JP2004014175A - Dye-sensitized photoelectric conversion element - Google Patents
Dye-sensitized photoelectric conversion element Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004014175A JP2004014175A JP2002162814A JP2002162814A JP2004014175A JP 2004014175 A JP2004014175 A JP 2004014175A JP 2002162814 A JP2002162814 A JP 2002162814A JP 2002162814 A JP2002162814 A JP 2002162814A JP 2004014175 A JP2004014175 A JP 2004014175A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substituent
- group
- photoelectric conversion
- dye
- hydrocarbon residue
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
Abstract
Description
【0001】
【本発明の属する技術分野】
本発明は有機色素で増感された半導体微粒子、光電変換素子および太陽電池に関し、詳しくは特定の構造を有する色素によって増感された酸化物半導体微粒子、およびそれを用いることを特徴とする光電変換素子及びそれを利用した太陽電池に関する。
【0002】
【従来の技術】
石油、石炭等の化石燃料に代わるエネルギー資源として太陽光を利用する太陽電池が注目されている。現在、結晶またはアモルファスのシリコンを用いたシリコン太陽電池、あるいはガリウム、ヒ素等を用いた化合物半導体太陽電池等について盛んに高効率化など、開発検討がなされている。しかしそれらは製造に要するエネルギー及びコストが高く、またその資源的問題から、なかなか市場に拡がらないのが現状であり、さらに安いコストでできる太陽電池の開発が望まれている。一方、色素で増感した半導体微粒子を用いた光電変換素子、あるいはこれを用いた太陽電池も知られ、これを作成する材料、製造技術が開示されている。(B.O’Regan and M.Graetzel Nature, 353, 737 (1991), M.K.Nazeeruddin, A.Kay, I.Rodicio, R.Humphry−Baker, E.Muller, P.Liska, N.Vlachopoulos, M.Gratzel,J.Am.Chem.Soc., 115, 6382 (1993) e.t.c.)この光電変換素子は酸化チタン等の比較的安価な酸化物半導体を用いて製造され、従来のシリコン等を用いた太陽電池に比べコストの安い光電変換素子が得られる可能性があり注目を集めている。しかし変換効率の高い素子を得るために増感色素としてルテニウム系の錯体を使用されており、色素自体のコストが高く、またその供給にも問題が残っている。また増感色素として有機色素を用いる試みも既に行われているが、変換効率が低いなどまだ実用化には至らない現状にある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
有機色素増感半導体を用いた光電変換素子において、安価な有機色素を用い、変換効率の高く、安定性に優れ実用性の高い光電変換素子の開発が求められている。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は上記の課題を解決するために鋭意努力した結果、特定の部分構造を有する色素を用いて半導体微粒子を増感し、光電変換素子を作成する事により変換効率が高く耐久性の高い光電変換素子が得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。
すなわち本発明は、
(1)一般式(1)で表されるメチン系の色素によって増感された酸化物半導体微粒子を用いることを特徴とする光電変換素子。
【化3】
(式中、A1、A2およびA3はそれぞれ独立に水素原子または置換基をあらわす。X1、X2およびX3はそれぞれ独立にイミノ基、アルキルイミノ基、アリールイミノ基、酸素原子、イオウ原子またはセレン原子あらわす。Yはサリチル酸およびポリ置換ヒドロキシベンゼンで表される構造を除く置換基を有してもよい芳香族炭化水素残基、置換基を有してもよい有機錯体残基をあらわす。R1は水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素残基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素残基または置換基を有してもよい複素環残基を表す。nは0〜4の整数を示す。またnが2以上でA1およびA2が複数存在する場合、それぞれのA1およびそれぞれのA2は互いに独立に同じ又は異なってもよい前記の基を示す。またA1、若しくはA1が複数存在する場合にはそれぞれのA1、A2若しくはA2が複数存在する場合にはそれぞれのA2およびA3の中の2者は結合して置換基を有してもよい環を形成してもよい。)
(2)(1)の一般式(1)の置換基Yが下記一般式(2)で示されることを特徴とする光電変換素子。
【化4】
(式中、Zは置換基をあらわし、複数個あってもよく、複数個存在するときは同じでも異なってもよく、互いに連結してまたはR2,R3と置換基を有してもよい環を形成してもよい。R2、R3はそれぞれ水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素残基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素残基または置換基を有してもよい複素環残基を表す。)
(3)一般式(1)のR1がカルボキシル基を有する脂肪族炭化水素残基または芳香族炭化水素残基で表されることを特徴とする(1)乃至(2)の光電変換素子。
(4)一般式(1)のnが0〜3で表されることを特徴とする(1)乃至(3)の光電変換素子。
(5)(1)乃至(4)記載の色素を少なくとも1つ含み、かつ他の金属錯体色素および他の構造を有する有機色素によりなる群から選ばれた色素のうち、2種以上の色素の併用により増感された酸化物半導体微粒子を用いることを特徴とする光電変換素子。
(6)酸化物半導体微粒子が二酸化チタンを必須成分として含有する(1)乃至(5)のいずれか1項に記載の光電変換素子。
(7)酸化物半導体微粒子に包摂化合物の存在下、色素を担持させた(1)乃至(6)のいずれか1項に記載の光電変換素子。
(8)(1)乃至(7)記載のいずれか1項に記載の光電変換素子を用いる事を特徴とする太陽電池。
(9)(1)乃至(4)記載の一般式(1)で表されるメチン系の色素により増感された酸化物半導体微粒子、
に関する。
【0005】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を詳細に説明する。本発明の光電変換素子は特定の部分構造を有する色素によって増感された酸化物半導体を用いる。本発明に用いられる特定の部分構造を有する色素は下記一般式(1)で表されることを特徴とする。
【0006】
【化5】
【0007】
一般式(1)においてA1、A2およびA3はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。この置換基としては特に制限はないが置換基を有してもよい芳香族炭化水素残基、置換基を有してもよい複素環残基、置換基を有してもよいアミノ基、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有してもよいアルキル基などが挙げられる。またA1およびA2が複数存在する場合、それぞれのA1およびそれぞれのA2は互いに独立に同じ又は異なってもよい前記の基を示す。
上記芳香族炭化水素残基は芳香族炭化水素から水素原子を1つ除いた基を意味し、例えばベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナンスレン、ピレン、インデン、アズレン、フルオレン等の芳香族炭化水素から水素原子1つを除いた基が挙げられる。
複素環残基は複素環化合物から水素原子を1つ除いた基を意味し、例えばピリジン、ピラジン、ピペリジン、モルホリン、インドリン、チオフェン、フラン、オキサゾール、チアゾール、インドール、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、キノリン等の複素環化合物から水素原子を1つ除いた基が挙げられる。
アルキル基としては置換基を有してもよい直鎖、分岐及び環状のアルキル基が挙げられ、炭素数は1から36が好ましく、さらに好ましくは置換基を有してもよい飽和の直鎖アルキル基で、炭素数は1から20であるものが挙げられる。環状のものとして例えば炭素数3乃至8のシクロアルキルなどが挙げられる。これらのアルキル基は以下に示すような置換基で更に置換されていてもよい。
アミノ基としては非置換のアミノ基、モノまたはジアルキルアミノ基、モノまたはジ芳香族アミノ基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては塩素、臭素、ヨウ素等の原子が挙げられる。
置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素残基、置換基を有してもよい複素環残基における置換基としては、特に制限はないが、アルキル基、アリール基、シアノ基、イソシアノ基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、ニトロ基、ニトロシル基、アシル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、リン酸基、リン酸エステル基、置換もしくは非置換メルカプト基、置換もしくは非置換アミノ基、置換もしくは非置換アミド基、アルコキシル基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルキル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、スルホ基等が挙げられる。
以上に示したアルキル基としては置換基を有してもよい直鎖、分岐及び環状のアルキル基が挙げられ、炭素数は1から36が好ましく、さらに好ましくは置換基を有してもよい飽和の直鎖アルキル基で、炭素数は1から20であるものが挙げられる。環状のものとして例えば炭素数3乃至8のシクロアルキルなどが挙げられる。これらのアルキル基は上記の置換基(アルキル基を除く)で更に置換されていてもよい。
アリール基としては、前記芳香族炭化水素残基の項で挙げられる芳香環から水素原子をとった基等が挙げられる。アリール基は更に上記の基などで置換されていてもよい。
アシル基としては例えば炭素数1乃至10のアルキルカルボニル基、アリールカルボニル基等が挙げられ、好ましくは炭素数1乃至4のアルキルカルボニル基、具体的にはアセチル基、プロピオニル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては塩素、臭素、ヨウ素等の原子が挙げられる。
リン酸エステル基としてはリン酸(C1−C4)アルキルエステル基などが挙げられる。
置換若しくは非置換メルカプト基としてはメルカプト基、アルキルメルカプト基などが挙げられる。
置換若しくは非置換アミノ基としてはアミノ基、モノまたはジアルキルアミノ基、モノまたはジ芳香族アミノ基などが挙げられ、モノまたはジメチルアミノ基、モノまたはジエチルアミノ基、モノまたはジプロピルアミノ基、モノまたはジフェニルアミノ基、またはベンジルアミノ基等が挙げられる。
置換若しくは非置換のアミド基としてはアミド基、アルキルアミド基、芳香族アミド基等が挙げられる。
アルコキシル基としては、例えば炭素数1乃至10のアルコキシル基などが挙げられる。
アルコキシアルキル基としては、例えば(C1−C10)アルコキシ(C1−C10)アルキル基などが挙げられる。
