JP2004006609A - インダクタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】コイル3が巻回されているドラムコア1を、スリーブコア2で同心円状に囲繞して、インダクタを構成する。磁束密度が高くて磁気飽和し易いドラムコア1の材料を飽和磁束密度が高いMnZn系フェライトとし、電極となる端子が接着されるスリーブコア2の材料を絶縁性が高いNiZn系フェライトとする。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、閉磁路型のインダクタに関する。
【0002】
【従来の技術】
電子機器のDC−DCコンバータ等に用いられるインダクタには、低背化が強く要求されている。また、高密度での実装化が進んで他の部品または回路が近接するような場合には、インダクタからの漏洩磁束が他に与える影響を無視できず、漏洩磁束の低減も重要な課題となっている。漏洩磁束を低減するために、インダクタの磁束の経路である磁路を内部に設けて、漏洩磁束を低減する閉磁路型のインダクタが良く知られている。(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
図7は、従来の代表的な閉磁路型のインダクタの構成を示しており、図7(a)はその外観図、図7(b)はその断面図、図7(c)はその分解斜視図である。このインダクタは、NiZn系フェライト製のドラムコア21と、同じくNiZn系フェライト製のスリーブコア22と、ドラムコア21に巻回されたコイル23とを有する。
【0004】
ドラムコア21は、中央の円柱部21aとこれに連なる両端の鍔部21b,21bとを一体化して構成されており、その円柱部21aにコイル23が巻回されている。スリーブコア22は、円筒状をなしており、ドラムコア21を包含するように、ドラムコア21を同心円状に囲繞している。
【0005】
上記インダクタにおける具体的な寸法例を、図8(a)(ドラムコア21)と図8(b)(スリーブコア22)とに示す。また、これらの寸法例に基づく、各部分での磁路の断面積(円柱部21a:円柱部21aの断面積、円柱部21aと鍔部21bとの境界部:図8(a)の点線Aの面積、鍔部21bの端部:鍔部21bの側面積、及び、スリーブコア22:スリーブコア22の断面積)を下記表1に示す。
【0006】
【表1】
【0007】
このような構成では、ドラムコア21及びスリーブコア22が、コイル23が発生する磁束の経路(磁路)を形成するので、インダクタの外部に漏洩する磁束が可逆的に小さくなる。また、ドラムコア21の鍔部21bとスリーブコア22との間に設けたギャップ24(図8に示す例では0.3mm)によって、磁気抵抗を上げて直流重畳特性を確保している。
【0008】
【特許文献1】
特許第3202200号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
このようなインダクタでは、閉磁路であるために、磁気飽和し易いという問題がある。即ち、ドラムコア21とスリーブコア22とにて構成される磁路に流れる磁束は一定であるので、磁路の面が小さい部分、つまり円柱部21a、円柱部21aと鍔部21bとの境界部では磁束密度が他の部分より高くなり、飽和磁束密度に近づくと、この部分から飽和が始まる。
【0010】
この磁気飽和を防止する手法として、円柱部21aの径を大きくしたり、鍔部21bを厚くしたりして、これらの部分の磁束密度を低減して直流重畳特性を確保することが考えられる。しかしながら、この手法では、コイル23を巻回する領域が狭くなって、コイル23の径を細くしなければならなくなり、インダクタの直流抵抗が大きくなる。
【0011】
また別の手法として、ギャップ24を広げて磁気抵抗を増加させ、直流重畳特性を確保することも考えられる。しかしながら、ギャップ24を大きくした場合には、AL値(巻線1ターン当たりのインダクタンス値)が小さくなって、所望のインダクタンス値を得るためには多くのターン数が必要となる。この場合、コイル23の長さは長くなり、必要なターン数を所定面積内で実現するためには、コイル23の径を細くしなければならなくなって、この手法でも、インダクタの直流抵抗が大きくなることになる。
【0012】
以上のように、直流重畳特性を確保するためには、コイル23での高抵抗化が避けられず、コイル23での損失(銅損)が大きくなって、DC−DCコンバータ等の効率が低下してしまう。よって、従来のインダクタでは、小型化・大電流化を図れないという問題がある。
【0013】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、磁束密度が高くて磁気飽和し易いドラムコアの材料を飽和磁束密度が高いMnZn系フェライトとし、電極となる端子が接着されるスリーブコアの材料を絶縁性が高いNiZn系フェライトとすることにより、直流抵抗が大きくなることなく直流重畳特性を確保できて、小型化・大電流化を容易に実現できるインダクタを提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
