JP2003526921A - 基板熱管理システム - Google Patents
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Abstract
Description
ウェーハの迅速かつ一様な加熱と冷却に関する。
に依存するため、多くの集積回路製作段階における重要な要素である。特定の処
理においては、熱的な非一様性は、回路素子の臨界寸法の大きさを設計目標に対
して拡大し、悪影響を及ぼす可能性がある。すなわち、より小さな集積回路臨界
寸法への傾向が続くので、ウェーハ熱管理システムに対する温度の一様性の要求
は、ますます厳しくなることになる。
の0.1℃の温度一様性要件は、温度一様性の50%の増加を表している。ウェ
ーハの加熱及び冷却ユニットは、通常約20℃から摂氏数百度までの広範な処理
作動温度に亘り、ウェーハ間で一貫した方法でそのような温度一様性の性能指数
を達成する必要がある。作動温度範囲に亘る迅速な熱の管理はまた、処理の経済
性からも必要である。
、及び、一様な熱管理に対する厳しい要件は、集積装置において十分に満たされ
ていない。密接に関連する技術の例においては、別々の装置が加熱と冷却の機能
を実行するが、それは、互いに対して反対側に置かれた別々の加熱ユニット及び
冷却ユニットの単なる組合せである。これらの装置では、ウェーハは、加熱素子
と冷却素子との間に挿入され、素子間で移動される。
、加熱表面120、及び、冷却面130が示されている。ウェーハと相互作用す
る高温の熱源及び低温の熱シンクは一体化されていない。それらは、むしろ、物
理的に分離されるか、又は、それ以外の方法で互いに熱的に隔離されている。半
導体ウェーハを加熱又は冷却するために、ウェーハは、目標とする機能に応じて
加熱表面及び冷却面の間の空間に機械的に移動される。これは、加熱及び冷却の
両方の機能を実行する一体型熱管理装置と比べて、製造工程の流れ及びクリーン
ルームの床スペースの利用にとって非効率的である。 すなわち、関連技術の限界のために、広範な温度範囲に亘る効率的、迅速、制
御可能、及び、一様な熱管理の方法に対する必要性が存在する。更に、定常状態
条件及び過渡的条件の両方の間に高性能をもたらし、製造環境内での容易な使用
に非常に適した装置に対する必要性が存在する。
理のための基板熱管理システムである。 本熱管理システムの1つの目的は、熱源、熱シンク、及び、熱拡散器を統合す
ることである。本発明によれば、熱拡散器は、ウェーハ表面に対して静止して置
かれ、ウェーハ表面に対して同様に静止している熱源及び熱シンクに結合される
。熱シンクは、温度制御可能な熱搬送媒体を含む。
ハ表面に亘る熱の非一様性を最小にすることである。本発明によれば、熱拡散器
は、ウェーハ表面に対して静止して置かれ、ウェーハ表面に対して同様に静止し
ている熱源及び熱シンクと結合される。熱源は、異なる熱量を供給して熱拡散器
に隣接する表面に亘って制御可能な温度場を形成するようになっている複数の区
域を含む。熱シンクは、温度制御可能な熱搬送媒体を含む。
を一体化する。基板と相互作用する加熱ユニット及び冷却ユニットの一体化は、
広い温度範囲に亘る効率的、迅速、制御可能、及び、一様な温度管理を可能にす
るという、単なる熱源及び熱シンクの組合せ以上の付帯的な利点を有する。この
目標とする高い性能は、定常状態及び過渡期の両方の条件中で達成され、本シス
テムの装置は、製造環境内で容易に使用するのに極めて好適である。
、図2に示したもの、又は、大気圧以下のエンクロージャや大気圧以上のエンク
ロージャのような複数の装置を更に含むシステム構成要素であってもよい。しか
し、典型的な実施形態は、室内条件で作動するようになっている。 図2には、ウェーハ200、ウェーハ表面210、熱リザーバ220、熱拡散
器230、加熱表面235、熱源240、熱シンク245、電源250、制御装
置260、及び、オプションの断熱材270及び275が示されている。好まし
い実施形態は、Cu又はAlなどの等方性熱伝導率を有する材料で作られた熱拡
散器と、実質的にKapton(登録商標)で作られた断熱材270とを含む。
代替の実施形態は、非等方性熱伝導率を有する材料で作られた熱拡散器を含む。
一般に、ウェーハ表面に垂直な熱拡散器の厚さは、約0.100インチ未満であ
る。
間に亘って加熱される。隙間は、一般に幅が数百ミクロンであり、室内空気、窒
素、ヘリウム、又は、他の目標とする物理特性を有する気体が充填される。代替
実施形態では、隙間の幅が異なり、熱伝導率が空気よりも比較的大きな気体を有
する。熱リザーバ220、熱拡散器230、熱源240、及び、熱シンク245
は、各々、付随する熱質量Mr、Md、Ms、及び、Mskを有する。加熱表面と、
熱拡散器に隣接する熱源の表面とは、各々、付随する温度場Td及びTsを有する
。熱源、熱リザーバ、及び、熱拡散器は一体化され、熱伝導によって不可分に連