アルコキシカルボニル基としては、例えば炭素数1乃至10のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。
またカルボキシル基、スルホ基およびリン酸基等の酸性基はリチウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウムなどの金属塩やテトラメチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、ピリジニウム、イミダゾリウムなどの4級アンモニウム塩のような塩を形成していてもよい。
【0008】
A1,A2およびA3として好ましいものは水素原子、ハロゲン原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基などが挙げられ、より好ましくは水素原子または置換基を有してもよいアルキル基である。
【0009】
またA1、A2およびA3はこのうち任意の2者を用いて置換基を有してもよい環を形成してもよい。特にnが2以上で、A1とA2がそれぞれ複数存在する場合には任意のA1、任意のA2およびA3を利用して、環を形成してもよい。置換基を有する場合の置換基としては前記置換基を有してもよい芳香族炭化水素残基の項で述べた置換基を挙げることができる。形成する環としては不飽和炭化水素環または複素環が挙げられる。不飽和炭化水素環としてはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナンスレン環、ピレン環、インデン環、アズレン環、フルオレン環、シクロブテン環、シクロヘキセン環、シクロペンテン環、シクロヘキサジエン環、シクロペンタジエン環等が挙げられ、複素環としてはピリジン環、ピラジン環、インドリン環、チオフェン環、フラン環、ピラン環、オキサゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ピラジン環、キノリン環、カルバゾール環、ベンゾピラン環等が挙げられる。またこれらのうちの好ましい物はシクロブテン環、シクロペンテン環、シクロヘキセン環、ピラン環などが挙げられる。また、置換基としてカルボニル基、チオカルボニル基等を有することが出来、その場合には環状ケトン又は環状チオケトンなどを形成してもよい。
【0010】
X1、X2およびX3はそれぞれ独立にイミノ基、アルキルイミノ基、アリールイミノ基、酸素原子、硫黄原子またはセレン原子あらわす。好ましくはイミノ基、アルキルイミノ基、酸素原子、硫黄原子で、さらに好ましくは酸素原子、硫黄原子である。
【0011】
Yはサリチル酸およびポリ置換ヒドロキシベンゼンで表される構造を除く置換基を有してもよい芳香族炭化水素残基、置換基を有してもよい有機錯体残基を表す。ここで挙げる芳香族炭化水素残基は芳香族炭化水素から水素原子を1つ除いた基を意味し、例えばベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナンスレン、ピレン、インデン、アズレン、フルオレン等の芳香族炭化水素から水素原子1つを除いた基が挙げられ、これらは前記したようにいずれも置換基を有してもよい。通常炭素数6〜16の芳香環(芳香環及び芳香環を含む縮合環等)を有する芳香族炭化水素残基である。
置換基を有してもよい有機金属錯体残基としては、有機金属錯体から水素原子1つを除いた基を挙げることができ、これらの有機金属錯体化合物としてはフェロセン、ルテノセン、チタノセン、ジルコノセン、ポルフィリン、フタロシアニン、ビピリジル錯体などが挙げられる。
Yとして好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、インデン環、フタロシアニン環、ポルフィリン環、フェロセンなどが挙げられる。さらに好ましくはベンゼン環、ナフタレン環が挙げられ、最も好ましくはベンゼン環が挙げられる。
またこの時のYが有してもよい置換基としては前述の置換基を有してもよい芳香族炭化水素残基で述べた置換基と同様でよい。好ましくは置換してもよいアミノ基、置換してもよいアルキル基、アルコキシル基、アシル基、アミド基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子が挙げられる。さらに好ましくは置換してもよいアミノ基、置換してもよいアルキル基、アルコキシル基が挙げられる。ここで置換基を有してもよいアミノ基として好ましくはモノ又はジアルキル置換アミノ基、モノアルキルモノアリール置換、モノ又はジアリール置換、モノ又はジアルキレン置換等が挙げられるが、ジアルキル置換、ジアリール置換の誘導体が好ましい。置換してもよいアルキル基の置換基として好ましい物はアリール基、ハロゲン原子、アルコキシル基、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基等が挙げられる。置換してもよいアルコキシル基としてはアルコキシ置換、ハロゲン置換、アリール置換などが挙げられる。その他、置換基を有してもよい芳香族アゾ基が置換していてもよい。
【0012】
さらにYの好ましい例として一般式(2)の構造が挙げられる。
Zは置換基をあらわし、複数個あってもよく、複数個存在するときは同じでも異なってもよい。好ましくは前述のYが有してもよい置換基の項で述べたものと同様でよい。好ましくはアルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換もしくは非置換アミノ基、置換もしくは非置換アミド基、アルコキシル基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルキル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、スルホ基等が挙げられる。置換基は複数個あってもよく、複数個存在するときは同じでも異なってもよく、以下に述べるように互いに連結してまたはR2,R3と置換基を有してもよい環を形成してもよい。
またR2、R3はそれぞれ水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素残基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素残基または置換基を有してもよい複素環残基を表す。
上記脂肪族炭化水素残基としては飽和及び不飽和の直鎖、分岐及び環状の脂肪族炭化水素から水素原子1つを除いた残基が挙げられ、炭素数は特に制限はないが通常1から36程度のものが挙げられ、好ましくは炭素数1から20程度の直鎖アルキル基が挙げられる。環状のものとして例えば炭素数3乃至8のシクロアルキルなどが挙げられる。芳香族炭化水素残基及び複素環残基としては前述のAの置換基の項で述べたものと同様でよい。これらは前述のAの置換基を有してもよいアルキル基で述べた置換基で置換されていてもよい。
R2とR3は互いに連結して置換基を有してもよい環を形成してもよく、R2およびR3がそれぞれ独立にZと結合しジュロリジン環やキノリン環、カルバゾール環などの環を形成することも出来る。
【0013】
R1は水素原子、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素残基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素残基または置換基を有してもよい複素環残基をあらわす。脂肪族炭化水素残基、芳香族炭化水素残基及び複素環残基としては前述のものと同様でよい。この時の置換基R1が有してもよい置換基としては前述のA1、A2およびA3の項の置換基を有してもよいアルキル基で述べた置換基と同様でよく、好ましくは、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、リン酸基、リン酸エステル基、アルコキシル基またはカルボンアミド基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基等のカルボニル基が挙げられ、さらに好ましくはアセチル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基等のカルボニル基が挙げられる。R1として好ましくは置換基を有してもよい脂肪族炭化水素残基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素残基が挙げられ、さらに無置換またはカルボニル基置換のアルキル基、無置換またはカルボニル置換のフェニル基が好ましい。もっとも好ましくはカルボキシル基を有する炭素数1から3のアルキル基が挙げられる。
nは0〜4の整数を示す。
【0014】
一般式(1)で示される化合物はシス体、トランス体などの構造異性体をとり得るが、特に限定されず、いずれも光増感用色素として良好に使用しうるものである。
【0015】
一般式(1)の化合物は一般式(3)で示される化合物と、式(4)で示されるカルボニル誘導体を必要であればナトリウムエトキシド、ピペリジン、ピペラジンなどの塩基性触媒の存在下、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコールやジメチルホルムアミドなどの非プロトン性極性溶媒や無水酢酸などの溶媒中、20℃〜120℃好ましくは50℃〜80℃程度で縮合することにより得られる。
【0016】
【化6】
【0017】
【化7】
【0018】
以下に化合物例を列挙する。化合物(1)のA1,A2およびA3が水素でYが4−アミノベンゼンの誘導体である一般式(5)の化合物例を表1にあらわす。表中に書かれた誘導体中の置換基R1,R2,R3,R4,R5,X1,X2およびX3は下記式(5)で示される。また4−トリル基をTol、フェニル基をPh、ナフタレン基をNpと略する。
【0019】
【化8】
【0020】
【表1】
その他の例を以下にあらわす。
【0021】
【化9】
【0022】
【化10】
【0023】
【化11】
【0024】
【化12】
【0025】
本発明の色素増感光電変換素子は例えば酸化物半導体微粒子を用いて基板上に酸化物半導体の薄膜を製造し、次いでこの薄膜に色素を担持させたものである。
本発明で酸化物半導体の薄膜を設ける基板としては、その表面が導電性であるものが好ましいが、そのような基板は市場で容易に入手可能である。具体的には、例えばガラスの表面又はポリエチレンテレフタレート若しくはポリエーテルスルフォン等の透明性のある高分子材料の表面にインジウム、フッ素、アンチモン、をドープした酸化スズなどの導電性金属酸化物や金、銀、銅等の金属の薄膜を設けたものを用いることができる。その導電性としては、通常1000Ω以下であればよく、100Ω以下のものが好ましい。
酸化物半導体の微粒子としては金属酸化物が好ましく、その具体例としてはチタン、スズ、亜鉛、タングステン、ジルコニウム、ガリウム、インジウム、イットリウム、ニオブ、タンタル、バナジウムなどの酸化物が挙げられる。これらのうちチタン、スズ、亜鉛、ニオブ、タングステン等の酸化物が好ましく、これらのうち酸化チタンが最も好ましい。これらの酸化物半導体は単一で使用することも出来るが、混合して使用することも出来る。また酸化物半導体の微粒子の粒径は平均粒径として、通常1〜500nmで、好ましくは5〜100nmである。またこの酸化物半導体の微粒子は大きな粒径のものと小さな粒径のものを混合して使用することも可能である。
酸化物半導体薄膜は酸化物半導体微粒子を蒸着させ直接基板上に薄膜として形成する方法、基板を電極として電気的に半導体微粒子薄膜を析出させる方法、半導体微粒子のスラリーを基板上に塗布した後、乾燥、硬化もしくは焼成することによって製造することが出来る。酸化物半導体電極の性能上、スラリーを用いる方法等が好ましい。この方法の場合、スラリーは2次凝集している酸化物半導体微粒子を常法により分散媒中に平均1次粒子径が1〜200nmになるように分散させることにより得られる。
【0026】
スラリーを分散させる分散媒としては半導体微粒子を分散させ得るものであれば何でもよく、水あるいはエタノール等のアルコール、アセトン、アセチルアセトン等のケトンもしくはヘキサン等の炭化水素等の有機溶媒が用いられ、これらは混合して用いてもよく、また水を用いることはスラリーの粘度変化を少なくするという点で好ましい。