第1発明に係るインダクタは、第1コアと、該第1コアに巻回されたコイルと、前記第1コアを囲繞する第2コアとを備えるインダクタにおいて、前記第1コアはMnZn系フェライトからなり、前記第2コアはNiZn系フェライトからなることを特徴とする。
【0015】
第1発明のインダクタにあっては、磁気飽和し易い第1コア(ドラムコア)を飽和磁束密度が高いMnZn系フェライトにて構成し、飽和磁束密度に対し余裕がある部分を含む第2コア(スリーブコア)は絶縁性が高いNiZn系フェライトにて構成する。よって、大きな電流が流れた場合に磁束密度が高くなる第1コア(ドラムコア)に、飽和磁束密度が高いMnZn系フェライトを使用しているので、磁気飽和しにくくなって直流重畳特性は改善する。
【0016】
第2発明に係るインダクタは、第1発明において、前記第2コアに、その電極となる複数の端子が接着されていることを特徴とする。
【0017】
第2発明のインダクタにあっては、電極としての複数の端子を第2コア(スリーブコア)に接着させており、端子間の絶縁を確保する。
【0018】
第3発明に係るインダクタは、第1または第2発明において、前記第1コアの表面が絶縁性の合成樹脂にてコーティングされていることを特徴とする。
【0019】
第3発明のインダクタにあっては、第1コア(ドラムコア)の表面を絶縁性の合成樹脂にてコーティングしており、コイルと第1コア(ドラムコア)との間、及び、端子と第1コア(ドラムコア)との間の絶縁の信頼性は高くなる。
【0020】
第4発明に係るインダクタは、第1〜第3発明の何れかにおいて、前記第1コアは、両端に鍔部を有しており、該鍔部の一部が欠如していることを特徴とする。
【0021】
第4発明のインダクタにあっては、第1コア(ドラムコア)の鍔部の端子に対向する部分を欠如させて、端子と第1コア(ドラムコア)との離隔距離を長くしており、リフローによる部品実装時の信頼性は向上する。
【0022】
第5発明に係るインダクタは、第1〜第3発明の何れかにおいて、前記第1コアは一端に鍔部を有しており、前記第2コアは前記第1コアの前記一端と反対側に底部を有しており、前記第1コアの他端を臨ませる孔が前記底部に開いていることを特徴とする。
【0023】
第5発明のインダクタにあっては、第1コア(ドラムコア)の一端にのみ鍔部を設けて他端には鍔部を設けておらず、部品実装時に大きな位置ずれがあっても、鍔部がないため、端子と第1コア(ドラムコア)との離隔距離は更に長くなり、第1コア(ドラムコア)と端子とがショートすることがなく、リフローによる部品実装時の信頼性は更に向上する。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面を参照して具体的に説明する。
(第1実施の形態)
図1は、本発明の第1実施の形態に係る閉磁路型のインダクタの構成を示しており、図1(a)はその外観図、図1(b)はその断面図である。このインダクタは、MnZn系フェライト製の第1コアとしてのドラムコア1と、NiZn系フェライト製の第2コアとしてのスリーブコア2と、ドラムコア1に巻回されたコイル3とを有する。
【0025】
ドラムコア1は、中央の円柱部1aとこれに連なる両端の鍔部1b,1bとを一体化して構成されており、その円柱部1aにコイル3が巻回されている。スリーブコア2は、円筒状をなしており、ドラムコア1を包含するように、ドラムコア1を同心円状に囲繞している。コイル3は、マグネットワイヤを例えばエナメルなどの絶縁物で被膜処理して構成されている。
【0026】
本発明のインダクタでは、磁束密度が高い部分(円柱部1a、円柱部1aと鍔部1bとの境界部)を含むドラムコア1は飽和磁束密度が高いMnZn系フェライトにて構成され、スリーブコア2は絶縁性が高いNiZn系フェライトにて構成されている。従って、コイル3に大きな電流が流れて磁路の断面積が小さい部分(円柱部1a、円柱部1aと鍔部1bとの境界部)での磁束密度が高くなった場合でも、飽和磁束密度が高いMnZn系フェライトにて構成されているため、その部分が磁気飽和することがなく、高い直流重畳特性を得ることができる。
【0027】
ここで、本発明のインダクタと前述した従来のインダクタとの直流重畳特性の比較実験の結果について説明する。使用した本発明のインダクタ(本発明例)及び従来のインダクタ(従来例)の設計仕様を下記表2に示す。本発明例では従来例に比べて高さを2/3に低減している。
【0028】
【表2】
【0029】
図2は、このような本発明例と従来例とにおける直流重畳特性を示すグラフである。図2中の横軸はインダクタに流れる直流通過電流Idc(A)を示し、縦軸は、インダクタに直流通過電流Idcを流した場合の、インダクタのインダクタンスの変化ΔLを直流通過電流Idcが0であるときのインダクタンスLで割った変化率ΔL/L(%)を示している。図2より、本発明例では従来例と比較して、高さを2/3に低減したにもかかわらず、直流重畳特性が改善されていることが分かる。
【0030】
(第2実施の形態)
図3は、本発明の第2実施の形態に係る閉磁路型のインダクタの構成を示しており、図3(a)はその外観図、図3(b)はその断面図である。図3において、図1と同一部分には同一番号を付してそれらの説明を省略する。
