JP2004023553A - チャージポンプ回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】出力電圧を高い状態から低下させたい場合に、出力端子に接続される蓄積電荷を短時間で放電させてその出力電圧を短時間で低下させ、周波数シンセサイザのロックアップ時間の短縮化を図ること。
【解決手段】出力電圧VCONTが低い場合には、アナログスイッチSW1、SW3がオン状態になる。このとき、インバータ13にアップ信号UPが入力され、MOSトランジスタQ1がオンすると、MOSトランジスタQ2に流れるソース電流により、ループフィルタ3に電荷が充電され、出力電圧VCONTが上がる。一方、出力電圧VCONTが高い場合には、アナログスイッチSW2、SW4がオン状態になる。このとき、MOSトランジスタQ4にダウン信号DNが入力されてオンすると、MOSトランジスタQ4に流れるシンク電流により、ループフィルタ3から電荷が放電され、出力電圧VCONTが下がる。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、PLL(Phase Locked Loop)回路を応用した周波数シンセサイザなどに使用されるチャージポンプ回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図7は、携帯電話に使用される従来からの周波数シンセサイザの構成の一例を示すブロック図である。
この周波数シンセサイザでは、図7に示すように、位相比較器1と、チャージポンプ回路2と、ループフィルタ3と、電圧制御発振器(VCO)4と、Nカウンタ5とを備えている。
【0003】
このような周波数シンセサイザでは、位相比較器1が、Nカウンタ5の出力信号Fvの位相を基準発振器(図示せず)からの発振出力信号Frの位相と比較する。その比較の結果に応じて、位相比較器1は、Nカウンタ5の出力信号Fvが遅れている場合にはアップ信号UPを出力し、逆にNカウンタ5の出力信号Fvが進んでいる場合にはダウン信号DNを出力する。
【0004】
チャージポンプ回路2は、位相比較器1から出力されるアップ信号UPとダウン信号DNに基づき、ループフィルタ3に電荷を注入し、または電荷を放電させる。これにより、ループフィルタ3の出力電圧が変化し、電圧制御発振器4の発振周波数が変化する。この結果、Nカウンタ5の出力信号Fvが位相比較器1の入力信号Frと一致するようになる。
【0005】
ところで、携帯電話に使用される周波数シンセサイザでは、使用するチャネルが多数存在して電圧制御発振器4の出力周波数範囲が広いため、電圧制御発振器4の制御電圧VCONTの設定範囲も広い。このため、チャージポンプ回路2は、定電流を出力する電圧範囲も同様に広くなるような構成が必要となる。
電圧制御発振器4の制御電圧VCONTの範囲を広くするためのチャージポンプ回路2として、例えば図8に示すものが使用されている。
【0006】
このチャージポンプ回路2は、図8に示すように、アップ信号UPによりMOSトランジスタQ1がオンすると、MOSトランジスタQ2に流れるソース電流によりループフィルタ3に電荷が注入され、他方、ダウン信号DNによりMOSトランジスタQ4がオンすると、MOSトランジスタQ3に流れるシンク電流によりループフィルタ3の電荷が放出され、これにより、出力電圧VCONTを変化させるように構成されている。
【0007】
なお、チャージポンプ回路2の出力電圧VCONTは、上述の電圧制御発振器4に供給される制御電圧VCONTと同一であるので、以下ではチャージポンプ回路の出力電圧は、同一の符号である「VCONT」の使用する。
ここで、ループフィルタ3は、図8の示すように、コンデンサC1と、コンデンサC2および抵抗R2を直列接続させたCR直列回路とからなり、コンデンサC1とCR直列回路とが並列接続されたものである。
【0008】
また、このチャージポンプ回路2は、MOSトランジスタQ2、Q3、Q6、Q7に流れる各電流を同一にし、MOSトランジスタQ2に流れるソース電流と、MOSトランジスタQ3に流れるシンク電流のミスマッチをなくすようにする制御回路を備えている。この制御回路は、差動入力電圧に比例した電流を出力するトランスコンダクタンス増幅器16と、その出力電流により充放電されるコンデンサC3とからなる。
【0009】
さらに詳述すると、電源ライン11と接地ライン12との間に、P型のMOSトランジスタQ1、P型のMOSトランジスタQ2、N型のMOSトランジスタQ3、およびN型のMOSトランジスタQ4が直列に接続されている。電源ライン11には正の電源電圧VDDが供給され、接地ライン12は接地電圧VSSに接続されている。
【0010】
