JP2003529771A - バイオセンサー、バイオセンサーアレイ、および、バイオセンサーを用いた巨大分子生体高分子の検出方法 - Google Patents
バイオセンサー、バイオセンサーアレイ、および、バイオセンサーを用いた巨大分子生体高分子の検出方法Info
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Abstract
Description
用いた巨大分子生体高分子の検出方法に関するものである。
イ、およびこのようなタイプの方法は、[1]と[4]から知られている。
センサー200は、金から構成される2つの電極201,202を備えており、
これらの電極は、絶縁材料から構成される絶縁層203に埋設されている。電極
201,202には、電極201,202に印加された電位を供給することがで
きる電極端子204,205が接続されている。電極201,202は、プレー
ナ型電極として配置されている。各電極201,202上には、DNAプローブ
分子206が固着されている(図2a参照)。固着は、いわゆる金−硫黄−結合
によって行われる。電極201,202上には、調査する分析質、例えば、電解
液207が塗布される。
NA鎖208の配列が含まれている場合、これらDNA鎖208は、DNAプロ
ーブ分子206とハイブリダイズする(図2b参照)。
各DNAプローブ分子206の配列と対応するDNA鎖208の配列とが相互に
相補的である場合にのみ起こる。そうでない場合、ハイブリダイズは起こらない
。それゆえ、事前に決定された配列のDNAプローブ分子は、特定のDNA鎖、
つまり相補的な配列を有するDNA鎖のみと結合、つまりこれとハイブリダイズ
することができる。
との間のインピーダンスの値が変化する。この変化したインピーダンスは、約5
0mVの振幅を有する交流電圧を電極端子204,205に印加し、そしてその
結果として生じる電流を、接続されている測定装置(図示せず)を用いて測定す
ることにより決定される。
ャパシタンス成分が減少する。この原因は、DNAプローブ分子206と、妥当
な場合にDNAプローブ分子206とハイブリダイズするDNA鎖208とが、
共に非導電性であり、それゆえ、各電極201,202は、明らかにある程度電
気的に遮蔽されているからである。
を並列接続することが[4]から知られている。これらは、相互にはっきりと噛
み合って配置されており、その結果、いわゆるインターデジタル電極300とな
る。電極の寸法および電極の間の距離は、おおよそ検出されるべき分子程度の長
さ、つまり、DNA鎖208またはそれ以下の、例えば200nmまたはそれ以
下の範囲となる。
更なる手法が、[2]によって知られている。この手法では、所望の配列を有す
るDNA鎖がマーキングされ、マーキングされた分子の反射特質に基づいてその
存在が決定される。このため、可視波長領域の光が、電解液上に照射され、電解
液から、特に実証されるべきマーキングされたDNA鎖から、反射された光が認
識される。反射率に基づいて、つまり、特に、認識され、反射光ビームの照射に
基づいて、事前に決定された対応する配列を有する実証されるべきDNA鎖が、
電解液に含有されているかいないかが決定される。
関する正確な知識を必要とし、更に、この手法を始める前にDNA鎖をマーキン
グする必要があるためである。反射光ビームの全てを検知することができるよう
に、更に、反射された光ビームを検知するための検知手段の極めて正確な整合が
不可欠である。
めて受けやすい。このことから、測定結果は、大変容易に質の低いものとなる。
するために、固着された低分子量の分子、特に高特異性および高親和性を有する
リガンドを使用することが、アフィニティークロマトグラフィー([3]参照)
から知られている。
、[5]および[6]から知られている。
図4aから図4cを参考にして詳述する。
第2電極402を備えるバイオセンサー400を示す。
上に形成される。固定領域は、第1電極401条においてDNAプローブ分子4
05を固着させるために用いられる。
補的な配列を有するDNA鎖を認識する場合、センサー400は、妥当な場合に
調査される溶液406に含有されており、DNAプローブ分子405の配列に対
して相補的な配列を有するDNA鎖がハイブリダイズされるように、調査する溶
液406(例えば電解液に)接触される。
ており、DNAプローブ分子405とハイブリダイズする様子が示されている。
molekuele)に分解できる酵素408を用いてマーキングされている。
著しく多い数のDNAプローブ分子405が含まれている。
るDNA鎖407が、固着されているDNAプローブ分子とハイブリダイズされ
た後、バイオセンサー400の洗浄が行われる。このことにより、ハイブリダイ
ズされていないDNA鎖が除去され、バイオセンサー400から、調査する溶液
406が洗い落とされる。
気的に非伝導性の物質に添加する。この非伝導性の物質は、ハイブリダイズされ