【0031】
第2実施の形態では、スリーブコア2に、インダクタの電極となる端子5,5が接着されている。そして、この端子5,5にコイル3のコイル端3a,3aが接続されている。
【0032】
コイル3の両端の電極である端子5,5は、絶縁性が高いNiZn系フェライトからなるスリーブコア2に接着されているため、電極間(端子5,5間)の高い絶縁性を確保することができる。
【0033】
(第3実施の形態)
図4は、本発明の第3実施の形態に係る閉磁路型のインダクタの構成を示しており、図4(a)はその外観図、図4(b)はその断面図である。図4において、図1,3と同一部分には同一番号を付してそれらの説明を省略する。第3実施の形態では、ドラムコア1の表面全域に、厚さ数μm〜20μm程度の絶縁性の合成樹脂にて絶縁コーティング6(図4でハッチングを付した部分)を施している。
【0034】
絶縁抵抗が低いMnZn系フェライトからなるドラムコア1とこれに巻回されているコイル3との絶縁は、コイル3(マグネットワイヤ)の表面に施された絶縁被膜によって確保されているが、これだけでは絶縁が不十分になることも考えられる。そこで、第3実施の形態では、その絶縁の信頼性を高めるために、ドラムコア1の表面に絶縁コーティング6を施している。なお、絶縁コーティング6の材料として、パリレン樹脂,エポキシ樹脂,ポリアミド樹脂などの合成樹脂を使用できる。
【0035】
第3実施の形態では、ドラムコア1とコイル3との絶縁性を高めることができると共に、この絶縁コーティング6によって、端子5,5間の絶縁の信頼性も向上する。
【0036】
(第4実施の形態)
図5は、本発明の第4実施の形態に係る閉磁路型のインダクタの構成を示しており、図5(a)はその外観図、図5(b)はその断面図、図5(c)はその下面図である。なお、図5(b)では、プリント基板7への実装部分も図示している。図5において、図1,3,4と同一部分には同一番号を付してそれらの説明を省略する。
【0037】
図5(b)に示すように、インダクタの端子5,5をプリント基板7のランド8,8に半田9を介して接続させることにより、インダクタをプリント基板7に実装している。第4実施の形態では、ドラムコア1の両端の鍔部1bの端子5に対向する部分が欠如されていて欠如部1cとなっている。
【0038】
インダクタをプリント基板7に実装する場合、実装位置のずれを吸収するために、端子5,5の面積より大きいランド8,8をプリント基板7へ設けておくことが一般的である。この場合、2つのランド8,8がドラムコア1の下方に位置して、端子5,5がショートする可能性がある。そこで、第4実施の形態では、ドラムコア1の鍔部1bの端子5に対向する部分を切除させて、ドラムコア1(鍔部1b)と端子5との離隔距離を大きくしている。これにより、インダクタをプリント基板7へ実装する際に、端子5,5がショートすることを防止できる。
【0039】
(第5実施の形態)
図6は、本発明の第5実施の形態に係る閉磁路型のインダクタの構成を示しており、図6(a)はその外観図、図6(b)はその断面図、図6(c)はその下面図である。なお、図6(b)では、プリント基板7への実装部分も図示している。図6において、図1,3〜5と同一部分には同一番号を付してそれらの説明を省略する。
【0040】
第5実施の形態におけるドラムコア1は、両端に鍔部1bを有する上述した第1〜第4実施の形態とは異なり、その一端(図6の上方側)にのみ鍔部1bを有し、その他端(図6の上方側)には鍔部が設けられていないビス状をなしている。また、第5実施の形態におけるスリーブコア2は、円筒状をなす上述した第1〜題4実施の形態とは異なり、中央に孔2aが開いた底部2bを有している。この孔2aから、ドラムコア1の円柱部1aの下方端が臨ませてあり、この円柱部1aの下方端と底部2b下端とは同じ高さにある。
【0041】
第4実施の形態では、上述したように、ドラムコア1の鍔部1bの端子5に対向する部分を切除させて、ドラムコア1(鍔部1b)と端子5との離隔距離を大きくし、半田9のリフロー時にショートしないようにして、部品実装時の信頼性の向上を図っている。しかしながら、部品実装時の位置ずれが大きい場合には、ドラムコア1の鍔部1bと端子5とがショートしてしまう可能性がある。
【0042】
そこで、第5実施の形態では、インダクタの端子5のプリント基板7のランド8への半田付けがなされる下方側において、ドラムコア1の鍔部を取り去って、スリーブコア2に底部2bを設けた構成としている。これにより、部品実装時に大きな位置ずれが生じても、絶縁性が高いNiZn系フェライトからなるスリーブコア2の底部2bに半田面が接触するだけであって、半田面がドラムコア1に接触することはなく、ショートの発生を完全に防止できる。
【0043】
【発明の効果】
本発明のインダクタでは、ドラムコアをMnZn系フェライトにて構成し、スリーブコアをNiZn系フェライトにて構成するようにしたので、直流抵抗を大きくすることなく直流重畳特性を確保できて、小型化・大電流化を容易に実現することができる。
【0044】