スラリーを塗布した基板の焼成温度は通常300℃以上、好ましくは400℃以上で、かつ上限はおおむね基材の融点(軟化点)以下であり、通常上限は900℃であり、好ましくは600℃以下である。また焼成時間には特に限定はないがおおむね4時間以内が好ましい。基板上の薄膜の厚みは通常1〜200μmで好ましくは5〜50μmである。
【0027】
酸化物半導体薄膜に2次処理を施してもよい。すなわち例えば半導体と同一の金属のアルコキサイド、塩化物、硝化物、硫化物等の溶液に直接、基板ごと薄膜を浸積させて乾燥もしくは再焼成することにより半導体薄膜の性能を向上させることもできる。金属アルコキサイドとしてはチタンエトキサイド、チタンイソプロポキサイド、チタンtーブトキサイド、n−ジブチルージアセチルスズ等が挙げられ、そのアルコール溶液が用いられる。塩化物としては例えば四塩化チタン、四塩化スズ、塩化亜鉛等が挙げられ、その水溶液が用いられる。
【0028】
次に酸化物半導体薄膜に色素を担持させる方法について説明する。前記の色素を担持させる方法としては、色素を溶解しうる溶媒にて色素を溶解して得た溶液、又は溶解性の低い色素にあっては色素を分散せしめて得た分散液に上記酸化物半導体薄膜の設けられた基板を浸漬する方法が挙げられる。溶液又は分散液中の濃度は色素によって適宜決める。その溶液中に基板上に作成した半導体薄膜を浸す。浸積時間はおおむね常温から溶媒の沸点までであり、また浸積時間は1時間から48時間程度である。色素を溶解させるのに使用しうる溶媒の具体例として、例えば、メタノール、エタノール、アセトニトリル、ジメチルスルホキサイド、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。溶液の色素濃度は通常1×10−6M〜1Mがよく、好ましくは1×10−4M〜1×10−1Mである。この様にして色素で増感した酸化物半導体微粒子薄膜の光電変換素子が得られる。
【0029】
担持する色素は1種類でもよいし、2種類以上混合してもよい。混合する場合は本発明の色素同士でもよいし、他の部分構造(1)を有さない色素(金属錯体色素であってもよい)を混合してもよい。特に吸収波長の異なる色素同士を混合することにより、幅広い吸収波長を用いることが出来、変換効率の高い太陽電池が得られる。3種類以上の色素を混合利用することで更に最適な太陽電池の作成も可能になる。混合利用する金属錯体色素の例としては特に制限は無いが J.Am.Chem.Soc., 115, 6382 (1993)や特開2000−26487に示されているルテニウムビピリジル錯体やフタロシアニン、ポルフィリンなどが好ましく、混合利用する有機色素としては無金属のフタロシアニン、ポルフィリンやシアニン、メロシアニン、オキソノール、トリフェニルメタン系などのメチン系色素や、キサンテン系、アゾ系、アンスラキノン系等の色素が挙げられる。好ましくはルテニウム錯体やメロシアニン等のメチン系色素が挙げられる。混合する色素の比率は特に限定は無く、それぞれの色素により最適化されるが、一般的に等モルずつの混合から、1つの色素につき10モル%程度以上使用するのが好ましい。混合色素を混合溶解若しくは分散した溶液を用いて、酸化物半導体微粒子薄膜に色素を吸着させる場合、溶液中の色素合計の濃度は1種類のみ担持する場合と同様でよい。
【0030】
酸化物半導体微粒子の薄膜に色素を担持する際、色素同士の会合を防ぐために包摂化合物の共存下、色素を担持することが効果的である。ここで包摂化合物としてはコール酸等のステロイド系化合物、クラウンエーテル、シクロデキストリン、カリックスアレン、ポリエチレンオキサイドなどが挙げられるが、好ましいものはコール酸、ポリエチレンオキサイド等である。また色素を担持させた後、4ーt−ブチルピリジン等のアミン化合物で半導体電極表面を処理してもよい。処理の方法は例えばアミンのエタノール溶液に色素を担持した半導体微粒子薄膜の設けられた基板を浸す方法等が採られる。
【0031】
本発明の太陽電池は上記酸化物半導体薄膜に色素を担持させた光電変換素子の電極と対極とレドックス電解質または正孔輸送材料から構成される。レドックス電解質は酸化還元対を溶媒中に溶解させた溶液や、ポリマーマトリックスに含浸させたゲル電解質、また溶融塩のような固体電解質であってもよい。正孔輸送材料としてはアミン誘導体やポリアセチレン、ポリアニリン、ポリチオフェンなどの導電性高分子、ポリフェニレンなどのディスコティック液晶相を用いる物などが挙げられる。用いる対極としては導電性を持っており、レドックス電解質の還元反応を触媒的に作用するものが好ましい。例えばガラス、もしくは高分子フィルムに白金、カーボン、ロジウム、ルテニウム等を蒸着したり、導電性微粒子を塗り付けたものが用いうる。
【0032】
本発明の太陽電池に用いるレドックス電解質としてはハロゲンイオンを対イオンとするハロゲン化合物及びハロゲン分子からなるハロゲン酸化還元系電解質、フェロシアン酸塩−フェリシアン酸塩やフェロセン−フェリシニウムイオンなどの金属錯体等の金属酸化還元系電解質、アルキルチオール−アルキルジスルフィド、ビオロゲン色素、ヒドロキノン−キノン等の芳香族酸化還元系電解質などをあげることができるが、ハロゲン酸化還元系電解質が好ましい。ハロゲン化合物−ハロゲン分子からなるハロゲン酸化還元系電解質におけるハロゲン分子としては、例えばヨウ素分子や臭素分子等があげられ、ヨウ素分子が好ましい。また、ハロゲンイオンを対イオンとするハロゲン化合物としては、例えばLiI、NaI、KI、CsI、CaI2等のハロゲン化金属塩あるいはテトラアルキルアンモニウムヨーダイド、イミダゾリウムヨーダイド、ピリジニウムヨーダイドなどのハロゲンの有機4級アンモニウム塩等があげられるが、ヨウ素イオンを対イオンとする塩類化合物が好ましい。ヨウ素イオンを対イオンとする塩類化合物としては、例えばヨウ化リチウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化トリメチルアンモニウム塩等があげられる。
【0033】
また、レドックス電解質はそれを含む溶液の形で構成されている場合、その溶媒には電気化学的に不活性なものが用いられる。例えばアセトニトリル、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、3−メトキシプロピオニトリル、メトキシアセトニトリル、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、γ−ブチロラクトン、ジメトキシエタン、ジエチルカーボネート、ジエチルエーテル、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、1、2−ジメトキシエタン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキサイド、1、3−ジオキソラン、メチルフォルメート、2ーメチルテトラヒドロフラン、3−メトキシーオキサジリジン−2−オン、スルホラン、テトラヒドロフラン、水等が挙げられ、これらの中でも、特に、アセトニトリル、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、3−メトキシプロピオニトリル、メトキシアセトニトリル、エチレングリコール、3−メトキシオキサジリジン−2−オン等が好ましい。これらは単独もしくは2種以上組み合わせて用いてもよい。ゲル電解質の場合はマトリックスとして、ポリアクリレートやポリメタクリレート樹脂などを使用したものが挙げられる。レドックス電解質の濃度は通常0.01〜99重量%で好ましくは0.1〜90重量%程度である。
【0034】
本発明の太陽電池は、基板上の酸化物半導体薄膜に色素を担持した光電変換素子からなる電極に対向して対極を配置する。その間にレドックス電解質を含んだ溶液を充填することにより本発明の太陽電池が得られる。
【0035】
【実施例】
以下に実施例に基づき、本発明を更に具体的に説明するが、本発明がこれらの実施例に限定されるものではない。実施例中、部は特に指定しない限り質量部を、また%は質量%をそれぞれ表す。
【0036】
合成例1
ロダニン2部と4−ジメチルアミノベンズアルデヒド2部をエタノール20部に混ぜ、ここにピペラジン無水物0.2部を添加する。還流で2時間反応させた後、冷却し得られた固体を濾過、洗浄、乾燥し、次いでエタノールで再結晶後、濾過、洗浄、乾燥し化合物(15)を3部得た。
吸収極大(エタノール):457nm
発光極大(エタノール):547nm
【0037】
合成例2
ロダニン2部と4−ジメチルアミノシンナムアルデヒド2.5部をエタノール20部に混ぜ、ここにピペラジン無水物0.2部を添加する。還流で2時間反応させた後、冷却し得られた固体を濾過、洗浄、乾燥し、次いでエタノールで再結晶後、濾過、洗浄、乾燥し化合物(36)を3.3部得た。
吸収極大(エタノール):481nm
【0038】
合成例3
ロダニン−3−酢酸1.2部と4−ジメチルアミノベンズアルデヒド1部をエタノール10部に混ぜ、ここにピペラジン無水物0.1部を添加する。還流で2時間反応させた後、冷却し得られた固体を濾過、洗浄、乾燥し、次いでエタノールで再結晶後、濾過、洗浄、乾燥し化合物(1)を1.3部得た。
吸収極大(エタノール):465nm
発光極大(エタノール):549nm
1H−NMR(ppm:d6−DMSO):3.05 (s, CH3, 6H), 4.60 (S, −CH2−, 2H), 6.86 (d, arom, 2H), 7.52 (d, arom, 2H), 7.73 (s, =CH−, 1H)
【0039】
合成例4
ロダニン−3−酢酸2部と4−ジエチルアミノベンズアルデヒド1.7部をエタノール20部に混ぜ、ここにピペラジン無水物0.2部を添加する。還流で2時間反応させた後、冷却し得られた固体を濾過、洗浄、乾燥し、次いでエタノールで再結晶後、濾過、洗浄、乾燥し化合物(2)を2.5部得た。
吸収極大(エタノール):472nm
発光極大(エタノール):544nm
1H−NMR(ppm:d6−DMSO):1.13 (t, CH3, 6H), 3.43 (t, (CH2), 4H), 4.49 (S, −CH2−, 2H), 6.83 (d, arom, 2H), 7.48 (d, arom, 2H), 7.68 (s, =CH−, 1H)
【0040】
合成例5
ロダニン−3−酢酸1部と4−ジメチルアミノシンナムアルデヒド0.96部をエタノール10部に混ぜ、ここにピペラジン無水物0.1部を添加する。還流で2時間反応させた後、冷却し得られた固体を濾過、洗浄、乾燥し、次いでエタノールで再結晶後、濾過、洗浄、乾燥し化合物(27)を1.1部得た。
吸収極大(エタノール):488nm
【0041】
合成例6
ロダニン−3−酢酸5部と4−ジエチルアミノサリチルアルデヒド4.8部をエタノール20部に混ぜ、ここにピペラジン無水物0.8部を添加する。還流で2時間反応させた後、冷却し得られた固体を濾過、洗浄、乾燥し、次いでエタノールで再結晶後、濾過、洗浄、乾燥し化合物(9)を7.1部得た。
吸収極大(エタノール):479nm
発光極大(エタノール):544nm
1H−NMR(ppm:d6−DMSO):1.13 (t, CH3, 6H), 3.40 (t, (CH2), 4H), 4.50 (S, −CH2−, 2H), 6.22 (s, arom, 1H), 6.42 (d, arom, 1H), 7.18 (d, arom, 1H), 7.95 (s, =CH−, 1H)
【0042】
合成例7
ロダニン−3−酢酸2.4部と4−モルホリルノベンズアルデヒド2部をエタノール20部に混ぜ、ここにピペラジン無水物0.2部を添加する。還流で2時間反応させた後、冷却し得られた固体を濾過、洗浄、乾燥し、次いでエタノールで再結晶後、濾過、洗浄、乾燥し化合物(68)を3.2部得た。
吸収極大(エタノール):440nm
発光極大(エタノール):537nm
【0043】
合成例8
ロダニン−3−酢酸2.3部と2,4,6−トリメトキシベンズアルデヒド2部をエタノール20部に混ぜ、ここにピペラジン無水物0.2部を添加する。還流で2時間反応させた後、冷却し得られた固体を濾過、洗浄、乾燥し、次いでエタノールで再結晶後、濾過、洗浄、乾燥し化合物(60)を3.4部得た。
