JP2004006844A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000005426 magnetic field effect Effects 0.000 claims 1
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Claims (36)
- 素子スタックをなすように作製して、磁界が該素子スタックの境界部において生成されるようにされた電子素子であって、
前記素子スタック内にあり、動作中に境界部において磁界を生成する少なくとも1つの磁性層と、
前記スタック内の第2の層として作製され、動作中に前記境界部における磁界を変更するためのシンク層
とを含む、電子素子。 - 前記素子スタック内に形成された磁気ランダムアクセスメモリセルからなる、請求項1の電子素子。
- 前記素子スタック内に形成された半導体ダイオードからなる、請求項1の電子素子。
- 前記素子スタック内に形成されたトランジスタ素子からなる、請求項1の電子素子。
- 前記シンク層は、前記素子スタックの境界を超えて延在する、請求項1の電子素子。
- 前記シンク層は、前記素子スタックの領域の少なくとも2倍の大きさである、請求項1の電子素子。
- 前記シンク層に隣接して作製される第2の電子素子スタックをさらに備え、前記シンク層は、前記第2の電子素子の縁部境界において生成される磁界を減衰させる、請求項1の電子素子。
- メモリ素子であって、
センス層と、
ピン止め層と、
前記センス層と前記ピン止め層との間に配置された障壁層と、
前記ピン止め層に隣接して配置されたピニング層と、
前記メモリ素子内に配置され、前記センス層、前記ピン止め層および前記ピニング層の境界部における磁界の効果を減衰させるための磁気シンク層
とを含む、メモリ素子。 - 前記磁気シンク層が、前記ピニング層に隣接して位置合わせされてピン止め層として機能する第1の部分と、前記ピニング層に隣接せず、他の層と前記第1の部分の配列から外側に延在する第2部分とを有するシード層から構成される、請求項8の磁気メモリ素子。
- 前記磁気シンク層は軟強磁性材料から構成される、請求項8の磁気メモリ素子。
- 前記センス層と前記ピン止め層が軟強磁性材料から構成される、請求項9の磁気メモリ素子。
- 前記磁気シンク層に隣接する導電性の非磁性層からさらに構成される、請求項8の磁気メモリ素子。
- 前記センス層が上部の層である、請求項8の磁気メモリ素子。
- 前記導電性の非磁性層が上部の層である、請求項12の磁気メモリ素子。
- 磁気メモリ素子のアレイであって、
複数のセンス線と、
前記アレイ内の各磁気メモリ素子に対して1つずつ存在する、複数のピン止め層と、
センス層と各ピン止め層との間に1つずつ配置される、複数の障壁層と、
前記複数のセンス線に対して概ね垂直に延在し、前記ピン止め層の一部と少なくとも部分的に位置合わせされた複数のピニング層と、
前記アレイ内の前記磁気メモリ素子のうちの少なくとも1つと電磁的に連絡するように配置され、前記少なくとも1つの磁気メモリ素子に関連するワード線、ピン止め層およびピニング線の境界部における磁界の効果を変更するための少なくとも1つの磁気シンク
とを含む、磁気メモリ素子のアレイ。 - 前記磁気シンクが、第1の部分と、他の層と前記第1の部分を超えて延在する第2部分とを有する少なくとも1つのシード層から構成され、前記第1の部分に隣接して関連するピニング線が形成され、前記第1の部分はピン止め層として機能することからなる、請求項15の磁気メモリアレイ。
- 前記磁気シンクは軟磁性材料から構成される、請求項15の磁気メモリアレイ。
- 前記磁気シンクは、前記アレイ内に形成された線の1つに沿って延在する、請求項15の磁気メモリアレイ。
- 前記磁気シンクに隣接する導電性の非磁性層からさらに構成される、請求項15の磁気メモリアレイ。
- 半導体基板上にスタック構成をなすように電子素子を作製する方法であって、
前記スタック内に、電磁的伝導性を有すると共に、動作中に縁部境界において磁界を生成する少なくとも1つの層を形成するステップと、
前記スタックに隣接し、動作中に前記磁界を変更するためのシンク層を形成するステップ
を含む、方法。 - 少なくとも1つの層を形成する前記ステップが、前記スタック内に磁気ランダムアクセスメモリセルを作製するステップをさらに含む、請求項20の方法。
- 少なくとも1つの層を形成する前記ステップが、前記スタック内に半導体ダイオードを作製するステップをさらに含む、請求項20の方法。
- 少なくとも1つの層を形成する前記ステップが、前記スタック内にトランジスタ素子を形成するステップをさらに含む、請求項20の方法。
- 前記シンク層は、前記スタックの境界を超えて延在するよう形成される、請求項20の方法。
- 前記シンク層は、前記スタック構成の領域の少なくとも2倍の大きさとなるように形成される、請求項20の方法。
- 前記シンク層に隣接する第2の電子素子を作製するステップをさらに含み、前記シンク層は、前記第2の電子素子の縁部境界において生成される任意の磁界を変更することからなる、請求項20の方法。
- ボトム構造磁気メモリ素子を作製する方法であって、
基板上に磁気シンク層を形成するステップと、
前記磁気シンク層に隣接してピニング層を形成するステップと、
前記ピニング層に隣接してピン止め層を形成するステップと、
前記ピン止め層に隣接して障壁層を形成するステップと、
前記障壁層に隣接してセンス層を形成するステップ
を含み、前記磁気シンク層を用いて、前記センス層、前記ピン止め層および前記ピニング層の境界部における磁界の効果を変更する、方法。 - 磁気シンク層を形成する前記ステップが、
シード層を形成するステップと、
前記シード層の一部分を除去して、ピン止め層として機能する第1の部分であって、前記ピニング層に隣接してほぼ位置合わせされた第1の部分と、前記シード層に隣接せず、他の層と前記第1の部分の配列から外側に延在する第2部分とを形成するステップ
を含むことからなる、請求項27の方法。 - 前記磁気シンク層としてNiFeを選択するステップをさらに含む、請求項27の方法。
- 前記センス層及び前記ピン止め層として強磁性材料を選択するステップをさらに含む、請求項27の方法。
- 磁気シンク層を形成する前記ステップの前に、導電性の非磁性層を形成するステップをさらに含み、前記磁気シンク層が、前記導電性の非磁性層に隣接して形成されることからなる、請求項27の方法。