通している。一般に、熱シンク245は、一定温度であり得る制御可能な温度を
有する多量の流れる流体材料である。すなわち、熱シンク及び熱リザーバは、一
般に伝導及び対流熱伝達によって不可分に連通している。熱シンクの他の実施形
態は流れる流体に限定されず、例えば静止流体又は固体などである。
ンクの熱質量Mskは、他の構成要素の熱質量よりもかなり大きくてもよい。異な
る実施形態では、Mskは、Mdよりも少なくとも10倍、又は、少なくとも102 倍、又は、少なくとも103倍、又は、少なくとも104倍大きい。好ましい実施
形態では、熱シンクは、工場の冷却水供給によってもたらされる一定温度の熱シ
ンクである。熱シンクの比較的大きな熱質量の熱リザーバ220への連続した結
合のために、熱リザーバは、実質的に一定かつ実質的に一様な温度の熱リザーバ
であり得る。熱リザーバの特定の実施形態では、温度の一様性を更に向上させる
機能である「infra」を含んでもよい。
10、加熱区域320、温度センサ325、カバー材料330、熱源表面340
、電源350、及び、制御装置360が示されている。図2に示すように、熱源
240は、熱リザーバ220と熱拡散器230とに結合される。熱源の特定実施
形態は、熱源の過熱を防ぐために、熱リザーバ及び熱シンクへの作動中の連続し
た熱結合を必要とするであろう。カバー材料330は、一般に絶縁体である。特
定実施形態は、Kapton(登録商標)などの熱抵抗性カバー材料を含む。好
ましい実施形態では、熱源と熱リザーバとの熱結合は不可分である。
さな熱質量Msを有する電気抵抗ヒータである。異なる実施形態では、比(Ms/
Md)は、約10-1未満、又は、約10-2未満、又は、約10-3未満、又は、約
10-4未満である。熱源の特定実施形態は、熱源表面340上に表面温度場Ts
を生成するために少なくとも1つのヒータ区域320に包含された大きさがミリ
メートルよりも小さい金属電気抵抗加熱素子310を有するヒータである。その
ような抵抗ヒータの例としては、米国ミネソタ州ミネアポリス所在のミンコ・プ
ロダクツ・インコーポレーテッド製のThermofoil(登録商標)ヒータ
がある。一般に、熱源は、定格が100ワット/平方インチ未満であり、ポリマ
ーカバー材料を含んでもよい。ウェーハ200と垂直な方向の熱源の厚さ(図2
参照)は、一般に0.05インチ未満である。熱源の熱質量は、一般に熱拡散器
の熱質量の約1/10未満である。
可能な加熱区域の数及び配置により、制御装置360が熱源240の表面上の表
面温度場Tsを調節することが可能になる。更に、熱源の電気抵抗加熱素子に供
給される電力量を制御することにより、カバー材料330と熱源が結合された別
の素子との間のインタフェースに亘って滑らかに変化し得る制御可能なエネルギ
束がもたらされる(図2参照)。熱源に埋め込まれた少なくとも1つの温度セン
サ325を使用して、Tsのフィードバック制御が達成される。特定の実施形態
では、センサ及び区域の数は同じでもよい。典型的な実施形態では、Tsを1℃
未満の範囲で一様であるように制御することができる。代替実施形態は、制御可
能に非一様なTsを有してもよい。一般に、熱源と熱シンクとの間の温度差は約
200〜300℃であるが、この数値は限定ではない。
結合される。好ましい実施形態では、熱源及び拡散器は直接接触している。熱拡
散器は、受動的に作用し、熱が拡散器を通過する時にTs勾配のマグニチュード
を低減して加熱表面235に実質的に一様な温度場をもたらす。Tsの勾配は、
熱源240の構造に固有の長さのスケールから生じ、ウェーハの非一様な加熱を
もたらす可能性がある。加熱表面上の実質的に一様な温度場Tdは、次に、一般
に数百ミクロンの非常に狭い隙間に亘ってウェーハ表面210を加熱するように
作用する。
ウェーハ温度410と加熱表面235(図2参照)の温度との両方が示されてい
る。本実施形態は、8℃の一定温度での熱シンク、45ワット/平方インチのエ
ネルギ束を供給する熱源、及び、0.060インチ厚のアルミニウム熱拡散器を
含む。0.006インチの空隙が、温度拡散器とウェーハとの間にある。一般的
に、好ましい実施形態は、ウェーハを約60秒を超えない時間間隔で加熱又は冷
却する設計温度範囲に及んでいる。熱速度は、通常、0.5℃/秒よりも大きい
。図4では、ウェーハは、室温から150℃まで60秒未満の時間で加熱され、
150℃から室温まで約60秒間で冷却されている。典型的な実施形態では、冷
却時間は、同じ温度範囲に亘り約25%以内の範囲で加熱時間に相当する。
勾配の平滑化を示すグラフである。図5は、一群の温度プロフィールを含んでい
る。温度プロフィールは、熱拡散器材料内の様々な深さに対して円形熱拡散器の
半径に沿ったものである。熱源240から近位及び遠位のプロフィールが、それ
ぞれ510及び520で示されている。この実施形態では、熱源は、0.030
インチ〜0.060インチの間隔で配置された0.040インチ幅の電気抵抗ス
トリップで構成されている。熱拡散器は、0.040インチ厚のAlである。熱
拡散器とウェーハとの間には、0.006インチの空隙がある。図5に示すよう
に、加熱表面235での温度プロフィールは、約0.15℃以内の範囲で一様で
ある。
器230(図2参照)による温度勾配の平滑化を示すグラフである。図6は、一
群の温度プロフィールを含む。温度プロフィールは、25ミリ秒の時間間隔に亘
り、熱拡散器材料内の様々な深さに対して円形熱拡散器の半径に沿ったものであ
る。熱源240から近位及び遠位のプロフィールは、それぞれ610及び620
で示されている。すなわち、図6における熱源から遠位のプロフィールは、加熱
表面235(図2参照)上の温度プロフィールである。図6の実施形態では、熱
源は、0.020インチの間隔で配置された0.020インチ幅の電気抵抗スト
リップで構成されている。熱拡散器は、0.040インチ厚のAlである。熱拡
散器とウェーハとの間には、0.006インチの空隙がある。図6に示すように
、加熱表面235での温度プロフィール620は、過渡的な時間間隔に亘って極
めて一様である。
インタフェース(図2参照)での一様な温度場を形成するのに適する本発明の特
定の態様を示す略図である。熱シンクは、通常、液体の水のような流れている単
相流体である。代替実施形態では、静止している固体熱シンク又は気体熱シンク
が使用されてもよい。熱シンクの温度は、通常、約−40℃を超える。図7Aは
、関連技術分野からの装置の上面概略図である。図7Aには、熱リザーバ700
、流体入口701、及び、流体出口702が示されている。流体は、入口701
から入り出口702から出るが、異なる流体要素は、熱リザーバ内で異なる滞留
時間を経過する。この異なる滞留時間は、流体の有限熱伝導率に起因する熱リザ
ーバ内の流体の小さな温度勾配をもたらすことができる。流体の温度勾配は、熱
リザーバ表面上の有害な温度勾配を導く場合がある。
等しくする。更に、熱リザーバ構造は、内部流体の流れ場を加速する、又は、非
一様流を確立するように設計される。これは、熱リザーバ内の実質的に一様な流
体温度と、残りの熱管理装置(図2参照)に面する熱リザーバ表面上の対応する
実質的に一様な温度場とを達成する。 一様な温度の流体は、熱リザーバを通る流体質量流量と流体速度とを変化させ
ることによって形成される。熱リザーバの内部構造は、一様な流体温度をもたら
すために流体要素の中への一様な有効熱流束を確立する方法で流体速度を変化さ
せる。上記において、有効熱流束は、伝導及び対流からの寄与で構成される。熱
リザーバ内の一様温度流体により、残りの熱管理装置に面する熱リザーバ表面上
に実質的に一様な温度場がもたらされる。
15、入口701、出口702、及び、プレナム710が示されている。流体は
、入口からプレナムへ入る。プレナムから出口までの流体の流れは、プレナムと
出口との間の圧力勾配によって動かされる。流れの対称性は、各流体要素が流れ
の場に実質的に同じ時間滞留することを可能にする。 図7Cは、図7Bの実施形態の断面を示す略図である。図7Cは、熱リザーバ
内の実質的に一様な流体温度を達成するために内部流体の流れ場の加速を可能に
する熱リザーバ構造の態様を示している。図7Cには、入口701、出口702
、プレナム710、オリフィス715、典型的な流線750及び760、断面積
765、インタフェース面790、及び、オプションの第2熱拡散器780が示
されている。図7Cにおいて、流体は、入口からプレナムに入り、オリフィスを
通過して典型的な流線に沿って出口まで流れるまでプレナムに滞留する。
導の原動力である温度勾配が減少するので、流体の温度は、インタフェース面7
90を横切る熱流束の作用の下で上昇する傾向にあることになる。同様に、流体
要素が図7Aに示すように熱リザーバを通って移動する時、流体要素が熱リザー
バに滞留する間のその温度のいかなる上昇も、伝導に起因する熱周囲から流体要
素への熱の流束を減少させる傾向にあることになる。すなわち、熱リザーバへの
一様な熱流束入力に対して、流体への非一様な伝導熱流束が生じる。
流体流れの速度が一様な場合、対流に起因する熱流束は、伝導に起因する熱流束
と類似の方法でスケーリングされることになる。しかし、流速が熱リザーバ内で
変化する場合、対流に起因する熱流束が非一様になる可能性がある。次に組合せ
で作用すると、非一様な伝導熱流束及び非一様な対流熱流束は、一様な温度流体
をもたらすであろう。
起こす。流路断面積の変化が流体流れを加速又は減速することは公知である。流
体速度が熱リザーバ内で非一様であるために、流体に対する有効熱流束は、一様
な流体温度をもたらすであろう。熱リザーバ内の一様な温度を有する流体により
、インタフェース面790での温度場もまた実質的に一様であり得る。また、熱
拡散器230(図2参照)と類似の特性を有するオプションの第2熱拡散器78
0が熱リザーバに隣接して結合されてもよく、あらゆる残りの温度の非一様性を
更に減少させるように働くであろう。
である。この実施形態においては、複数のオリフィス715を包含するリング7
70が、少なくとも1つの入口701及び出口702を有する本体792に置か
れている。カバー791が本体にボルト締めされ、部分組立体を密封してプレナ
ム710を形成する。本実施形態においては、本体表面793の形態が実質的に
流路断面積の変化を決める。 本発明が上述の実施形態に限定されないことは当業者には直ちに明白であろう
。本発明の範囲から逸脱することなく異なる構成及び実施形態を創出することが
でき、それらが特許請求の範囲に含まれるように意図されている。
フである。
発明の態様を示す略図である。
発明の態様を示す略図である。
発明の態様を示す略図である。
発明の態様を示す略図である。
発明の態様を示す略図である。
発明の態様を示す略図である。
とする請求項8に記載のウェーハ熱管理装置。
Claims (56)
- 【請求項1】 ウェーハ表面に対して静止して置かれ、拡散器熱質量Mdと
前記ウェーハ表面を加熱する加熱表面上に温度場Tdとを有する熱拡散器と、 前記ウェーハ表面に対して静止して置かれ、Mdに等しいか又はそれ以下の熱
源熱質量Msと前記熱拡散器に隣接する表面上にTdと異なる温度場Tsとを有す
る熱源と、 前記ウェーハ表面に対して静止して置かれ、制御可能な温度Tskを有する熱搬
送媒体を含み、固体材料に亘る又は液体材料及び固体材料に亘る熱伝達によって
前記熱源及び熱拡散器に熱的に結合された熱シンクと、 前記熱源に接続された少なくとも1つの制御可能な電源と、 を含むことを特徴とするウェーハ熱管理装置。 - 【請求項2】 ウェーハ表面に対して静止して置かれ、リザーバ熱質量Mr
を有し、熱搬送能力を備えた媒体を内部に包含する熱リザーバと、 前記熱リザーバ及びウェーハ表面に対して静止して置かれ、Mr未満の拡散器
熱質量Mdと前記ウェーハ表面を加熱する加熱表面上に温度場Tdとを有する熱拡
散器と、 前記熱拡散器と前記熱リザーバとの間に挿入され、Mdに等しいか又はそれ以
下の熱源熱質量Msと前記熱拡散器に隣接する表面上にTdと異なる温度場Tsと
を有する熱源と、 制御可能な温度Tskを有する熱搬送媒体を含み、前記熱リザーバにより実質的
に包含され、固体材料に亘る又は液体材料及び固体材料に亘る熱伝達によって前
記熱源、熱リザーバ、及び、熱拡散器と熱的に結合された熱シンクと、 前記熱源に接続された少なくとも1つの制御可能な電源と、 を含むことを特徴とするウェーハ熱管理装置。 - 【請求項3】 ウェーハ表面に対して静止して置かれ、拡散器熱質量Mdと
前記ウェーハ表面を加熱する加熱表面上に温度場Tdとを有する熱拡散器と、 異なる熱量を与えるようになっている複数の区域を含み、前記ウェーハ表面に
対して静止して置かれ、Mdに等しいか又はそれ以下の熱源熱質量Msと前記熱拡
散器に隣接する表面上にTdと異なる制御可能な温度場Tsとを有する熱源と、 処理を受けているウェーハに対して静止して置かれ、制御可能な温度Tskを有
する熱搬送媒体から成り、固体材料に亘る又は液体材料及び固体材料に亘る熱伝
達によって前記熱源及び熱拡散器と熱的に結合された熱シンクと、 前記熱源に接続された少なくとも1つの制御可能な電源と、 を含むことを特徴とするウェーハ熱管理装置。 - 【請求項4】 前記熱源と前記熱シンクとの間に挿入された少なくとも1つ
の断熱材を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項5】 前記熱源と前記ウェーハとの間に挿入された少なくとも1つ
の断熱材を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項6】 前記熱源と前記ウェーハとの間に挿入された少なくとも1つ
の断熱材と、前記熱源と前記熱シンクとの間に挿入された少なくとも1つの断熱
材とを更に含むことを特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項7】 前記断熱材は、実質的にKapton(登録商標)材料から
作られることを特徴とする請求項4又は請求項5のいずれか1項に記載のウェー
ハ熱管理装置。 - 【請求項8】 Md/Msk<0.1であることを特徴とする請求項1に記載
のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項9】 Md/Msk<0.01であることを特徴とする請求項1に記
載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項10】 Md/Msk<0.001であることを特徴とする請求項1
に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項11】 前記熱拡散器は、等方性熱伝導率を有する材料から作られ
ることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項12】 前記熱拡散器は、実質的にAl又はCuから作られること
を特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項13】 前記熱拡散器は、非等方性熱伝導率を有する材料から作ら
れることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項14】 前記熱拡散器の前記ウェーハ表面に垂直な方向の厚さは、
0.100インチ未満であることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理
装置。 - 【請求項15】 前記熱拡散器の前記ウェーハ表面に垂直な方向の厚さは、
0.050インチ未満であることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理
装置。 - 【請求項16】 前記熱拡散器の前記ウェーハ表面に垂直な方向の厚さは、
0.025インチ未満であることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理
装置。 - 【請求項17】 前記熱拡散器の厚さは、0.100インチ未満であること
を特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項18】 前記熱源は、前記熱源内に埋め込まれた少なくとも1つの
温度センサを含むことを特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項19】 前記熱源は、金属電気抵抗素子を含むことを特徴とする請
求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項20】 前記熱源は、50ワット/平方インチ未満の定格を有する
熱源であることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項21】 前記熱源は、40ワット/平方インチ未満の定格を有する
熱源であることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項22】 前記熱源は、20ワット/平方インチ未満の定格を有する
熱源であることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項23】 前記熱源は、10ワット/平方インチ未満の定格を有する
熱源であることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項24】 前記熱源は、区域に分配された複数の独立制御可能な電気
抵抗加熱素子を含むことを特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項25】 前記区域は、不揃いの温度場を有することを特徴とする請
求項24に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項26】 前記熱源は、ポリマー材料から成ることを特徴とする請求
項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項27】 前記熱源は、前記ウェーハと垂直な方向に0.040イン
チ未満の厚みを有することを特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項28】 前記熱源は、前記ウェーハと垂直な方向に0.030イン
チ未満の厚みを有することを特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項29】 前記熱源は、前記ウェーハと垂直な方向に0.020イン
チ未満の厚みを有することを特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項30】 Ms/Mdが約0.1以下であることを特徴とする請求項1
に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項31】 Ms/Mdが約0.01以下であることを特徴とする請求項
1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項32】 Ms/Mdが約0.001以下であることを特徴とする請求
項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項33】 前記熱シンクは、半導体熱シンクであることを特徴とする
請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項34】 前記半導体熱シンクは、熱電チップであることを特徴とす
る請求項33に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項35】 前記熱シンクは、液体熱シンクであることを特徴とする請
求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項36】 前記熱シンクは、水であることを特徴とする請求項35に
記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項37】 前記熱シンクは、ガス状熱シンクであることを特徴とする
請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項38】 前記熱シンクは、約0℃を超える温度を有することを特徴
とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項39】 前記熱シンクは、約−30℃を超える温度を有することを
特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項40】 前記熱拡散器と前記ウェーハとの間の隙間は、空気を含有
することを特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項41】 前記熱拡散器と前記ウェーハとの間の隙間は、類似の熱力
学的条件での空気の熱伝導率よりも大きい熱伝導率を有する気体を含有すること
を特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項42】 前記ウェーハを囲む大気圧以上のチャンバを更に含むこと
を特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項43】 前記ウェーハを囲む大気圧以下のチャンバを更に含むこと
を特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項44】 請求項1に記載のウェーハ熱管理装置を少なくとも1つ含
むことを特徴とするウェーハ処理システム。 - 【請求項45】 室内条件の開放環境で作動するようになっている、請求項
1に記載のウェーハ熱管理装置を少なくとも1つ含むことを特徴とするウェーハ
処理システム。 - 【請求項46】 前記熱シンクは、流体媒体を含み、 前記流体媒体は、前記熱リザーバの少なくとも1つの通路を通って流れる、 ことを特徴とする請求項2に記載のウェーハ熱管理装置。
- 【請求項47】 前記熱リザーバは、前記流体媒体のためのプレナムと複数
の入口オリフィスとを含むことを特徴とする請求項46に記載のウェーハ熱管理
装置。 - 【請求項48】 流体通路の断面積は、その通路に沿って変化することを特
徴とする請求項46に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項49】 前記熱源と前記熱リザーバとの間に挿入された第2の熱拡
散器を更に含むことを特徴とする請求項2に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項50】 前記熱シンクの温度は、制御可能かつ実質的に一定の温度
であることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項51】 前記熱源は、1℃未満の範囲内で空間的に一様な熱源であ
ることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項52】 前記熱源温度場Tsは、非一様であることを特徴とする請
求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項53】 熱源及び熱シンク間の温度差は、約200℃であることを
特徴とする請求項1に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項54】 前記熱シンク温度及び熱源温度により制限される範囲のウ
ェーハ温度は、約60秒以下の時間間隔で達成されることを特徴とする請求項5
3に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項55】 ウェーハ温度は、約5秒以下の時間間隔で約21℃から約
25℃まで変化することを特徴とする請求項53に記載のウェーハ熱管理装置。 - 【請求項56】 ウェーハ温度は、約1℃/秒の割合で変化することを特徴
とする請求項8に記載のウェーハ熱管理装置。
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