吸収極大(エタノール):410nm
発光極大(エタノール):469nm
【0044】
合成例9
ロダニン−3−酢酸1.5部と9−ホルミルー8−ヒドロキシー1,1,7,7―テトラメチルジュロリジン2部をエタノール20部に混ぜ、ここにピペラジン無水物0.2部を添加する。還流で2時間反応させた後、冷却し得られた固体を濾過、洗浄、乾燥し、次いでエタノールで再結晶後、濾過、洗浄、乾燥し化合物(57)を3.1部得た。
吸収極大(エタノール):502nm
発光極大(エタノール):569nm
【0045】
合成例10
ロダニン−3−酢酸3部と4−ジエチルアミノナフトアルデヒド2部をエタノール20部に混ぜ、ここにピペラジン無水物0.2部を添加する。還流で2時間反応させた後、冷却し得られた固体を濾過、洗浄、乾燥し、次いでエタノールで再結晶後、濾過、洗浄、乾燥し化合物(72)を3.4部得た。
吸収極大(エタノール):445nm
発光極大(エタノール):574nm
【0046】
合成例11
ロダニン−3−酢酸1部と4−ジーn−ブチルアミノベンズアルデヒド1.2部をエタノール10部に混ぜ、ここにピペラジン無水物0.1部を添加する。還流で2時間反応させた後、冷却し得られた固体を濾過、洗浄、乾燥し、次いでエタノールで再結晶後、濾過、洗浄、乾燥し化合物(12)を2.3部得た。
吸収極大(エタノール):466nm
【0047】
合成例12
ロダニン−3−酢酸1.3部と4−ジベンジルアミノベンズアルデヒド2部をエタノール20部に混ぜ、ここにピペラジン無水物0.2部を添加する。還流で2時間反応させた後、冷却し得られた固体を濾過、洗浄、乾燥し、次いでエタノールで再結晶後、濾過、洗浄、乾燥し化合物(66)を2.3部得た。
吸収極大(エタノール):466nm
発光極大(エタノール):540nm
【0048】
合成例13
ロダニン−3−酢酸1.3部とN,N−ジオクチルアミノベンズアルデヒド2部をn−ブタノール15部に混ぜ、ここにピペラジン無水物0.1部を添加する。還流で2時間反応させた後、冷却し得られた固体を濾過、洗浄、乾燥し、次いでエタノール:ブタノール混合溶媒で再結晶後、濾過、洗浄、乾燥し化合物(5)を1.8部得た。
吸収極大(エタノール):470nm
発光極大(エタノール):541nm
1H−NMR(ppm:CDCl3):0.90 (t, CH3, 6H), 1.2−1.7 (m, (CH2)6, 24H), 3.30 (t, N−CH2−, 4H), 4.70 (S, −CH2−, 2H), 6.63 (d, arom, 2H), 7.50 (d, arom, 2H), 8.62 (s, =CH−, 1H)
【0049】
実施例および比較例
実施例1〜16および比較例1,2については色素を3×10−4MになるようにEtOHに溶解した。実施例17および18については各色素をそれぞれ1.5×10−4MになるようにEtOHに溶解した。この溶液中に多孔質基板(日本アエロジル社チタニウムジオキサイドP−25を硝酸水溶液中、分散処理し、これを透明導電性ガラス電極上に厚さ50μmになるように塗布し、450℃で30分間焼成した半導体薄膜電極)を室温で一晩浸漬し色素を担持せしめ、溶剤で洗浄し、乾燥させ、色素増感した半導体薄膜の光電変換素子を得た。また実施例1〜13、18および比較例2においては半導体薄膜電極の酸化チタン薄膜部分に0.2M四塩化チタン水溶液を滴下し、室温にて24時間静置後、水洗して、再度450度にて30分焼成して得た、四塩化チタン処理半導体薄膜電極を用いて色素を同様に担持した。さらに実施例16については色素の担持時に包摂化合物としてコール酸を3×10−5Mとなるように加えて先の色素溶液を調製し、半導体薄膜に担持して、コール酸処理色素増感半導体薄膜を得た。これと対峙するように空隙を設けて、表面を白金でスパッタされた導電性ガラスを固定してその空隙に電解質を含む溶液を注入した。実施例14,17および比較例1の電解液Aは3ーメトキシプロピオニトリルにヨウ素/ヨウ化リチウム/1、2ージメチルー3ーn−プロピルイミダゾリウムアイオダイド/t−ブチルピリジンをそれぞれ0.1M/0.1M/0.6M/1Mになるように溶解し調製し、実施例1〜13、15、16、18および比較例2の電解液Bはエチレンカーボネートとアセトニトリルの6対4の溶液にヨウ素/テトラ−n−プロピルアンモニウムアイオーダイドを0.02M/0.5Mになるように溶解して調製した。
測定する電池の大きさは実行部分を0.25cm2とした。光源は500Wキセノンランプを用いて、AM1.5フィルターを通して100mW/cmとした。短絡電流、解放電圧、変換効率、形状因子はポテンシオ・ガルバノスタットを用いて測定した。作成した電池の性能を表2に示した。
【0050】
【化13】
【0051】
【表2】
【0052】
表4より、一般式(1)の色素で増感された光電変換素子を用いることにより、可視光を効果的に変換できることが分かる。また、この色素と他の構造を有する色素(金属錯体を含む)を併用することにより、単独の色素を用いた場合よりも変換効率の向上がみられ、太陽電池として有効であることがわかった。
【発明の効果】本発明の色素増感光電変換素子において、特定の部分構造を有する色素を用いることにより、変換効率が高く安定性の高い太陽電池を提供する事が出来た。さらに2種以上の色素の併用により増感された酸化物半導体微粒子を用いることで、変換効率の向上が見られた。[0001]
[Technical field to which the present invention pertains]
The present invention relates to a semiconductor fine particle sensitized with an organic dye, a photoelectric conversion element, and a solar cell, and more particularly, an oxide semiconductor fine particle sensitized by a dye having a specific structure, and a photoelectric conversion characterized by using the same. The present invention relates to an element and a solar cell using the same.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art A solar cell that uses sunlight as an energy resource to replace fossil fuels such as oil and coal has attracted attention. Currently, development studies are being actively conducted on silicon solar cells using crystalline or amorphous silicon, or compound semiconductor solar cells using gallium, arsenic, or the like, for example, with high efficiency. However, they require high energy and cost for production, and they are not easily spread to the market due to resource problems. Therefore, development of a solar cell which can be manufactured at lower cost is desired. On the other hand, a photoelectric conversion element using semiconductor fine particles sensitized with a dye, or a solar cell using the same is also known, and materials and manufacturing techniques for producing the same are disclosed. (B.O'Regan and M. Graetzel Nature, 353, 737 (1991), MK Nazeeruddin, A. Kay, I. Rodicio, R. Humphry-Baker, E. Muller, P. Liska, N.V. , M. Gratzel, J. Am. Chem. Soc., 115, 6382 (1993) etc.) This photoelectric conversion element is manufactured using a relatively inexpensive oxide semiconductor such as titanium oxide. Attention has been paid to the possibility that a photoelectric conversion element at lower cost than a solar cell using silicon or the like may be obtained. However, in order to obtain a device having a high conversion efficiency, a ruthenium-based complex is used as a sensitizing dye, the cost of the dye itself is high, and there is still a problem in the supply of the dye. Attempts have been made to use organic dyes as sensitizing dyes, but they have not yet been put to practical use due to low conversion efficiency.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
In a photoelectric conversion element using an organic dye-sensitized semiconductor, development of a photoelectric conversion element that uses an inexpensive organic dye, has high conversion efficiency, has excellent stability, and has high practicality has been demanded.
[0004]
[Means for Solving the Problems]
The present inventors have worked diligently to solve the above-described problems, and as a result, sensitize the semiconductor fine particles using a dye having a specific partial structure, and have a high conversion efficiency by creating a photoelectric conversion element, which has high durability. They have found that a high photoelectric conversion element can be obtained, and have completed the present invention.
