JP2004006442A

JP2004006442A - Ｃｕ配線形成方法

Info

Publication number: JP2004006442A
Application number: JP2002151400A
Authority: JP
Inventors: Susumu Sakio; 崎尾　進; Satoshi Ikeda; 池田　智; Kenji Mizuno; 水野　健二; Hiroaki Kawamura; 川村　裕明; Hideo Takei; 竹井　日出夫
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 2002-05-24
Filing date: 2002-05-24
Publication date: 2004-01-08
Anticipated expiration: 2022-05-24
Also published as: JP3978082B2

Abstract

【課題】ヨウ素を主体として反応性イオンエッチング時に、Ｃｕ層及び下地層を一回の処理でエッチングできるようにする。
【解決手段】基板１の表面に形成したＣｕ層３上に、形成すべきＣｕ配線に対応したマスクを構成するフォトレジストパターン４を設ける。ＨＩにＣｌ_２及びまたはＨＢｒを添加した反応性ガスを用いて、該反応性ガスを高密度プラズマで分解し、ヨウ素をマスクで覆われていないＣｕ層を反応させＣｕｌｘを生成させる。Ｃｕｌｘの反応生成物を水洗処理によって除去した後、フォトレジストを除去する。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体集積回路の配線、フラットパネルディスプレイや磁気ヘッド等の磁気素子からの記録信号用に使用される配線等をＣｕを用いて形成するためのＣｕ配線形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路では、その微細化、高集積化に伴い、より低抵抗でかつエレクトロマイグレーション耐性に優れた金属であるＣｕにより配線を形成することが検討されている。
【０００３】
従来、ダマシンプロセスによりＣｕ配線を形成することが提案されている。この場合、Ｃｕ配線は、例えば基板上に形成した絶縁膜に配線パターンを溝として形成し、該溝に、例えばメッキ法やスパッタリング法によりＣｕを埋め込み、溝以外のＣｕ薄膜部分をＣＭＰ（化学機械研磨）により除去して形成される。
【０００４】
ところが、上記プロセスでは、ＣＭＰの際、硬度の高いアルミナ等の砥粒を含む研磨液を用いて研磨していたので、例えば、配線が密集した部分で削れ過ぎる場合があり、また、砥粒発塵によりクリーンルームのクリーン度が低下し、製品歩留まりを高く保持できないという問題があった。
【０００５】
他方で、Ｃｕを埋め込みにメッキ法を利用する場合、薬品には有害なものが多く、作業の安全性の維持や廃液の公害防止に注意を払う必要があって煩わしい。
【０００６】
このため、例えばスパッタリングによりＣｕ層を形成し、次いで、マスクを構成するレジストパターンを形成した後、マスクで覆われていない部分を、加工エネルギが小さく、基板やＣｕ配線等に与える損傷を少ない反応性イオンエッチング（以下、「ＲＩＥ」という）によって除去することでＣｕ配線を形成することが行われている。
【０００７】
ここで、ＲＩＥ処理の際に、従来のようにＨＣｌ、Ｃｌ_２やＨＢｒを反応性ガスとして使用するのでは、反応物除去レートが最大で２０ｎｍ／ｍｉｎ程度に止まり、Ｃｕ配線形成プロセスとして実用的でない。その上、反応性イオンエッチング処理の際、Ｃｕの揮発性ガスが生成される。
【０００８】
この場合、揮発性ガスの蒸気圧が低いので直ちに固体化しやすく、反応容器内が数枚のエッチング処理で汚染され、製品歩留まりを高く保持するには容器のクリーニングサイクルを早くする必要があった。他方で、排気温度を１４０℃以上に保持して揮発性ガスの蒸気圧を高めることも考えられるが、これではフォトレジストがダメージを受けるのでマスクとして使用できない。
【０００９】
このような問題の解決策として、ＲＩＥ処理の際、ＨＩを主体とする反応ガスを用い、該プラズマで反応性ガスを分解して、レジストパターンで覆われていないＣｕとヨウ素とを反応させてＣｕｌｘの反応生成物を生成させ、Ｃｕｌｘを洗浄処理により除去して行うことでエッチングする方法が提案される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記処理では、処理時にＣｕの揮発性ガスを生成せず、また、反応物除去速度を実用的なレベルまで高めることができるものの、水溶性反応生成物であるＣｕｌｘが生成してＣｕ層が覆われると、エッチングレートが低下する。
【００１１】
このため、この方法では、ＲＩＥ処理と水洗処理とを複数回繰り返して、レジストバターンで覆われていないＣｕ層のエッチングを行っており、一連処理を繰り返して実行するのは煩わしい。
【００１２】
そこで、本発明は、上記点に鑑み、ヨウ素とＣｕとの反応性を高めてＣｕ層（密着性を高めるべく、基板とＣｕ層との間に下地層が設けられている場合、その下地層も含む）を一度のエッチング処理で除去できるようにし、実用レベルまで生産性を高めたＣｕ配線形成方法を提供することを課題とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明のＣｕ配線形成方法は、基板の表面に形成したＣｕ層上に、形成すべきＣｕ配線に対応したマスクを構成するフォトレジストパターンを設け、該マスクで覆われていないＣｕ層をエッチング処理により除去し、フォトレジストを除去して所定のＣｕ配線を形成するＣｕ配線形成方法において、前記エッチング処理は、高密度のプラズマを発生させ、該プラズマでヨウ素を含む反応性ガスを分解してヨウ素とＣｕとを反応させてＣｕｌｘを生成させ、該Ｃｕｌｘを洗浄処理により除去するものであることを特徴とする。
【００１４】
本発明によれば、先ず、シリコンウェハー等の基板上に、例えばスパッタリング法によりＣｕ層を形成する。そして、既知の方法によりフォトレジストを塗布した後、例えばＵＶにより露光して、該露光した部分のレジストを除去して所定のレジストパターンを得る。
【００１５】
次いで、ＨＩを主体とする反応性ガスを高密度プラズマで分解し、ヨウ素を、マスクで覆われていないＣｕと反応させる。この場合、水溶性反応生成物であるＣｕｌｘが生成されるが、高密度プラズマを用いることで、ヨウ素とＣｕとの反応速度を、従来の高密度プラズマを使用しない場合に比べて高くでき、生産性を高めることができる。
【００１６】
このため、ＣｕｌｘによってＣｕ層が覆われる前に、一回のエッチング処理によってマスクで覆われていない所定膜厚のＣｕ層（下地層を含む）を完全に除去することが可能になる。
【００１７】
次いで、洗浄処理によって、Ｃｕｌｘである反応生成物を洗い流す。この場合、Ｃｕｌｘは水溶性であるので、簡単に除去でき、その取扱いは容易である。また、洗浄処理により生じた廃液は、メッキ法により生じた廃液に比べてその処理は容易であると共に再生も可能である。
【００１８】
その後、例えば既知のアッシング装置を使用してレジストをアッシングして除去すると、基板上に所定のパターンのＣｕ配線が形成される。
【００１９】
ここで、反応性ガスは、例えば、ＨＩを主体とするものとするのがよい。
【００２０】
また、Ｃｕ層のエッチングレートをさらに高めるには、例えば、前記反応性ガスに、Ｃｌ_２を０〜７５容積％及びＨＢｒを０〜７５容積％の割合で添加するのがよい。
【００２１】
この場合、反応物除去レートが低下しないように、キャリアガスとして、前記反応性ガスに、０〜８０容積％の割合で不活性ガスを混合してもよい。
【００２２】
尚、Ｃｕとヨウ素との反応を促進するため、前記基板の温度を４０℃以上１４０℃以下の温度範囲に制御するのがよい。
【００２３】
Ｃｕとヨウ素との反応生成物であるＣｕｌｘを除去する洗浄処理は、例えば、水洗処理または弱アルカリ水処理である。
【００２４】
この場合、超音波でアシストして洗浄処理するのがよい。これにより、水洗処理の際に、反応生成物に振動が加えられ基板からの剥離が促進される。
【００２５】
尚、前記水洗処理の後、基板を積極的に乾燥させるために、例えば乾燥処理を行うのがよい。
【００２６】
また、基板とＣｕ膜との密着性を高めるため、前記基板とＣｕ薄膜との間に下地層を形成してもよい。
【００２７】
この場合、前記下地層は、例えばＣｕ合金、Ｃｒ、ＴｉまたはＭｏのいずれかとするのがよい。
【００２８】
また、Ｃｕ層がエッチング処理されることで露出した下地層を、プラズマエッチング処理または反応性イオンエッチング処理して、Ｃｕ配線と同様のパターンに形成できる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
図１及び図２を参照して、本発明のＣｕ配線形成方法の一実施の形態について説明する。基板１としてシリコンウェハーを使用しても、ガラスやポリイミドフィルム等を使用してもよい。該基板１上に、先ずスパッタリングにより、Ｃｕ合金の下地層２を形成する。
【００３０】
次いで、下地層２上に、再度スパッタリングにより所定の膜厚のＣｕ層３を形成する。Ｃｕ層３上に、形成すべきＣｕ配線に対応するマスクを構成するフォトレジストパターン４を形成する。この場合、レジストパターン４は、既知の方法で次ぎのように形成される。
【００３１】
即ち、既知のスピンコーターを使用して基板を高速で回転させながら、ＵＶ光で性質が変化する既知のフォトレジストを回転塗布した後、基板１上に形成しようとする配線パターンを描いたガラスマスクを基板の上方で位置決めして設置し、既知のステッパーによりＵＶ光線を照射する。
【００３２】
そして、露光した部分のレジストを所定の溶剤によって溶かすと、図１（ａ）に示すように、未感光部がレジストパターン４として残留する。
【００３３】
次いで、所定のＣｕ配線を得るにはレジストパターン４で覆われていないＣｕ層３及び下地層２をエッチングする必要がある。この場合、従来のＲＩＥ処理のように、ＨＣｌ、Ｃｌ_２やＨＢｒを反応性ガスとして使用するのではＣｕの揮発性ガスが生成され、種々の問題が生じる。また、実用的な反応物除去レートを得ることができない。
【００３４】
このため、ＨＩを主体とするガスを反応性ガスとして使用し、エッチング処理の際、プラズマで反応性ガスを分解してヨウ素とＣｕ層３とを反応させてＲＩＥ処理を行い、レジストバターン４相互間に水溶性反応生成物であるＣｕｌｘ３１を生成させ、水洗処理により該Ｃｕｌｘ３１を除去するエッチング方法が提案される。
【００３５】
この方法では、処理時にＣｕの揮発性ガスを生成せず、また、反応物除去速度を実用的なレベルまで高めることができるものの、ＲＩＥによって反応生成物であるＣｕｌｘが生成してＣｕ層が覆われると、エッチングレートが低下する。
【００３６】
図１（ｂ）及び図１（ｃ）を参照して、本実施の形態では、ＨＩにＣｌ_２及びＨＢｒの少なくとも一方を添加した反応性ガスを用いると共に、該反応性ガスを高密度プラズマを発生させて分解し、ヨウ素をレジストパターン４で覆われていないＣｕ層３と反応させてレジストバターン４相互間に水溶性反応生成物であるＣｕｌｘ３１を生成させ、水洗処理により該Ｃｕｌｘ３１を除去することとした。
【００３７】
この場合、エッチングレートが高くなるように、Ｃｌ_２が０〜７５容積％の割合で、及びＨＢｒは０〜７５容積％の割合で反応性ガスに添加するのがよい。但し、Ｃｌ_２及びＨＢｒの添加量が１００容積％にならないようにし、好ましくは、Ｃｌ_２及びＨＢｒの少なくとも一方を添加する割合が、ＨＩを主体とする反応性ガスの７５容積％以下とするのがよい。
【００３８】
図３に示すように、ＲＩＥ処理を実行するＲＩＥ装置５は、例えば、誘導結合型の高密度プラズマアシストＲＩＥ装置である。この場合、ＲＩＥ装置５は、真空チャンバ５１を有し、該真空チャンバ５１は、略中央部に設けたシールド板５２により、図中左側のプラズマ発生部５１ａと図中右側の排気部５１ｂとに区画されている。
【００３９】
排気部５１ｂの下側には、ターボ分子ポンプ、ロータリポンプ等から構成される排気系５３が連結されている。プラズマ発生部５１ａを構成する真空チャンバ５１の天板５１ｃ上には真空チャンバ５１内にプラズマを発生させる二重巻きアンテナ５４が配置されている。二重巻きアンテナ５４はプラズマ発生用高周波電源５５に接続され、真空チャンバ５１の上部のプラズマ発生部５２ｂ内に高密度の放電プラズマを発生させる。
【００４０】
石英板からなる真空チャンバ５１の天板５１ｃには、真空チャンバ５１に、ＨＩにＣｌ_２及びＨＢｒの少なくとも一方を添加した反応性ガスを導入するガスノズル５７が設けられている。ガスノズル５７には、一端が混合器に接続されたガス管が接続され（図示せず）、混合器には、ガス流量を制御するマスフローを介してＨＩ、Ｃｌ_２及びＨＢｒの各ガス源に接続されたガス管が接続されている。
【００４１】
ここで、キャリアガスとして、前記反応性ガスに、エッチングレートが低下しないように０〜８０容積％の割合でＡｒ等の不活性ガスを混合してもよい。
【００４２】
また、真空チャンバ５１には、基板電極５８が絶縁体５７ａを介して設けられ、ＲＦバイアスを印加する高周波電源５９に接続された基板電極５８上に、上記レジストパターンが形成された基板１が載置される。
【００４３】
そして、上記レジストパターン４が形成された基板１を載置して、ガスノズル５７から反応性ガスを所定の真空度の真空チャンバ５１に導入すると共に、プラズマ発生用高周波電源５５で上部のプラズマ発生部５２ｂ内に高密度の放電プラズマを発生させ、高周波電源５８から高周波磁場を印加して基板電極５７上の基板のＣｕ層３及び下地層２をエッチングする。
【００４４】
これにより、Ｃｕ層３とヨウ素との反応速度は、高密度プラズマを使用せずに行う場合に比較して高くなる。このため、Ｃｕｌｘ３１によってＣｕ層３が覆われる前に、一回の処理でマスクで覆われていない所定膜厚のＣｕ層３及び下地層２を完全に除去できる。
【００４５】
尚、Ｃｕ層３を先ずエッチング処理し、これによって露出した下地層２を、プラズマエッチング処理または反応性イオンエッチング処理してパターン形成するようにしてもよい。
【００４６】
また、Ｃｕとヨウ素との反応を促進するため、前記基板１の温度を４０℃以上１４０℃以下の温度範囲に制御するのがよい。この場合、基板１温度が４０℃より低くなると、反応速度が著しく低下し、基板１温度が１４０℃より高くなると、レジストが熱的にダメージを受ける。
【００４７】
次いで、Ｃｕｌｘ３１を水洗処理によって除去する。この場合、Ｃｕｌｘ３１の除去速度を高めるために、前記水洗処理は、既知の超音波発生器を備えた容器内で行うのがよい。これにより、水洗処理の際、超音波によってＣｕｌｘ３１に振動が加えられ、その剥離が促進される。
【００４８】
尚、本実施の形態では、水洗処理によってＣｕｌｘ３１を除去することとしたが、例えば、東京応化社製のＳＴ−１０５、ＳＴ−１０６等のレジスト剥離剤を用いた弱アルカリ水で処理してもよい。
【００４９】
次いで、Ｃｕｌｘ３１が除去された基板１を乾燥器に入れて乾燥させた後、既知のアッシング装置を使用してレジストパターン４を除去する。これにより、基板１上に所望のＣｕ配線が残留する。
【００５０】
また、Ｃｕ配線を形成した後、Ｃｕの酸化による配線抵抗の増加を防止するため、Ｃｕ配線を、例えばＴｉＮのバリア層で被覆してもよい。さらに、本実施の形態では、基板１とＣｕ層３との密着性を高めるためＣｕ合金の下地層２を設けたが、該下地層２は、Ｃｒ、ＴｉまたはＭｏであってもよい。
【００５１】
尚、本実施の形態では、高密度電源５５に接続されたコイル５４を用いることで放電をアシストして高密度プラズマを得ることとしたが、これに限定されるものではなく、ＥＣＲ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）法、マイクロ波またはＳＷＰ（ｓｕｒｆａｃｅ−ｗａｖｅ　ｅｘｃｉｔｅｄ　ｐｌａｓｍａ）法等の他の手段で高密度プラズマを得るようにしてもよい。
【００５２】
また、図４に示すように、ＭＣＰＳ（マルチコアキシャルプラズマソース）装置６を使用してＣｕ層３及び下地層２をエッチングするようにしてもよい。この場合、ＭＣＰＳ装置６は、例えば、排気系を備えた真空チャンバ６１を有する。
【００５３】
該真空チャンバ６１の底面には、絶縁体６２ａを介してアノード電極部６２が設けられている。アノード電極部６２にはマッチボックス６２ｂを介して高周波電源６２ｃが接続されている。そして、該アノード電極部６２に設けた基板クランプ６２ｄで保持させて所定の基板１が該アノード電極部６２に載置される。
【００５４】
また、真空チャンバ６１の天面には、高密度プラズマ発生装置６３が設けられている。高密度プラズマ発生装置６３は、真空チャンバ６１の天面に装着したアース板６４を有し、真空チャンバ６１と同電位の該アース板６４には、所定の間隔を置いて、真空チャンバに連通する複数の孔６４ａが開設されている。
【００５５】
該孔６４ａには、フランジ６５ａを有する円筒形状の高周波電極６５が絶縁体６５ｂを介して吊設されている。各高周波電極６５は、マッチボックス６５ｃを介して高周波電源６５ｄにそれぞれ接続されている。そして、真空チャンバ６１を所定の真空度にし、高周波電源６５ｄを起動して各高周波電極６５に高周波電圧（１００ＭＨｚ）を印加すると、各孔内６４ａでアース板６４と高周波電極６５との間でそれぞれ電圧が印加され、各孔内６４ａでプラズマが発生する。これにより、高密度プラズマ発生装置６３は、複数のプラズマ発生源から構成される。
【００５６】
また、各孔内６４ａには、一端が混同器（図示せず）に接続されたガス導入路６６が連通している。混同器には、ガス流量を制御するマスフローを介してＨＩ、Ａｒ、Ｃｌ_２及びＨＢｒの各ガス源に接続されたガス管（図示せず）がそれぞれ接続されている。
【００５７】
そして、上記レジストパターン４が形成された基板１アノード電極部６２に載置して孔６４ａ内でプラズマが発生させた後、ガス導入路６６から反応性ガスを導入し、反応ガスを分解してアノード電極部上の基板１のＣｕ層３及び下地層２をエッチングする。
【００５８】
尚、プラズマ発生源内で発生させたプラズマを安定させると共に、高密度プラズマで分解された反応性ガスの全体的な分布を高めるために各高周波電極６５の下側に、メッシュ電極６７を設けてもよい。また、真空チャンバ６１、高周波電極６５及びアース板６４等は、温媒循環６８で１２０℃以下の温度に制御するのがよい。
【００５９】
【実施例】
次に、本発明のＣｕ配線形成方法の実施例を説明する。本実施例では、基板１としてシリコンウェハを使用してＣｕ配線を形成した。この場合、Ｌ＆Ｓ４μｍ、アスペクト比１のＣｕ配線３を得ることを目標とした。
【００６０】
先ず、基板１上に、ＤＣスパッタリング装置を使用して、Ａｒの流量５０ｓｃｃｍ、投入電力１ｋＷ、チャンバ内圧力０．６Ｐａの成膜条件で、３０秒間スパッタを行い、Ｃｕ合金の下地膜２を形成した。この場合、下地層２の膜厚は、４００ｎｍであった。
【００６１】
次いで、同じＤＣスパッタ装置を使用して、Ａｒの流量５０ｓｃｃｍ、投入電力１．５ｋＷ、チャンバ内圧力０．６Ｐａの成膜条件で１０分間スパッタを行い、Ｃｕ膜３を形成した。この場合、Ｃｕ層の膜厚は４μｍであった。
【００６２】
次いで、スピンコータを使用してＣｕ層３上にレジストを形成した。この場合、レジストとしては、東京応化社製のＯＦＰＲー８００を使用した。
【００６３】
次いで、基板１上に形成しようとする配線パターンを描いたガラスマスクを基板の上方で位置決めして設置し、既知のステッパーによりＵＶ光線を照射して露光した。そして、露光した部分のレジストを溶剤によって溶かした。この場合、溶剤としては、東京応化社製の現像液ＮＭＤ−３を使用した。これにより、未感光部がレジストパターン４として残った。
【００６４】
次いで、図３に示すＲＩＥ装置５を用いて、レジストパターン４で覆われていないＣｕ層３と下地層２とをエッチングした。この場合、プラズマ発生用高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）５５の電力を２ＫＷ、基板バイアス高周波電源５８の電力を０．６Ｗ／ｃｍ^２に設定し、ガスノズル５６からＨＩ７０容積％、Ｃｌ_２１０容積％、ＨＢｒ１０容積％及びアルゴンガス１０容積％の反応性ガスを導入し、ステージ温度８０℃、チャンバ内圧力１．３〜５．３Ｐａで、６０ｓｅｃの間エッチングした。
【００６５】
この場合、レジストでジストパターンで覆われていないＣｕ層３及び下地層２が完全にエッチングされ、レジストパターン４相互の間にＣｕｌｘ３１の反応生成物が生成した。
【００６６】
この場合のエッチングレートは、１１００から２１５０ｎｍ／ｍｉｎであり、ＨＩのみ場合に比較して３倍以上のエッチングレートが得られた。また、ＨＣｌ、Ｃｌ_２やＨＢｒを反応性ガスとして使用する従来のＲＩＥに比べて最大で約１００倍のエッチングレートが得られるので、生産性を極めて高めることができる。
【００６７】
ここで、図５に示した実線Ａは、真空チャンバ５１内の圧力を変化させてＣｕ膜３のエッチングレートを測定した結果である。この場合、比較例として高密度プラズマでアシストせずにＲＩＥ処理したときのエッチングレートを点線Ｂで示す。これによると、真空チャンバ５１内の圧力を高く保持するとエッチングレートをさらに高めることができた。
【００６８】
次いで、８００Ｈｚの超音波が出力される水洗浄容器で、Ｃｕｌｘ３１が生成した基板を、６０秒間洗浄処理した。そして、基板を水中から上げると、Ｃｕｌｘ３１が除去されていた。
【００６９】
次いで、乾燥器内に、Ｃｕｌｘを除去した基板１を入れて、さらに水洗処理してＮ_２ガスで水分を除去し、可能な限り早く乾燥させるためにＮ_２雰囲気の下、８０℃で１０分間保持してもよい。特に、水分が除去できるのであれば、室温で５分保持するようにしてもよい。
【００７０】
最後に、既知のアッシング装置を使用してレジストをアッシング処理して除去すると、Ｌ＆Ｓ４μｍ、アスペクト比１の銅配線が得られた（図２参照）。
【００７１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明のＣｕ配線形成方法では、ヨウ素とＣｕとの反応性を高めてＣｕ層と下地層とを一度のエッチング処理で除去でき、その上、実用レベルまで生産性を高めることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）乃至（ｃ）は、本発明のＣｕ配線形成方法を説明する図
【図２】本発明のＣｕ配線形成方法により形成されたＣｕ配線を示す図
【図３】高密度プラズマアシストによるＲＩＥ装置を説明する図
【図４】ＭＣＰＳ装置を説明する図
【図５】本発明の方法を用いて測定したエッチングレートを示すグラフ
【符号の説明】
１　基板
２　下地層
３　Ｃｕ層
４　レジストパターン
５　ＲＩＥ装置

Claims

基板の表面に形成したＣｕ層上に、形成すべきＣｕ配線に対応したマスクを構成するフォトレジストパターンを設け、該マスクで覆われていないＣｕ層をエッチング処理により除去し、フォトレジストを除去して所定のＣｕ配線を形成するＣｕ配線形成方法において、
前記エッチング処理は、高密度のプラズマを発生させ、該プラズマでヨウ素を含む反応性ガスを分解してヨウ素とＣｕとを反応させてＣｕｌｘを生成させ、該Ｃｕｌｘを洗浄処理により除去するものであることを特徴とする。
前記反応性ガスはＨＩを主体とするものであることを特徴とする請求項１記載のＣｕ配線形成方法。
前記反応性ガスに、Ｃｌ_２を０〜７５容積％及びＨＢｒを０〜７５容積％の割合で添加したことを特徴とする請求項１または請求項２記載のＣｕ配線形成方法。
前記反応性ガスに、０〜８０容積％の割合で不活性ガスを混合したことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のＣｕ配線形成方法。
前記基板の温度を４０℃以上１４０℃以下の温度範囲に制御してヨウ素とＣｕとを反応させることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のＣｕ配線形成方法。
前記洗浄処理は水洗処理であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のＣｕ配線形成方法。
前記洗浄処理は弱アルカリ水処理であることを特徴とする請求項１乃至請求項５記載のいずれか１項にＣｕ配線形成方法。
超音波でアシストして前記洗浄処理を行うことを特徴とする請求項６または請求項７記載のＣｕ配線形成方法。
前記洗浄処理の後、乾燥処理を行うことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のＣｕ配線形成方法。
前記基板とＣｕ層との間に、基板及びＣｕ層相互の密着性を高める下地層を形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載のＣｕ配線形成方法。
前記下地層は、Ｃｕ合金、Ｃｒ、ＴｉまたはＭｏのいずれかであることを特徴とする請求項１０記載のＣｕ配線形成方法。
前記下地層を、プラズマエッチング処理または反応性イオンエッチング処理によりパターン形成することを特徴とする請求項１０または請求項１１記載のＣｕ配線形成方法。