【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、正の抵抗温度特性を有し、ヒータ、温度検知、過電流保護などの用途に用いられる正特性サーミスタ素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
正特性サーミスタ素子は、例えば、ＢａＴｉＯ３系の半導体セラミックからなり、正特性サーミスタ素子の抵抗温度特性は、半導体セラミックの結晶粒界が酸化されることにより発現する。したがって、正特性サーミスタ素子を製造する際には、大気中で焼成を行うことが一般的である。
【０００３】
例えば、特開平３−１６５００３号公報では、図４に示すような正特性サーミスタ素子の製造方法が開示されている。この製造方法では、焼成後にサーミスタ素子となるセラミック成形体１２を箱状のサヤ１１に収容し、サヤ１１上にスペーサー１３を介して平板状のフタ１４を被せて焼成している。サヤ１１の両側面にはセラミック製の板１５が配置され、サヤ１１の底面にはセラミック製の棒１６が配置されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の製造方法では、セラミック成形体１２の組成に揮発性成分（例えばＰｂなど）が含まれる場合、その成分がスペーサ１３により形成された隙間から逃げてしまい、サヤ１１内の雰囲気が安定しない。このため、焼成後の正特性サーミスタ素子の抵抗温度特性が低下してしまうという問題があった。また、サヤ１１底部には熱がこもるため、その熱がサヤ１１上に配置されたセラミック成形体１２に伝わり、焼成後の正特性サーミスタ素子の比抵抗が高くなってしまうという問題があった。
【０００５】
本発明の目的は、安定した抵抗温度特性および低比抵抗を有する正特性サーミスタ素子の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る正特性サーミスタ素子の製造方法は、平板上に正特性サーミスタ素子用のセラミック成形体を配置し、下面が開口した箱状のフタを、セラミック成形体を覆った状態で平板上に載置し、平板と箱状のフタの開口下面との間に隙間を設けて、セラミック成形体を焼成することを特徴とする。
【０００７】
また、上記正特性サーミスタ素子の製造方法において、平板と箱状のフタとの間にスペーサーを配置することにより、隙間を形成することが好ましい。
【０００８】
また、上記正特性サーミスタ素子の製造方法において、セラミック成形体は、多段状に配置されていることが好ましい。また、この場合、平板と箱状のフタとの間の隙間は０．３〜２．０ｍｍであることが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明に係る正特性サーミスタ素子の製造方法の一実施形態を示す一部切り欠き斜視図であり、図２は、図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図１および図２に示すように、平板１上には、正特性サーミスタ素子用のセラミック成形体２（以下、セラミック成形体２と省略する）が多段状に積み重ねて配置されている。また、平板１上には、セラミック成形体２を覆った状態で、箱状のフタ４が配置されている。また、図１に示すように、平板１と箱状のフタ４との間には、スペーサー３により隙間Ｇが形成されている。このようにして、セラミック成形体２は、隙間Ｇを除いて平板１および箱状のフタ４に囲まれた焼成空間Ｓにて焼成される。
【００１０】
平板１、スペーサー３、および箱状のフタ４は、例えば、アルミナ、ムライトなどのセラミックからなる。なお、隙間Ｇを形成する手段はスペーサー３に限られず、例えば、箱状のフタ４を上方から吊り下げて支持することにより隙間Ｇを形成してもよい。また、図３に示すように、箱状のフタ４に脚部４ａを設けることにより、隙間Ｇを形成してもよい。
【００１１】