MOSトランジスタQ1は、アップ信号UPをインバータ13で反転した信号でオンオフ制御されるようになっている。MOSトランジスタQ4は、ダウン信号DNによりオンオフ制御されるようになっている。
電源ライン11と接地ライン12との間に、P型のMOSトランジスタQ5、P型のMOSトランジスタQ6、N型のMOSトランジスタQ7、およびN型のMOSトランジスタQ8が直列に接続されている。
【0011】
電源ライン11と接地ライン12との間に、P型のMOSトランジスタQ9、P型のMOSトランジスタQ10、および定電流IBを供給する電流源14が直列に接続されている。
MOSトランジスタQ10、Q6、Q2は、カレントミラー回路を形成し、MOSトランジスタQ2とMOSトランジスタQ6には同一電流が流れるようになっている。
【0012】
トランスコンダクタンス増幅器16は、+入力端子にMOSトランジスタQ6とMOSトランジスタQ7を共通接続した接続点のドレイン電位VXが供給され、−入力端子にループフィルタ3が出力する制御電圧VCONTを抵抗R2とコンデンサC2によって、制御電圧VCONTを低域ろ過(高周波成分を減衰)させた信号VFBが供給されるようになっている。
【0013】
また、トランスコンダクタンス増幅器16の出力端子は、MOSトランジスタQ3、Q7の各ゲート、およびコンデンサC3の一端にそれぞれ接続されている。コンデンサC3の他端は、接地ライン12に接続されている。
次に、このような構成からなる従来のチャージポンプ回路2の動作の一例について、図8を参照して説明する。
【0014】
いま、インバータ13に位相比較器1からアップ信号UPが入力され、これによりMOSトランジスタQ1が導通状態(オン状態)になったものとする。これにより、MOSトランジスタQ2に流すソース電流は、電流源14の定電流IBがMOSトランジスタQ10、Q6、Q2によりカレントミラーされた電流である。そして、そのソース電流によりループフィルタ3に電荷が注入され、制御電圧VCONTは上がる。
【0015】
一方、位相比較器1からダウン信号DNがMOSトランジスタQ4のゲートに入力され、これによりMOSトランジスタQ4が導通状態になったものとする。これにより、MOSトランジスタQ3に流すシンク電流は、電流源14の定電流IBがMOSトランジスタQ10、Q6によりカレントミラーされ、かつそのミラー電流がMOSトランジスタQ7、Q3によりカレントミラーされた電流である。そして、そのシンク電流によりループフィルタ3の電荷が放電され、出力電圧VCONTは下がる。
【0016】
トランスコンダクタンス増幅器16は、ループフィルタ3が出力する出力電圧VCONT、すなわち制御電圧VCONTを抵抗R2とコンデンサC2によって低域ろ過(高周波成分を減衰)させた信号VFBを、MOSトランジスタQ6とMOSトランジスタQ7を共通接続した接続点のドレイン電位VXと比較し、この両電圧の差に比例する電流を出力し、この出力電流によりコンデンサC3を充放電させる。
【0017】
例えば、いま、出力電圧VCONTとドレイン電圧VXがVCONT=VXの状態、つまりVX=VFBの状態から、インバータ13にアップ信号UPが入力され、出力電圧VCONTが上昇して帰還電位VFBが上昇したものとする。この場合には、トランスコンダクタンス増幅器16は、コンデンサC3の電荷を放電させ、電位VNBを低下させて、MOSトランジスタQ8のドレイン電位VXを上昇させ、VFB=VXとなるような帰還動作を行う。
【0018】
このように、トランスコンダクタンス増幅器16は、MOSトランジスタQ2、Q3、Q6、Q7に流れる各電流を同一にし、MOSトランジスタQ2に流れるソース電流と、MOSトランジスタQ3に流れるシンク電流のミスマッチをなくすように動作する。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このような構成からなる周波数シンセサイザにおいて、その周波数シンセサイザの周波数設定の切り換え前後におけるチャージポンプ回路2の動作について、図9を参照して説明する。
ここで、図9は、図8に示すチャージポンプ回路2の出力電圧VCONTに対する出力電流IOUTの特性を示す出力特性図である。
【0020】
いま、周波数シンセサイザのロック時において、電圧制御発振器4の発振周波数に対応する出力電圧VOUTが、図9に示すように円形の点線部の範囲a、つまり出力電圧VCONTの電圧範囲の上限で設定されている場合を想定する。
また、その範囲aの状態から周波数設定を切り換え、電圧制御発振器4の発振周波数に対応する出力電圧VCONTが、図9に示す点線部bで設定されている場合を想定する。
【0021】