本発明の他のインダクタでは、電極となる複数の端子をスリーブコアに接着させるようにしたので、端子間の絶縁を確保することができる。
【0045】
本発明の更に他のインダクタでは、ドラムコアの表面を絶縁性の合成樹脂にてコーティングするようにしたので、コイルとドラムコアとの間、及び、端子とドラムコアとの間の絶縁の信頼性を高くすることができる。
【0046】
本発明の更に他のインダクタでは、ドラムコアの鍔部の一部を欠如させて電極から離すようにしたので、リフローによる実装時の信頼性を高くすることができる。
【0047】
本発明の更に他のインダクタでは、ドラムコアの一端にのみ鍔部を設けて他端には鍔部を設けないようにしたので、部品実装時に大きな位置ずれがあっても、ドラムコアと端子とがショートすることがなく、リフローによる実装時の信頼性を更に高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施の形態に係る閉磁路型のインダクタの構成図である。
【図2】本発明のインダクタと従来のインダクタとにおける直流重畳特性を示すグラフである。
【図3】第2実施の形態に係る閉磁路型のインダクタの構成図である。
【図4】第3実施の形態に係る閉磁路型のインダクタの構成図である。
【図5】第4実施の形態に係る閉磁路型のインダクタの構成図である。
【図6】第5実施の形態に係る閉磁路型のインダクタの構成図である。
【図7】従来の閉磁路型のインダクタの構成図である。
【図8】インダクタにおける各部材の寸法例を示す図である。
【符号の説明】
1 ドラムコア
1a 円柱部
1b 鍔部
1c 欠如部
2 スリーブコア
2a 孔
2b 底部
3 コイル
5 端子
6 絶縁コーティング
Claims (5)
- 第1コアと、該第1コアに巻回されたコイルと、前記第1コアを囲繞する第2コアとを備えるインダクタにおいて、前記第1コアはMnZn系フェライトからなり、前記第2コアはNiZn系フェライトからなることを特徴とするインダクタ。
- 前記第2コアに、その電極となる複数の端子が接着されている請求項1記載のインダクタ。
- 前記第1コアの表面が絶縁性の合成樹脂にてコーティングされている請求項1または2記載のインダクタ。
- 前記第1コアは、両端に鍔部を有しており、該鍔部の一部が欠如している請求項1〜3の何れかに記載のインダクタ。
- 前記第1コアは一端に鍔部を有しており、前記第2コアは前記第1コアの前記一端と反対側に底部を有しており、前記第1コアの他端を臨ませる孔が前記底部に開いている請求項1〜3の何れかに記載のインダクタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002349163A JP2004006609A (ja) | 2002-03-27 | 2002-11-29 | インダクタ |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002089610 | 2002-03-27 | ||
JP2002349163A JP2004006609A (ja) | 2002-03-27 | 2002-11-29 | インダクタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004006609A true JP2004006609A (ja) | 2004-01-08 |
Family
ID=30446149
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002349163A Pending JP2004006609A (ja) | 2002-03-27 | 2002-11-29 | インダクタ |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2004006609A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100960587B1 (ko) | 2005-09-12 | 2010-06-03 | 스미다 코포레이션 가부시키가이샤 | 인덕터 |
JP2010141191A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Nec Tokin Corp | インダクタおよびその製造方法 |
-
2002
- 2002-11-29 JP JP2002349163A patent/JP2004006609A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100960587B1 (ko) | 2005-09-12 | 2010-06-03 | 스미다 코포레이션 가부시키가이샤 | 인덕터 |
JP2010141191A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-24 | Nec Tokin Corp | インダクタおよびその製造方法 |
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