【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置およびそのバーンイン動作試験装置・試験方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体装置の不良を短期間に検出するために、バーンイン動作試験が行われている。
【０００３】
従来のバーンイン動作試験方法のフロー図を図４に示す。半導体装置の拡散および配線パターンニングなどを行うウエハ形成工程３１が完了した後、プローブ検査工程３２によりパターン不良などを除く。次に、図の左側のフローのように組立工程３３の後にバーンイン動作試験３４を行うか、または、図の右側のフローのようにバーンイン動作試験３５の後に組立工程３６を行う。その後、出荷検査工程３７を行う。
【０００４】
図５は、従来の半導体装置のバーンイン動作試験装置の要部図面である。ここでは、バーンイン装置電源３８とバーンイン装置ＧＮＤ３９とにつながったバーンイン装置４３に、図４に示したプローブ検査工程３２後の良品半導体装置４０が複数装着され、バーンイン動作試験が行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このような図５に示すバーンイン動作試験装置を用いたバーンイン動作試験においては、バーンイン動作試験中に不良半導体装置４１が発生した場合でも、この不良半導体装置４１を除去できない。このため、不良半導体装置４１の不良が過電流４２が流れる不良である場合は、バーンイン装置電源３８の能力が低下し、バーンインストレス不足が発生する。すなわち、検証不足の半導体装置が出荷されるおそれがある。
【０００６】
本発明は、このような課題を解決するもので、バーンイン動作試験中におけるバーンインストレス不足の発生を防止できるようにすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明の半導体装置は、バーンイン動作試験中に過電流が流れたことを検出する手段を有するものである。
【０００８】
このような構成であると、バーンイン動作試験中に過電流が流れたことを検出できるため、それにもとづき適当な対処を行うことで、バーンイン装置電源の能力が低下してバーンインストレス不足が発生することによる、検証不足の半導体装置が出荷されるおそれを防止することができる。
【０００９】
また本発明の半導体装置は、電源配線における第１の箇所の電圧と、前記第１の箇所から距離をおいた第２の箇所の電圧とを比較することで、バーンイン動作試験中に過電流が流れたことを検出するように構成されているようにしたものである。
【００１０】
このような構成であると、簡単な構成でありながら、バーンイン動作試験中に過電流が流れたことを確実に検出することができる。
本発明のバーンイン動作試験装置は、試験中に半導体装置に過電流が流れたことが検知されたときに当該半導体装置への通電を遮断する手段を有するようにしたものである。
【００１１】
このような構成であると、過電流が流れた半導体装置への通電が遮断されることで、バーンイン装置電源の能力が低下してバーンインストレス不足が発生することが防止され、このため検証不足の半導体装置が出荷されるおそれを防止することができる。
【００１２】
本発明のバーンイン動作試験方法は、半導体装置のバーンイン動作試験中に前記半導体装置に過電流が流れたことを検出するものである。
このようにすると、バーンイン動作試験中に過電流が流れたことを検出するため、それにもとづき適当な対処を行うことで、バーンイン装置電源の能力が低下してバーンインストレス不足が発生することによる、検証不足の半導体装置が出荷されるおそれを防止することができる。
【００１３】
また本発明のバーンイン動作試験方法は、バーンイン動作試験中に半導体装置に過電流が流れたことを検出したときに、その半導体装置への通電を遮断するものである。
【００１４】
このようにすると、過電流が流れた半導体装置への通電が遮断されることで、バーンイン装置電源の能力が低下してバーンインストレス不足が発生することが防止され、このため検証不足の半導体装置が出荷されるおそれを防止することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。図１は、本発明にもとづくインライン検査方法の一例を示す工程フロー図である。まず、ウエハ形成工程１の完了後、プローブ検査工程２を行う。次に、図の左側のフローのように組立工程３の後にバーンイン動作試験４を行うか、または、図の右側のフローのようにバーイン動作試験６の後に組立工程８を行う。そして、バーンイン動作試験４またはバーンイン動作試験６の途中で過電流不良のバーンイン不良を検出して、バーンイン中不良通電遮断５またはバーンイン中不良通電遮断７を行う。バーンイン動作試験４または組立工程８の後に出荷検査工程９を実施し、次いで半導体装置の出荷を行う。
【００１６】
図２は、本発明の実施の形態の電圧検知回路の一例を示す半導体装置の回路構成図である。この図２に示す半導体装置１０において、電源１１から電源端子１３を通して半導体装置１０に電力を供給するための電源配線のうち、電源端子１３の近傍の電源配線１５に抵抗分圧器１６を設けるとともに、電源端子１３から距離をおいた位置の電源配線１７に抵抗分圧器１８を設ける。そして、抵抗分圧器１６で示される電圧レベルと抵抗分圧器１８で示される電圧レベルとを比較器２１により比較し、その比較結果を検出出力端子２２からバーンイン不良検出信号２３として出力する。
【００１７】
このような構成において、ＧＮＤ端子１４を通してＧＮＤ１２に接続されたＧＮＤ配線１９と、電源端子１３から距離をおいた位置の電源配線１７との間でバーンイン不良としてリーク抵抗成分２０が発生したときには、抵抗分圧器１８で示される電圧レベルは抵抗分圧器１６で示される電圧レベルよりも低下し、このため比較器２１により検出出力端子２２を通してバーンイン不良検出信号２３が発生する。
【００１８】
図３は、本発明の実施の形態のバーンイン動作試験装置の要部図面である。ここで、バーンイン装置電源２４およびバーンイン装置ＧＮＤ２５に接続されたバーンイン装置２６に、図２示した電圧検知回路を備えた複数のバーンイン用良品半導体装置２７が搭載されている。図３において、バーンイン動作試験中にバーンイン用良品半導体装置が過電流不良によりバーンイン不良半導体装置２８となった場合には、このバーンイン不良半導体装置２８からバーンイン不良検出信号２３が出力される。そこで、このバーンイン不良検出信号２３にもとづき、バーンイン不良半導体装置２８に接続されたバーンイン通電遮断スイッチ３０を動作させて、バーンイン不良半導体装置２８への電源供給を停止する。
【００１９】
この構成によれば、図１のバーンイン動作試験４またはバーンイン動作試験６において半導体装置の過電流を検出することで、バーンイン動作試験中に、バーンイン中不良通電遮断工程５またはバーンイン中不良通電遮断工程７によって、バーンイン不良を検出できるとともに、当該半導体装置への通電を遮断できる。よって、バーンイン装置電源２４の能力低下にもとづくバーンインストレス不足を防止でき、このバーンインストレス不足を原因とした検証不足の半導体装置の出荷を、出荷検査工程９の以前で防止できる。
【００２０】
【発明の効果】
以上のように本発明によると、半導体装置のバーンイン動作試験中に過電流が流れたことを検出できるため、それにもとづき過電流が流れた半導体装置への通電を遮断するなどの適当な対処を行うことで、バーンイン装置電源の能力が低下してバーンインストレス不足が発生することによる、検証不足の半導体装置が出荷されるおそれを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の半導体装置のバーンイン動作試験方法の工程フロー図