周波数シンセサイザの周波数設定の切り換え直後におけるチャージポンプ回路2の動作は、出力電圧VCONTを下げるためにMOSトランジスタ3がシンク電流(SINK)を流そうとする。しかし、出力電圧VCONTが高いため、MOSトランジスタQ6のドレイン電圧VXも高くなり、MOSトランジスタQ6のドレインとソースとの間の電位が小さくなり、MOSトランジスタQ6は線形領域動作をする。
【0022】
この結果、MOSトランジスタQ10からMOSトランジスタQ6へのカレントミラーは正常に動作せず、MOSトランジスタQ6には電流源14の定電流IBよりも少ない電流が流れる。MOSトランジスタQ6とMOSトランジスタQ7には同一の電流が流れる。また、MOSトランジスタQ7とMOSトランジスタQ3は、そのゲート、ソース、およびドレンの各電位が同一であるので、MOSトランジスタQ3に流れる電流はMOSトランジスタQ7に流れる電流と同一である。
【0023】
つまり、図9のaからbに切り換えた直後、出力電圧VCONTは図9に示すaに示すように高い電圧であるため、MOSトランジスタQ3のシンク電流SINKは点線で囲まれた部分a、即ち出力電流IOUTは定電流IBよりも小さな電流となる。この出力電流がループフィルタ3の蓄積電荷を放電するので、出力電圧VCONTの減少分は小さい。
【0024】
このように、シンク電流SINKは定電流IBよりも小さな電流であるが、ループフィルタ3に蓄積されている電荷を放電するので、出力電圧VCONTは図9のaからbに移行する。このため、シンク電流SINKも定電流IBに近づき、出力電圧VCONTは最終的に図9の点線部bの電圧値になる。
以上の説明からわかるように、図9のaからbへの切り換えの直後には、MOSトランジスタQ3は、シンク電流SINKとして定電流IBを流すことができないので、周波数シンセサイザのロックアップ時間が長くなるという不都合がある。
【0025】
図9に示す従来の特性を回避し、周波数シンセサイザのロックアップ時間を改善するためには、図9に示す特性図の特性のうち、シンク電流SINK側の点線で囲んだ部分aの特性を、図10に示すように点線aで囲んだようにすれば良い。すなわち、出力電圧VCONTが高い場合において、シンク電流SINK側の電流として定電流IBを流せるようにすれば良い。
【0026】
なお、図9のソース側であって出力電圧VCONTが上限の場合には、図示のように、MOSトランジスタQ2が流すソース電流SOURCEは定電流IBよりも小さくなる。しかし、周波数シンセサイザにおいては、出力電圧VCONTが上限の場合において、ソース電流SOURCEを流して出力電圧VCONTをさらに高くするような設定はないので、上記のような不都合はない。
【0027】
同様に、図9のシンク側であって出力電圧VCONTが下限の場合には、図示のように、MOSトランジスタQ3が流すシンク電流SINKは電流IBよりも小さくなる。しかし、周波数シンセサイザにおいては、出力電圧VCONTが下限の場合において、シンク電流SINKを流して出力電圧VCONTをさらに低くするような設定はないので、上記のような不都合はない。
【0028】
本発明の目的は、上記の点に鑑み、出力電圧を高い状態から低下させたい場合に、出力端子に接続される蓄積電荷を短時間で放電させてその出力電圧を短時間で低下させ、本発明を周波数シンセサイザに適用させた場合に、そのロックアップ時間の短縮化を図るようにしたチャージポンプ回路を提供することにある。
【0029】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決して本発明の目的を達成するために、請求項1〜請求項5に記載の発明は、以下のように構成した。
すなわち、請求項1に記載の発明は、コンデンサを充電または放電させるチャージポンプ回路であって、第1の制御信号に基づき前記コンデンサを充電させる電流を生成するための第1のトランジスタを含む充電手段と、第2の制御信号に基づき前記コンデンサの電荷を放電させる電流を生成するための第2のトランジスタを含む放電手段と、前記第1のトランジスタに相当するものであって、自己の入力端子がその第1のトランジスタの入力端子と接続される第3のトランジスタと、この第3のトランジスタと直列に接続され前記第2のトランジスタに相当するものであって、自己の入力端子がその第2のトランジスタの入力端子と接続される第4のトランジスタと、前記第1のトランジスタおよび前記第3のトランジスタにそれぞれ所定の電流を流す第1のカレントミラー回路と、前記第2トランジスタおよび前記第4のトランジスタにそれぞれ所定の電流を流す第2のカレントミラー回路と、前記コンデンサの電位を低域ろ過した電位と、前記第3のトランジスタおよび前記第4のトランジスタの共通接続部の電位とに基づき、前記両電位が同じになるように制御する制御電圧を生成する制御手段と、を備えたことを特徴とするものである。