- トップ構造磁気メモリ素子を作製する方法であって、
ピニング層に隣接して基板上にセンス層を形成するステップと、
前記センス層に隣接して障壁層を形成するステップと、
ピン止め層に隣接してピン止め層を形成するステップと、
前記ピン止め層に隣接してピニング層を形成するステップと、
前記ピニング層上に磁気シンク層を形成するステップ
を含み、前記磁気シンク層を用いて、前記センス層、前記ピン止め層および前記ピニング層の境界部における磁界の効果を変更する、方法。 - 磁気シンク層を形成する前記ステップが、
シード層を形成するステップと、
前記シード層の一部分を除去して、ピン止め層として機能する第1の部分であって、前記ピニング層に隣接して位置合わせされた第1の部分と、前記シード層に隣接せず、他の層と前記第1の部分の配列から外側に延在する第2部分とを形成するステップ
を含むことからなる、請求項32の方法。 - 軟強磁性材料を選択するステップをさらに含む、請求項32の方法。
- 前記センス層及び前記ピン止め層として強磁性材料を選択するステップをさらに含む、請求項32の方法。
- 磁気シンク層を形成する前記ステップの前に、導電性の非磁性層を形成するステップをさらに含み、前記磁気シンク層が、前記導電性の非磁性層に隣接して形成されることからなる、請求項32の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/135,241 US6794695B2 (en) | 2002-04-29 | 2002-04-29 | Magneto resistive storage device having a magnetic field sink layer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004006844A JP2004006844A (ja) | 2004-01-08 |
JP2004006844A5 true JP2004006844A5 (ja) | 2005-06-23 |
Family
ID=29215644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003120171A Withdrawn JP2004006844A (ja) | 2002-04-29 | 2003-04-24 | 磁界シンク層を有する磁気抵抗記憶素子 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6794695B2 (ja) |
EP (1) | EP1359590B1 (ja) |
JP (1) | JP2004006844A (ja) |
KR (1) | KR100969285B1 (ja) |
CN (1) | CN100397674C (ja) |
DE (1) | DE60301294T2 (ja) |
TW (1) | TW200305977A (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6794695B2 (en) * | 2002-04-29 | 2004-09-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Magneto resistive storage device having a magnetic field sink layer |
US6956257B2 (en) * | 2002-11-18 | 2005-10-18 | Carnegie Mellon University | Magnetic memory element and memory device including same |
US7072209B2 (en) * | 2003-12-29 | 2006-07-04 | Micron Technology, Inc. | Magnetic memory having synthetic antiferromagnetic pinned layer |
US6980455B2 (en) * | 2004-02-03 | 2005-12-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Remote sensed pre-amplifier for cross-point arrays |
US7193889B2 (en) * | 2004-02-11 | 2007-03-20 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Switching of MRAM devices having soft magnetic reference layers |
WO2005088745A1 (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | 磁気抵抗素子及びその製造方法 |
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US8148174B1 (en) * | 2011-05-03 | 2012-04-03 | Avalanche Technology, Inc. | Magnetic tunnel junction (MTJ) formation with two-step process |
US8313960B1 (en) * | 2011-05-03 | 2012-11-20 | Avalanche Technology, Inc. | Magnetic tunnel junction (MTJ) formation using multiple etching processes |
KR101849677B1 (ko) * | 2011-05-19 | 2018-04-19 | 삼성전자주식회사 | 자기 터널 접합 소자 |
US9343656B2 (en) * | 2012-03-02 | 2016-05-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Magnetic tunnel junction (MTJ) structure in magnetic random access memory |
US8900884B2 (en) * | 2012-06-18 | 2014-12-02 | Headway Technologies, Inc. | MTJ element for STT MRAM |