【図２】本発明の実施の形態の半導体装置の回路構成図
【図３】本発明の実施の形態の半導体装置のバーンイン動作試験装置を示す図
【図４】従来の半導体装置のバーンイン動作試験方法の工程フロー図
【図５】従来の半導体装置のバーンイン動作試験装置を示す図
【符号の説明】
５ バーンイン中不良通電遮断
７ バーンイン中不良通電遮断
１０ 半導体装置
１５ 電源配線
１６ 抵抗分圧器
１７ 電源配線
１８ 抵抗分圧器
２０ リーク抵抗成分
２１ 比較器
２８ バーンイン不良半導体装置
３０ 通電遮断スイッチ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor device and a burn-in operation test device and test method thereof.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a burn-in operation test has been performed to detect a defect of a semiconductor device in a short time.
[0003]
FIG. 4 shows a flowchart of a conventional burn-in operation test method. After the completion of the wafer forming step 31 for performing the diffusion of the semiconductor device and the wiring patterning, etc., the pattern defect is removed by the probe inspection step 32. Next, a burn-in operation test 34 is performed after the assembly process 33 as shown in the flow on the left side of the drawing, or an assembly process 36 is performed after the burn-in operation test 35 as shown in the flow on the right side of the drawing. Thereafter, a shipping inspection step 37 is performed.
[0004]
FIG. 5 is a main part drawing of a conventional burn-in operation test device for a semiconductor device. Here, a plurality of non-defective semiconductor devices 40 after the probe inspection step 32 shown in FIG. 4 are mounted on the burn-in device 43 connected to the burn-in device power supply 38 and the burn-in device GND 39, and a burn-in operation test is performed.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
In such a burn-in operation test using the burn-in operation test apparatus shown in FIG. 5, even if a defective semiconductor device 41 occurs during the burn-in operation test, the defective semiconductor device 41 cannot be removed. Therefore, if the defective semiconductor device 41 is a defect in which the overcurrent 42 flows, the capability of the burn-in device power supply 38 is reduced, and insufficient burn-in stress occurs. That is, there is a possibility that a semiconductor device that has not been sufficiently verified is shipped.
[0006]
An object of the present invention is to solve such a problem and to prevent occurrence of shortage of burn-in stress during a burn-in operation test.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problem, a semiconductor device according to the present invention has a means for detecting that an overcurrent flows during a burn-in operation test.
[0008]
With such a configuration, it is possible to detect that an overcurrent has flowed during the burn-in operation test, and by taking appropriate measures based on that, the capability of the burn-in device power supply is reduced and burn-in stress is insufficient. As a result, it is possible to prevent a semiconductor device that is not sufficiently verified from being shipped.
[0009]
Further, in the semiconductor device of the present invention, by comparing the voltage at the first location in the power supply wiring with the voltage at the second location at a distance from the first location, the overcurrent during the burn-in operation test is reduced. It is configured so as to detect the flow.
[0010]
With such a configuration, it is possible to reliably detect that an overcurrent has flowed during the burn-in operation test while having a simple configuration.
