位相のずれが１／２波長となる例で説明したが、これとは逆に、ネガ型液晶を用い、初期状態を垂直配向として電圧無印加時に位相のずれが０、電圧印加時に反射表示領域の位相のずれが１／４波長、透過表示領域の位相のずれが１／２波長となるように構成することもできる。さらに、本発明は、上記実施の形態のようにアクティブマトリクス方式の半透過反射型カラー液晶表示装置に限ることなく、パッシブマトリクス方式、白黒表示の液晶表示装置に適用することも可能である。

　本発明者らは、本発明の効果を実証するために本発明に係る構成の液晶表示装置を実際に作製し、透過率と反射率を測定した。その結果について以下、報告する。

　実施例１の液晶表示装置として、図１に示した上記実施の形態の構成の液晶表示装置を作製した。パネルの構成として、ドット数を１６０×（１２０×３（ＲＧＢ））、ドットピッチを２４０μｍ×（８０μｍ×３（ＲＧＢ））、透過表示領域となる開口部の面積を６８μｍ×２２μｍ（ただし、この開口部を１ドットに２個形成）、とした。

　パネルの構成を実施例１の液晶表示装置と同一にし、下偏光板の外面側に反射偏光板を設けた液晶表示装置（図３に示した第２の実施の形態の液晶表示装置）を作製し、これを実施例２とした。

　従来例１の液晶表示装置として、図７に示した従来の構成の液晶表示装置を作製した。パネルの構成は、実施例１の液晶表示装置と同一にした。

　パネルの構成を従来例１の液晶表示装置と同一にし、下偏光板の外面に反射偏光板を設けた液晶表示装置を作製し、これを従来例２とした。

　これらの４つのサンプルを用いて一定条件の下、透過率、反射率をそれぞれ測定した結果を表１に示す。

　表１に示したように、反射率に関しては４つのサンプルで有意差がなく、本発明の液晶表示装置における反射表示の明るさは従来レベルと同等と言える。それに対して、透過率に関しては従来例１と実施例１、もしくは従来例２と実施例２を比較すると、１．４％が４．３％に、２．４％が７．５％になっており、ともに約３倍の増加が見られた。この結果から、本発明の構成においては、液晶層を透過した光が上偏光板で吸収されないようにした効果と半透過反射層の裏面で反射された光を再利用できるようにした効果とによって、従来と比べて反射表示の明るさを維持しつつ透過表示を３倍程度明るくできることが実証された。

　また、実施例１と実施例２を比較すると、透過率が４．３％から７．５％に増加した。この結果から、バックライトと下偏光板との間に反射偏光板を挿入したことによってバックライト光の利用効率が向上し、透過表示をさらに明るくできることが実証された。

本発明の第１の実施形態の液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。 同、液晶表示装置の表示原理を説明するための図であって、表示原理の説明に必要な構成要素のみを示す図である。 本発明の第２の実施形態の液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。 本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。 本発明に係る電子機器の他の例を示す斜視図である。 本発明に係る電子機器のさらに他の例を示す斜視図である。 従来の液晶表示装置の一例の概略構成を示す断面図である。 同、液晶表示装置の表示原理を説明するための図であって、表示原理の説明に必要な構成要素のみを示す図である。 本発明の第３の実施形態の液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。 本発明の第４の実施形態の液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。 本発明の他の実施形態の液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。 本発明のさらに他の実施形態の液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。 本発明の液晶表示装置における反射表示領域のΔｎ・ｄと反射率との相関関係を示すシミュレーション結果である。

符号の説明

　１０、５０、６０、７０　液晶表示装置
　１１　液晶セル
　１２　バックライト
　１３　下基板
　１４　上基板
　１６　液晶層
　１８　半透過反射層
　１８ａ　開口部
　２０　位相差層
　２１　保護層（液晶層厚調整層）
　２８　下偏光板
　３６　上偏光板
　５１　反射偏光板
　６２　絶縁層（液晶層厚調整層）
　Ｒ　反射表示領域
　Ｔ　透過表示領域

Claims (14)

1. 　互いに対向する上基板と下基板との間に液晶層が挟持され、１つのドット領域内に透過表示領域と反射表示領域とを有する半透過反射型の液晶表示装置であって、
   　前記上基板の外面側に上偏光板が設けられるとともに前記下基板の外面側に下偏光板が設けられ、前記下基板の内面側の前記反射表示領域に基板側から順に反射層、位相差層が設けられ、選択電圧印加時、非選択電圧印加時のいずれか一方において、前記透過表示領域における前記液晶層の位相差が前記反射表示領域における前記液晶層の位相差よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
2. 　前記透過表示領域における前記液晶層の層厚が前記反射表示領域における前記液晶層の層厚よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 　前記位相差層は、透過光に対して略１／４波長の位相差を付与するものであり、前記透過表示領域における前記液晶層の層厚が前記反射表示領域における前記液晶層の層厚の略２倍であり、選択電圧印加時、非選択電圧印加時のいずれか一方における前記液晶層の位相のずれが、前記反射表示領域で略０、前記透過表示領域で略０とされるとともに、他方における前記液晶層の位相のずれが、前記反射表示領域で略１／４波長、前記透過表示領域で略１／２波長とされたことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 　前記位相差層が高分子液晶からなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
5. 　前記位相差層上に絶縁層が設けられたことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 　前記位相差層上に、前記透過表示領域と前記反射表示領域とで前記液晶層の層厚を調整するための液晶層厚調整層が設けられたことを特徴とする請求項２ないし５のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
7. 　前記位相差層が、前記透過表示領域と前記反射表示領域とで前記液晶層の層厚を調整するための液晶層厚調整層として機能することを特徴とする請求項２ないし５のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
8. 　前記上基板のラビング軸と前記上偏光板の透過軸とが垂直または平行であり、前記液晶層の液晶分子が、非選択電圧印加時において前記上基板と前記下基板との間で９０°ツイストしていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
9. 　前記反射表示領域における前記液晶層の位相差が１３０ｎｍ以上、３４０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
10. 　前記下偏光板の外面側に、前記下偏光板の透過軸と略平行な透過軸を有する反射偏光板が設けられたことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
11. 　請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
    　前記下基板上の前記反射表示領域にあたる領域に反射層を形成する工程と、
    　高分子液晶層、感光性樹脂層を順次形成した後、フォトリソグラフィー法を用いて前記感光性樹脂層をパターニングし、パターニングされた感光性樹脂層をマスクとして前記高分子液晶層をエッチングして局所的に前記高分子液晶層を残存させることによって、前記反射層の上方に前記高分子液晶層からなる位相差層を形成する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
12. 　請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
    　前記下基板上の前記反射表示領域にあたる領域に反射層を形成する工程と、
    　液晶性モノマーからなる層を形成した後、フォトリソグラフィー法を用いて前記液晶性モノマーを局所的に光重合させ、液晶性モノマー重合体を形成することにより、前記反射層の上方に前記液晶性モノマー重合体からなる位相差層を形成する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
13. 　前記位相差層を形成した後、感光性樹脂層を形成し、フォトリソグラフィー法を用いて前記感光性樹脂層をパターニングすることにより、前記位相差層の上方に感光性樹脂層を残存させることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
14. 　請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
    

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