たDNA鎖407の酵素によって、負の第1電荷である第1部分分子と、正の第
2電荷である第2部分分子とに分解することができる分子を含有している。
電荷の陽極に引き寄せられる。
01において酸化され、酸化された部分分子413は、負電荷のカソードに、す
なわち第2電極402に引き寄せられ、再び還元される。
移動する。
た電気的な回路電流が発生する。
間tの関数としての電流dI/dtの変化である。
た曲線(Kurvenverlauf)503は、時間の経過の影響を受けないオフセット電
流Ioffset504を示している。
めに、寄生的な成分によって発生する。
ーブ分子405によって完全に被覆されていないからである。
れている場合、第1電極と調査される電導性の溶液406との間には、固着した
DNAプローブ分子405によって発生する、いわゆる2層キャパシタンス(Do
ppelschichtkapazitaet)に基づく、ただ1つの単なるキャパシタンスの電気的
な連結が生じるはずである。
的な電流経路が、第1電極401と調査される溶液406との間のにできてしま
う。
する第1電極401のカバーは完全である必要はない。それは、電気を帯びた部
分分子、すなわち負電荷の第1部分分子を、第1電極401に全体的に引き寄せ
るためである。
生的影響がわずかであることと相まって、DNAプローブ分子405を有する第
1電極401のカバーは、できるだけ密集していなければならない。
uzierbarkeit)を高めるために、2つの電極401,402は、常に、レドック
ス再生利用工程において酸化還元手順を行うための十分に大きな面積を備える必
要がある。
A鎖を検知する際の測定が、若干不確実なものとなる。
子をより高精度で検出することである。
アレイ、および、バイオセンサーを用いた巨大分子生体高分子の検出方法によっ
て解決される。
を固定させるための固定領域を備えた第1電極を有している。更に、バイオセン
サーは、第2電極および第3電極を備えている。第2電極および第3電極は、還
元酸化再生利用工程の範囲の還元酸化手順が、第2電極および第3電極において
行われるように形成されている。
手順行う必要はもはやない。
可能となる。このことにより、バイオセンサーによって電流の変化を検知する際
の上記の寄生効果を避けることができる。
ブ分子を固定させるための固定領域をそれぞれ備えている多数の第1電極を有す
ることもある。更に、多数の第2電極と多数の第3電極とが備えられている。第
2電極および第3電極は、還元酸化再生利用工程の範囲の還元酸化手順が、第2
電極と第3電極とにおいて行われるようにそれぞれ形成されている。
第2電極、および第3電極を有するバイオセンサーが使用される。この第1電極
は、巨大分子生体高分子を結合することができるプローブ分子を固定させるため
の固定領域を備えている。
子が溶液に含有されていることもある。調査される溶液に巨大分子生体高分子が
含有されている場合、これら巨大分子生体高分子は、第1電極の固定領域に固着
され、巨大分子生体高分子を結合することができる各プローブ分子と結合する。
結合された巨大分子生体高分子は、例えば、結合の後、例えば、DNA鎖のハイ
ブリダイズの後、酵素によってマーキングされている、あるいは、マーキングさ
れる。
査される溶液と、すなわちハイブリダイズされていない、つまり結合していない
巨大分子生体高分子とが、バイオセンサーから除去される。
、バイオセンサーと接触される。
子を含有している。
れぞれ分解される。第1部分分子は、第3電極上で酸化または還元され、酸化ま
たは還元された第1部分分子は、第2電極上で還元または酸化される。その結果
、レドックス再生利用工程が、第3電極と第2電極との間で行われる。
、例えば、従来技術のように、レドックス再生利用工程の回路電流の流れが検知
され、これから、第1電極にある結合された巨大分子生体高分子の数が測定され
る。
NA鎖が、固着されたDNAプローブ分子と、小さな領域でハイブリダイズされ
る場合、相当するこれら多数の酵素が、この領域に集約する。そして、生成され
た回路電流の上昇率は、酵素によってマーキングされたDNA鎖がより少なくハ
イブリダイズしている他の領域よりも高い。 センサーの様々な領域の間で上昇率を比較することによって、調査する溶液にお
いて、DNA鎖が、事前に決定された配列のDNAプローブ分子とハイブリダイ
ズするかどうかだけではなく、どれほどよく、つまりどのような効率で、他のD
NAプローブ分子に対するハイブリダイズが行われるかが測定される。
DNA内容に関する、質的かつ量的な情報を提供することを意味している。
フェノール酸化酵素の種類の酵素を使用することができる。
位を有し、第2電極が第2電位を有し、第3電極が第3電位を有することによっ
て保証される。この場合、レドックス再生利用工程の間に、還元または酸化を第
2および第3電極においてのみ行うように、第3電位を選択することができる。
第1電位が第2電位よりも大きいことによって達成される。
被膜されていることができる。