That is, the present invention
(1) A photoelectric conversion element using oxide semiconductor fine particles sensitized by a methine dye represented by the general formula (1).
Embedded image
(Where A1, A2 and A3 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. X1, X2 and X3 each independently represent an imino group, an alkylimino group, an arylimino group, an oxygen atom, a sulfur atom or a selenium atom. Y represents an aromatic hydrocarbon residue which may have a substituent other than the structure represented by salicylic acid and polysubstituted hydroxybenzene, or an organic complex residue which may have a substituent. Represents an aliphatic hydrocarbon residue which may have a substituent, an aromatic hydrocarbon residue which may have a substituent, or a heterocyclic residue which may have a substituent, wherein n is from 0 to And represents an integer of 4. When n is 2 or more and a plurality of A1 and A2 are present, each A1 and each A2 independently represent the same or different groups described above. In the case where A1 is present in plurals, when A1, A2 or A2 is present in plurals, two of A2 and A3 are bonded to form a ring which may have a substituent. May be.)
(2) A photoelectric conversion element, wherein the substituent Y in the general formula (1) in (1) is represented by the following general formula (2).
Embedded image
(In the formula, Z represents a substituent, and there may be a plurality of substituents, and when there are a plurality of substituents, they may be the same or different, and may be linked to each other or have a ring which may have a substituent with R2 and R3. R2 and R3 each have a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon residue which may have a substituent, an aromatic hydrocarbon residue which may have a substituent or a substituent Represents a good heterocyclic residue.)
(3) The photoelectric conversion device according to (1) or (2), wherein R1 in the general formula (1) is represented by an aliphatic hydrocarbon residue or an aromatic hydrocarbon residue having a carboxyl group.
(4) The photoelectric conversion element according to any one of (1) to (3), wherein n in the general formula (1) is represented by 0 to 3.
(5) Two or more dyes selected from the group consisting of other metal complex dyes and organic dyes having other structures containing at least one of the dyes described in (1) to (4). A photoelectric conversion element characterized by using oxide semiconductor fine particles sensitized by combined use.
(6) The photoelectric conversion element according to any one of (1) to (5), wherein the oxide semiconductor fine particles contain titanium dioxide as an essential component.
(7) The photoelectric conversion element according to any one of (1) to (6), wherein the oxide semiconductor fine particles carry a dye in the presence of the inclusion compound.
(8) A solar cell using the photoelectric conversion element according to any one of (1) to (7).
(9) oxide semiconductor fine particles sensitized by a methine dye represented by the general formula (1) described in (1) to (4),
About.
[0005]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail. The photoelectric conversion element of the present invention uses an oxide semiconductor sensitized by a dye having a specific partial structure. The dye having a specific partial structure used in the present invention is represented by the following general formula (1).
[0006]
Embedded image
[0007]
In the general formula (1), A1, A2 and A3 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. The substituent is not particularly limited, but an aromatic hydrocarbon residue which may have a substituent, a heterocyclic residue which may have a substituent, an amino group which may have a substituent, hydrogen Examples thereof include an atom, a halogen atom, and an alkyl group which may have a substituent. When A1 and A2 are plural, each A1 and each A2 independently represent the same or different groups described above.
The aromatic hydrocarbon residue means a group obtained by removing one hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon, for example, a hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon such as benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, pyrene, indene, azulene, and fluorene. Groups excluding one are mentioned.
The heterocyclic residue means a group obtained by removing one hydrogen atom from a heterocyclic compound, such as pyridine, pyrazine, piperidine, morpholine, indoline, thiophene, furan, oxazole, thiazole, indole, benzothiazole, benzoxazole, and quinoline. A group in which one hydrogen atom has been removed from the heterocyclic compound of formula (1).
Examples of the alkyl group include linear, branched and cyclic alkyl groups which may have a substituent, and preferably have 1 to 36 carbon atoms, and more preferably a saturated linear alkyl which may have a substituent. Groups having 1 to 20 carbon atoms. Examples of the cyclic one include cycloalkyl having 3 to 8 carbon atoms. These alkyl groups may be further substituted with the following substituents.
Examples of the amino group include an unsubstituted amino group, a mono- or di-alkylamino group, and a mono- or di-aromatic amino group.
Examples of the halogen atom include atoms such as chlorine, bromine and iodine.
The alkyl group which may have a substituent, the aromatic hydrocarbon residue which may have a substituent, the substituent in the heterocyclic residue which may have a substituent is not particularly limited, Alkyl group, aryl group, cyano group, isocyano group, thiocyanato group, isothiocyanato group, nitro group, nitrosyl group, acyl group, halogen atom, hydroxyl group, phosphate group, phosphate group, substituted or unsubstituted mercapto group, substituted Or an unsubstituted amino group, a substituted or unsubstituted amide group, an alkoxyl group, an alkoxyalkyl group, an alkoxyalkyl group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a sulfo group, and the like.
Examples of the alkyl group shown above include a linear, branched, or cyclic alkyl group which may have a substituent, and preferably has 1 to 36 carbon atoms, and more preferably a saturated alkyl group which may have a substituent. Which has 1 to 20 carbon atoms. Examples of the cyclic one include cycloalkyl having 3 to 8 carbon atoms. These alkyl groups may be further substituted with the above substituents (excluding the alkyl group).
Examples of the aryl group include a group obtained by removing a hydrogen atom from an aromatic ring described in the section of the aromatic hydrocarbon residue. The aryl group may be further substituted with the above groups.
Examples of the acyl group include an alkylcarbonyl group having 1 to 10 carbon atoms and an arylcarbonyl group, and preferably an alkylcarbonyl group having 1 to 4 carbon atoms, specifically, an acetyl group and a propionyl group.
Examples of the halogen atom include atoms such as chlorine, bromine and iodine.
Examples of the phosphoric ester group include a phosphoric acid (C1-C4) alkyl ester group.
Examples of the substituted or unsubstituted mercapto group include a mercapto group and an alkyl mercapto group.
Examples of the substituted or unsubstituted amino group include an amino group, a mono- or dialkylamino group, a mono- or di-aromatic amino group, and the like, and a mono- or dimethylamino group, a mono- or diethylamino group, a mono- or dipropylamino group, a mono- or diphenyl Examples thereof include an amino group and a benzylamino group.
Examples of the substituted or unsubstituted amide group include an amide group, an alkylamide group, and an aromatic amide group.
Examples of the alkoxyl group include an alkoxyl group having 1 to 10 carbon atoms.
Examples of the alkoxyalkyl group include a (C1-C10) alkoxy (C1-C10) alkyl group.
Examples of the alkoxycarbonyl group include an alkoxycarbonyl group having 1 to 10 carbon atoms.
Acid groups such as carboxyl group, sulfo group and phosphoric acid group include metal salts such as lithium, sodium, potassium, magnesium and calcium and quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium, tetrabutylammonium, pyridinium and imidazolium. A salt may be formed.
[0008]
Preferred as A1, A2 and A3 are a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group which may have a substituent, a phenyl group which may have a substituent, and more preferably a hydrogen atom or a substituent. It is an alkyl group which may have.
[0009]
A1, A2 and A3 may form a ring which may have a substituent using any two of them. In particular, when n is 2 or more and a plurality of A1 and A2 are present, a ring may be formed by using arbitrary A1, arbitrary A2 and A3. When it has a substituent, examples of the substituent include the substituents described in the section of the aromatic hydrocarbon residue which may have a substituent. The ring to be formed includes an unsaturated hydrocarbon ring or a heterocyclic ring. Examples of the unsaturated hydrocarbon ring include a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a pyrene ring, an indene ring, an azulene ring, a fluorene ring, a cyclobutene ring, a cyclohexene ring, a cyclopentene ring, a cyclohexadiene ring, and a cyclopentadiene ring. As a heterocyclic ring, pyridine ring, pyrazine ring, indoline ring, thiophene ring, furan ring, pyran ring, oxazole ring, thiazole ring, indole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, pyrazine ring, quinoline ring, carbazole ring, A benzopyran ring; Preferred among these are a cyclobutene ring, a cyclopentene ring, a cyclohexene ring and a pyran ring. Further, it may have a carbonyl group, a thiocarbonyl group, or the like as a substituent, and in that case, a cyclic ketone or a cyclic thioketone may be formed.
[0010]
X1, X2 and X3 each independently represent an imino group, an alkylimino group, an arylimino group, an oxygen atom, a sulfur atom or a selenium atom. Preferred are an imino group, an alkylimino group, an oxygen atom and a sulfur atom, and more preferred are an oxygen atom and a sulfur atom.
[0011]
Y represents an aromatic hydrocarbon residue which may have a substituent other than the structure represented by salicylic acid and polysubstituted hydroxybenzene, or an organic complex residue which may have a substituent. The aromatic hydrocarbon residue mentioned here means a group obtained by removing one hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon, for example, from aromatic hydrocarbons such as benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, pyrene, indene, azulene, and fluorene. Examples thereof include groups excluding one hydrogen atom, and any of these may have a substituent as described above. Usually, it is an aromatic hydrocarbon residue having an aromatic ring having 6 to 16 carbon atoms (such as an aromatic ring and a condensed ring containing the aromatic ring).
Examples of the organometallic complex residue which may have a substituent include a group obtained by removing one hydrogen atom from an organometallic complex. Examples of these organometallic complex compounds include ferrocene, ruthenocene, titanocene, zirconocene, Porphyrin, phthalocyanine, bipyridyl complex and the like can be mentioned.
Preferred examples of Y include a benzene ring, a naphthalene ring, an indene ring, a phthalocyanine ring, a porphyrin ring, and ferrocene. More preferred are a benzene ring and a naphthalene ring, and most preferred is a benzene ring.