The burn-in operation test apparatus according to the present invention has means for interrupting the power supply to the semiconductor device when an overcurrent is detected during the test.
[0011]
With such a configuration, the power supply to the semiconductor device in which the overcurrent has flowed is cut off, thereby preventing the capability of the power supply of the burn-in device from being lowered and preventing the shortage of the burn-in stress from occurring. It is possible to prevent the semiconductor device from being shipped.
[0012]
A burn-in operation test method according to the present invention detects an overcurrent flowing in a semiconductor device during a burn-in operation test of the semiconductor device.
In this way, an overcurrent is detected during the burn-in operation test, and appropriate measures are taken based on the detection. It is possible to prevent a shortage of semiconductor devices from being shipped.
[0013]
Further, in the burn-in operation test method according to the present invention, when it is detected that an overcurrent flows in the semiconductor device during the burn-in operation test, the power supply to the semiconductor device is cut off.
[0014]
In this way, the power supply to the semiconductor device in which the overcurrent has flowed is cut off, thereby preventing the capability of the power supply of the burn-in device from being reduced and preventing the shortage of the burn-in stress from occurring. The possibility of being shipped can be prevented.
[0015]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings. FIG. 1 is a process flow chart showing an example of an in-line inspection method according to the present invention. First, after completion of the wafer forming step 1, a probe inspection step 2 is performed. Next, a burn-in operation test 4 is performed after the assembling step 3 as shown in the flow on the left side of the figure, or an assembling step 8 is performed after the burn-in operation test 6 as shown in the flow on the right side of the figure. Then, during the burn-in operation test 4 or the burn-in operation test 6, a burn-in failure of an overcurrent failure is detected, and a failure current interruption during burn-in 5 or a failure current interruption during burn-in 7 is performed. After the burn-in operation test 4 or the assembling process 8, a shipping inspection process 9 is performed, and then the semiconductor device is shipped.
[0016]
FIG. 2 is a circuit configuration diagram of a semiconductor device illustrating an example of the voltage detection circuit according to the embodiment of the present invention. In the semiconductor device 10 shown in FIG. 2, among the power supply wires for supplying power to the semiconductor device 10 from the power supply 11 through the power supply terminal 13, a resistance voltage divider 16 is provided on a power supply wire 15 near the power supply terminal 13. A resistance voltage divider is provided on a power supply wiring at a position apart from the power supply terminal. Then, the comparator 21 compares the voltage level indicated by the resistor divider 16 with the voltage level indicated by the resistor divider 18, and outputs the comparison result as a burn-in failure detection signal 23 from a detection output terminal 22.
[0017]
In such a configuration, when a leak resistance component 20 occurs as a burn-in failure between the GND wiring 19 connected to the GND 12 through the GND terminal 14 and the power supply wiring 17 located at a distance from the power supply terminal 13, The voltage level indicated by the voltage divider 18 is lower than the voltage level indicated by the resistance voltage divider 16, so that the comparator 21 generates a burn-in failure detection signal 23 through the detection output terminal 22.
[0018]
FIG. 3 is a main part drawing of the burn-in operation test apparatus according to the embodiment of the present invention. Here, a plurality of good burn-in semiconductor devices 27 having the voltage detection circuit shown in FIG. 2 are mounted on a burn-in device 26 connected to the burn-in device power supply 24 and the burn-in device GND 25. In FIG. 3, when a good semiconductor device for burn-in becomes a burn-in defective semiconductor device 28 due to an overcurrent failure during a burn-in operation test, the burn-in defective semiconductor device 28 outputs a burn-in defect detection signal 23. Therefore, based on the burn-in failure detection signal 23, the burn-in conduction switch 30 connected to the burn-in failure semiconductor device 28 is operated to stop the power supply to the burn-in failure semiconductor device 28.
[0019]
According to this configuration, the overcurrent of the semiconductor device is detected in the burn-in operation test 4 or the burn-in operation test 6 of FIG. 7, the burn-in failure can be detected, and the power supply to the semiconductor device can be cut off. Therefore, it is possible to prevent shortage of burn-in stress due to a decrease in the capability of the burn-in device power supply 24, and to prevent shipment of semiconductor devices that are insufficiently verified due to the shortage of burn-in stress before the shipment inspection process 9.
[0020]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to detect that an overcurrent has flowed during a burn-in operation test of the semiconductor device. As a result, it is possible to prevent a semiconductor device that is insufficiently verified from being shipped due to a shortage of burn-in stress due to a decrease in the capability of the burn-in device power supply.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a process flowchart of a burn-in operation test method for a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a circuit configuration diagram of the semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a view showing a conventional burn-in operation test method for a semiconductor device. FIG. 5 is a view showing a conventional burn-in operation test apparatus for a semiconductor device.
5 Faulty power cut-off during burn-in 7 Faulty power cut-off during burn-in 10 Semiconductor device 15 Power supply wiring 16 Resistive voltage divider 17 Power supply wiring 18 Resistive voltage divider 20 Leakage resistance component 21 Comparator 28 Burn-in defective semiconductor device 30 Power supply cutoff switch