セラミック成形体２は、正特性サーミスタ用のセラミック材料を混合し、円板や角板など一定の形状に成形したものである。ここで、セラミック材料としては、例えば、ＢａＴｉＯ３粉末に、半導体化剤としてＹ２Ｏ３やＬａ２Ｏ３などの希土類酸化物粉末を添加したものを用いることができる。また、ＢａＴｉＯ３系セラミックを用いる場合は、Ｂａサイトの一部を、Ｐｂ，Ｓｒ，Ｃａなどで置換してもよい。また、粒成長抑制剤としてＳｉＯ２がさらに添加されていてもよく、特性改善剤としてＭｎＯ２がさらに添加されていてもよい。なお、セラミック成形体２の組成に含まれ得る元素のうち、揮発性のものとしては、Ｐｂ，Ｓｉなどが挙げられる。
【００１２】
図１および図２に示すように、セラミック成形体２を多段状に配置することにより、正特性サーミスタ素子の量産性が向上する。セラミック成形体２を多段状に配置する際には、隣接するセラミック成形体２どうしの反応を防ぐために、セラミック成形体２間にＺｒＯ２からなる粉末を敷いておいてもよい。
【００１３】
このような状態でセラミック成形体２を焼成すれば、セラミック成形体２に含まれるＰｂなどの揮発性成分は、焼成空間Ｓ内に滞留するため、焼成空間Ｓの雰囲気が安定する。したがって、焼成後の正特性サーミスタ素子の抵抗温度特性が低下するのを防ぐことができる。また、上段に配置されたセラミック成形体に含まれる揮発性成分の流出を抑えることができるため、多段状に配置して焼成された正特性サーミスタ素子の抵抗温度特性のバラツキが小さくなる。
【００１４】
同時に、平板１の熱が隙間Ｇを通じて外部に放熱されやすいため、焼成後の正特性サーミスタ素子の比抵抗が高くなるのを抑えることができる。また、下段に配置されたセラミック成形体２が平板１から受ける熱が少なくなり、多段状に配置して焼成された正特性サーミスタ素子の比抵抗のバラツキが小さくなる。
【００１５】
また、隙間Ｇは０．３〜２．０ｍｍであることが好ましい。隙間Ｇが０．３ｍｍ未満であると、焼成空間Ｓ内の熱分布が不均一になるため、比抵抗のバラツキが大きくなることがある。一方、隙間Ｇが２．０ｍｍを超えると、Ｐｂなどの揮発性成分の揮発量が多くなるため、比抵抗のバラツキが大きくなることがある。
【００１６】
なお、本実施形態では、多段状にセラミック成形体２を配置しているが、平板１上にセラミック成形体２を一つずつ配置してもかまわない。この場合、焼成後の正特性サーミスタ素子の抵抗温度特性が低下するのを防ぎ、焼成後の正特性サーミスタ素子の比抵抗が高くなるのを抑えることができる。
【００１７】
【実施例】
本発明に係る正特性サーミスタ素子の製造方法に基づいて、以下のようにして正特性サーミスタ素子を作製した。
【００１８】
まず、出発原料として、ＢａＣＯ３，ＴｉＯ２，Ｐｂ３Ｏ４，ＣａＣＯ３，ＳｒＣＯ３，ＭｎＯ２，Ｙ２Ｏ３，ＳｉＯ２の各酸化物粉末を準備し、下記の式：
（Ｂａ（０．８６５−ｘ−ｙ）ＰｂｘＳｒ０．１３ＣａｙＹ０．００５）ＴｉＯ３＋０．００１Ｍｎ＋０．０２ＳｉＯ２
で表されるような組成になるように混合した。なお、下記の表１に示すように、ＰｂおよびＣａに関しては組成比の異なるものをいくつか準備した。
【００１９】
次に、得られた混合粉末に純水を添加し、ジルコニアビーズを用いてポットミルで２時間湿式混合し、脱水、乾燥した後、１１５０℃で２時間仮焼し、粉砕した。次に、得られた仮焼粉末に、バインダーとして酢酸ビニルを混合して造粒した後、プレス成形機により成形して、６．０ｍｍ×６．０ｍｍ×０．５ｍｍの角板状のセラミック成形体を作製した。
【００２０】
次に、アルミナからなる１００ｍｍ×２００ｍｍ×５ｍｍの平板を準備し、この平板上に、セラミック成形体を２０段積んだ。各セラミック成形体２０間にはＺｒＯ２からなる粉末を敷いておいた。
【００２１】
次に、異なる高さのスペーサーを何組か準備し、平板の４隅に配置した。次に、アルミナからなり下面が開口した１００ｍｍ×２００ｍｍ×３０ｍｍの箱状のフタを、スペーサーを介して平板上に被せた。次に、箱状のフタが被せられた平板を焼成炉に入れ、１３５０℃で２時間焼成し、５．０ｍｍ×５．０ｍｍ×０．４ｍｍのサーミスタ素子を作製した。
【００２２】
一方、これとは別に、上記の方法と同様にして、６．０ｍｍ×６．０ｍｍ×５ｍｍの角板状のセラミック成形体を作製した。次に、アルミナからなり上面が開口した１００ｍｍ×２００ｍｍ×３０ｍｍの箱状の容器を準備し、この中に、セラミック成形体を２０段積んだ。各セラミック成形体間にはＺｒＯ２からなる粉末を敷いておいた。
【００２３】