The substituent which Y may have at this time may be the same as the substituent described for the aromatic hydrocarbon residue which may have a substituent. Preferable examples include an amino group which may be substituted, an alkyl group which may be substituted, an alkoxyl group, an acyl group, an amide group, a hydroxyl group and a halogen atom. More preferred are an optionally substituted amino group, an optionally substituted alkyl group, and an alkoxyl group. Here, the amino group which may have a substituent preferably includes a mono- or di-alkyl-substituted amino group, a mono-alkyl mono-aryl substitution, a mono- or di-aryl substitution, a mono- or di-alkylene substitution, and the like. Derivatives are preferred. Preferred examples of the substituent of the alkyl group which may be substituted include an aryl group, a halogen atom, an alkoxyl group, a cyano group, a hydroxyl group and a carboxyl group. Examples of the alkoxyl group which may be substituted include alkoxy substitution, halogen substitution, and aryl substitution. In addition, an aromatic azo group which may have a substituent may be substituted.
[0012]
Further, a preferable example of Y includes a structure represented by the general formula (2).
Z represents a substituent, and Z may be plural, and when plural, Z may be the same or different. Preferably, it may be the same as described in the section of the substituent which Y may have. Preferably an alkyl group, an aryl group, a cyano group, a nitro group, an acyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted amino group, a substituted or unsubstituted amide group, an alkoxyl group, an alkoxyalkyl group, an alkoxyalkyl group, a carboxyl group , An alkoxycarbonyl group, a sulfo group and the like. There may be a plurality of substituents, and when there are a plurality of substituents, they may be the same or different, and may be linked to each other or form a ring which may have a substituent with R2 and R3 as described below. Is also good.
R2 and R3 are each a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon residue which may have a substituent, an aromatic hydrocarbon residue which may have a substituent, or a heterocyclic residue which may have a substituent. Represents a group.
Examples of the aliphatic hydrocarbon residue include residues obtained by removing one hydrogen atom from saturated and unsaturated linear, branched and cyclic aliphatic hydrocarbons. The number of carbon atoms is not particularly limited, but is usually from 1 to About 36 are preferable, and a linear alkyl group having about 1 to 20 carbon atoms is preferable. Examples of the cyclic one include cycloalkyl having 3 to 8 carbon atoms. The aromatic hydrocarbon residue and the heterocyclic residue may be the same as those described in the section of the substituent for A above. These may be substituted with the substituents described for the alkyl group optionally having a substituent of A.
R2 and R3 may be linked to each other to form a ring which may have a substituent, and R2 and R3 each independently bond to Z to form a ring such as a julolidine ring, a quinoline ring or a carbazole ring. Can also be.
[0013]
R1 represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon residue which may have a substituent, an aromatic hydrocarbon residue which may have a substituent, or a heterocyclic residue which may have a substituent. The aliphatic hydrocarbon residue, aromatic hydrocarbon residue and heterocyclic residue may be the same as those described above. The substituent which the substituent R1 may have at this time may be the same as the substituent described for the alkyl group which may have a substituent in the above-mentioned A1, A2 and A3, and is preferably an alkyl group. Group, a halogen atom, a hydroxyl group, a phosphate group, a phosphate group, an alkoxyl group or a carboxamide group, an acyl group, a carboxyl group, a carbonyl group such as an alkoxycarbonyl group, and more preferably an acetyl group, a carboxyl group, And carbonyl groups such as alkoxycarbonyl groups. R1 preferably includes an aliphatic hydrocarbon residue which may have a substituent, an aromatic hydrocarbon residue which may have a substituent, and further includes an unsubstituted or carbonyl-substituted alkyl group and an unsubstituted group. Alternatively, a carbonyl-substituted phenyl group is preferred. Most preferably, it is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms having a carboxyl group.
n shows the integer of 0-4.
[0014]
The compound represented by the general formula (1) can take structural isomers such as a cis-form and a trans-form, but is not particularly limited, and any of them can be favorably used as a photosensitizing dye.
[0015]
The compound of the general formula (1) is prepared by adding a compound represented by the general formula (3) and a carbonyl derivative represented by the formula (4) to methanol, if necessary, in the presence of a basic catalyst such as sodium ethoxide, piperidine or piperazine. It is obtained by condensing in an alcohol such as ethanol or isopropanol, an aprotic polar solvent such as dimethylformamide, or a solvent such as acetic anhydride at 20 ° C. to 120 ° C., preferably about 50 ° C. to 80 ° C.
[0016]
Embedded image
[0017]
Embedded image
[0018]
The compound examples are listed below. Table 1 shows examples of compounds of the general formula (5) in which A1, A2 and A3 of the compound (1) are hydrogen and Y is a derivative of 4-aminobenzene. The substituents R1, R2, R3, R4, R5, X1, X2 and X3 in the derivatives described in the table are represented by the following formula (5). The 4-tolyl group is abbreviated as Tol, the phenyl group as Ph, and the naphthalene group as Np.
[0019]
Embedded image
[0020]
[Table 1]
Other examples are shown below.
[0021]
Embedded image
[0022]
Embedded image
[0023]
Embedded image
[0024]
Embedded image
[0025]
The dye-sensitized photoelectric conversion element of the present invention is obtained by, for example, manufacturing a thin film of an oxide semiconductor on a substrate using fine particles of an oxide semiconductor, and then supporting a dye on the thin film.
As the substrate on which the oxide semiconductor thin film is provided in the present invention, a substrate having a conductive surface is preferable, but such a substrate is easily available on the market. Specifically, for example, a conductive metal oxide such as tin oxide doped with indium, fluorine, antimony, or gold, silver, or the like on the surface of glass or the surface of a transparent polymer material such as polyethylene terephthalate or polyether sulfone. And a thin film of a metal such as copper can be used. The conductivity is usually 1000Ω or less, and preferably 100Ω or less.
As the fine particles of the oxide semiconductor, a metal oxide is preferable, and specific examples thereof include oxides such as titanium, tin, zinc, tungsten, zirconium, gallium, indium, yttrium, niobium, tantalum, and vanadium. Of these, oxides such as titanium, tin, zinc, niobium, and tungsten are preferable, and among them, titanium oxide is most preferable. These oxide semiconductors can be used alone or as a mixture. The average particle diameter of the oxide semiconductor fine particles is usually 1 to 500 nm, preferably 5 to 100 nm. The fine particles of the oxide semiconductor can also be used as a mixture of large and small particles.
An oxide semiconductor thin film is formed by depositing oxide semiconductor fine particles and directly forming a thin film on the substrate, a method of electrically depositing the semiconductor fine particle thin film using the substrate as an electrode, and applying a slurry of semiconductor fine particles on the substrate and then drying. , Or by curing or firing. From the viewpoint of the performance of the oxide semiconductor electrode, a method using a slurry or the like is preferable. In the case of this method, the slurry is obtained by dispersing the secondary aggregated oxide semiconductor fine particles in a dispersion medium by a conventional method so that the average primary particle diameter becomes 1 to 200 nm.
[0026]
The dispersion medium for dispersing the slurry is not particularly limited as long as it can disperse the semiconductor fine particles, and an organic solvent such as water or an alcohol such as ethanol, acetone, a ketone such as acetylacetone, or a hydrocarbon such as hexane is used. They may be used as a mixture, and the use of water is preferred in that the change in viscosity of the slurry is reduced.
The firing temperature of the substrate coated with the slurry is usually 300 ° C. or higher, preferably 400 ° C. or higher, and the upper limit is generally lower than the melting point (softening point) of the substrate, and the upper limit is usually 900 ° C., preferably 600 ° C. or lower. It is. The firing time is not particularly limited, but is preferably about 4 hours or less. The thickness of the thin film on the substrate is usually 1 to 200 μm, preferably 5 to 50 μm.
[0027]
Secondary treatment may be performed on the oxide semiconductor thin film. That is, for example, the performance of the semiconductor thin film can be improved by directly immersing the thin film together with the substrate in a solution of alkoxide, chloride, nitride, sulfide, or the like of the same metal as the semiconductor and drying or refiring. Examples of the metal alkoxide include titanium ethoxide, titanium isopropoxide, titanium t-butoxide, n-dibutyldiacetyltin, and the like, and an alcohol solution thereof is used. Examples of the chloride include titanium tetrachloride, tin tetrachloride, zinc chloride and the like, and an aqueous solution thereof is used.
[0028]
Next, a method for supporting a dye on the oxide semiconductor thin film will be described. As a method for supporting the dye, the solution obtained by dissolving the dye in a solvent capable of dissolving the dye, or, in the case of a dye having low solubility, the dispersion obtained by dispersing the dye, the oxide A method of immersing a substrate provided with a semiconductor thin film may be used. The concentration in the solution or dispersion is appropriately determined depending on the dye. The semiconductor thin film formed on the substrate is immersed in the solution. The immersion time is generally from room temperature to the boiling point of the solvent, and the immersion time is about 1 to 48 hours. Specific examples of solvents that can be used to dissolve the dye include, for example, methanol, ethanol, acetonitrile, dimethylsulfoxide, dimethylformamide, and the like. The dye concentration of the solution is usually 1 × 10 -6 M to 1M, preferably 1 × 10 -4 M ~ 1 × 10 -1 M. In this manner, a photoelectric conversion element of a thin oxide semiconductor fine particle film sensitized with a dye is obtained.
[0029]
One type of dye may be carried, or two or more types may be mixed. When mixed, the dyes of the present invention may be mixed with each other, or a dye having no partial structure (1) (a metal complex dye may be mixed). In particular, by mixing dyes having different absorption wavelengths, a wide range of absorption wavelengths can be used, and a solar cell with high conversion efficiency can be obtained. The use of a mixture of three or more dyes makes it possible to produce a more optimal solar cell. Examples of the metal complex dyes to be mixed and used are not particularly limited. Am. Chem. Soc. , 115, 6382 (1993) and JP-A-2000-26487. Ruthenium bipyridyl complexes, phthalocyanines, porphyrins and the like are preferable. Organic dyes to be mixed and used are metal-free phthalocyanines, porphyrins, cyanines, merocyanines, oxonols, trioxins, and the like. Examples include methine dyes such as phenylmethane, and dyes such as xanthene, azo, and anthraquinone dyes. Preferably, a methine dye such as a ruthenium complex or merocyanine is used. The ratio of the dyes to be mixed is not particularly limited and is optimized for each dye, but it is generally preferable to use about 10 mol% or more for one dye from mixing in equimolar amounts. In the case where a dye in which a mixed dye is mixed or dissolved or dispersed is used to adsorb the dye to the oxide semiconductor fine particle thin film, the total concentration of the dye in the solution may be the same as when only one type is supported.