【0030】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のチャージポンプ回路において、前記第1のカレントミラー回路と前記第2のカレントミラー回路とを選択的に動作させる第1の選択手段と、前記制御手段が生成する前記制御電圧を、前記第1のトランジスタおよび前記3のトランジスの各入力端子、または前記第2のトランジスタおよび前記4のトランジスタの各入力端子に対して選択的に供給する第2の選択手段と、をさらに備えたことを特徴とするものである。
【0031】
請求項3に記載の発明は、コンデンサを充電または放電させるチャージポンプ回路であって、第1の制御信号によりオンオフされる第1のトランジスタと、この第1のトランジスタに直列に接続され、第1のトランジスタがオンしたときに前記コンデンサを充電させる第2のトランジスタと、第2の制御信号によりオンオフされる第3のトランジスタと、この第3のトランジスタに直列に接続され、第3のトランジスタがオンしたときに前記コンデンサの充電電荷を放電させる第4のトランジスタと、前記第2のトランジスタに相当するものであって、自己の入力端子がその第2のトランジスタの入力端子と接続される第5のトランジスタと、この第5のトランジスタと直列に接続され前記第4のトランジスタに相当するものであって、自己の入力端子がその第4のトランジスタの入力端子と接続される第6のトランジスタと、前記第2のトランジスタおよび前記第5のトランジスタにそれぞれ所定の電流を流す第1のカレントミラー回路と、前記第4トランジスタおよび前記第6のトランジスタにそれぞれ所定の電流を流す第2のカレントミラー回路と、前記コンデンサの電位を低域ろ過した電位と、前記第5のトランジスタおよび前記第6のトランジスタの共通接続部の電位とを比較し、その比較結果に応じて前記両電位を同じに制御する制御電圧を生成する制御回路と、を備えたことを特徴とするものである。
【0032】
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載のチャージポンプ回路において、前記制御手段が生成する前記制御電圧を、前記第2のトランジスタおよび前記5のトランジスの各入力端子、または前記第4のトランジスタおよび前記6のトランジスタの各入力端子に対して選択的に供給する第1のスイッチと、前記第1のカレントミラー回路と前記第2のカレントミラー回路とを選択的に動作させる第2のスイッチと、をさらに備えたことを特徴とするものである。
【0033】
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載のチャージポンプ回路において、前記1のスイッチおよび前記第2のスイッチをオンオフさせる切り換え制御信号を生成する切り換え制御信号生成回路をさらに備え、前記切り換え制御信号生成回路は、前記コンデンサの両端の電圧を所定の基準電位と比較し、この比較結果に基づいて前記切り換え制御信号を生成するようになっており、かつその比較動作にヒステリシス機能を持たせるようにしたことを特徴とするものである。
【0034】
このような構成からなる本発明によれば、出力電圧を高い状態から低下させたい場合に、出力端子に接続される蓄積電荷を短時間で放電させてその出力電圧を短時間で低下させることができる。
このため、本発明を周波数シンセサイザの適用した場合には、その周波数シンセサイザのロックアップ時間の短縮化が図れる。
【0035】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のチャージポンプ回路の実施形態について、図面を参照して説明する。
まず、本発明の実施形態の具体的な構成の説明に先立ち、本発明の実施形態の基本的な考え方について説明する。
【0036】
本発明の実施形態は、図4(A)に示すような出力特性を持つ図8に示す従来のチャージポンプ回路と、同図(B)に示すような出力特性(図4(A)と対称的な出力特性)を持つ図3に示す新規なチャージポンプ回路とを合成し、同図(C)に示すような出力特性を持つ図1に示すようなチャージポンプ回路としたものである。
【0037】
すなわち、本発明の実施形態は、出力電圧VCONTが低い場合には図8に示すチャージポンプ回路を使用するようにし、出力電圧VCONTが高い場合には図3に示すチャージポンプ回路を使用するようにし、これにより出力電圧VCONTが高い場合であっても、図4(C)または図10に示すように、シンク電流SINKとして定電流IBを流すことを可能とするものである。
【0038】
次に、図3のチャージポンプ回路の構成について説明する。
このチャージポンプ回路は、図3に示すように、電源ライン11と接地ライン12との間に、定電流IBを供給する電流源17、N型のMOSトランジスタQ11、およびN型のMOSトランジスタQ12が直列に接続されている。