EP2741296B1 (en) * | 2012-12-07 | 2019-01-30 | Crocus Technology S.A. | Self-referenced magnetic random access memory (MRAM) and method for writing to the MRAM cell with increased reliability and reduced power consumption |
KR20150103527A (ko) | 2014-03-03 | 2015-09-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 |
US9734850B1 (en) | 2016-06-28 | 2017-08-15 | Western Digital Technologies, Inc. | Magnetic tunnel junction (MTJ) free layer damping reduction |
US10534047B2 (en) * | 2017-03-30 | 2020-01-14 | Qualcomm Incorporated | Tunnel magneto-resistive (TMR) sensors employing TMR devices with different magnetic field sensitivities for increased detection sensitivity |
JP2020042882A (ja) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | キオクシア株式会社 | 磁気メモリ |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2538645B1 (fr) | 1982-12-28 | 1986-04-11 | Thomson Csf | Procede et dispositif d'interpolation de la parole dans un systeme de transmission de parole numerisee |
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US6127053A (en) * | 1998-05-27 | 2000-10-03 | International Business Machines Corporation | Spin valves with high uniaxial anisotropy reference and keeper layers |
JP2001006126A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-01-12 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘッド及びそのヘッドを備えた磁気抵抗検出システム並びにそのヘッドを備えた磁気記憶システム |
US6292389B1 (en) | 1999-07-19 | 2001-09-18 | Motorola, Inc. | Magnetic element with improved field response and fabricating method thereof |
US6297983B1 (en) | 2000-02-29 | 2001-10-02 | Hewlett-Packard Company | Reference layer structure in a magnetic storage cell |
JP3593652B2 (ja) * | 2000-03-03 | 2004-11-24 | 富士通株式会社 | 磁気ランダムアクセスメモリ装置 |
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DE10142594A1 (de) | 2001-08-31 | 2003-03-27 | Infineon Technologies Ag | Kompensation eines magnetischen Biasfeldes in einer Speicherschicht einer magnetoresistiven Speicherzelle |
US6794695B2 (en) * | 2002-04-29 | 2004-09-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Magneto resistive storage device having a magnetic field sink layer |
-
2002
- 2002-04-29 US US10/135,241 patent/US6794695B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-17 TW TW091136373A patent/TW200305977A/zh unknown
-
2003
- 2003-03-10 CN CNB031201474A patent/CN100397674C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-24 JP JP2003120171A patent/JP2004006844A/ja not_active Withdrawn
- 2003-04-24 DE DE60301294T patent/DE60301294T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-24 EP EP03252587A patent/EP1359590B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-28 KR KR1020030026705A patent/KR100969285B1/ko active IP Right Grant
- 2003-10-30 US US10/696,991 patent/US6919594B2/en not_active Expired - Lifetime
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