次に、異なる高さのスペーサーを何組か準備し、箱状の容器の４隅に配置した。次に、アルミナからなる１００ｍｍ×２００ｍｍ×５ｍｍの平板を準備し、スペーサーを介して箱状の容器に被せた。次に、平板が被せられた箱状の容器を焼成炉に入れ、１３５０℃で２時間焼成し、５．０ｍｍ×５．０ｍｍ×０．４ｍｍのサーミスタ素子を作製した。
【００２４】
本実施例では、下記の表１に示すように、Ｐｂ，Ｃａの組成比およびスペーサーの高さを変えることにより、サーミスタ素子の試料群Ｔ１〜Ｔ１３（各試料群には、２０個のサーミスタ素子が含まれている）を作製した。なお、試料群Ｔ１〜Ｔ８は、平板上に箱状のフタを被せて焼成したもの（本発明に係る製造方法）であり、試料群Ｔ９〜Ｔ１３は、箱状の容器に平板を被せて焼成したもの（従来の製造方法）である。
【００２５】
次に、試料群Ｔ１〜Ｔ１３に含まれる各サーミスタ素子の中から、下から１段目（最下段）、１１段目（中段）、２０段目（最上段）に配置されたサーミスタ素子を取り出し、これらの両主面にＩｎ−Ｇａからなる電極を焼き付け、温度係数α１０−１００（％／℃）、比抵抗（Ω・ｃｍ）、および抵抗バラツキ３ＣＶ（％）を測定した。なお、３ＣＶ＝（３×σ÷ξ）×１００（ただし、σ：標準偏差、ξ：平均値）である。この結果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】
表１からわかるように、本発明に係る正特性サーミスタの製造方法により製造された試料群Ｔ１〜Ｔ８は、従来の正特性サーミスタ素子の製造方法により製造された試料群Ｔ９〜Ｔ１３に比べて、抵抗温度特性が高く、抵抗温度特性のバラツキが小さく、比抵抗が低く、抵抗バラツキが小さい。特に、試料群Ｔ１〜Ｔ８については、全般的に正特性サーミスタ素子の比抵抗が低くなっている。
【００２８】
また、試料群Ｔ１〜Ｔ５から、スペーサーの高さ、すなわち平板と箱状のフタとの間の隙間が０．３〜２．０ｍｍのとき、正特性サーミスタ素子の抵抗バラツキが小さく抑えられていることがわかる。
【００２９】
【発明の効果】
本発明に係る正特性サーミスタ素子の製造方法では、正特性サーミスタ素子用のセラミック成形体が配置された平板と、平板に被せられた箱状のフタとの間の隙間が、セラミック成形体と同じかそれ以下の高さ位置に形成されている。
【００３０】
これにより、セラミック成形体に含まれる揮発性成分が、平板と箱状のフタとで形成される焼成空間から流出しにくくなり、焼成空間の雰囲気が安定する。したがって、正特性サーミスタ素子の抵抗温度特性の低下を防ぐことができる。
【００３１】
また、焼成時に平板に滞留する熱が隙間を通じて外部に放熱されやすいため、平板上に配置されたセラミック成形体に余分な熱が伝わりにくい。したがって、正特性サーミスタ素子の比抵抗を低く抑えることができる。
【００３２】
さらに、セラミック成形体を多段状に配置して焼成する場合、焼成後の正特性サーミスタ素子の抵抗バラツキ、および抵抗温度特性のバラツキを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る正特性サーミスタ素子の製造方法の一実施形態を示す一部切り欠き斜視図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】本発明に係る正特性サーミスタ素子の製造方法の他の実施形態を示す一部切り欠き斜視図である。
【図４】従来の正特性サーミスタ素子の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 平板
２ 正特性サーミスタ素子用のセラミック成形体
３ スペーサー
４ 箱状のフタ
４ａ 脚部
Ｇ 隙間
Ｓ 焼成空間[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of manufacturing a positive temperature coefficient thermistor element having a positive resistance temperature characteristic and used for applications such as a heater, temperature detection, and overcurrent protection.