MOSトランジスタQ11は、MOSトランジスタQ7、Q3とでカレントミラー回路を形成し、MOSトランジスタQ7とMOSトランジスタQ3に電流源17の定電流IBと同じ電流が流れるようになっている。
【0039】
MOSトランジスタQ2とMOSトランジスタQ6の各ゲートは共通接続され、その共通接続部がコンデンサC4の一端およびトランスコンダクタンス増幅器16の出力端子に接続されている。そのコンデンサC4の他端は、電源ライン11に接続されている。
なお、他の部分の構成は、図8に示すチャージポンプ回路の構成と同様であるので、同一の構成要素には同一符号を付してその説明は省略する。
【0040】
次に、このような考え方を前提に構成した実施形態に係るチャージポンプ回路の具体例について、図1を参照して説明する。
この実施形態のチャージポンプ回路は、電源ライン11と接地ライン12との間に、P型のMOSトランジスタQ1、P型のMOSトランジスタQ2、N型のMOSトランジスタQ3、およびN型のMOSトランジスタQ4が直列に接続されている。
【0041】
MOSトランジスタQ1のゲートには、アップ信号UPをインバータ13で反転した信号が供給され、その信号によりMOSトランジスタQ1がオンオフ制御されるようになっている。MOSトランジスタQ4のゲートにはダウン信号DNが供給され、その信号によりMOSトランジスタQ4がオンオフ制御されるようになっている。
【0042】
電源ライン11と接地ライン12との間に、P型のMOSトランジスタQ5、P型のMOSトランジスタQ6、N型のMOSトランジスタQ7、およびN型のMOSトランジスタQ8が直列に接続されている。
ここで、MOSトランジスタQ5〜Q8は、MOSトランジスタQ1〜Q4に相当する。ただし、MOSトランジスタQ5のゲートが接地され、MOSトランジスタQ8のゲートに電源電圧が印加され、これによりMOSトランジスタQ5、Q8を常時、オン状態として動作させる点が異なる。
【0043】
電源ライン11と接地ライン12との間に、P型のMOSトランジスタQ9、P型のMOSトランジスタQ10、および定電流IBを供給する電流源14が直列に接続されている。
MOSトランジスタQ10は、MOSトランジスタQ6、Q2とでカレントミラー回路を形成し、MOSトランジスタQ6とMOSトランジスタQ2に電流源14の定電流IBと同一の電流が流れるようになっている。このために、MOSトランジスタQ10、Q6、Q2は、その各ゲートが共通接続されるとともに、MOSトランジスタQ10はそのゲートとドレインが接続されている。
【0044】
さらに、MOSトランジスタQ10、Q6、Q2からなるカレントミラー回路は、その一部にアナログスイッチSW3を含んでいる。そして、そのカレントミラー回路は、アナログスイッチSW3が閉じたときに動作し、アナログスイッチSW3が開いたときにその動作を停止するようになっている。
電源ライン11と接地ライン12との間に、定電流IBを供給する電流源17、N型のMOSトランジスタQ11、およびN型のMOSトランジスタQ12が直列に接続されている。
【0045】
MOSトランジスタQ11は、MOSトランジスタQ7、Q3とでカレントミラー回路を形成し、MOSトランジスタQ7とMOSトランジスタQ3に電流源17の定電流IBと同じ電流が流れるようになっている。このために、MOSトランジスタQ11、Q7、Q3は、その各ゲートが共通接続されるとともに、MOSトランジスタQ11はそのゲートとドレインが接続されている。
【0046】
さらに、MOSトランジスタQ11、Q7、Q3からなるカレントミラー回路は、その一部にアナログスイッチSW4を含んでいる。そして、カレントミラー回路は、アナログスイッチSW4が閉じたときに動作し、アナログスイッチSW4が開いたときにその動作を停止するようになっている。
MOSトランジスタQ2とMOSトランジスタQ6の各ゲートは上記のように共通接続され、その共通接続部がコンデンサC4の一端に接続されている。そのコンデンサC4の他端は、電源ライン11に接続されている。また、MOSトランジスタQ3とMOSトランジスタQ7の各ゲートは共通接続され、その共通接続部がコンデンサC3の一端に接続されている。そのコンデンサC3の他端は、接地ライン12に接続されている。
【0047】
トランスコンダクタンス増幅器16は、+入力端子にMOSトランジスタQ6とMOSトランジスタQ7を共通接続した接続点のドレイン電位VXが供給され、−入力端子にループフィルタ3が出力する出力電圧VCONTを抵抗R2とコンデンサC2で分割した帰還電位VFBが供給されるようになっている。
トランスコンダクタンス増幅器16の出力端子は、アナログスイッチSW1、SW2により選択的にコンデンサC3またはコンデンサC4の各一端と接続するようになっている。すなわち、トランスコンダクタンス増幅器16は、アナログアナログスイッチSW1が閉じているときにはその出力信号によりコンデンサC3を充放電させ、アナログスイッチSW2が閉じているときにはその出力信号によりコンデンサC4を充放電させるようになっている。
【0048】
つまり、トランスコンダクタンス増幅器16は、ループフィルタ3が出力する出力電圧VCONT(上記の帰還電圧VFB)を、MOSトランジスタQ6とMOSトランジスタQ7のドレイン電位VXと比較し、この両電圧の差に比例する電流を出力し、この出力電流によりコンデンサC3またはコンデンサC4を選択的に充放電させる制御回路を形成している。そして、この制御回路は、出力電圧VCONTの変化に追随してドレイン電圧VXが変化し、VCONT=VXとなるような制御を行う。
【0049】
アナログスイッチSW1〜SW4は、図2に示すように構成されるので、その一例としてアナログスイッチSW1について説明する。
すなわち、アナログスイッチSW1は、図2に示すように、P型のMOSトランジスタQ21とN型のMOSトランジスタQ22が並列に接続され、切り換え制御信号SWPがMOSトランジスタQ22のゲートに供給され、切り換え制御信号SWPをインバータ21で反転した信号がMOSトランジスタQ21のゲートに供給されるようになっている。
【0050】
次に、アナログスイッチSW1〜SW4をオンオフさせる切り換え制御信号SWN、SWPを生成する切り換え制御信号生成回路31の構成例について、図5を参照して説明する。
この実施形態では、出力電圧VCONTが低い場合には図4(A)の出力特性となるように動作させるためにアナログスイッチSW1、SW3を閉じた状態にし、出力電圧VCONTが高い場合には同図(B)の出力特性となるように動作させるためにアナログスイッチSW2、SW4を閉じた状態にし、全体として同図(C)の出力特性となるように動作させるが、その動作の切り換えの基準電圧を、例えば同図に示すように(1/2)×VDD〔V〕とする。ここで、VDDは、電源電圧である。
【0051】
この場合に、出力電圧VCONTの値が(1/2)×VDD〔V〕付近に設定されると、そのアナログスイッチSW1〜SW4の切り換えが頻繁に行われて動作が不安定となるので、アナログスイッチSW1〜SW4の頻繁な切り換え動作を防止する必要がある。
そこで、切り換え制御信号発生回路31は、出力電圧VCONTをその基準電圧と比較し、この比較結果に基づいて切り換え制御信号SWN、SWP生成するようにしたが、その比較動作の際に図6に示すようなヒステリシス特性を持たせるようにした。
【0052】
これを具体化した切り換え制御信号生成回路31は、図5に示すように、抵抗R11〜R13と、コンパレータ32、33と、ナンド回路34、35からなるSRラッチフリップフロップとから構成される。
抵抗R11〜R13は、電源電圧VDDを分圧し、図6に示すような上側の基準電圧VHと下側の基準電圧VLとを得るようになっている。このため、抵抗R11〜R13は直列接続され、その一端に電源電圧VDDが供給され、その他端が接地されている。
【0053】
コンパレータ32は、チャージポンプ回路の出力電圧VCONTを基準電圧VHと比較し、その比較結果に応じた出力電圧を出力するようになっている。また、コンパレータ33は、チャージポンプ回路の出力電圧VCONTを基準電圧VLと比較し、その比較結果に応じた出力電圧を出力するようになっている。
ナンド回路34は、一方の入力端子がコンパレータ32の出力端子と接続され、他方の入力端子がナンド回路35の出力端子と接続されている。そして、ナンド回路34の出力端子からは切り換え制御信号SWNが出力されるようになっている。
【0054】
ナンド回路35は、一方の入力端子がコンパレータ33の出力端子と接続され、他方の入力端子がナンド回路34の出力端子と接続されている。そして、ナンド回路35の出力端子からは切り換え制御信号SWPが出力されるようになっている。
次に、このような構成からなる実施形態の動作の概要について、図面を参照して説明する。
【0055】
まず、アナログスイッチSW1とアナログスイッチSW3とがオン状態の場合には、アナログスイッチSW1によりトランスコンダクタンス増幅器16の出力端子がコンデンサC3に接続され、アナログスイッチSW3によりMOSトランジスタQ10、Q6、Q2がカレントミラー回路が形成される。このため、図1のチャージポンプ回路の構成は、図8のチャージポンプ回路と同様になり、その出力特性は、図4(A)に示すようになる。
【0056】
一方、アナログスイッチSW2とアナログスイッチSW4とがオン状態の場合には、アナログスイッチSW2によりトランスコンダクタンス増幅器16の出力端子がコンデンサC4に接続され、アナログスイッチSW4によりMOSトランジスタQ11、Q7、Q3がカレントミラー回路が形成される。このため、図1のチャージポンプ回路の構成は、図3のチャージポンプ回路と同様になり、その出力特性は、図4(B)に示すようになる。
【0057】
次に、この実施形態の動作の詳細について、図面を参照して説明する。
図5に示す切り換え制御信号生成回路31において、出力電圧VCONTと基準電圧VLの関係が、VCONT<VLの場合には、切り換え制御信号SWNは「L」レベル、切り換え制御信号SWPは「H」レベルとなる。このため、アナログスイッチSW1、SW3がオンとなり、このときは、図1のチャージポンプ回路は、図8のチャージポンプ回路と同様になり、その出力特性は、図4(A)に示すようになる。
【0058】
次に、VCONT<VLの状態から、インバータ13にアップ信号UPが入力され、MOSトランジスタQ1が導通状態になったものとする。これにより、MOSトランジスタQ2に流れるソース電流によりループフィルタ3に電荷が注入され、すなわちループフィルタ3のコンデンサが充電され、出力電圧VCONTが上昇する。
【0059】
そして、出力電圧VCONTと基準電圧VHの関係が、VCONT<VHからVCONT>VHになると、切り換え制御信号生成回路31から出力される切り換え制御信号SWNは「H」レベル、切り換え制御信号SWPは「L」レベルとなる。
この結果、アナログスイッチSW1、SW3がオフ状態となり、アナログスイッチSW2、SW4がオン状態となり、このときは、図1のチャージポンプ回路は、図3のチャージポンプ回路と同様になり、その出力特性は、図4(B)に示すようになる。
【0060】
次に、VCONT>VHの状態から、MOSトランジスタQ4のゲートにダウン信号DNが入力され、MOSトランジスタQ4が導通状態になったものとする。これにより、MOSトランジスタQ3に流れるシンク電流によりループフィルタ3の電荷が放電され、すなわちコンデンサの充電電荷が放電され、出力電圧VCONTが低下する。
【0061】
そして、出力電圧VCONTと基準電圧VLの関係が、VCONT>VLからVCONT<VLとなると、切り換え制御信号生成回路31から出力される切り換え制御信号SWNは「L」レベル、切り換え制御信号SWPは「H」レベルとなる。
この結果、アナログスイッチSW2、SW4がオフ状態となり、アナログスイッチSW1、SW3がオン状態となり、このときは、図1のチャージポンプ回路は、図8のチャージポンプ回路と同様になり、その出力特性は、図4(A)に示すようになる。
【0062】
なお、トランスコンダクタンス増幅器16の動作は、図8に示すトランスコンダクタンス増幅器16の動作を基本的に同様であるので、ここではその説明は省略する。
以上説明したように、この実施形態では、切り換え制御信号生成回路31からの切り換え制御信号SWN、SWPによりアナログスイッチSW1〜SW4をオンオフ制御することにより、図4(A)に示すような出力特性の動作と、同図(B)に示すような出力特性の動作を選択的に行い、全体として同図(C)に示す出力特性の動作を行うようにした。
【0063】
このため、この実施形態によれば、出力電圧VCONTが高い場合であっても、図4(C)に示すように、シンク電流として電流IBを流すこと可能となる。この結果、この実施形態を周波数シンセサイザの適用した場合には、その周波数シンセサイザのロックアップ時間の短縮化が図れる。
【0064】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、出力電圧を高い状態から低下させたい場合に、出力端子に接続される蓄積電荷を短時間で放電させてその出力電圧を短時間で低下させることができる。このため、本発明を周波数シンセサイザの適用した場合には、その周波数シンセサイザのロックアップ時間の短縮化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のチャージポンプ回路の実施形態の構成を示す回路図である。
【図2】図1に示すアナログスイッチの構成を示す回路図である。
【図3】本発明のチャージポンプ回路の実施形態のうち、図4(B)の出力特性を実現するための回路図である。
【図4】本発明のチャージポンプ回路の実施形態の出力特性を説明するための説明図である。
【図5】切り換え制御信号生成回路の構成を示す回路図である。
【図6】切り換え制御信号生成回路のヒステリシス特性を説明する説明図である。
【図7】従来の周波数シンセサイザの構成を示すブロック図である。
【図8】従来のチャージポンプ回路の構成を示す回路図である。
【図9】そのチャージポンプ回路の出力特性を示す図である。
【図10】その従来の出力特性の改善させた場合の出力特性を示す図である。
【符号の簡単な説明】
SW1〜SW4 アナログスイッチ
R11〜R13 抵抗
3 ループフィルタ
11 電源ライン
12 接地ライン
13 インバータ
14、17 電流源
16 トランスコンダクタンス増幅器
31 切り換え制御信号生成回路
32、33 コンパレータ
34、35 ナンド回路

Claims (5)

  1. コンデンサを充電または放電させるチャージポンプ回路であって、
    第1の制御信号に基づき前記コンデンサを充電させる電流を生成するための第1のトランジスタを含む充電手段と、
    第2の制御信号に基づき前記コンデンサの電荷を放電させる電流を生成するための第2のトランジスタを含む放電手段と、
    前記第1のトランジスタに相当するものであって、自己の入力端子がその第1のトランジスタの入力端子と接続される第3のトランジスタと、
    この第3のトランジスタと直列に接続され前記第2のトランジスタに相当するものであって、自己の入力端子がその第2のトランジスタの入力端子と接続される第4のトランジスタと、
    前記第1のトランジスタおよび前記第3のトランジスタにそれぞれ所定の電流を流す第1のカレントミラー回路と、
    前記第2トランジスタおよび前記第4のトランジスタにそれぞれ所定の電流を流す第2のカレントミラー回路と、
    前記コンデンサの電位を低域ろ過した電位と、前記第3のトランジスタおよび前記第4のトランジスタの共通接続部の電位とに基づき、前記両電位が同じになるように制御する制御電圧を生成する制御手段と、
    を備えたことを特徴とするチャージポンプ回路。
  2. 前記第1のカレントミラー回路と前記第2のカレントミラー回路とを選択的に動作させる第1の選択手段と、
    前記制御手段が生成する前記制御電圧を、前記第1のトランジスタおよび前記3のトランジスの各入力端子、または前記第2のトランジスタおよび前記4のトランジスタの各入力端子に対して選択的に供給する第2の選択手段と、
    をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載のチャージポンプ回路。
  3. コンデンサを充電または放電させるチャージポンプ回路であって、
    第1の制御信号によりオンオフされる第1のトランジスタと、
    この第1のトランジスタに直列に接続され、第1のトランジスタがオンしたときに前記コンデンサを充電させる第2のトランジスタと、
    第2の制御信号によりオンオフされる第3のトランジスタと、
    この第3のトランジスタに直列に接続され、第3のトランジスタがオンしたときに前記コンデンサの充電電荷を放電させる第4のトランジスタと、
    前記第2のトランジスタに相当するものであって、自己の入力端子がその第2のトランジスタの入力端子と接続される第5のトランジスタと、
    この第5のトランジスタと直列に接続され前記第4のトランジスタに相当するものであって、自己の入力端子がその第4のトランジスタの入力端子と接続される第6のトランジスタと、
    前記第2のトランジスタおよび前記第5のトランジスタにそれぞれ所定の電流を流す第1のカレントミラー回路と、
    前記第4トランジスタおよび前記第6のトランジスタにそれぞれ所定の電流を流す第2のカレントミラー回路と、
    前記コンデンサの電位を低域ろ過した電位と、前記第5のトランジスタおよび前記第6のトランジスタの共通接続部の電位とを比較し、その比較結果に応じて前記両電位を同じに制御する制御電圧を生成する制御回路と、
    を備えたことを特徴とするチャージポンプ回路。
  4. 前記制御手段が生成する前記制御電圧を、前記第2のトランジスタおよび前記5のトランジスの各入力端子、または前記第4のトランジスタおよび前記6のトランジスタの各入力端子に対して選択的に供給する第1のスイッチと、
    前記第1のカレントミラー回路と前記第2のカレントミラー回路とを選択的に動作させる第2のスイッチと、
    をさらに備えたことを特徴とする請求項3に記載のチャージポンプ回路。
  5. 前記1のスイッチおよび前記第2のスイッチをオンオフさせる切り換え制御信号を生成する切り換え制御信号生成回路をさらに備え、
    前記切り換え制御信号生成回路は、前記コンデンサの両端の電圧を所定の基準電位と比較し、この比較結果に基づいて前記切り換え制御信号を生成するようになっており、かつその比較動作にヒステリシス機能を持たせるようにしたことを特徴とする請求項4に記載のチャージポンプ回路。
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