JP2004014536A - 半導体基板の汚染物除去方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体基板に付着したGe汚染を除去できる半導体基板の汚染物除去方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造過程において付着したゲルマニウム(Ge)汚染物を除去するために、酸化力を有する溶液、例えば、アンモニア−過酸化水素水(APM),塩酸−過酸化水素水(HPM)、硫酸−過酸化水素水(SPM)、王水等による処理、もしくは、酸素プラズマ処理等の酸化処理に連続して、弗酸(HF)含有水溶液による処理を行なう。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体デバイス製造過程において付着したゲルマニウム(Ge)汚染物を除去するために、酸化力を有する溶液、例えば、アンモニア−過酸化水素水(APM),塩酸−過酸化水素水(HPM)、硫酸−過酸化水素水(SPM)、王水等による処理、もしくは、酸素プラズマ処理等の酸化処理に連続して、弗酸(HF)含有水溶液による処理を行なう。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する分野】
本発明は、半導体装置製造過程で半導体基板に付着したゲルマニウム汚染を除去する半導体基板の汚染物除去方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体装置製造工程において基板に付着した金属汚染の除去方法としては、SPM(Sulfuric−Hydrogen Peroxide Mixture)やHPM(Hydrochloric acid−Hydrogen Peroxide Mixture)溶液による洗浄が行なわれている。
図2は、従来の金属汚染の除去方法を示すフロー図であり、金属汚染基板に対し、SPMやHPM溶液による洗浄を行い(S11)、基板を清浄化する。
また、その前段階において、APM(Ammonia−Hydrogen Peroxide Mixture)洗浄も行われているが、これは基板に付着したパーティクル除去の目的で行われているものであり、むしろ処理過程において混入しうる金属汚染、例えば、アルミニウム(Al),鉄(Fe)などが再付着する可能性が高く、元来、金属汚染除去を主たる目的としたものではない。
このように、今まで金属汚染除去の手段としては、主に上記のSPMやHPM溶液による洗浄が行なわれている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半導体装置製造方法においては次のような問題があった。
局所的にシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜が開孔されたシリコンデバイス基板において、その開孔部分に選択的にSiGeエピタキシャル膜を成長させる際、適切な成長条件を選ぶことにより、そのシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜上にSiGe膜は成膜されない。
また、走査型電子顕微鏡(SEM)で観測しうるような微小粒子状のSiGeも発生しない。
しかしながら、表面にまったくGeが付着していないわけではなく、汚染レベルとしては、1011〜1012atoms/cm2レベル存在している。
ここで、半導体基板の汚染、特にGe汚染とは、前記シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜上にGeが半導体デバイスとしての機能を損なう程度の量以上存在することを意味する。
また、このようにGe汚染されたシリコンデバイス基板を後続のデバイス製造工程に進めることにより、他基板へ汚染が転写する。
高濃度にGe汚染物が発生すると、それにより接合リーク電流の増大やゲート絶縁膜の信頼性が低下し、デバイスの性能を著しく劣化させる恐れがある。
したがって、Ge汚染された基板自身のデバイス性能維持のため、さらには、他シリコンデバイス基板への転写汚染による性能劣化を防ぐためにも、充分にGe汚染物を除去する必要がある。
【0004】
近年注目されているSiGe膜の導入により、シリコンデバイス基板へのGe汚染も無視できない問題になってきた。
今まで金属汚染除去に用いられてきたSPMやHPM溶液は、GeがSPMやHPM溶液では溶解されないため、基板に付着したGe汚染除去能力はほとんどない。
一方、Ge汚染物が酸化物として付着している場合にはHF系の溶液で容易に溶解することが可能であるが、SiGe成長直後の汚染は酸化物状態ではなく、上記HF系の洗浄を行なっても付着したGe汚染物は除去できない。
したがって、今まで通りの洗浄方法ではGe汚染に対しての効果を望めない。
【0005】
本発明は、以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであり、半導体基板に付着したGe汚染物を除去可能で汚染による性能劣化を防ぐ半導体基板の汚染物除去方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために提供する本願第一の発明に係る半導体基板の汚染物除去方法は、半導体基板に付着したゲルマニウム汚染を除去する半導体基板の汚染物除去方法であって、半導体基板表面を酸化する酸化処理工程と、その工程の後に弗素イオン含有水溶液による洗浄を行なう洗浄工程とからなることを特徴とする。
【0007】
半導体基板表面の酸化処理を行い、続いて弗素イオン含有水溶液による洗浄を行なうことにより、付着したGe汚染物が酸化され、このGe酸化物を弗素イオン含有水溶液で溶解し、Ge汚染物を除去できる。
従来の技術では、表面の酸化膜を除去する目的で、RCA洗浄後にDHF処理が行われ、汚染除去は主にRCA洗浄中(ゲート酸化前)に実施されている。
確かに、DHFでも金属汚染除去の効果はあるが、Si面が露出する場合にはCu(銅)汚染除去能力はなく、むしろ、溶液中やウェーハの他の箇所にCuが存在すると溶液を介して汚染してしまう。
従って、強力な金属汚染除去工程がDHFの前に必ず行われ、ウェーハに付着した金属汚染を除去した後に酸化膜のエッチングが行われる。
ただし、金属汚染除去工程により形成される薄い化学酸化膜がデバイス上問題ない場合には、酸化膜エッチング後に金属汚染除去用の洗浄が行われる。
本願発明は、Ge汚染除去を目的とし、APM+DHFの組み合わせであるが、その後に金属汚染除去としてHPMやSPMを組み合わせる事を妨げるものではない。
また、APMとDHFの間にHPMやSPMを取り入れても、本願発明の効果はなくならないが、DHF処理後のCu汚染等を考えると、本発明の後に金属除去洗浄を取り入れる方が望ましい。
さらに、DHFの変わりにFPM(フッ酸過水)や、DHFにHClやHNO3を添加したものを用いれば、Cu汚染の懸念を除くことができる。
【0008】
前記課題を解決するために提供する本願第二の発明に係る半導体基板の汚染物除去方法は、本願第一の発明に係る半導体基板の汚染物除去方法において、前記弗素イオン含有水溶液が、DHF、FPM及びBHFの中から選ばれる一以上の組み合わせであることを特徴する。
【0009】
弗素イオン含有水溶液が、DHF、FPM、BHFの中から選ばれる一以上の組み合わせであることにより、Ge酸化物を容易に溶解できる。
【0010】
前記課題を解決するために提供する本願第三の発明に係る半導体基板の汚染物除去方法は、本願第一の発明または本願第二の発明に係る半導体基板の汚染物除去方法において、前記酸化処理工程が、APM、HPM、SPM及び王水の中から選ばれる一以上の組み合わせによる処理であることを特徴する。
【0011】
半導体基板表面の酸化処理が、APM、HPM、SPM、王水の中から選ばれる一以上の組み合わせによる処理であることにより、これらの酸化力を有する溶液によりGe汚染を容易に酸化できる。
【0012】
前記課題を解決するために提供する本願第四の発明に係る半導体基板の汚染物除去方法は、本願第一の発明または本願第二の発明に係る半導体基板の汚染物除去方法において、前記酸化処理工程が、酸素プラズマ処理であることを特徴する。
【0013】
半導体基板表面の酸化処理が、酸素プラズマ処理であることにより、酸素プラズマ処理によってGe汚染を容易に酸化できる。
【0014】
前記課題を解決するために提供する本願第五の発明に係る本願第一の発明または本願第二の発明に係る半導体基板の汚染物除去方法において、前記酸化処理工程が、酸素プラズマ処理と、その後に行われるAPM、HPM、SPM及び王水の中から選ばれる一以上の組み合わせによる酸化処理とからなることを特徴する。
【0015】
半導体基板表面の酸化処理が、酸素プラズマ処理と、これに引き続くAPM、HPM、SPM、王水の中から選ばれる一以上の組み合わせによる処理とであることにより、酸素プラズマ処理で生じた金属汚染やパーティクルを除去しつつGe汚染物を酸化できる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る半導体基板の汚染物除去方法の一実施の形態における構成について図面を参照して説明する。
図1は、本発明に係る半導体基板の汚染物除去方法の一実施の形態における構成を示すフロー図である。
図1に示すように、半導体装置製造過程でGe汚染されたシリコンデバイス基板を、APM,HPM,SPM,王水等、酸化力を有する溶液で処理し(S1)、さらにHF含有水溶液で処理する(S2)。
これにより、基板表面に付着したGe汚染物は充分に除去され、その基板自身のデバイス特性への悪影響を抑制でき、更には他のシリコンデバイス基板への汚染も防げることとなる。
【0017】
以下に具体例を挙げて説明する。
(実施例1)
シリコン窒化膜が局所的に開孔されたシリコンデバイス基板において、選択的にSiGeエピタキシャル膜を成長させる。
その基板をAPM溶液で処理し、基板表面のGe汚染物を酸化物状態にする。その後、希HF水溶液(DHF)で処理し、酸化物状態となったGe汚染を溶解除去する。
その際のAPM処理条件は、NH4OH:H2O2:H2O=1:4:20の液組成において、液温65℃で10分程度浸漬して行なった。
また、DHF処理条件は、HF:H2O=1:100の液組成において、室温で10分程度行なった。
上記洗浄処理を行なうことにより、洗浄処理前には約2×1012atoms/cm2の濃度でシリコン窒化膜上に存在したGe汚染物は、約5×109atoms/cm2にまで減少させることができた。
【0018】
一方、上記処理条件の下で、APM処理のみの場合には約6×1011atoms/cm2、DHF処理のみの場合には約1×1012atoms/cm2残留し、洗浄効果はほとんど見られなかった。
このことにより、APM処理やDHF処理単独でのGe汚染物除去能力はほとんどなく、APM処理に続けてDHF処理することにより充分なGe汚染物の除去能力が得られることがわかる。
【0019】
なお、本発明は、上記処理条件に限定されるものではなく、上記APM処理ではGe汚染物が充分酸化される条件、上記希釈HF水溶液処理では酸化物状態となったGe汚染物を充分溶解除去できる条件であれば、本実施例と同様の効果が得られる。
また、上記Ge汚染除去処理において、HPM,SPM,王水処理等、Ge汚染物を充分酸化物状態できる処理であるならばAPM処理の替わりに用いることができる。
さらに、DHF処理の替わりに、HF−H2O2水(FPM),NH4F含有水溶液(BHF),界面活性剤入りHF水溶液等、Ge酸化物を溶解できる溶液ならば利用可能である。
【0020】
(実施例2)
次に、Ge汚染の酸化処理において、酸素プラズマ処理を用いた例を示す。
SiGeエピタキシャル成長等でGe汚染されたシリコンデバイス基板を酸素プラズマ処理し、続いてDHF処理を施した。
これにより、109atoms/cm2レベル以下にまでGe汚染物を除去することができた。
【0021】
その際、DHF処理の替わりに、FPM,BHF,界面活性剤入りHF水溶液等、Ge酸化物を溶解できる溶液でならば利用可能である。
また、酸素プラズマ処理とDHF処理等のGe酸化物溶解処理の間に、酸素プラズマ処理で発生しうる金属汚染やパーティクル除去等の目的のために適当な洗浄処理を施してもGe汚染除去効果は失わない。
【0022】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る半導体基板の汚染物除去方法によれば、洗浄の第一段階に酸化力を有した処理を行なうことにより、汚染として付着しているGeが充分に酸化され、酸化されたGeは、それに続くHF系の水溶液で容易に溶解されるため、Ge汚染物を効率よく除去できるようになる。
したがって、SiGe成長時等に付着したGe汚染を効率よく除去して半導体装置を製造することができ、Ge汚染による装置性能の劣化を防ぐことができる。
【0023】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る本発明に係る半導体基板の汚染物除去方法の一実施の形態における構成を示すフロー図である。
【図2】従来の金属汚染の除去方法を示すフロー図である。
【発明の属する分野】
本発明は、半導体装置製造過程で半導体基板に付着したゲルマニウム汚染を除去する半導体基板の汚染物除去方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体装置製造工程において基板に付着した金属汚染の除去方法としては、SPM(Sulfuric−Hydrogen Peroxide Mixture)やHPM(Hydrochloric acid−Hydrogen Peroxide Mixture)溶液による洗浄が行なわれている。
図2は、従来の金属汚染の除去方法を示すフロー図であり、金属汚染基板に対し、SPMやHPM溶液による洗浄を行い(S11)、基板を清浄化する。
また、その前段階において、APM(Ammonia−Hydrogen Peroxide Mixture)洗浄も行われているが、これは基板に付着したパーティクル除去の目的で行われているものであり、むしろ処理過程において混入しうる金属汚染、例えば、アルミニウム(Al),鉄(Fe)などが再付着する可能性が高く、元来、金属汚染除去を主たる目的としたものではない。
このように、今まで金属汚染除去の手段としては、主に上記のSPMやHPM溶液による洗浄が行なわれている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半導体装置製造方法においては次のような問題があった。
局所的にシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜が開孔されたシリコンデバイス基板において、その開孔部分に選択的にSiGeエピタキシャル膜を成長させる際、適切な成長条件を選ぶことにより、そのシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜上にSiGe膜は成膜されない。
また、走査型電子顕微鏡(SEM)で観測しうるような微小粒子状のSiGeも発生しない。
しかしながら、表面にまったくGeが付着していないわけではなく、汚染レベルとしては、1011〜1012atoms/cm2レベル存在している。
ここで、半導体基板の汚染、特にGe汚染とは、前記シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜上にGeが半導体デバイスとしての機能を損なう程度の量以上存在することを意味する。
また、このようにGe汚染されたシリコンデバイス基板を後続のデバイス製造工程に進めることにより、他基板へ汚染が転写する。
高濃度にGe汚染物が発生すると、それにより接合リーク電流の増大やゲート絶縁膜の信頼性が低下し、デバイスの性能を著しく劣化させる恐れがある。
したがって、Ge汚染された基板自身のデバイス性能維持のため、さらには、他シリコンデバイス基板への転写汚染による性能劣化を防ぐためにも、充分にGe汚染物を除去する必要がある。
【0004】
近年注目されているSiGe膜の導入により、シリコンデバイス基板へのGe汚染も無視できない問題になってきた。
今まで金属汚染除去に用いられてきたSPMやHPM溶液は、GeがSPMやHPM溶液では溶解されないため、基板に付着したGe汚染除去能力はほとんどない。
一方、Ge汚染物が酸化物として付着している場合にはHF系の溶液で容易に溶解することが可能であるが、SiGe成長直後の汚染は酸化物状態ではなく、上記HF系の洗浄を行なっても付着したGe汚染物は除去できない。
したがって、今まで通りの洗浄方法ではGe汚染に対しての効果を望めない。
【0005】
本発明は、以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであり、半導体基板に付着したGe汚染物を除去可能で汚染による性能劣化を防ぐ半導体基板の汚染物除去方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために提供する本願第一の発明に係る半導体基板の汚染物除去方法は、半導体基板に付着したゲルマニウム汚染を除去する半導体基板の汚染物除去方法であって、半導体基板表面を酸化する酸化処理工程と、その工程の後に弗素イオン含有水溶液による洗浄を行なう洗浄工程とからなることを特徴とする。
【0007】
半導体基板表面の酸化処理を行い、続いて弗素イオン含有水溶液による洗浄を行なうことにより、付着したGe汚染物が酸化され、このGe酸化物を弗素イオン含有水溶液で溶解し、Ge汚染物を除去できる。
従来の技術では、表面の酸化膜を除去する目的で、RCA洗浄後にDHF処理が行われ、汚染除去は主にRCA洗浄中(ゲート酸化前)に実施されている。
確かに、DHFでも金属汚染除去の効果はあるが、Si面が露出する場合にはCu(銅)汚染除去能力はなく、むしろ、溶液中やウェーハの他の箇所にCuが存在すると溶液を介して汚染してしまう。
従って、強力な金属汚染除去工程がDHFの前に必ず行われ、ウェーハに付着した金属汚染を除去した後に酸化膜のエッチングが行われる。
ただし、金属汚染除去工程により形成される薄い化学酸化膜がデバイス上問題ない場合には、酸化膜エッチング後に金属汚染除去用の洗浄が行われる。
本願発明は、Ge汚染除去を目的とし、APM+DHFの組み合わせであるが、その後に金属汚染除去としてHPMやSPMを組み合わせる事を妨げるものではない。
また、APMとDHFの間にHPMやSPMを取り入れても、本願発明の効果はなくならないが、DHF処理後のCu汚染等を考えると、本発明の後に金属除去洗浄を取り入れる方が望ましい。
さらに、DHFの変わりにFPM(フッ酸過水)や、DHFにHClやHNO3を添加したものを用いれば、Cu汚染の懸念を除くことができる。
【0008】
前記課題を解決するために提供する本願第二の発明に係る半導体基板の汚染物除去方法は、本願第一の発明に係る半導体基板の汚染物除去方法において、前記弗素イオン含有水溶液が、DHF、FPM及びBHFの中から選ばれる一以上の組み合わせであることを特徴する。
【0009】
弗素イオン含有水溶液が、DHF、FPM、BHFの中から選ばれる一以上の組み合わせであることにより、Ge酸化物を容易に溶解できる。
【0010】
前記課題を解決するために提供する本願第三の発明に係る半導体基板の汚染物除去方法は、本願第一の発明または本願第二の発明に係る半導体基板の汚染物除去方法において、前記酸化処理工程が、APM、HPM、SPM及び王水の中から選ばれる一以上の組み合わせによる処理であることを特徴する。
【0011】
半導体基板表面の酸化処理が、APM、HPM、SPM、王水の中から選ばれる一以上の組み合わせによる処理であることにより、これらの酸化力を有する溶液によりGe汚染を容易に酸化できる。
【0012】
前記課題を解決するために提供する本願第四の発明に係る半導体基板の汚染物除去方法は、本願第一の発明または本願第二の発明に係る半導体基板の汚染物除去方法において、前記酸化処理工程が、酸素プラズマ処理であることを特徴する。
【0013】
半導体基板表面の酸化処理が、酸素プラズマ処理であることにより、酸素プラズマ処理によってGe汚染を容易に酸化できる。
【0014】
前記課題を解決するために提供する本願第五の発明に係る本願第一の発明または本願第二の発明に係る半導体基板の汚染物除去方法において、前記酸化処理工程が、酸素プラズマ処理と、その後に行われるAPM、HPM、SPM及び王水の中から選ばれる一以上の組み合わせによる酸化処理とからなることを特徴する。
【0015】
半導体基板表面の酸化処理が、酸素プラズマ処理と、これに引き続くAPM、HPM、SPM、王水の中から選ばれる一以上の組み合わせによる処理とであることにより、酸素プラズマ処理で生じた金属汚染やパーティクルを除去しつつGe汚染物を酸化できる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る半導体基板の汚染物除去方法の一実施の形態における構成について図面を参照して説明する。
図1は、本発明に係る半導体基板の汚染物除去方法の一実施の形態における構成を示すフロー図である。
図1に示すように、半導体装置製造過程でGe汚染されたシリコンデバイス基板を、APM,HPM,SPM,王水等、酸化力を有する溶液で処理し(S1)、さらにHF含有水溶液で処理する(S2)。
これにより、基板表面に付着したGe汚染物は充分に除去され、その基板自身のデバイス特性への悪影響を抑制でき、更には他のシリコンデバイス基板への汚染も防げることとなる。
【0017】
以下に具体例を挙げて説明する。
(実施例1)
シリコン窒化膜が局所的に開孔されたシリコンデバイス基板において、選択的にSiGeエピタキシャル膜を成長させる。
その基板をAPM溶液で処理し、基板表面のGe汚染物を酸化物状態にする。その後、希HF水溶液(DHF)で処理し、酸化物状態となったGe汚染を溶解除去する。
その際のAPM処理条件は、NH4OH:H2O2:H2O=1:4:20の液組成において、液温65℃で10分程度浸漬して行なった。
また、DHF処理条件は、HF:H2O=1:100の液組成において、室温で10分程度行なった。
上記洗浄処理を行なうことにより、洗浄処理前には約2×1012atoms/cm2の濃度でシリコン窒化膜上に存在したGe汚染物は、約5×109atoms/cm2にまで減少させることができた。
【0018】
一方、上記処理条件の下で、APM処理のみの場合には約6×1011atoms/cm2、DHF処理のみの場合には約1×1012atoms/cm2残留し、洗浄効果はほとんど見られなかった。
このことにより、APM処理やDHF処理単独でのGe汚染物除去能力はほとんどなく、APM処理に続けてDHF処理することにより充分なGe汚染物の除去能力が得られることがわかる。
【0019】
なお、本発明は、上記処理条件に限定されるものではなく、上記APM処理ではGe汚染物が充分酸化される条件、上記希釈HF水溶液処理では酸化物状態となったGe汚染物を充分溶解除去できる条件であれば、本実施例と同様の効果が得られる。
また、上記Ge汚染除去処理において、HPM,SPM,王水処理等、Ge汚染物を充分酸化物状態できる処理であるならばAPM処理の替わりに用いることができる。
さらに、DHF処理の替わりに、HF−H2O2水(FPM),NH4F含有水溶液(BHF),界面活性剤入りHF水溶液等、Ge酸化物を溶解できる溶液ならば利用可能である。
【0020】
(実施例2)
次に、Ge汚染の酸化処理において、酸素プラズマ処理を用いた例を示す。
SiGeエピタキシャル成長等でGe汚染されたシリコンデバイス基板を酸素プラズマ処理し、続いてDHF処理を施した。
これにより、109atoms/cm2レベル以下にまでGe汚染物を除去することができた。
【0021】
その際、DHF処理の替わりに、FPM,BHF,界面活性剤入りHF水溶液等、Ge酸化物を溶解できる溶液でならば利用可能である。
また、酸素プラズマ処理とDHF処理等のGe酸化物溶解処理の間に、酸素プラズマ処理で発生しうる金属汚染やパーティクル除去等の目的のために適当な洗浄処理を施してもGe汚染除去効果は失わない。
【0022】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る半導体基板の汚染物除去方法によれば、洗浄の第一段階に酸化力を有した処理を行なうことにより、汚染として付着しているGeが充分に酸化され、酸化されたGeは、それに続くHF系の水溶液で容易に溶解されるため、Ge汚染物を効率よく除去できるようになる。
したがって、SiGe成長時等に付着したGe汚染を効率よく除去して半導体装置を製造することができ、Ge汚染による装置性能の劣化を防ぐことができる。
【0023】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る本発明に係る半導体基板の汚染物除去方法の一実施の形態における構成を示すフロー図である。
【図2】従来の金属汚染の除去方法を示すフロー図である。
Claims (5)
- 半導体基板に付着したゲルマニウム汚染を除去する半導体基板の汚染物除去方法であって、半導体基板表面を酸化する酸化処理工程と、その工程の後に弗素イオン含有水溶液による洗浄を行なう洗浄工程とからなることを特徴とする半導体基板の汚染物除去方法。
- 前記弗素イオン含有水溶液が、DHF、FPM及びBHFの中から選ばれる一以上の組み合わせであることを特徴する請求項1に記載の半導体基板の汚染物除去方法。
- 前記酸化処理工程が、APM、HPM、SPM及び王水の中から選ばれる一以上の組み合わせによる処理であることを特徴する請求項1または請求項2に記載の半導体基板の汚染物除去方法。
- 前記酸化処理工程が、酸素プラズマ処理であることを特徴する請求項1または請求項2に記載の半導体基板の汚染物除去方法。
- 前記酸化処理工程が、酸素プラズマ処理と、その後に行われるAPM、HPM、SPM及び王水の中から選ばれる一以上の組み合わせによる酸化処理とからなることを特徴する請求項1または請求項2に記載の半導体基板の汚染物除去方法。
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