[0002]
[Prior art]
The positive temperature coefficient thermistor element is made of, for example, a BaTiO 3 -based semiconductor ceramic, and the resistance temperature characteristic of the positive temperature coefficient thermistor element is developed by oxidizing the crystal grain boundaries of the semiconductor ceramic. Therefore, when manufacturing a positive temperature coefficient thermistor element, it is general to perform firing in the air.
[0003]
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-165003 discloses a method of manufacturing a positive temperature coefficient thermistor element as shown in FIG. In this manufacturing method, a ceramic molded body 12 to be a thermistor element after firing is housed in a box-shaped sheath 11, and a flat lid 14 is put on the sheath 11 via a spacer 13 and fired. Ceramic plates 15 are arranged on both sides of the sheath 11, and ceramic rods 16 are arranged on the bottom surface of the sheath 11.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above manufacturing method, when a volatile component (for example, Pb or the like) is included in the composition of the ceramic molded body 12, the component escapes from the gap formed by the spacer 13, and the atmosphere in the sheath 11 is stable. do not do. For this reason, there has been a problem that the temperature coefficient of resistance of the PTC thermistor element after firing is reduced. Further, since heat is trapped at the bottom of the sheath 11, the heat is transmitted to the ceramic molded body 12 disposed on the sheath 11, and there is a problem that the specific resistance of the fired positive temperature coefficient thermistor element increases.
[0005]
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a positive temperature coefficient thermistor element having stable resistance temperature characteristics and low specific resistance.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The method for manufacturing a positive temperature coefficient thermistor element according to the present invention is as follows. The ceramic compact is fired by placing a gap between the flat plate and the lower surface of the opening of the box-shaped lid.
[0007]
In the method of manufacturing a positive temperature coefficient thermistor element, it is preferable to form a gap by disposing a spacer between the flat plate and the box-shaped lid.
[0008]
In the method of manufacturing a positive temperature coefficient thermistor element, it is preferable that the ceramic molded bodies are arranged in a multi-stage shape. In this case, the gap between the flat plate and the box-shaped lid is preferably 0.3 to 2.0 mm.
[0009]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing one embodiment of a method of manufacturing a positive temperature coefficient thermistor element according to the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. As shown in FIGS. 1 and 2, on a flat plate 1, ceramic molded bodies 2 for a positive temperature coefficient thermistor element (hereinafter abbreviated as ceramic molded bodies 2) are stacked and arranged in a multistage manner. Further, a box-shaped lid 4 is arranged on the flat plate 1 so as to cover the ceramic molded body 2. Further, as shown in FIG. 1, a gap G is formed between the flat plate 1 and the box-shaped lid 4 by the spacer 3. Thus, the ceramic molded body 2 is fired in the firing space S surrounded by the flat plate 1 and the box-shaped lid 4 except for the gap G.
[0010]
The flat plate 1, the spacer 3, and the box-shaped lid 4 are made of, for example, ceramics such as alumina and mullite. The means for forming the gap G is not limited to the spacer 3, and the gap G may be formed by, for example, suspending and supporting the box-shaped lid 4 from above. Further, as shown in FIG. 3, the gap G may be formed by providing the leg portion 4a on the box-shaped lid 4.
[0011]
The ceramic molded body 2 is formed by mixing a ceramic material for a positive temperature coefficient thermistor and molding it into a fixed shape such as a disk or a square plate. Here, as the ceramic material, for example, a material obtained by adding a rare earth oxide powder such as Y 2 O 3 or La 2 O 3 as a semiconducting agent to BaTiO 3 powder can be used. When a BaTiO 3 ceramic is used, a part of the Ba site may be replaced with Pb, Sr, Ca, or the like. Further, SiO 2 may be further added as a grain growth inhibitor, and MnO 2 may be further added as a property improving agent. In addition, among the elements that can be included in the composition of the ceramic molded body 2, examples of the volatile elements include Pb and Si.
[0012]
As shown in FIGS. 1 and 2, by arranging the ceramic molded bodies 2 in multiple stages, the mass productivity of the PTC thermistor elements is improved. When arranging the ceramic molded bodies 2 in a multi-stage manner, a powder made of ZrO 2 may be spread between the ceramic molded bodies 2 in order to prevent a reaction between adjacent ceramic molded bodies 2.
[0013]
If the ceramic molded body 2 is fired in such a state, volatile components such as Pb contained in the ceramic molded body 2 stay in the firing space S, so that the atmosphere in the firing space S is stabilized. Therefore, it is possible to prevent the resistance-temperature characteristics of the fired PTC thermistor element from deteriorating. Further, since the outflow of the volatile components contained in the ceramic molded body arranged in the upper stage can be suppressed, the variation in the resistance-temperature characteristics of the positive characteristic thermistor elements arranged and fired in multiple stages is reduced.
[0014]
At the same time, since the heat of the flat plate 1 is easily radiated to the outside through the gap G, an increase in the specific resistance of the fired PTC thermistor element can be suppressed. Further, the heat received from the flat plate 1 by the ceramic molded body 2 arranged in the lower stage is reduced, and the variation in the specific resistance of the positive temperature coefficient thermistor elements arranged and fired in multiple stages is reduced.
[0015]
Further, the gap G is preferably 0.3 to 2.0 mm. If the gap G is less than 0.3 mm, the heat distribution in the firing space S will be non-uniform, and the variation in specific resistance may be large. On the other hand, if the gap G exceeds 2.0 mm, the volatilization amount of volatile components such as Pb increases, and the variation in specific resistance may increase.
[0016]
In the present embodiment, the ceramic molded bodies 2 are arranged in a multi-stage manner, but the ceramic molded bodies 2 may be arranged on the flat plate 1 one by one. In this case, it is possible to prevent the resistance-temperature characteristics of the fired PTC thermistor element from deteriorating, and to suppress an increase in the specific resistance of the fired PTC thermistor element.
[0017]
【Example】
A positive temperature coefficient thermistor element was manufactured as follows based on the method for manufacturing a positive temperature coefficient thermistor element according to the present invention.
[0018]
First, oxide powders of BaCO 3 , TiO 2 , Pb 3 O 4 , CaCO 3 , SrCO 3 , MnO 2 , Y 2 O 3 and SiO 2 are prepared as starting materials, and the following formula:
(Ba (0.865-x-y ) Pb x Sr 0.13 Ca y Y 0.005) TiO 3 + 0.001Mn + 0.02SiO 2
Was mixed so as to have a composition represented by As shown in Table 1 below, some Pb and Ca having different composition ratios were prepared.
[0019]
Next, pure water was added to the obtained mixed powder, wet-mixed using a zirconia bead with a pot mill for 2 hours, dehydrated and dried, and then calcined at 1150 ° C. for 2 hours and pulverized. Next, the obtained calcined powder is mixed with vinyl acetate as a binder, granulated, and then molded by a press molding machine to form a square plate-shaped ceramic of 6.0 mm × 6.0 mm × 0.5 mm. The body was made.
[0020]
Next, a 100 mm x 200 mm x 5 mm flat plate made of alumina was prepared, and 20 ceramic molded bodies were stacked on the flat plate. A powder made of ZrO 2 was spread between the ceramic molded bodies 20.
[0021]
Next, several sets of spacers having different heights were prepared and arranged at the four corners of the flat plate. Next, a box-shaped lid of 100 mm × 200 mm × 30 mm made of alumina and having an open lower surface was placed on the flat plate via a spacer. Next, the flat plate covered with the box-shaped lid was placed in a firing furnace and fired at 1350 ° C. for 2 hours to produce a thermistor element of 5.0 mm × 5.0 mm × 0.4 mm.
[0022]
On the other hand, separately from this, a square plate-shaped ceramic molded body of 6.0 mm × 6.0 mm × 5 mm was produced in the same manner as the above method. Next, a 100 mm × 200 mm × 30 mm box-shaped container made of alumina and having an open top surface was prepared, and 20 ceramic molded bodies were stacked therein. A powder made of ZrO 2 was spread between the ceramic molded bodies.
[0023]
Next, several sets of spacers having different heights were prepared and arranged at the four corners of the box-shaped container. Next, a 100 mm x 200 mm x 5 mm flat plate made of alumina was prepared and placed on a box-shaped container via a spacer. Next, the box-shaped container covered with the flat plate was placed in a firing furnace and fired at 1350 ° C. for 2 hours to produce a thermistor element of 5.0 mm × 5.0 mm × 0.4 mm.
[0024]
In the present embodiment, as shown in Table 1 below, by changing the composition ratio of Pb and Ca and the height of the spacer, the sample groups T1 to T13 of the thermistor elements (each sample group has 20 thermistor elements) Is included). Note that the sample groups T1 to T8 are those obtained by placing a box-shaped lid on a flat plate and firing (the manufacturing method according to the present invention), and the sample groups T9 to T13 are placed on a flat container and fired. (A conventional manufacturing method).
[0025]
Next, from the thermistor elements included in the sample groups T1 to T13, the thermistor elements arranged at the first stage (lowest stage), the eleventh stage (middle stage), and the twentieth stage (top stage) from the bottom are taken out. Then, electrodes made of In—Ga were baked on both of these main surfaces, and the temperature coefficient α 10-100 (% / ° C.), the specific resistance (Ω · cm), and the resistance variation 3 CV (%) were measured. Note that 3CV = (3 × σ ×) × 100 (where σ: standard deviation, ξ: average value). Table 1 shows the results.
[0026]
[Table 1]
[0027]
As can be seen from Table 1, the sample groups T1 to T8 manufactured by the method of manufacturing a positive temperature coefficient thermistor according to the present invention are compared with the sample groups T9 to T13 manufactured by the conventional method of manufacturing a positive temperature coefficient thermistor element. High resistance-temperature characteristics, small variations in resistance-temperature characteristics, low specific resistance, small resistance variations. In particular, in the sample groups T1 to T8, the specific resistance of the positive temperature coefficient thermistor element is generally low.
[0028]
From the sample groups T1 to T5, when the height of the spacer, that is, the gap between the flat plate and the box-shaped lid is 0.3 to 2.0 mm, the resistance variation of the positive temperature coefficient thermistor element is suppressed to a small value. You can see that.
[0029]
【The invention's effect】
In the method of manufacturing a positive temperature coefficient thermistor element according to the present invention, the gap between the flat plate on which the ceramic molded body for the positive temperature coefficient thermistor element is arranged and the box-shaped lid covered on the flat plate is the same as the ceramic molded body. Or less than that.
[0030]
This makes it difficult for volatile components contained in the ceramic molded body to flow out of the firing space formed by the flat plate and the box-shaped lid, and stabilizes the atmosphere in the firing space. Therefore, it is possible to prevent a decrease in the resistance temperature characteristic of the positive temperature coefficient thermistor element.
[0031]
Further, since heat retained in the flat plate during firing is easily radiated to the outside through the gap, excess heat is not easily transmitted to the ceramic molded body disposed on the flat plate. Therefore, the specific resistance of the PTC thermistor element can be kept low.
[0032]
Furthermore, when the ceramic molded bodies are arranged in a multi-stage shape and fired, it is possible to suppress the variation in the resistance and the variation in the resistance temperature characteristic of the fired positive temperature coefficient thermistor element.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing one embodiment of a method for manufacturing a positive temperature coefficient thermistor element according to the present invention.
FIG. 2 is a sectional view taken along line AA in FIG.
FIG. 3 is a partially cutaway perspective view showing another embodiment of the method of manufacturing a positive temperature coefficient thermistor element according to the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a conventional method of manufacturing a positive temperature coefficient thermistor element.
[Explanation of symbols]
REFERENCE SIGNS LIST 1 flat plate 2 ceramic molded body for positive temperature coefficient thermistor element 3 spacer 4 box-shaped lid 4 a leg G gap S firing space