[0030]
When a dye is supported on a thin film of oxide semiconductor fine particles, it is effective to support the dye in the presence of a inclusion compound in order to prevent association between the dyes. Here, examples of the inclusion compound include steroid compounds such as cholic acid, crown ether, cyclodextrin, calixarene, polyethylene oxide and the like, and preferred are cholic acid and polyethylene oxide. After the dye is supported, the surface of the semiconductor electrode may be treated with an amine compound such as 4-t-butylpyridine. As a treatment method, for example, a method in which a substrate provided with a semiconductor fine particle thin film carrying a dye is immersed in an ethanol solution of amine is employed.
[0031]
The solar cell of the present invention is composed of the electrode and the counter electrode of the photoelectric conversion element in which a dye is supported on the oxide semiconductor thin film, and a redox electrolyte or a hole transport material. The redox electrolyte may be a solution in which a redox couple is dissolved in a solvent, a gel electrolyte impregnated in a polymer matrix, or a solid electrolyte such as a molten salt. Examples of the hole transport material include amine derivatives, conductive polymers such as polyacetylene, polyaniline, and polythiophene, and materials using a discotic liquid crystal phase such as polyphenylene. The counter electrode used is preferably one having conductivity and acting as a catalyst for the reduction reaction of the redox electrolyte. For example, a material obtained by depositing platinum, carbon, rhodium, ruthenium, or the like on glass or a polymer film, or applying conductive fine particles thereto can be used.
[0032]
As the redox electrolyte used in the solar cell of the present invention, a halogen redox electrolyte comprising a halogen compound having a halogen ion as a counter ion and a halogen molecule, a metal complex such as ferrocyanate-ferricyanate or ferrocene-ferricinium ion And the like. Metal redox-based electrolytes such as, for example, alkyl thiol-alkyl disulfide, viologen dyes, and aromatic redox-based electrolytes such as hydroquinone-quinone can be mentioned, and halogen redox-based electrolytes are preferred. Examples of the halogen molecule in the halogen redox electrolyte composed of a halogen compound and a halogen molecule include an iodine molecule and a bromine molecule, and an iodine molecule is preferable. Examples of the halogen compound having a halogen ion as a counter ion include metal halides such as LiI, NaI, KI, CsI, and CaI2, or organic halogen compounds such as tetraalkylammonium iodide, imidazolium iodide, and pyridinium iodide. A quaternary ammonium salt and the like can be mentioned, and a salt compound having iodine ion as a counter ion is preferable. Examples of the salt compound having iodine ion as a counter ion include lithium iodide, sodium iodide, and trimethylammonium iodide.
[0033]
When the redox electrolyte is constituted in the form of a solution containing the same, an electrochemically inert solvent is used as the solvent. For example, acetonitrile, propylene carbonate, ethylene carbonate, 3-methoxypropionitrile, methoxyacetonitrile, ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, γ-butyrolactone, dimethoxyethane, diethyl carbonate, diethyl ether, diethyl carbonate, dimethyl carbonate, 1,2-dimethoxyethane, dimethylformamide, dimethylsulfoxide, 1,3-dioxolane, methylformate, 2-methyltetrahydrofuran, 3-methoxy-oxaziridin-2-one, sulfolane, tetrahydrofuran, water and the like. Of these, acetonitrile, propylene carbonate, ethylene carbonate, 3-methoxypropyl Nitrile, methoxy acetonitrile, ethylene glycol, 3-methoxy oxaziridine-2-one and the like are preferable. These may be used alone or in combination of two or more. In the case of a gel electrolyte, a matrix using polyacrylate, polymethacrylate resin, or the like is used. The concentration of the redox electrolyte is usually 0.01 to 99% by weight, preferably about 0.1 to 90% by weight.
[0034]
In the solar cell of the present invention, a counter electrode is disposed to face an electrode formed of a photoelectric conversion element in which a dye is carried on an oxide semiconductor thin film on a substrate. In the meantime, the solar cell of the present invention is obtained by filling a solution containing a redox electrolyte.
[0035]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described more specifically based on examples, but the present invention is not limited to these examples. In Examples, “parts” and “%” represent parts by mass and% by mass, respectively, unless otherwise specified.
[0036]
Synthesis Example 1
2 parts of rhodanin and 2 parts of 4-dimethylaminobenzaldehyde are mixed with 20 parts of ethanol, and 0.2 parts of anhydrous piperazine is added thereto. After reacting at reflux for 2 hours, the resulting solid was cooled, filtered, washed and dried, then recrystallized from ethanol, filtered, washed and dried to obtain 3 parts of compound (15).
Absorption maximum (ethanol): 457 nm
Emission maximum (ethanol): 547 nm
[0037]
Synthesis Example 2
2 parts of rhodanin and 2.5 parts of 4-dimethylaminocinnamaldehyde are mixed with 20 parts of ethanol, and 0.2 parts of anhydrous piperazine is added thereto. After reacting at reflux for 2 hours, the solid obtained by cooling was filtered, washed and dried, then recrystallized from ethanol, filtered, washed and dried to obtain 3.3 parts of compound (36).
Absorption maximum (ethanol): 481 nm
[0038]
Synthesis Example 3
1.2 parts of rhodanin-3-acetic acid and 1 part of 4-dimethylaminobenzaldehyde are mixed with 10 parts of ethanol, and 0.1 part of piperazine anhydride is added thereto. After reacting at reflux for 2 hours, the solid obtained by cooling was filtered, washed and dried, then recrystallized from ethanol, filtered, washed and dried to obtain 1.3 parts of compound (1).
Absorption maximum (ethanol): 465 nm
Emission maximum (ethanol): 549 nm
1H-NMR (ppm: d6-DMSO): 3.05 (s, CH3, 6H), 4.60 (S, -CH2-, 2H), 6.86 (d, arom, 2H), 7.52 ( d, arom, 2H), 7.73 (s, = CH-, 1H)
[0039]
Synthesis Example 4
2 parts of rhodanin-3-acetic acid and 1.7 parts of 4-diethylaminobenzaldehyde are mixed with 20 parts of ethanol, and 0.2 parts of anhydrous piperazine is added thereto. After reacting at reflux for 2 hours, the solid obtained by cooling was filtered, washed and dried, then recrystallized from ethanol, filtered, washed and dried to obtain 2.5 parts of compound (2).
Absorption maximum (ethanol): 472 nm
Emission maximum (ethanol): 544 nm
1H-NMR (ppm: d6-DMSO): 1.13 (t, CH3, 6H), 3.43 (t, (CH2), 4H), 4.49 (S, -CH2-, 2H), 6. 83 (d, arom, 2H), 7.48 (d, arom, 2H), 7.68 (s, = CH-, 1H)
[0040]
Synthesis Example 5
One part of rhodanin-3-acetic acid and 0.96 part of 4-dimethylaminocinnamaldehyde are mixed with 10 parts of ethanol, and 0.1 part of piperazine anhydride is added thereto. After reacting at reflux for 2 hours, the obtained solid was cooled, filtered, washed and dried, then recrystallized from ethanol, filtered, washed and dried to obtain 1.1 parts of compound (27).
Absorption maximum (ethanol): 488 nm
[0041]
Synthesis Example 6
5 parts of rhodanin-3-acetic acid and 4.8 parts of 4-diethylaminosalicylaldehyde are mixed with 20 parts of ethanol, and 0.8 parts of anhydrous piperazine is added thereto. After reacting at reflux for 2 hours, the solid obtained by cooling was filtered, washed and dried, then recrystallized from ethanol, filtered, washed and dried to obtain 7.1 parts of compound (9).
Absorption maximum (ethanol): 479 nm
Emission maximum (ethanol): 544 nm
1H-NMR (ppm: d6-DMSO): 1.13 (t, CH3, 6H), 3.40 (t, (CH2), 4H), 4.50 (S, -CH2-, 2H), 6. 22 (s, arom, 1H), 6.42 (d, arom, 1H), 7.18 (d, arom, 1H), 7.95 (s, = CH-, 1H)
[0042]
Synthesis Example 7
2.4 parts of rhodanin-3-acetic acid and 2 parts of 4-morpholinolbenzaldehyde are mixed with 20 parts of ethanol, and 0.2 parts of piperazine anhydride is added thereto. After reacting at reflux for 2 hours, the resulting solid was cooled, filtered, washed and dried, then recrystallized from ethanol, filtered, washed and dried to obtain 3.2 parts of compound (68).
Absorption maximum (ethanol): 440 nm
Emission maximum (ethanol): 537 nm
[0043]
Synthesis Example 8
2.3 parts of rhodanin-3-acetic acid and 2 parts of 2,4,6-trimethoxybenzaldehyde are mixed with 20 parts of ethanol, and 0.2 parts of anhydrous piperazine is added thereto. After reacting at reflux for 2 hours, the solid obtained by cooling was filtered, washed and dried, then recrystallized from ethanol, filtered, washed and dried to obtain 3.4 parts of compound (60).
Absorption maximum (ethanol): 410 nm
Emission maximum (ethanol): 469 nm
[0044]
Synthesis Example 9
1.5 parts of rhodanin-3-acetic acid and 2 parts of 9-formyl-8-hydroxy-1,1,7,7-tetramethyljulolidine are mixed with 20 parts of ethanol, and 0.2 part of anhydrous piperazine is added thereto. After reacting at reflux for 2 hours, the resulting solid was cooled, filtered, washed and dried, then recrystallized from ethanol, filtered, washed and dried to obtain 3.1 parts of compound (57).