基、アセトキシ基、イソシアネート基、スクシニミドエステル基、チオール基、
金、銀、プラチナ、チタンの1つを備えていてもよい。
せるためにも形成されており、また、DNA分子を結合することができるDNA
プローブ分子を固定させるためにも形成されている。
いる。この場合、第3電極は、それぞれ、第1と第2電極との間に配置されてい
る。
いる。この場合、第3電極は、それぞれ第1電極と第2電極との間に配置されて
いる。
2電極および/または第3電極の間に生成された電場のほぼ湾曲していないフィ
ールドラインを、第1電極および第2電極および/または第3電極の間に形成す
ることができるように、相互に関連して配置されている。
に決定された配列のDNA鎖でもある。
関係なく、巨大分子生体高分子は、酵素によって事前にマーキングされている。
れた分子はリガンドである。リガンドは、例えば、相当するリガンドが配置され
ている各電極に、認識される蛋白質またはペプチドを結合できる結合作用を有す
る作用物質である。
または、蛋白質またはペプチドを特異的に結合する性能を有するどんな分子でも
考えられる。
れた配列のDNA鎖が使用される場合、バイオセンサーによって、事前に決定さ
れた配列のDNA鎖は、固着されたDNA鎖の配列に対して相補的な配列を有す
るDNAプローブ分子に、分子として、第1電極上でハイブリダイズできる。
できる。
定するために形成されている。
子を固定するために形成されている。
極103の3つの電極を備えている。
に電気的に絶縁されている。
分子を固定させるための固定領域105が備えられている。
プローブ分子である。このDNAプローブ分子106によって、DNAプローブ
分子の配列に対して相補的な配列を有するDNA鎖を、ハイブリダイズすること
ができる。
構成されている第1電極101に固着される。他の物質をプローブ分子の結合に
使用する場合、物質上にプローブ分子を固着することができる被覆物質が供給さ
れる。
が印加される。その結果、DNAプローブ分子の固着は、第1電極101上にお
いてのみ可能であり、第2電極102および/または第3電極103上では阻害
されるように、電場が電極の間に生じる。
体高分子(つまりDNAプローブ分子とハイブリダイズすることができるDNA
鎖)がもし存在する場合に、それを有する調査される溶液(例えば電解液)が、
バイオセンサー100(つまりDNAプローブ分子106を有する特に第1電極
101)と接触される。これは、調査される溶液に存在するDNA鎖がDNAプ
ローブ分子とハイブリダイズすることによって行われる。
によって、洗浄される。つまり、ハイブリダイズされていないDNA鎖および調
査される溶液が除去される。
101)に接触される。
た状態の、バイオセンサー100を示す。ハイブリダイズされたDNA鎖107
は、酵素108によってそれぞれマーキングされている。他の溶液109中にお
いて、以下に述べる分子を、酵素によって分解することができる。
クトシダーゼ、b‐グルコシダーゼ、a‐マンノシダーゼ、アルカリ・ホスファ
ターゼ、酸性ホスファターゼ、オリゴ糖デヒドロゲナーゼ、グルコース・デヒド
ロゲナーゼ、ラッカーゼ、チロシナーゼ、または、同種の酵素を使用することが
できる。
ことがわかる。
分子111と正電荷を有する第2部分分子とに分解することができる分子110
が含有されている。
ソピラノシド、p‐アミノフェニル‐リン酸塩、p‐ニトロフェニル‐ヘキソピ
ラノシド、p‐ニトロフェニル‐リン酸塩、または、a)ジアミン、b)カテコ
ールアミン、c)
ビピリジル‐NH、または、h)PEG‐フェロセン2に適した誘導体を用いる
ことができる。
2電位V(E2)が、そして、第3電極103には第3電位V(E3)が印加さ
れる。
間に、電荷の符号に応じた、それぞれ以下の電気的電位の電位高低差は、V(E
3)>V(E1)>V(E2)が該当するように電極101,102,103に
印加される。
、バイオセンサー100の電極101,102,103の最大電位を有している
。
3にかかる最大の電位V(E3)が原因で、従来技術のように、もはや、第1電
極101にではなく、正に電荷された第3電極に引き寄せられることに作用する
。
しても、各部分分子の酸化または還元のための測定電極としても使用されない。
03がここでは明らかに引き継いでいる。
子から遮蔽されることを明らかに意味している。
くされる。
た第1部分分子112は、第2電極102に引き寄せられる。なぜなら、第2電
極102は、バイオセンサー100の全電極101,102,103のうち最小
の電位V(E2)を備えているからである。
13は、再度酸化を行う第3電極103にもう一度引き寄せられる。
このことにより、回路電流の流れの変化が時間を経て生じ、このことによって、
同様に、酵素108によって生成された電荷キャリア数に対する回路電流の比例
に基づいて、マーキングとしての酵素108を有し、ハイブリダイズされたDN
A鎖107の数を検知することができる。
て、電極がインターデジタル電極としてバイオセンサー600に配置されている
。この場合、それぞれ第1電極601と第2電極602との間に第3電極603
が配置されている。
続されており、それぞれ第1電気的端子604、第2電気的端子605、および
第3電気的端子606と連結されている。
定するための固定領域がそれぞれ配置されている第1電極601は、レドックス
再生利用工程に関しては遮蔽されていることを明らかに意味している。
子の検出も可能である。この際、蛋白質またはペプチドが検出される場合には、
プローブ分子が蛋白質またはペプチドを結合することができるリガンドとして形
成されている。
を多数有するバイオセンサーアレイに使用することもできる。
している。各プローブ分子が固着されている、あるいは固着することができる第
1電極は、分解された部分分子から電気的に遮蔽されることだけが保証される。
3に相当する様々な数の電極を、レドックス再生利用工程の範囲で、第1電極が
分解された部分分子から遮蔽されていることが保証されている条件で、バイオセ
ンサー上に異なる密度で分散させることもできることがわかる。
じて行われる。バイオセンサーアレイの範囲では、機能的に異なる電極の異なる
密度分散が可能である。
えており、第1電極701と第2電極702とは、相互に電気的に絶縁されてい
るように絶縁層703に配置されている。
、第2電気的端子705と連結している。
1電極面706と第2電極702の第1電極面707とは、ほぼ平行に相互に向
き合うようにして設置されている。
08に対してほぼ垂直な、第1電極701の第1電極面706、もしくは、第2
電極702の第1電極面707を構成する側壁706,707を備えていること
によって達成される。
行に設置された電極面706,707によって、表面706,707の間ではほ
ぼ湾曲していないフィールドライン709を有するフィールドライン経路が生成
される。
上部表面および電極701,702の間の縁領域713を構成する、第1電極7
01の第2電極面711と第2電極面702の第2電極面712との間にのみ生
じている。
ための固定領域として、バイオセンサー700を用いて認識することができる巨
大分子生体高分子を結合することができる。
合を形成するための硫黄は、硫化物、またはチオールの形状で存在する。
機能性は、燐アミド化学を用いて、自動化されたDNA合成方法の間に、固着さ
れるDNA鎖の3'末端または5'末端に組み込まれる調整ヌクレオチドの部分で
ある。従って、DNAプローブ分子は、その3'末端またはその5'末端に固着さ
れる。
カーまたはアルキレンリンカーの一末端によって構成され、その他方の末端は、
リガンドの共有結合のために適切な化学的官能基、例えば、ヒドロキシ基、アセ
トキシ基、または、スクシニミドエステル基を備えている。
査する溶液によって被覆されている。
された配列を有し、電極上に固着されたDNAプローブ分子をハイブリダイズす
ることができる認識されるDNA鎖が含まれている場合、DNA鎖は、DNAプ
ローブ分子とハイブリダイズする。
有するDNA鎖が含有されていない場合、調査される溶液714に属するDNA
鎖は、電極701,702上のDNAプローブ分子とハイブリダイズできない。
始められる。このことにより、マーキングされ、ハイブリダイズされたDNA鎖
の数、一般的にはマーキングされ、結合された巨大分子生体高分子の数が検知さ
れる。
ー800を示す。
の場合と同様に、絶縁層703上に付与された2つの電極701,702が備え
られている。
されたバイオセンサー800の2つの電極は、それぞれ交互に配置され、並列接
続された多数の電極として、知られているインターデジタル電極配置の形状で配
置されている。
れた概略の電気的等価回路図を示す。
る電極面706,707の間に、ほぼ湾曲していないフィールドラインが、絶縁
層703の表面708に対して生じるので、湾曲しているフィールドライン71
0によって生成される、第2キャパシタンス804と第2アドミタンス805に
比較して、湾曲していないフィールドラインによって生成される第1キャパシタ
ンス802と第1アドミタンス803の割合は大きい。
アドミタンス803および第2アドミタンス805の合計から生じる全アドミタ
ンスにおける、第1キャパシタンス802と第1アドミタンス803との極めて
大きな割合は、バイオセンサー800の状態が変化する際、つまり、調査される
溶液714のDNA鎖が、電極面706,707上の固定領域に固着されたDN
Aプローブ分子801とハイブリダイズする際に、バイオセンサー800の感度
が、著しく高められるということに繋がる。
活性領域が同じ寸法の場合、つまり、電極面上の固定領域が同じ面積の場合に、
認識されるDNA鎖が調査される溶液714に含有されていると、プレーナ型電
極配置の場合よりも、電極701,702の間における、供給された電場のフィ
ールドラインの極めて大きな成分が、ハイブリダイズが生じているボリュームに
含まれていることが明らかである。
スは、プレーナ型電極配置の場合の1チップ面毎のキャパシタンスよりも、明ら
かに大きいことを意味している。
性のいくつかを詳述する。
極の第1製造方法) 図9aは、知られているCMOSプロセスのために製造されるような、シリコ
ン基板900を示す。
コン基板900上に、不動態化層としても機能する絶縁層901が、十分な厚さ
、本実施例では、500nmの厚さに、CVD法を用いて付与される。
することも可能である。
ォトリソグラフィーを用いて、絶縁層901上に限定される。
て、絶縁層901に、本実施例では約100nmの最低限の高さ903の段90
2が生成、つまり、エッチングされる。
のために十分大きくなければならない。
使用することも可能である。
果、十分に鋭い角905を構成することに注意しなければならない。絶縁層90
1の表面に対してしかるべき段横側の角度906は、本実施例では少なくとも5
0°に達するべきである。
9b参照)が段状の絶縁層901に蒸着される。
たはモリブデンであることも可能である。
907)は、段902の角905において多孔性を有して成長することが保証さ
れる。なお、このことは、他の方法工程において、段の移行面(Stufenuebergae
ngen)において、それぞれ1つの割れ目908を、全面的に形成された金の層9
07にエッチングできるように行われる。
果、金の層907は多孔性の円柱に成長することだけが保証される。
、割れ目が形成される。
gのスーパーストリップ100TM(Super Strip 100TM Firma Lea Ronal GmbH,
Deutschlandの商標名)と20gのKCNとを含有するエッチング溶液が使用さ
れる。
間、異方性エッチングが達成され、その結果、金の表面侵食は、約1:3の比に
行われる。
時間に応じて形成される。
金の電極910,911の間の間隔909を決定することを意味している。
09に達成した後、ウエットエッチングは終了する。
向へは、絶縁層901の表面に対して垂直な方向へよりも、はるかにより速くエ
ッチングされる。
な他の貴金属を使用することも可能である。なぜなら、これら材料は、固着され
たDNAプローブ分子を固定するため、または、一般にプローブ分子を固定する
ために、同様に固定領域を備えることができ、もしくは、適切な材料によって被
覆されることができ、蒸着の際に円柱状の成長を示すからである。
する必要がある場合、このことは、同様に自己配列的に、金の電極910,91
1をエッチングマスクとして使用することによって行われる。
、以下の利点を備えている。すなわち、角905の上に位置する金の層907の
自己配列された開口部によって、電極910,911の間の間隔は、製造工程の
最小変位(minimale Aufloesung)に依存しない(gebunden ist)という点であ
る。つまり、電極910、911の間の間隔909は、非常に狭いまま保持され
る。
ー800が、この方法によって得られる。
2製造方法) 図10aから図10cに示す製造方法の場合、基板1001、例えばシリコン
基板ウエハー(図10a参照)から始まり、その上に金属被膜1002が電気的
端子として既に備えられている。このとき、基板1001上には、窒化シリコン
Si3N4から構成されるエッチストップ層1003が既に付与されている。
って付与される。
プ層1003上に付与するために使用することも可能である。
んでいる。
1005が、CVD方法(あるいは、蒸着方法またはスパッタ方法)を用いて付
与される。
レジストパターン、例えば、直方体形の構造が形成され、これは、形成するべき
電極の形状に相当している。
、フォトリソグラフィーを用いて、レジストパターンが生成される。このレジス
トパターンの形状は、バイオセンサーアレイを構成する、形成されるべき電極に
相当している。
成されるべきセンサー電極の寸法に相当していることを具体的に意味している。
光の後、「現像」されていない、つまり、露光されていない領域のレジスト層が
、例えば、灰化によって、あるいは、湿式化学によって除去される。
、ウエットエッチング方法またはドライエッチング方法を用いて除去される。
面1008,1009を、電極材料によって、本実施例では金によって、被覆す
るように、電極層として更なる金属層1007が、余剰補助層1005上に一貫
して付与される(図10b参照)。
て行うことが可能である。
、金属層1004,1007の集中的なオーバーエッチングによって、電極10
10の望ましい構造が形成される。
グ工程において、エッチングによって取り除かれていないスペーサー1011,
1012、ならびに、残っている補助層1005の下に直接配置されており、エ
ッチング工程を経てもエッチングによって取り除かれていない第1金属層100
4の部分を備えている。
いる。
ング、例えばプラズマによって、または、湿式化学的に、エッチストップ層10
03に対する選択度が与えられている方法を用いて除去することが可能である。
ッチストップ層1003が窒化シリコンである場合に、保証されている。
011,1012とエッチストップ層1003の表面1014との間の角度10
13によって表され、従って、残っている補助層1005の側面の傾斜、つまり
、特に、パターン化されたレジスト層1006のレジスト側面1015,101
6の傾斜によって決定される。
第3製造方法) 図11aから図11cでは、ほぼ垂直な壁を有する電極を製造するための更な
る可能性を示す。
から始まり、その上に金属被膜1102が、バイオセンサーの構成するべき電気
的端子のために既に備えられている。
て蒸着される。この際、金属層1103は、電極のために使用されるべき材料で
あり、本実施例では金である。
方法を用いて、またはCVD方法を用いて、基板1101上に付与することも可
能である。
ラフィー技術を用いて現像し、現像された領域を除去した後、形成されるべき電
極、または、一般に、形成されるべきバイオセンサーアレイの横の寸法に相当す
るレジストパターンが生じるようにパターン化される。
る。
ガスとして、例えば、アルゴンを用いる不活性ガスプラズマによるパターン化の
際に、材料の侵食が、本実施例では物理的スパッタ侵食によって行われる。
化されたレジスト要素のほぼ垂直な側壁1105,1106にスパッタする。こ
のレジスト要素は、現像されたレジスト構造を灰化した後も除去されず、この場
所は、もはや更なるスパッタの影響にさらされることはない。
れることを防ぐ。
では金から構成される電極材料の側面層1107,1108が形成される。
存在しており、除去されていない金属層1103の部分1109と電気的に接続
し、さらに、金属被膜1103と電気的に連結している(図11b参照)。
1107,1108および余剰金属層1109によって構成されたボリュームで
見出されるフォトレジストが、灰化によって、または、湿式化学によって除去さ
れる。
108ならびに電極構造の底を構成し、金属被膜1103と電気的に連結されて
いる除去されていない部分1109から構成される。
8の傾斜は、本方法では、レジスト側面1105,1106の傾斜によって決定
される。
を有する本発明の更なる実施例を示す。
シリンダー型の電極を有するバイオセンサー1200の製造のために、金属層1
202が、望ましい電極材料、例示の実施例によれば金の電極層として蒸着方法
により付与される。
マスクを用いて、露光されていない領域を除去した後、図12aに示すシリンダ
ー型の構造1203が金属層1202上に生じるように露光される。
レジスト円環面1204を同心として配置されているシリンダー型のフォトレジ
スト環1205を備えている。
、灰化によってまたは湿式化学的にフォトレジストが除去される。
関連でのように、再析出プロセスを用いて、フォトレジスト円環面1204の周
りに金属層1206が付与される。
る(図12b参照)。
たは湿式化学的に除去され、その結果、2つのシリンダー型の電極1208,1
209が形成される。
ッチングプロセスを用いて、基板の金属被膜が露出し、シリンダー型の電極と電
気的に連結するまで除去される。
に連結しており、外部シリンダー型電極1209は、第2電気的端子1211と
電気的に連結している。
ていなかった残りの金属層1202は、最終工程において、スパッタエッチング
プロセスを用いて除去される。金属層1202もこの様に除去される。
金属被膜が、方法の始めに既に基板1201に備えられている。
サーアレイ1300の平面図を示す。
1電極1301と相関して負の電位を備えている。
極1302とが交互に配置されている。つまり、第1電極1301のすぐ傍には
、それぞれ行1303または列1304に第2電極1302が配置されており、
第2電極1302の傍には、それぞれ行1303または列1304に第1電極1
301が配置されている。
曲していないフィールドラインを有する電場を、個々の電極の間に生成できる、
ということが保証されている。
いる。
布されると、DNA鎖は、電極に固着された、それと相補的なDNAプローブ分
子とハイブリダイズする。
る溶液中に、事前に決定された配列を有するDNA鎖が存在しているか、存在し
ていないかを、バイオセンサーアレイ1300を用いて認識することができる。
アレイ1400の更なる実施例を示す。
ようなシリンダー型の電極1301,1302の配置に相当している。
配置を示す。
気的に連結されている。
と電気的に連結されている。
が異なっている。
T型に設計されている。
ている第1辺1501を備えている。
辺1502を備えている。これらは、各第1電極701の表面1503上に少な
くとも部分的に配置されている。
、並列接続されている。その結果、第2電極702のT型構造に基づき、ホール
1504が形成される。これは、2つの相互に並んで配置されている第2電極7
02および第1電極701、ならびに、絶縁層703によって構成される。
り、互いに電気的に絶縁されている。
口部1505が備えられている。この開口部は、十分に大きいので、その結果、
電解液1506をバイオセンサー1500上に塗布する際に、電解液と、場合に
よっては調査される溶液1506(例えば、電解液)に含有されているDNA鎖
とが、開口部1505を通過して、ホール1504に到達することができる。
れており、これらは、事前に設定された配列を有する検出されるDNA鎖とハイ
ブリダイズすることができる。
ており、DNAプローブ分子1509を固定するための固定領域が備えられてい
る、第2電極1508もしくは第1電極1503の表面に基づいて、ほぼ湾曲し
ていないフィールドラインが、第1電極701と第2電極702との間に電場を
供給する際に構成される。
示したバイオセンサー1500にほぼ相当するが、異なる点は、第2電極702
の第1辺1501の側壁では、固定領域にDNAプローブ分子1509が固着さ
れておらず、第2電極702の第1辺1501の表面1601が、絶縁層703
の絶縁材料または更なる絶縁層によって被覆されていることである。
固定領域は、直接向き合っている電極の表面、つまり、第2電極702の第2辺
の表面1602および第1電極701の表面1603のみである。
1と第2電極702を製造するための各方法工程を示す。
えば、フォトレジストから構成されるマスク層を使用して、形状が形成するべき
第1電極701に相当しているパターンが、絶縁層703にエッチングされる。
ら構成される層は、あらかじめエッチングされたパターン1701(図17a参
照)が、少なくとも全面的に充填されるように、絶縁層703上に全面的に付与
される。このとき、パターン1701は、過剰に充填されていることも可能であ
る(図17b参照)。
されているパターン1701の外側に存在する電極材料1702、好ましくは金
が除去される。
じ高さに埋設される。
701の間以外に残留しないように除去される。
、例えば、CVD方法、スパッタ方法または蒸着方法のような適切な被覆方法を
用いて更に付与することができる(図17d参照)。
の第1電極1701およびその上に存在する被覆層1703を示す。
が付与される。
考慮したマスキングが行われた後、望ましい開口部1705が形成され、プラズ
マ分離型のドライエッチング法によって、第2電極層1704は、望ましいホー
ル1504が、図15または図16に示すバイオセンサー1500,1600に
基づいて構成されるようにエッチングされる(図17g参照)。
504の形成の際に、第1電極701を表層エッチングから保護するためには有
効である。
の方法により第1電極701を形成した後に、CVD方法またはその他の適切な
被覆方法を用いて、第1絶縁層上、または、被覆層1703が存在する場合は被
覆層1703の上に絶縁層を形成する。続いて、被覆層1703に、対応するト
レンチを形成する。なお、このトレンチは、第2電極702のT型構造の第1辺
1501を受け入れることに役立つものである。これらトレンチを、電極材料で
ある金を用いて充填し、ダマスク方法(Damascene-Verfahren)にしたがって、
化学機械研磨を用いて、トレンチおよび第2絶縁層の上方に形成された電極材料
を除去する。なお、この除去は、T型の第2電極702の第2辺1502の高さ
に相当する、事前に設定された高さまで行われる。
成され、続いて、絶縁材料が、プラズマ分離型のドライエッチング方法を用いて
、ホール1504として形成されるべきボリュームから、少なくとも部分的に除
去される。
ている電極に制限されない。あるいは、電極が、材料、例えば、一酸化シリコン
または二酸化シリコンによって固定領域に被膜されていることも可能である。こ
れら材料は、プローブ分子を固着させるため、本変形では特にリガンドを固着さ
せるために、上記に記述されたアミン残基、アセトキシ残基、イソシアネート残
基、アルキシラン残基と共有結合を形成することが可能である。
ぞれ環状の第1電極1801、環状の第2電極1802、環状の第3電極180
3を備えた他の電極配置1800を示す。
、中心を同じくして交互にそれぞれの周りに配置されている。
としても形成することができ、上記の方法に基づいて製造される。
電位が提供されている。シリンダー型電極1901,1902,1903を有す
るバイオセンサー1900の平面図を示す。
1電位V1が印加されている。各第2電極1902には、第2電位V2が印加さ
れている。各第3電極1903には、第3電位V3が印加されている。
極を備えることも可能である。
ー, 最先端のバイオセンサー学, 基本原理, F. W. Scheller 他編集, Dirk Haus
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(図2b)を実証することができる、2つのプレーナ型電極の略図である。
イオセンサーの略図である。
である。
ンサーの断面図である。
方法状態のインターデジタル電極の断面図である。
個々の方法工程の間のバイオセンサーの断面図である。
個々の方法工程の間のバイオセンサーの断面図である。
オセンサーの各断面図である。
平面図である。
図である。
イオセンサーの断面図である。
明の実施形態におけるバイオセンサーアレイの平面図である。
Claims (15)
- 【請求項1】 巨大分子生体高分子と結合することができるプローブ分子を固定させるための
固定領域を有する第1電極と、 第2電極と、 第3電極とを備え、 上記第2電極および第3電極は、還元酸化再生利用工程において還元酸化手順
が、第2電極と第3電極とにおいて行われるように形成されているバイオセンサ
ー。 - 【請求項2】 上記第1電極は第1電位を有し、 上記第2電極は第2電位を有し、 上記第3電極は第3電位を有し、 上記還元酸化再生利用工程の間に、還元または酸化が、第2電極および第3電
極においてのみ行われるように、第3電位が選択される、請求項1に記載のバイ
オセンサー。 - 【請求項3】 上記第3電位が、第1電位よりも大きく、 上記第1電位が、第2電位よりも大きい、請求項2に記載のバイオセンサー。
- 【請求項4】 上記第1電極の固定領域が、プローブ分子を固着させることが可能な物質によ
って被覆されている、請求項1ないし3のいずれかに記載のバイオセンサー。 - 【請求項5】 上記第1電極の固定領域が、ペプチドまたは蛋白質と結合することができるリ
ガンドを固定するために形成されている、請求項1ないし4のいずれかに記載の
バイオセンサー。 - 【請求項6】 上記第1電極の固定領域が、DNA分子と結合可能なDNAプローブ分子を固
定するために形成されている、請求項1ないし4のいずれかに記載のバイオセン
サー。 - 【請求項7】 上記第1固定領域および第2固定領域が、ヒドロキシル基、エポキシ基、アミ
ン基、アセトキシ基、イソシアネート基、スクシニミドエステル基、チオール基
、金、銀、プラチナ、チタンのという材料のうちの少なくとも1つを含有する、
請求項1ないし6のいずれかに記載のバイオセンサー。 - 【請求項8】 上記電極が、インターデジタル電極配置に配置され、第3電極が、第1電極と
第2電極との間にそれぞれ配置されている、請求項1ないし7のいずれかに記載
のバイオセンサー。 - 【請求項9】 上記電極は、相互の周りを同心円状に配置され、第3電極は、それぞれ第1電
極と第2電極との間に配置されている、請求項1ないし8のいずれかに記載のバ
イオセンサー。 - 【請求項10】 上記第1電極および第2電極および/または第3電極の間に生成された電場の
実質的に湾曲していないフィールドラインを、第1電極および第2電極および/
または第3電極の間に形成することができるように、第1電極および第2電極お
よび/または第3電極が、相互に関連して配置されている、請求項1ないし9の
いずれかに記載のバイオセンサー。 - 【請求項11】 巨大分子生体高分子と結合することができるプローブ分子を固定するための固
定領域を有する多数の第1電極と、 多数の第2電極と、 多数の第3電極とを備え、 上記第2電極および第3電極は、還元酸化再生利用工程において還元酸化工程
が、第2電極と第3電極とにおいて行われるように備えられているバイオセンサ
ーアレイ。 - 【請求項12】 巨大分子生体高分子と結合することができるプローブ分子を固定するための固
定領域を有する第1電極と、 第2電極と、 第3電極とを備え、 a)調査する溶液がバイオセンサーと接触することによって、検出される巨大
分子生体高分子が、溶液中に含有され、 b)調査する溶液中に含有されている巨大分子生体高分子が、第1電極上のプ
ローブ分子に結合され、結合された巨大分子生体高分子は、酵素によってマーキ
ングされ、 c)洗浄液を用いて上記バイオセンサーを洗浄することにより、調査される溶
液を除去し、 d)上記酵素によって分解可能な分子を有する他の溶液が、バイオセンサーと
接触し、 e)1つの分解可能な分子が、それぞれ第1電荷を有する第1部分分子と第2
電荷を有する第2部分分子とに分解され、 f)第1部分分子が、第3電極において酸化または還元され、 g)酸化または還元された第1部分分子が、第2電極において還元もしくは酸
化され、その結果、還元酸化再生利用工程が、第3電極と第2電極との間で行わ
れ、 h)還元酸化再生利用工程に応じて巨大分子生体高分子が検出される、 バイオセンサーを用いる巨大分子生体高分子の検出方法。 - 【請求項13】 酵素として、 NADHに依存しない脱水素酵素、 フェノール酸化酵素 の分類に属する酵素が使用される、請求項12に記載の方法。
- 【請求項14】 上記第1電極には、第1電位が印加され、 上記第2電極には、第2電位が印加され、 上記第3電極には、第3電位が印加され、 還元酸化再生利用工程の間に、還元または酸化が、第2電極と第3電極とにお
いてのみ行われるように第3電位が選択されている、請求項12または13に記
載の方法。 - 【請求項15】 上記第3電位が、第1電位よりも大きく選択され、 上記第1電位が、第2電位よりも大きく選択される、請求項14に記載の方法
。
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