Absorption maximum (ethanol): 502 nm
Emission maximum (ethanol): 569 nm
[0045]
Synthesis Example 10
3 parts of rhodanin-3-acetic acid and 2 parts of 4-diethylaminonaphthaldehyde are mixed with 20 parts of ethanol, and 0.2 parts of anhydrous piperazine is added thereto. After reacting at reflux for 2 hours, the solid obtained by cooling was filtered, washed and dried, then recrystallized from ethanol, filtered, washed and dried to obtain 3.4 parts of compound (72).
Absorption maximum (ethanol): 445 nm
Emission maximum (ethanol): 574 nm
[0046]
Synthesis Example 11
1 part of rhodanin-3-acetic acid and 1.2 parts of 4-di-n-butylaminobenzaldehyde are mixed with 10 parts of ethanol, and 0.1 part of piperazine anhydride is added thereto. After reacting at reflux for 2 hours, the solid obtained by cooling was filtered, washed and dried, then recrystallized from ethanol, filtered, washed and dried to obtain 2.3 parts of compound (12).
Absorption maximum (ethanol): 466 nm
[0047]
Synthesis Example 12
1.3 parts of rhodanin-3-acetic acid and 2 parts of 4-dibenzylaminobenzaldehyde are mixed with 20 parts of ethanol, and 0.2 parts of piperazine anhydride is added thereto. After reacting at reflux for 2 hours, the resulting solid was cooled, filtered, washed and dried, then recrystallized from ethanol, filtered, washed and dried to obtain 2.3 parts of compound (66).
Absorption maximum (ethanol): 466 nm
Emission maximum (ethanol): 540 nm
[0048]
Synthesis Example 13
1.3 parts of rhodanin-3-acetic acid and 2 parts of N, N-dioctylaminobenzaldehyde are mixed with 15 parts of n-butanol, and 0.1 part of piperazine anhydride is added thereto. After reacting at reflux for 2 hours, the solid obtained by cooling was filtered, washed and dried, then recrystallized with a mixed solvent of ethanol and butanol, filtered, washed and dried to obtain 1.8 parts of compound (5). Was.
Absorption maximum (ethanol): 470 nm
Emission maximum (ethanol): 541 nm
1H-NMR (ppm: CDCl3): 0.90 (t, CH3, 6H), 1.2-1.7 (m, (CH2) 6, 24H), 3.30 (t, N-CH2-, 4H) ), 4.70 (S, -CH2-, 2H), 6.63 (d, arom, 2H), 7.50 (d, arom, 2H), 8.62 (s, = CH-, 1H).
[0049]
Examples and comparative examples
For Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 and 2, the dye was 3 × 10 -4 M was dissolved in EtOH. For Examples 17 and 18, each dye was 1.5 × 10 -4 M was dissolved in EtOH. A porous substrate (Titanium Dioxide P-25, Nippon Aerosil Co., Ltd.) is dispersed in a nitric acid aqueous solution in this solution, and the dispersion is applied on a transparent conductive glass electrode so as to have a thickness of 50 μm, and is heated at 450 ° C. for 30 minutes. The fired semiconductor thin film electrode) was immersed overnight at room temperature to carry the dye, washed with a solvent, and dried to obtain a dye-sensitized semiconductor thin film photoelectric conversion element. In Examples 1 to 13, 18 and Comparative Example 2, a 0.2 M aqueous solution of titanium tetrachloride was dropped on the titanium oxide thin film portion of the semiconductor thin film electrode, allowed to stand at room temperature for 24 hours, washed with water, and again heated to 450 ° C. The dye was similarly carried using a titanium tetrachloride-treated semiconductor thin film electrode obtained by baking for 30 minutes. Further, in Example 16, 3 × 10 3 -5 M, and the dye solution was prepared and supported on a semiconductor thin film to obtain a cholic acid-treated dye-sensitized semiconductor thin film. A gap was provided so as to face the gap, and a conductive glass sputtered with platinum was fixed on the surface, and a solution containing an electrolyte was injected into the gap. The electrolyte solution A of each of Examples 14 and 17 and Comparative Example 1 was 0.1 M of iodine / lithium iodide / 1,2-dimethyl-3-n-propylimidazolium iodide / t-butylpyridine in 3-methoxypropionitrile. /0.1M/0.6M/1M and prepared by dissolving them. The electrolyte solution B of Examples 1 to 13, 15, 16, 18 and Comparative Example 2 was prepared as a 6: 4 solution of ethylene carbonate and acetonitrile. It was prepared by dissolving iodine / tetra-n-propylammonium iodide to a concentration of 0.02M / 0.5M.
The size of the battery to be measured was 0.25 cm 2 in the actual part. The light source was a 100 W / cm through a AM1.5 filter using a 500 W xenon lamp. The short-circuit current, open-circuit voltage, conversion efficiency, and form factor were measured using a potentio galvanostat. Table 2 shows the performance of the prepared batteries.
[0050]
Embedded image
[0051]
[Table 2]
[0052]
Table 4 shows that the visible light can be effectively converted by using the photoelectric conversion element sensitized with the dye of the general formula (1). In addition, by using this dye in combination with a dye having another structure (including a metal complex), the conversion efficiency was improved as compared with the case of using a single dye, and it was found that the dye was effective as a solar cell. .
According to the dye-sensitized photoelectric conversion device of the present invention, by using a dye having a specific partial structure, a solar cell having high conversion efficiency and high stability can be provided. Further, the conversion efficiency was improved by using the oxide semiconductor fine particles sensitized by the combined use of two or more dyes.
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002162814A JP4266573B2 (en) | 2002-06-04 | 2002-06-04 | Dye-sensitized photoelectric conversion element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002162814A JP4266573B2 (en) | 2002-06-04 | 2002-06-04 | Dye-sensitized photoelectric conversion element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004014175A true JP2004014175A (en) | 2004-01-15 |
JP4266573B2 JP4266573B2 (en) | 2009-05-20 |
Family
ID=30431460
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002162814A Expired - Fee Related JP4266573B2 (en) | 2002-06-04 | 2002-06-04 | Dye-sensitized photoelectric conversion element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4266573B2 (en) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007007671A1 (en) | 2005-07-07 | 2007-01-18 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Sealing agent for photoelectric converter and photoelectric converter using same |
EP1780827A1 (en) * | 2005-10-21 | 2007-05-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor electrode, fabrication method thereof and solar cell comprising the same |
WO2007088871A1 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-09 | Sony Corporation | Dye sensitization photoelectric converter |
WO2008004580A1 (en) | 2006-07-05 | 2008-01-10 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Dye-sensitized solar cell |
WO2011145551A1 (en) | 2010-05-17 | 2011-11-24 | 日本化薬株式会社 | Photoelectric conversion element using thermosetting sealing agent for photoelectric conversion element |
WO2013066134A2 (en) * | 2011-11-04 | 2013-05-10 | 한국생명공학연구원 | Novel cinnamyl-rhodanine derivatives and pharmaceutical composition comprising same as active ingredients |
WO2014084296A1 (en) | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 日本化薬株式会社 | Dye-sensitized solar cell |
CN105838355A (en) * | 2016-04-29 | 2016-08-10 | 大连理工大学 | Micromolecule fluorescent probe and application thereof |
-
2002
- 2002-06-04 JP JP2002162814A patent/JP4266573B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007007671A1 (en) | 2005-07-07 | 2007-01-18 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Sealing agent for photoelectric converter and photoelectric converter using same |
EP1780827A1 (en) * | 2005-10-21 | 2007-05-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor electrode, fabrication method thereof and solar cell comprising the same |
WO2007088871A1 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-09 | Sony Corporation | Dye sensitization photoelectric converter |
WO2008004580A1 (en) | 2006-07-05 | 2008-01-10 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Dye-sensitized solar cell |
WO2011145551A1 (en) | 2010-05-17 | 2011-11-24 | 日本化薬株式会社 | Photoelectric conversion element using thermosetting sealing agent for photoelectric conversion element |
WO2013066134A2 (en) * | 2011-11-04 | 2013-05-10 | 한국생명공학연구원 | Novel cinnamyl-rhodanine derivatives and pharmaceutical composition comprising same as active ingredients |
WO2013066134A3 (en) * | 2011-11-04 | 2013-06-27 | 한국생명공학연구원 | Novel cinnamyl-rhodanine derivatives and pharmaceutical composition comprising same as active ingredients |
WO2014084296A1 (en) | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 日本化薬株式会社 | Dye-sensitized solar cell |
CN105838355A (en) * | 2016-04-29 | 2016-08-10 | 大连理工大学 | Micromolecule fluorescent probe and application thereof |
CN105838355B (en) * | 2016-04-29 | 2018-06-22 | 大连理工大学 | Small molecule fluorescence probe and its application |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4266573B2 (en) | 2009-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5054269B2 (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element | |
JP4963343B2 (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element | |
JP4841248B2 (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element | |
EP1422782B1 (en) | Photoelectric conversion element sensitized with methine dyes | |
JP4986205B2 (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element | |
JP4287655B2 (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element | |
JP5145037B2 (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element | |
JPWO2002001667A1 (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element | |
JP5051810B2 (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element | |
JP4274306B2 (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element | |
JP2004227825A (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element | |
JP2006294360A (en) | Dye-sensitized photoelectric transducer | |
JP4450573B2 (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element | |
JP4230228B2 (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element | |
JP4822383B2 (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element | |
JP4266573B2 (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element | |
JP2006134649A (en) | Photoelectric conversion element | |
JP4334185B2 (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element | |
JP4278023B2 (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element | |
JP4005330B2 (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element | |
JP4230182B2 (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element and solar cell using the same | |
JP4230185B2 (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion element | |
JP2004022387A (en) | Dye-sensitizing photoelectric converter element | |
JP2005019130A (en) | Dye-sensitized photoelectric conversion device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080819 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081017 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090217 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090217 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150227 Year of fee payment: 6 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |