JP2003520987A

JP2003520987A - 変調器を有する集積減衰器及びこれを使用するｗｄｍシステムのための伝送モジュール

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Publication number: JP2003520987A
Application number: JP2001553690A
Authority: JP
Inventors: アンドレアカストルディ; ダヴィドシアンカルポレ; フラヴィオデロルト
Original assignee: コーニングオー．ティー．アイ．，エスピーエイ
Priority date: 2000-01-17
Filing date: 2001-01-09
Publication date: 2003-07-08
Also published as: US6785434B2; AU3167001A; CN1395771A; US20020191886A1; EP1252729A1; CA2397049A1; WO2001054318A1

Abstract

(57)【要約】プレーナー基板上に集積された光デバイスが開示され、それはマッハツェンダー変調器と光学的に結合されたY字型管減衰器を含む。本デバイスはY分岐減衰器とマッハツェンダー変調器との間で無誘導放射によって引き起こされたクロストークを減少させる手段も含む。１実施例において、クロストークの減少がマッハツェンダー変調器とＹ分岐減衰器の１つのアームとを接続することによって獲得される。本発明は集積デバイスを含む伝送モジュールも含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】

本発明は光ファイバ伝送システムの送信機に含まれる集積光デバイスに関する
。特に、本発明はエルビウム添加ファイバ増幅器に基づくＷＤＭ光ファイバ伝送
システムの送信器に含まれる集積減衰器を有する変調器に関し、それはチャネル
パワーの事前調整を使用している。さらに、本発明は基板上に集積されたデバイ
ス間のクロストークを減少させるための方法に関する。

【０００２】

【発明の背景】

ローカル及びトランクの両光通信ネットワークのために弱い光信号を増幅する
エルビウム添加ファイバ増幅器（ＥＤＦＡ）を使用することにかなりの関心が持
たれている。希土類添加光増幅ファイバは価格が安く、低ノイズを示し、偏光依
存ではない相対的に大きな帯域幅を提供し、実質的に減じられたクロストーク問
題を示し、かつ光通信で使用される関連操作波長での低挿入損失を提供する。

【０００３】現在関心が持たれていることは現行の光ファイバ通信システムの容量を増加さ
せることである。エルビウム添加ファイバ増幅器技術の最近の進歩によって容量
の増加は波長分割多重（ＷＤＭ）チャネルで最もよく得ることができることが示
唆される。光通信システムにおいてＷＤＭチャネルを実行するときの主要な問題は利得均
等化の不足である。さらに具体的に言うと、非均一化波長依存利得特性及びエル
ビウム添加ファイバ増幅器などの光ファイバ増幅器の飽和特性のために、ＷＤＭ
システムにおけるそれぞれのチャネルは異なる光利得に直面し、それは低利得を
有するチャネルに対して過度の符号誤り率という結果になる。

【０００４】この問題の解法はＡＴ＆Ｔベル研究所の米国特許第５，２２５，９２２号で示
され、ＷＤＭシステムのチャネルの出力パワー及び信号対ノイズ比が光入力信号
パワーを調整することによって選択的に均等化されている光伝送システムを開示
している。パワー調整器は光増幅器または光減衰器または各チャネルの信号のパ
ワーの増加または減少を選択して使用できるなんらかの装置のいずれかである。

【０００５】ニオブ酸リチウム技術に基づく集積光デバイスはＷＤＭシステムの分野で周知
である。（例えばＳ.ボッソ(S.Bosso)氏による「電気通信システムにおけるニオ
ブ酸リチウム集積光学の適用(Application of lithium niobate integrated opt
ic in telecommunication systems)」光エンジニアリングのための国際社会(The
international Society for Optical Engineering)１９９９年３月号「集積光
デバイス(Integrated Optics Devices III 頁３４乃至３７ Proc.写真・光学計
測技術者協会(SPIE)Vol.3620など参照) 光変調器は最も普通に使用される集積光コンポーネントのうちにある。それら
は偏光を発射する連続波（ＣＷ）レーザからファイバ光リンクへと伝送される光
総量を制御することによって機能する。デジタル応用法として一般に使用される
光変調器はマッハツェンダ干渉計導波路構造で構成され、２つのＹ接合及びそれ
らの間の２つの導波路アームを有し、進行波電極を有するニオブ酸リチウム基板
上に集積されている。デジタルマッハツェンダ変調器の駆動電圧を減少させるた
めに過去何年にも渡って最適化の努力がなされ、駆動電圧（２．５Ｇｂｉｔ／ｓ
時）の代表値３−４Ｖが今や市販デバイスにおいて再現可能に達成されている。
最近では、新しい装置が紹介され、変調器と共に可変の減衰器を同じニオブ酸リ
チウム基板上で集積し、それはＥＤＦＡ利得形状(shape)を補償するためにチャ
ネル毎パワー調整を実行する。

【０００６】一例は“ＯＣ１９２、集積１０Ｇｂ／ｓ振幅変調器及び減衰器”であってＳＤ
Ｌ集積光学(SDL Integrated Optics)社のモデルＩＯＡＰ−ＭＯＤ９１８９−Ｆ
−Ｆ−Ｏとして市販されている。９９年９月２４日付けのＳＤＬ集積光学社によるデータシートによれば、この
変調器は市販で入手可能な駆動装置の広い範囲で使いやすいという低駆動電圧の
利点を有する。減衰ポートに関して、同じデータシートで８Ｖと１２Ｖの間に含
まれる駆動電圧値が報告されている。

【０００７】別の例は、“集積可変光減衰器（ＶＯＡ）を有する１０Ｇｂ／ｓデータ変調器
(10 Gb/s Data Modulator with Integrated Variable Optical Attenuator(VOA)
"であって、ＪＤＳユニフェーズ(JDS Uniphase)社のモデル１０１５０―００２
１９３として市販されている。９９年１１月付けのＪＤＳユニフェーズ社のデータシートによれば、この変調
器は４Ｖ未満のＶＯＡ部分に対する駆動電圧を有する。

【０００８】Ｙ分岐エレクトロオプティカル減衰器は先行技術において知られている。一般
的に言えば、これらのデバイスは導波路近くに蒸着された電極を有するＹ分岐導
波路構造を含む。電極に適用される標準電圧は１５−２０Ｖより高く、３０−５
０Ｖに到達し得る。ルーセントテクノロジー(Lucent Technologies)社の米国特許第５，９７０，
２０１は光パワーレベルを規制する回路を開示している。エレクトロオプティッ
クＹ分岐減衰器はＹ分岐減衰器の出力から減衰器の電極へのフィードバック・ル
ープによって光出力強度を制御するために使用され、出力される光の総量を決定
する。

【０００９】上記の特許が直面する問題は、１つまたはいくつかの波長チャネルが挿入ある
いは抽出されるときの光学的に増幅された伝送システムにおいてと同様に、偏光
状態でランダム変化を有する光信号のパワーを制御するために光ネットワークに
挿入され得る偏光独立減衰器を得ることである。Ｙ分岐減衰器と共に高速のフィ
ードバックループを使用することが偏光独立自動パワー制御デバイスを得ること
を可能にし、それは光スイッチアレーとの組み合わせで使用される。

【００１０】

【発明の概要】

出願人はマッハツェンダ変調器の同じ基板上に集積されたＹ分岐減衰器を使用
することによって集積減衰器を有する変調器を実現した。出願人はＹ分岐減衰器の高駆動電圧がマッハツェンダ変調器の同じ基板上のＹ
分岐減衰器の集積に対して重要問題ではないということに気付いた。

【００１１】チャネルの事前均等化を使用するＷＤＭシステムの要求を満たすために、マッ
ハツェンダ変調器及び同じ基板上に集積されたＹ分岐減衰器を含むエレクトロオ
プティック装置に対する重要問題は２つの集積デバイス間のクロストークの減少
であることに出願人は気付いた。かかるクロストークは上位デバイスに属する導
波路部分から始まる基板上に拡散する無誘導光パワーの一部分によって引き起こ
され、光パワーは次に下位デバイスに属する導波路セクションによって再誘導さ
れる。

【００１２】この観点から、出願人はマッハツェンダ変調器に関してＹ分岐減衰器の特定の
配置が２つのデバイス間のクロストークを効果的に減少させるが、他の配置はWD
Mシステムにとって受け入れがたい値までクロストークの損害を受けることに気
づいた。特に、Ｙ分岐減衰器の共通の導波路に結合されたマッハツェンダ変調器を含む
構成に関して、Ｙ分岐減衰器のアームの１つに結合されたマッハツェンダ変調器
を含む構成は２つのデバイス間のクロストークを効果的に減少させることに出願
人は気付いた。

【００１３】出願人は傾斜Ｙ分岐減衰器の使用が効果的にクロストークを減少させることに
も気付いた。出願人は２つの集積デバイス間の基板上に放射された光パワーの一部分をフィ
ルタリングし、かつ/または“素早く拡げる”方法がクロストークを減少させる
ために効果的に実行されることに気付いた。

【００１４】第１の特徴で、本発明は平坦基板と、前記基板に集積されたマッハツェンダ変
調器とを含む集積光デバイスに関し、本集積デバイスは、前記マッハツェンダ変調器と光学的に結合され、且つ、前記基板上に集積され
て減衰範囲を与えるＹ分岐光減衰器と、前記Ｙ分岐減衰器と前記マッハツェンダ変調器との間のクロストークを減少さ
せる減少手段とを含み、少なくとも６ｄBの減衰範囲の下で前記集積光デバイスの消光比が少なくとも
１８ｄBになる。

【００１５】光デバイスの消光比はその減衰範囲に関して少なくとも２０ｄＢであることが
望ましい。１つの実施例で、マッハツェンダ変調器はＹ分岐光減衰器の１つのアームと光
学的に結合されている。代わりの実施例で、マッハツェンダ変調器はＹ分岐光減衰器の共通導波路と光
学的に結合されている。

【００１６】クロストークを減少させる手段は経線方向に関して平行に前記Ｙ分岐減衰器の
１つのアームを配置することを含む。クロストークを減少させる手段は前記基板上に拡がっている無誘導放射線のフ
ィルタを含み、フィルタは前記Ｙ分岐光減衰器と前記マッハツェンダ変調器間の
範囲に配置される。かかるフィルタはＹ分岐光減衰器及びマッハツェンダ変調器を結合している接
続光導波路の側部に配置された金属片を含む。金属片同士間の間隙は前記結合する光導波路のＭＦＤの約１７０％である。

【００１７】１つの例において、金属片の長さは約４ｍｍである。金属片はＹ分岐光減衰器の電極の延長部分で集積される利点があり、そのため
電極間の間隙は延長部分の第１部分で接続導波路のＭＦＤの約１００％から約１
７０％へと徐々に増加し延長部分の第２部分において接続導波路のＭＦＤの約１
７０％である。クロストークを減少させる方法はマッハツェンダ変調器の導波路の幅に関して
５％から１６％低い幅を有するＹ分岐光減衰器のための導波路を含む。Ｙ分岐光減衰器の導波路の幅はマッハツェンダ変調器の導波路の幅より８％少
ないことが望ましい。

【００１８】第２の特徴で、本発明は集積光デバイスに関し、本集積光デバイスは、基板と、前記基板上に集積されたマッハツェンダ変調器と、前記基板上に集積されたＹ分岐光減衰器とを含み、前記マッハツェンダ変調器は前記Ｙ分岐光減衰器の１つのアームに光学的に結
合されている。

【００１９】第３の特徴で、本発明は基板上に集積された光導波路を含む少なくとも２つの
デバイス間のクロストークを減少させる方法に関し、前記光デバイスの各々が光
導波路の少なくとも１つのマルチモード部分を含み、前記クロストークは前記光
デバイス間に含まれる範囲の前記基板上で伝搬される無誘導光放射線によって生
成され、前記方法は前記範囲の前記無誘導放射線をフィルタリングすることを含
む。

【００２０】第４の特徴で、本発明は光信号を発射するレーザ光源と、前記光信号の強度を
変調するための集積光デバイスとを含む伝送モジュールに関し、本伝送モジュー
ルは、基板上に形成されたマッハツェンダ変調器を含み、前記基板上に形成され、前記変調器に光学的に結合され、減衰範囲を与えるＹ
分岐光減衰器と、前記Ｙ分岐光減衰器と前記マッハツェンダ変調器との間でクロストークを減少
させる手段と、それによって少なくとも６ｄＢの減衰範囲で光デバイスの拡張範囲が少なくと
も１８ｄＢである。

【００２１】第５の特徴は、本発明は光信号を発射するレーザ光源と、前記光信号の強度を
変調する集積光デバイスとを含む伝送モジュールに関し、本伝送モジュールは、基板上に形成されたマッハツェンダ変調器と、前記基板上に形成されたＹ分岐光減衰器とを含み、前記マッハツェンダ変調器が前記Ｙ分岐光減衰器の１つのアームと光学的に結
合されている。

【００２２】Ｙ分岐光減衰器はマッハツェンダ変調器に関して上位に位置することが望まし
い。代わりの実施例で、Ｙ分岐光減衰器はマッハツェンダ変調器に関して下位に位
置することが望ましい。集積光デバイスは前記Ｙ分岐光減衰器の２番目のアームと結合されたダミー導
波路と前記ダミー導波路と光学的に結合されたフィードバック回路とを含み、前
記フィードバック回路は前記発射信号の導波路を制御するための電気制御回路を
含む。

【００２３】

【発明の実施の形態】

図１は少なくとも１つの発信局１０１、少なくとも１つの受信局１０２、及び
光ファイバスパン１０４で分離された光増幅局１０３を含む光伝送路を含むＷＤ
Ｍシステム１００を概略的に示す。発信局１０１は異なる波長λ₁…λ_NのＮ個の変調された信号を伝送するための
Ｎ個の伝送モジュールＴ₁、Ｔ₂…Ｔ_Nを有する。数Ｎは例えば３２、または６４
または１２８である。ここ及び次の説明で“チャネル”として“波長λの変調光
信号“が参照される。図２を参照して以下にさらに詳細に述べている望ましい実
施例において、伝送モジュールＴ₁、Ｔ₂…Ｔ_Nは中継器モジュールであって、発
信局１０１（図１には示されていない）に供給された外部起点の光信号を受信す
るために適合され、ＷＤＭシステム１００に適した新しいパラメータ特性（波長
、フォーマットなど）でそれらを検出し再生成する。これらの外部起点の光信号
は例えばＷＤＭシステムがその一部である複雑なネットワークの先行ノードから
来るかもしれない。

【００２４】発信局１０１は多重装置１０５も含み、伝送モジュールＴ₁、Ｔ₂…Ｔ_Nで出て
いくチャネルをファイバ１０７上で結合する。多重装置１０５は例えばパッシブ
スプリッタ、カスケード状干渉フィルタ、石英ファイバカプラ、またはアレイ導
波路グレーティングなどの当業者に都合が良い様態で実現されるかもしれない。ファイバ１０７は単一モードファイバであることが望ましい。ファイバ１０７
はステップインデックスファイバであることがさらに望ましい。

【００２５】発信局１０１は適当な値にチャネルのパワーレベルを上げるために発信器光フ
ァイバ増幅器１０９も含み、良い伝送品質を保証するために、同じ第１スパン１
０４の終端で十分なパワーレベルを維持しながら第１光ファイバスパン１０４を
移動することをチャネルに可能にする。送信器光増幅器１０９は少なくとも１つ
のエルビウム添加ファイバ増幅器を含む。

【００２６】エルビウム添加光増幅器を含む複数の光増幅局１０３は伝送路に沿って配置さ
れる。増幅局の数は、正確な配置、構成、励起及び各増幅局１０３のエルビウム
添加ファイバ増幅器の数同様に、それぞれの実際のケースで起きる特定の必要性
を満たすために当業者によって適応され得る。光増幅局１０３は光ファイバスパン１０４で分離され、それはステップインデ
ックス光ファイバ、分散シフトファイバ、またはステップインデックスと分散シ
フトファイバの連結によってでさえ形成され得る。分散シフトファイバは例えば
非ゼロ分散ファイバ及び大有効範囲ファイバ(large effective area fibers)を
含む。一般的に、光ファイバ形成スパン１０４は単一モード光ファイバである。

【００２７】受信局１０２は受信器モジュールＲ₁、Ｒ₂…Ｒ_K及び多重分離装置１０６を含
み、それは光ファイバ１０８を経由して光伝送路から来る異なる波長λ₁…λ_Kの
Ｋチャネルを分離し、受信器モジュールＲ₁、Ｒ₂…Ｒ_Kに送出する。多重分離装置１０５は例えばパッシブスプリッタ、カスケード状干渉フィルタ
、石英ファイバカプラ、またはアレイ導波路グレーティングなどの当業者に都合
の良い様態で実現されるかもしれない。

【００２８】ファイバの最終スパン及び多重分離装置１０６から結果として生じる損失を補
償するために、受信器光増幅器１１０が受信局１０２に追加されることが有利で
ある。受信器光増幅器は少なくとも１つのエルビウム添加光ファイバ増幅器を含
む。ＷＤＭシステム１００は伝送路に沿って追加及び抽出局も含み、１つのチャネ
ルあるいはチャネルグループを明細書による分散等化器同様に追加かつ／または
抽出し得る。

【００２９】中間局で追加されかつ抽出されるチャネル数が互いに異なるとき受信チャネル
Ｋの数は送信チャネル数Ｎと異なる。非均一波長依存利得特性及び増幅局１０３（送信器及び受信器光増幅器１０９
、１１０においてと同様に）に含まれるエルビウム添加ファイバ増幅器の飽和特
性のために、ＷＤＭシステム１００の各チャネルは伝送路に沿って異なる光利得
に直面する。１つ以上の増幅局を含む光伝送システムにおいて、様々なＷＤＭチ
ャネル間の光利得の大きな差へと導かれ得る。１つ以上の増幅局を含む光伝送シ
ステムにおいて、様々なＷＤＭチャネル間の光利得の大きな差はいくつかのチャ
ネルにおける受け入れがたい符号誤り率（ＢＥＲ）性能の原因となり得る。光利
得のこの差を補償するために、送信器モジュールＴ₁、Ｔ₂…Ｔ_Nに含まれる電気
的に制御可能な減衰器を使用することによって、発信局１０１で様々なチャネル
間でパワーレベルの予め決めた差を取り入れることが可能である。実際に、各伝
送チャネルのパワーレベルは電気的に制御可能な減衰器によって慎重に調整され
、それはより大きな光利得に従属するチャネルが発信局１０１でより減衰されて
いる（デエンファサイズされた）といったような様態でである。かかる方法はデ
エンファシス(de-emphasis)ＷＤＭとして知られている。様々なチャネルのパワ
ーレベルの微調整は伝送システム１００の１つ以上のパラメータを最適化するた
めに実行される。例えば、チャネルのデエンファシスレベルはパワーレベルまた
は信号対雑音比（ＳＮＲ）または受信局１０２の全チャネルのＢＥＲを等しくす
るために調整される。

【００３０】図２を参照すると、中継器モジュール４０は示されたデエンファシスを使用す
るＷＤＭシステムにおける発信器モジュールとして使用されるのに特に適してい
る。わかりやすくするために、光パスが実線で示され、一方電気的パスは点線で
表されている。中継器モジュール４０は光検出器４１、電子増幅器４３及び４４で概ね識別さ
れる変調レーザエミッタの補助(piloting)回路を含む。

【００３１】４５で概ね区別される中継補助制御信号を生成する回路はパイロット回路４３
に結合されることが便利である。変調レーザエミッタ４４はレーザ４６及び外部光強度変調器４７を含み、それ
は通常偏光保存ファイバで結合されている。外部光強度変調器４７は変調部分４９及び減衰部分４８を含む。変調部分４９
は平坦基板上に集積されたマッハツェンダタイプの変調器を含む。増幅部分４８
はマッハツェンダ変調器の同じ基板上に集積された電気的に制御可能な減衰器を
含む。図２において減衰部分４８は変調部分４９に関して上位にある。別の実施
例では変調部分４９が減衰部分４８に関して上位にある。ここ及び以下の説明で
、“下位”及び“上位”は強度変調器４７で挿入された光信号の伝搬方向に参照
されるべきである。外部光強度変調器４７は、図７から２０を参照しつつ、以下
の説明で詳細に述べられる。

【００３２】中継器モジュール４０はレーザ４６に結合された波長制御回路５０及び減衰部
分４８に結合される減衰器制御回路５１も含む。入力光ファイバ５２及び出力光ファイバ５３はモジュール４０にも取り付けら
れる。中継器４０の操作は以下の通りである。伝送特徴（波長、プロトコル、ビット
レート…）を与えられた外部起点の光信号は、入力光ファイバ５２を経由し、光
検出器４１で受信され、それは光信号を電気信号に変換する。電気信号は電子増
幅器４２、次にパイロット回路４３に供給される。

【００３３】ＷＤＭシステム１００（図１参照）の特定の要求によって、レーザ４６は事前
選択値の波長を有する光信号を偏光した（通常ＴＥ）持続波を発射し、それは回
路５０によって正確に制御される。レーザ４６によって発射された光信号は外部
光変調器４７に送り込まれる。パイロット回路４３は電子増幅器４２から来る電気信号に事前選択された最適
変調特性を与える。変調特性がＷＤＭシステム１００（図１参照）の特定の要求
に従ってレーザ４６から出てくる光信号へ転送されるために適応される。例えば
、与えられた変調ビットレートに対して最適化された電子の３Ｒ（リタイミング
、リシェーピング及び再生成）が電気信号上で実行される。アドミッティング回
路(admitting circuit)４５によって追加制御信号も追加されるかもしれない。
例えば、ＦＥＣ（前進型誤信号訂正）信号が再生成信号と交互配置されるかもし
れない。別の例として、サービスチャネルが追加されるかもしれない。

【００３４】レーザ４６から出ていく光信号の新しい変調特徴の転送は外部光変調器４７で
実現される。この最後に、パイロット回路(pilot circuit)４３から出ていき数
１００ＭＨｚから数１０ＧＨｚの周波数範囲の変調情報を運ぶ電気信号は外部光
変調器４７の変調部分４９へと送り込まれる。外部光変調器４７の減衰部分４８は光信号の正確で事前選択されたパワーレベ
ルを提供し、それは先に述べたように、光信号自身の波長と結びついた特定のデ
エンファシスレベルに従って規制される。この最後に、制御ユニット５１は減衰
部分４８に電気制御信号を送出する。以下では、“減衰器”４８として減衰部分
４８及び“変調器”４９として変調部分４９が通常参照される。

【００３５】外部変調器４７から出ていく調整されたパワーレベルを有するチャネルは次に
出力光ファイバ５３を経由して多重装置１０５（図１参照）の方へと送出される
。変調器４９の同じ基板上に集積された減衰器４８は獲得されるチャネル毎パワ
ーを調整するための大変小型で低損失の装置４７を可能にする。しかしながら、
出願人は２つのブロック４８、４９の集積が大変慎重に実行されるべきであるの
は、変調器４９の特性が減衰器４８を構成している導波路構造が単に存在するこ
とによって不利に影響を受け得るからである（逆の場合も同様）ということに気
付いた。即ち、２つのデバイス間のクロストークは集積によって生成される。以
下の説明の中で、実施例及び集積減衰器４７を有する光変調器の例がどのように
クロストーク問題が克服され得るかを示しつつ詳細に述べられる。

【００３６】集積減衰器４７を有する変調器の２つの形成ブロックは変調部分４９に対する
マッハツェンダ強度変調器及び減衰部分４８に対するＹ分岐光減衰器である。図
３から６を参照しつつ２つの形成ブロックに対する短い説明を最初に行う。図３は減衰器４８を概略的に示し、それは共通の単一モード導波路２１及びそ
れらの間に鋭角を形成する２つの単一モード導波路アーム２３ａ、２３ｂを含み
、それぞれは連結部分２２から離れていて、図３において点線で概略的に強調さ
れているマルチモード範囲を形成している。導波路２１、２３a、２３ｂは例え
ばｘカット、ｙ伝搬 LiNbO3などの平坦エレクトロオプティカル基板上に集積さ
れている。中央のほぼ三角形状の電極２４及び横の電極２５a、２５ｂは導波路
近くの基板上に蒸着されていて、望ましい電極−電極間隙を維持するために、導
波路の形に適合する形を有している。基板上の電極の正確な形及び配置は実行さ
れるための特定の要求に従って当業者によって完成される。

【００３７】主としてＤＣである低周波数を有する電気信号が適合する生成器及び駆動装置
によって中央の電極２４に適用される。図２の送信器モジュール４０では、ＤＣ
電圧を供給する生成器及び駆動装置は５１として概略的に示された回路に対応す
る。横の電極２５ａ、２５ｂは主としてグラウンド電圧である基準電圧に接続され
る。

【００３８】入力光信号は入力導波路２１（図３の左から右）に送り出される。図２の送信
器モジュール４０において入力光信号はレーザ４６によって供給される。中央電極２４に電圧が供給されないとき、光信号のパワーは導波路アーム２３
ａ、２３ｂ間で等しく分割される。中央電極２４にＶ_att≠０の電圧を適用する
ことによって、マルチモード範囲２２の周辺での屈折率は変化され導波路アーム
２３ａ、及び２３ｂから出ていく光信号のパワー比は修正され正確に調整され得
る。この場合、例えばアーム２３ａなどの導波路アーム２３ａ、２３ｂの１つか
ら出ていく光信号の一部分として“減衰器４８から出ていく光信号”が参照され
る。

【００３９】減衰器４８を形成するＹ分岐は例えばアーム２３ａ（図３の右から左）などの
導波路アームの１つへ入力信号を送り出すことによって、逆の様態でも使用され
得る。中央の電極２４に電圧が供給されないとき、光信号は、単一モード導波路
２１に誘導される伝搬基本モード、及び連続スペクトルモードで基板上に放射さ
れている伝搬第１高次オーダーモードに基づくマルチモード範囲２２で等しく分
割される。“導波パワー”の３ｄＢの損失はマルチモード範囲２２によってこの
ように生成される。中央電極２４にＶ_att≠０を適用することによって、導波路
２１で伝搬されている光信号のパワーは変更され正確に調整される。この場合共
通導波路２１から出ていく光信号として“減衰器４８から出ていく光信号”が参
照される。

【００４０】図４は両方の場合に対して減衰器４８から出ていく光信号のパワーＩ対適用さ
れる電圧Ｖ_attの特性曲線を概略的に示す。 a)入力共通導波路２１に送り出された入力光信号と共に使用されたＹ分岐即ちこ
の場合、Ｉはアーム２３ａなどの導波路アームの１つから出ていく光信号のパワ
ーである。 b)例えばアーム２３ａなどの導波路アームの１つに送り出された入力光信号と共
に使用されたＹ分岐。即ちこの場合、Ｉは共通導波路２１から出ていく光信号の
パワーである。

【００４１】図４でわかるように、減衰器４８から出ていく光信号のパワー強度Ｉは減衰器
４８に入っていく光信号の強度がＩ₀であるゼロからＩ₀の範囲に単調化されてい
る。これらの２つの極端な値は高電圧値（通常約±３０Ｖ）に対応し、２つの導
波路アームの１つあるいはもう１つの光信号を完全に切り替えるために十分であ
って、上記で特定したb)の場合においてと同様に、上記で特定したようにa)の場
合、または伝搬の基本または第１高次オーダーモード上の光信号のパワーを完全
に組み合わせるためにである。

【００４２】図４で点線によって概略的に強調された曲線の中間領域３００において、減衰
器４８によって出ていく光信号のパワーは適用される電圧Ｖ_attを適正に設定す
ることにより要求レベルに従って調整され得る。減衰範囲を表すために、適用さ
れる電圧Ｖ_attのいかなる値に対しても、Ｖ_att＝０であるとき減衰器４８から出
ていく光信号のパワーに関して減衰器４８から出ていく光信号のパワーの変化と
して“減衰レベル”（ＡＬ、ｄＢで表される）が定義される。

【００４３】ＡＬは負（Ｖ_att＝０のときの強度に関して減衰器から出ていくより低い強度
）または正（Ｖ_att＝０のときの強度に関して減衰器から出ていくより高い強度
）である。図１の１００で示されたシステムとしての通信システムで達成されるべき通常
のＡＬ値は−１０ｄＢと＋５ｄＢ間に含まれる範囲である。かかる値は約±３０
Ｖまでの範囲にある駆動電圧Ｖ_attを適用することによってニオブ酸リチウム基
板上に集積されたＹ分岐減衰器を使用して達成可能である。

【００４４】マッハツェンダ変調器の同じ基板上に集積されるデバイスに対するかかる高駆
動電圧値の適用はエレクトロオプティック装置の駆動電圧を減らす最新の傾向に
直接悪影響を及ぼす。他方、Ｙ分岐減衰器の特性曲線（図４）は単調関数であり
、単純電子制御回路５１（図２）が使用され得る。Ｙ分岐減衰器の別の重要な利
点は組立処理のばらつきに関して相対的に安定しているということである。

【００４５】図５は単一モード入力導波路６１、同じ長さの２つの導波路アーム６３ａ、６
３ｂ及び単一モード出力導波路６５を含む強度変調器４９に対するマッハツェン
ダ干渉構造を概略的に示す。２つの導波路アーム６３ａ、６３ｂは第１マルチモ
ード範囲を定義する第１連結６２から離れていて、第２マルチモード範囲６４を
定義する第２連結６４で合流する。マッハツェンダ干渉構造の両方のマルチモー
ド範囲は図５において点線で概略的に強調されている。導波路６１、６３ａ、６
３ｂ、６５は減衰器４８（図３参照）の同じ平坦エレクトロオプティカル基板上
に集積されている。

【００４６】ＲＦ電極６６は導波路アーム６３ａ、６３ｂ間で蒸着されている。電極６８、
６９は、導波路アーム６３ａ、６３ｂに関して側面に沿った干渉構造の外側で蒸
着されていて、グラウンドとして基準電圧に接続される。片７１、７２はＲＦ電
極６６に接続され、その両端で、変調器４９の入力ＲＦポート及び出力ＲＦポー
トをそれによって相対的に定義している。

【００４７】バイアス電極６７も導波路アーム６３ａ、６３ｂ間で蒸着されていることが便
利である。それぞれの別のグラウンド電極７０は導波路アーム６３ａ、６３ｂに
関して横に蒸着されている。適応する片７３はバイアス電極に接続され、それら
のうちの１つの端で、入力バイアスポートを定義する。基板上の正確な形及び位
置は実行されるための特定の要求に従って当業者によって完成される。

【００４８】電気的RF信号は変調器４９の入力ＲＦポート７１に適用され、次にＲＦ電極６
６へと誘導される。図２の送信器モジュール４０において電気ＲＦ信号はパイロ
ット回路４３によって供給される。主として、整合インピーダンス回路はＲＦパ
ワー反射を最小化するためにＲＦ回路の締め切りとして出力ＲＦポート７２に接
続される。

【００４９】適応する生成器及びドライバ（示されていない）によって供給される通常ＤＣ
信号である電気低周波数信号は入力バイアスポート７３に適用される。バイアス
回路は通常開かれたままである。別の実施例において、固有の電極が導波路アーム６３ａ、６３ｂ間に蒸着され
る。この場合、電圧駆動装置は固有の電極がＲＦ電極及びバイアス電極の両方と
して働くようになっている。

【００５０】光信号は入力導波路６１に適用され、第１連結６２によって導波路アーム６３
ａ、６３ｂに等しく分けられ、次に第２連結６４によって出力導波路６５で再結
合される。図２の送信器モジュール４０において出力光信号はレーザ４６によっ
て供給される。電極６６に適用されたＲＦ信号は導波路アーム６３ａ、６３ｂに沿って屈折率
を変更する。それによって、２つの導波路アーム６３ａ、６３ｂの光信号が進む
光パスは導波路アーム６３ａ、６３ｂで移動する光信号が相互フェーズ遅延を有
するように変更され得る。２つの信号間の干渉は再結合連結６４で生成される。
特に、相互フェーズ遅延が２ｎπ（ｎは整数）に等しいとき干渉の最大に達し光
信号のすべてのパワーは単一モード導波路６５によって誘導される。相互干渉遅
延がπ＋２ｎπに等しいとき干渉の最小に達し光信号のほぼすべてのパワーが基
板上で放射され、伝搬の第１高次オーダーモードの光パワーの組み合わせによっ
て、単一モード出力導波路６５で導かれずに、連続スペクトルモードで基板上に
放射される。

【００５１】図６は出力導波路６５から出ていく光信号のパワーＩ対交互に最大及び最小を
有するＶ_modに適用されたＲＦ電圧の特性曲線を示す。電気通信システムで正確
に制御されるべき変調器の基礎パラメータはその消光比（ＥＲ、ｄＢで表される
）であって、特性曲線の最大及び最小パワー値間の割合として定義される。図１
の１００で示されたシステムとしてＷＤＭシステムにおける強度変調器のために
達成されるべき代表的ER値は１８−２０ｄＢである。伝送の最小及び最大間の偏
位に対応する一般的電圧値（ＤＣで測定された）は約２．５−４Ｖである。

【００５２】集積減衰器４７を有する変調器の様々な実施例及び例がここに示される。すべての例において、約１５５０ｎｍ範囲で２．５Ｇｂｉｔ／ｓの変調ビット
レートの光信号の波長に対して実行されていて、長さ６０ｍｍ、幅２ｍｍ、厚さ
１ｍｍの寸法を有するｘカット、ｙ伝搬 LiNbO3基板上に導波路は集積された。
導波路の集積は９９０℃の温度で１０時間実行された約１０００オングストロー
ムのチタニウムストライプの拡散によって実行された。すべての電極はＡｕ電極
であった。第１実施例：図７を参照すると、集積減衰器４７を有する変調器の第１実施例
が概略的に示され、Ｙ分岐減衰器４８に関して下位にマッハツェンダ変調器４９
を含む。固有の電極がバイアス及びＲＦの両方として変調器４９に描かれている
。わかりやすくするために、グラウンド電極及び接続片は描かれていないが、図
３から図５を参照して上記に述べられたことによると２つの集積コンポーネント
のそれぞれがその完全な電極のセットを有することが意図されている。図３から
５で使用されたのと同じ参照番号が同様の部分の可能なところに対して適用され
る。装置４７はＹ分岐減衰器の第１導波路アーム２３ａとマッハツェンダ変調器
４９の入力とを接続している単一モード導波路２６も含む。接続導波路２６は急
カーブを有して概略的に示され、一方実際には当業者が容易に理解できるように
をそれは徐々に湾曲した導波路で形成されている。装置４７はＹ分岐減衰器の第
２導波路アーム２３ｂから離れていて基板の端に至る追加導波路２７も含む。通
常、偏光保存光ファイバ（示されていない）は入力導波路２１と一列に並べられ
て接続され、単一モード光ファイバ（示されていない）は出力導波路６５と一列
に並べられ接続されている。

【００５３】光信号は減衰器４８の入力導波路２１に挿入される。光信号の前記第１部分は
導波路分岐２３ａで転送される。光信号の前記第１部分のパワーは事前に決定さ
れたレベルに従って中央電極２４に適用されるＤＣ信号で規制される。光信号の
残りの部分は導波路分岐２３ｂで転送され次に追加導波路２７で誘導されること
が望ましい。

【００５４】接続導波路２６はマッハツェンダ変調器４９の方へと光信号の第１部分を誘導
する。ここで、光信号はＲＦ電極６６に適用された適当な電気ＲＦ電圧信号によ
って変調される。最終的に、光信号の第１部分はその出力導波路６５経由でデバ
イス４７から出ていく。例１：第１実施例に従って出願人よってなされた第１模範装置において、変調
器４９を形成するマッハツェンダ干渉の長さは約４０ｍｍだった（連結６２から
連結６４の距離）。干渉構造を形成する導波路の幅は６μｍに最適化され、デバ
イスの損失を制御するために、１５５０ｎｍで約９μｍのモードフィールド径（
ＭＦＤ）に対応していた。干渉構造の導波路アーム６３ａ、６３ｂ間の中央から
中央の距離は３０μｍだった。固有の電極はＲＦ及びバイアスの両方に対するニ
オブ酸リチウム基板上に直接蒸着され、長さ２４ｍｍ、厚さ５μｍ及び幅１５μ
ｍを有した。ＲＦ／バイアス電極とグラウンド電極間の間隙は１５μｍだった。

【００５５】Ｙ分岐減衰器４８に関して、導波路アーム２３ａ、２３ｂは経度方向に関して
時計回り方向に測定されたように−０．１°と＋０．１°でそれぞれ蒸着されて
いた。“経度方向”は、ここ及び以下で、主要伝搬結晶軸（この例ではｙ軸）に
平行方向を表す。導波路の幅は６μｍだった。SiO2の層（０．５μｍ）は導波路
の蒸着の後であって電極の蒸着の前に基板上に蒸着された。電極は０．１μｍの
厚さを有した。中央電極の長さは約１０ｍｍでその形はＭＦＤ（約９μｍ）の約
１００％の中央電極とグラウンド電極間の間隙を維持するために導波路の形に適
合されていた。

【００５６】図８で概略的に示された実験用設備を使用して実行されたテストで測定された
ように、図９は上に述べた模範装置対減衰レベルＡＬの測定された消光比EＲの
グラフを示す。図８を参照して、１５５０ｎｍの波長及び０ｄＢｍの出力パワーの光を発射す
るＤＦＢレーザ２００が光信号の光源として使用され、第１レンズ２０１が装置
４７への光を集めるために使用され、第２レンズ２０２は装置４７からフォトダ
イオード２０３へ出ていく光を集めるために使用され、フォトダイオード２０３
は光信号を電気信号に変換し、パワー計測器２０４へと送りこんだ。集積減衰器
４７を有する変調器はＤＣ電気信号の２つの生成器２０５、２０６によって誘導
された。減衰器４８の減衰レベルＡＬ＝０が生成器２０５の電圧値Ｖ_attを０に
固定し、生成器２０６によって変調器４８に適用される電圧Ｖ_modに関してデバ
イス４７の透過率の最大パワーを測定することによって測定された。最小透過率
を見つけるためにＶ_modを調整し対応するパワーを測定することによってＡＬ＝
０に対するデバイスの消光比ＥＲが次に測定された。図９で示したグラフを得る
ために関係するALの値に対応するＶ_attの異なる値に対して同じ２段階手順が繰
り返された。

【００５７】図９でわかるように、ある間隔に亘ってERは１８ｄBより常に大きいが、ALの
異なる値に対して一定ではない。特に、ALが負になるときデバイスのＥＲはWDM
システムの最小受信規格により近い値に至るまで徐々に減少する。さらに、光フ
ァイバがデバイスにピグテイルされたとき、ERはピグテイリング処理によって導
かれた避けがたい損失によってさらに減少し、あるいは受け入れがたい値に至る
かもしれない。

【００５８】 ERのこの性質はシングル基板上の２つの集積デバイス間のクロストークに依存
することに出願人は気づいた。特に、第１実施例に関する問題がＹ分岐減衰器４８を形成する導波路の湾曲部
分及びＹ分岐４８及びマッハツェンダ干渉構造４９間に置かれた接続導波路２６
（図７参照）の湾曲部分によってもたらされたある種の非理想性に結び付けて考
えられることを出願人は理解した。

【００５９】伝播基本モード上の光信号が導波路の湾曲部分で移動するとき、光パワーの小
さい割合は伝播高次オーダーモード上で結合される。湾曲導波路が単一モードで
あるとき、光パワーのこの部分は放射モードの連続スペクトルにおいて基板上で
誘導されずに拡散する。放射モードに関係する光パワーの部分は、徐々に減衰さ
れるが、湾曲導波路の次の部分で再度結合される。特に、第１高次オーダーモー
ド（それは導波路の幾何学的寸法に依存する）に対して導波路のカットオフ波長
が光信号の波長からより離れると、減衰はより高くなる。実際に、放射モードと
関係する放射の拡散は導波路上に実質的にあるその最高点を有する拡散角内で起
こる。導波路のカットオフ波長が光信号の波長からより遠くなると、拡散角がよ
り大きく開き、それは導波路からの放射の“すばやい”拡散に対応する。

【００６０】導波路アーム２３から出て行って湾曲接続導波路２６で移動する光信号に関し
て、放射モードに結合された光信号の一部分は変調器４９を形成する干渉構造の
方へ接続導波路２６自身によって再び誘導される小さい部分か、事前に決定され
た角度によって基板上に広がった大きい部分にあって、両方の現象は接続導波路
２６のカットオフ波長値に依存されるということを出願人は理解した。

【００６１】干渉構造４９の入力でマルチモード範囲６２に至ると、放射モードの連続スペ
クトルに関する光パワーに一部分は、基板上を移動し、高次オーダーモード、特
に非対称高次オーダーモードに再度結合される。さらに、接続導波路２６によっ
て再誘導された放射モードに結合された光パワーの小さい部分は、強く減衰され
ているが、接続導波路２６に沿って干渉構造の第１マルチモード範囲６２に至る
。

【００６２】このことは干渉構造の導波路アーム６３ａ、６３ｂの光信号の不均衡な分割に
つながり、それはデバイス４７の誤った機能につながる。この点で、マッハツェ
ンダ変調器に入っていく光信号の伝播第１高次オーダーモードのパワーの１％の
部分が２０ｄBのERの上限値を引き起こし、それは伝播高次オーダーモードの誘
導放射において存在する第１連結６２によって形成されたマルチモード範囲の高
い感受性によるものである。変調器４９を形成する干渉導波路構造に入ってくる放射は、事実、対称領域特
性をできるだけ多く有し、伝播基本モードはかかる要求を満足させる。光パワー
が高次オーダーモード、特に入力マルチモード範囲において非対称高次オーダー
モード（第１高次オーダーモードとして）に結合されるとき、導波路アームの光
信号の分割は一様でなく、デバイスのＥＲに基づくより悪い結果となる。

【００６３】他方Ｙ分岐減衰器とマッハツェンダ変調器間に含まれた範囲にある湾曲導波路
２６から始まる基板上に拡散する放射の一部分は変調器４９の次の干渉構造の導
波路アーム６３ａ、６３ｂで結合され、変調器４９の２つの導波路アーム６３ａ
、６３ｂで移動する光信号の不均衡の一因となる可能性がある。同様の考えはＹ分岐減衰器４８を形成する導波路の湾曲部分に対して適用され
る。

【００６４】基本的には、問題は変調器４９（特にマルチモード範囲６２）を形成する干渉
構造とＹ分岐減衰器構造４８とを十分に離しておくことによって解決され、それ
はより長いチップ基板を使用することによってである。この解決はWDMシステム
、あるいは特にDWDMシステムにおいて利点があるわけではなく、場所をとる装置
は関係する多数のチャネルを考慮して避けられるべきである。

【００６５】出願人はより長いチップを使用することを含まない３つの問題解決法を見いだ
した。これらの３つの解決法は実験装置で実行され以下で説明されている。図１
２は３つの提示された解決法を含む実験装置に対する図８を参照して述べられた
同じ実験結果を要約する。例２：第１解決法において、Ｙ分岐減衰器４８を形成する導波路と接続導波路
２６の幅は５．７μｍに減らされたのに対して、変調器４９を形成する導波路の
幅は明細書内の伝播損失を維持するために６μｍのままであった。かかる様態で
Ｙ分岐減衰器４８及び接続導波路２６を形成する導波路の伝搬第１高次オーダー
モードに対するカットオフ波長値は減少させられ、それは光信号の波長から十分
離しておくためであった。

【００６６】この方法で、光変調器４９の方へ導波路２３ａ及び２６で放射モードで伝搬さ
れる光パワーの減衰は実質的に向上した。Ｙ分岐減衰器４８とマッハツェンダ変
調器４９間に含まれる範囲の基板上で伝搬されている放射線の拡散角度は拡がっ
た。Ｙ分岐減衰器４８及び接続導波路２６で伝搬されるモードの低次誘導によっ
て伝搬損失のわずかな増加が観察されたが、最大損失要求はやはり満たした。

【００６７】図１２の曲線３０は第１解決法を含むデバイスに対する実験結果を示す。わか
るように、大変良い結果が得られ、ＥＲは常に２０ｄＢより高く、最小値はわず
かに２５ｄＢより低いだけである。接続導波路２６で再誘導された放射モードと
関係する光パワーは効果的に減衰され、それはＹ分岐減衰器とマッハツェンダ変
調器間の範囲の基板上に拡散する放射モードと関係した光パワーが素早く駆逐さ
れ、２つの集積デバイス４８、４９間のクロストークを減少するのと同様であっ
たことが得られた結果から確信される。

【００６８】要求された性能から依存して、減少された幅は全体減衰構造４８に対してか、
または接続導波路２６に対してだけ適用される。導波路の幅は５％と１６％間に
含まれる量で減少させられることが望ましく、８％の量であることがさらに望ま
しい。例３：図１０で概略的に示した第２解決法で、“傾斜”Ｙ分岐が減衰器４８と
して使用された。実際、０．２°の同じ角度が分岐２３ａ、２３ｂ間で維持され
たが、分岐２３ａは変調器４９の方へ光を誘導する分岐であって、経度方向に関
して平行に方向が合わされた。

【００６９】かかる様態で、湾曲部分によって放射モードが引き起こされることは、変調器
４９で入ってくる光信号の一部分である問題の光信号の一部分が進むパス上で実
質的に排除される。図１２の曲線３１は第２解決法を含むデバイスに対する実験結果を示す。わか
るように、ＡＬ上のＥＲのわずかに向上された相関関係が残っているが、到達値
は常に２０ｄBをはるかに上回っていて、明細書に完全にかなう。

【００７０】この構成のさらなる利点は大変小さい装置が得られることであり、それは接続
導波路２６が実際には直線導波路部分であるからであり、湾曲部分の場所をとる
段階的設計のチップの必要性を排除している。例４：図１１で概略的に示された第３解決法において、Ｙ分岐減衰器４８とマ
ッハツェンダ変調器４９間の範囲の基板上で拡散されている発射のフィルタリン
グは、湾曲接続導波路２６から始まっていて、影響されている。フィルタリング
は基板上の適合する材質の蒸着によって成されていて、例えば導波路それ自身か
ら適当な距離でSiO2の緩衝層を取り除いたあとで、接続導波路２６の両側の金属
片２８の蒸着によって成されている。出願人によって実現された望ましい実施例
では、４ｍｍの長さを有する２つの金属片が接続導波路２６の近くの基板上にそ
の両側に蒸着されていて、導波路のＭＦＤの１７０％にほぼ等しい間の間隙を残
す（約１６μｍ）。図１３で示したように、フィルタリング金属片は中央電極２
４の延長部分及びグラウンド電極２５ａの１つとして集積され、それは電極の適
正な形によって、延長の第１部分３３において接続導波路２６のＭＦＤの約００
％から約１７０％まで徐々に拡大し、延長の第２部分において接続導波路２６の
MFDの１７０％の間隙を維持するることが有利である。

【００７１】図１２の曲線３２は第３解決法を含むこの実施例の実験結果を示す。わかるよ
うに、大変よい結果が得られ、ＡＬに関するＥＲのばらつきのかなりの減少及び
問題のすべてのＡＬ範囲で２５ｄBをはるかに超えるＥＲ値が得られた。２つの集積デバイス４８、４９間の範囲の基板上の放射モード上で伝播される
放射線が２つのデバイス４８、４９の集積への一連の問題を引き起こし得るとう
いうことが例２から４のそれぞれで行われた改善から確認される。例２から４で述べた３つの解決は以下の望ましい実施例で説明されるように単
独あるいは互いに組み合わせて使用され得る。例５：例２から４の３つすべての解決法を含む第１実施例による一連の３４デ
バイスは製造に関連する技術パラメータの変化に関する堅牢性を試験するために
準備された（Au電極の厚さ、導波路形成チタン片の厚さ、拡散時間及び温度など
）。デバイスの幾何学的及び構造パラメータは以下の通りである。・マッハツェンダ導波路幅：６μｍ・Ｙ分岐導波路幅：５．７μｍ・Y分岐２３ａ、２３ｂ角（経度方向について時計回り）：０°/+０．２° ・フィルタリング範囲の長さ：４ｍｍ・フィルタリング範囲の導波路周りの間隙：１６μｍ・Y分岐の中央及びグラウンド電極間の間隙：９μｍフィルタリング範囲２８は中央電極２４及び減衰器の直線分岐２３ａに隣接す
るグラウンド電極２５ａを適正に形成することによって実行された。それは例４
ですでに説明し図１３で概略的に示したものに関してと同じ様態だった。

【００７２】ＡＬの１０．８ｄBの範囲を越えて、適用された電圧±２６Vに達すると、最大
ＥＲ到達平均電圧は２７．２１ｄBで、１．７４ｄBの標準偏差を有したのに対し
、最小ＥＲ到達平均電圧は２１．６７ｄBで、２．８３ｄBの標準偏差を有した。
ＭＦＤの平均値は９．２５μｍで集積デバイスの挿入損失の平均値は４．５３ｄ
Bだった。

【００７３】デエンファシスを使用するＷＤＭシステムにおける使用に合致する仕様は、５
ｄB未満の最小挿入損失、−２６Vと+２６V間に含まれる適用電圧に対する６ｄB
より大きい減衰範囲、１８ｄBより大きい全体減衰範囲以上のＥＲ最小値である
。要求される結果と得られた結果を比較してわかるように、試験は完全に満足で
きるものであった。

【００７４】第１実施例のさらなる利点はＹ分岐減衰器４８の導波路アーム２３ｂに結合さ
れた光信号の第２部分の利用可能性であって、それは中継器モジュール４０（図
２参照）でフィードバック制御を行うための出力として、“ダミー”導波路２７
に接続されている。例えば、光信号の第２部分はレーザ４６の発射導波路のフィードバック制御の
ために図２の送信器モジュールで使用され得る。事実、ＤＷＤＭシステムでは様
々なチャネルの波長上に非常に厳しい要求がある。特に、レーザの発射波長は精
密に１０^-2で固定されなければならない。

【００７５】通常、レーザ４６の発射波長の制御は、図２１で概略的に示したように、同じ
レーザと外部変調器間のパス内のレーザ４６によって発射される変調されない信
号の小さな部分を分割することによってなされる。光信号分配器８０は“波長ロ
ッカー”として知られたデバイス８１のほうへ光信号の一部分を取り込み、レー
ザ４６の波長制御回路５０へと送られる電気信号を出力として与える。

【００７６】第１実施例による集積減衰器４７を有する変調器の構成を使用して、レーザ４
６によって発射される変調されない信号の分割はY分岐４８で行われる。図７、
１０または１１を参照すると、例えばダミー導波路２７の出力で配置された適合
する光ファイバ（示されていない）によってなどの、第２導波路アーム２３ｂに
よって結合された光信号の一部分を運びダミー導波路２７から出て行かせること
によって、レーザと外部変調器間のパス内のカプラを使用することなくフィード
バック制御を行うことができる。図２２で概略的に示されたように、光信号の第
２部分の出力は波長ロッカー８１に接続されていて、それはレーザ４６の発射波
長に対するフィードバックループを閉じるためである。

【００７７】あるいは、ダミー導波路２７が存在しないとき、Y分岐４８の第２導波路アー
ム２３ｂを経由して転送された光信号の一部分は失われる。フィルタリング金属
片または他の適当な吸収素材は同じ２３ｂの端に蒸着され、使用されない光信号
のその部分を基板から除去するためである。この場合、図２１で示されたフィー
ドバック制御が使用される。第２実施例：図１４を参照すると、集積減衰器４７を有する変調器の第２実施
例が概略的に示され、それはマッハツェンダ変調器４９に関し下位にＹ分岐減衰
器４８を含んでいる。固有の電極６６がRF及びバイアスの両方に対して変調器４
９で使用されている。わかりやすくするために、グラウンド電極は図示されてい
ないが、２つの集積コンポーネントのそれぞれがその電極の完全なセットを有し
ていることが意図されるべきである。前の図で使用されたのと同じ参照番号が同
様の部分に対してはいつも適用される。

【００７８】第２実施例において、光信号はマッハツェンダ変調器４９で最初に変調され次
に接続導波路２６を経由して減衰器４８に入る。ここで、変調信号は中央電極に
適用された電圧に依存した割合で導波路分岐２３ａ、２３ｂで分割される。例え
ば導波路分岐２３ａなどの分岐２３ａ、２３ｂの１つは、デバイス４７の出力と
して選択され出力導波路２９を経由してチップの端の方へ変調信号の一部分を誘
導する。変調信号の残りの部分は第２導波路分岐２３ｂによって迂回させられる
。

【００７９】出願人はこの第２実施例によって実現された同じ例示デバイスにおいて１０ｄ
Bに至る値までのＥＲの大きな低下に気づいた。従って、かかる場合、２つの集
積デバイス間に大変強いクロストークが伴われ、ＷＤＭシステムにおけるデバイ
スの非実用的な使用へとつながる。この大変強いクロストークは、それぞれマッハツェンダ変調器４９及びＹ分岐
減衰器４８に属している２つのマルチモード範囲６４、２２の相互近接によって
ある程度引き起こされ、それはマルチモード範囲６４から始まる２つの集積デバ
イス４９、４８間の範囲の基板上の放射線の拡散によった。

【００８０】特に、マッハツェンダ変調器４９の導波路アーム６３ａ、６３ｂで移動する信
号間の最小干渉に至ったとき、それは変調器が消光状態に至ったときであって、
第２連結６４から始まる基板上に拡散された放射線の部分が減衰器４８を形成す
る次の導波路で再び結合され、それは特に分岐２２に対応する次のマルチモード
範囲においてであって、次にデバイス４７全体の最小光強度の増加をもたらす。

【００８１】さらに、伝播の放射モードと結びつく光パワーの一部分は、強く減衰されてい
るが、導波路２６で再び結合され、Ｙ分岐減衰器のマルチモード範囲２２へと至
り、最小光強度の増加に寄与し得る。これらの現象の両方は接続導波路２６のカットオフ波長から決まる。原則として、問題は２つの向き合ったマルチモード範囲６２、２２を十分離し
ておくことによって解決され、それは接続導波路２６に残っている高次オーダー
モードに結びつく光パワーの一部分が十分に減衰され２つの集積デバイス４９、
４８間の基板上で伝播される放射線の拡散角度がＹ分岐減衰器４８の導波路を横
切らないようにであった。この解決はチップがあまりに長くなり得るという不利
を有し、例を参照して下記で明らかにされる。

【００８２】第１実施例でクロストーク問題を解決するために適用された解決法のいくつか
は第２実施例に関する問題を解決するためにも適用され得ることを出願人は理解
した。特に、フィルタリング金属片は接続導波路２６に関して側面に沿って適用され
、２つの集積デバイス４９、４８間の基板上に拡散する放射線を実質的に減少さ
せまたは排除する。

【００８３】接続導波路２６の幅を減少させること、あるいは放射モードに対する導波路２
６のカットオフ値を概ね減少させることがかなり開いた開口角を有する放射のた
めの２つの集積デバイス間の基板上に拡散する放射線を引き起こすためにも適用
され得る。かかる方法で、減衰器４８に属する次の導波路上のこの放射線の組み
合わせは実質的に減少され得る。従って、接続導波路２６の幅を減少させること
は導波路それ自身で伝播する放射モードに関係する光パワーの減衰を増加するこ
とに有利である。

【００８４】２つの解決は減少されたクロストークレベルを有する短いチップ上の２つの集
積デバイス４８、４９により近くで使用され得ることに有利である。例６：一例として、模擬実験で、第２実施例の集積デバイス４８、４９の２つ
の向き合ったマルチモード範囲６４、２２間でどのような距離が保たれるべきか
を出願人は評価し、それは接続導波路２６はどのような長さであり得るかであっ
て、接続導波路２６の幅が６μｍの場合と接続導波路２６の幅が５．５μｍの場
合を比較することによってであった。変調器４９及び減衰器４８を形成する導波
路の幅は６μｍであった。２つの場合に対して、適合するコンピュータプログラ
ムによって、消光状態で保たれた変調器４９の光信号の導入が模擬実験され、そ
れは変調器４９のマルチモード範囲６４への伝播第１高次オーダーモード上にあ
る光信号の適用に対応する。次に、減衰器４８の導波路アーム２３ａ、２３ｂに
よって出て行く放射線の一部分の光パワーの評価が行われ、マルチモード範囲６
４から基板上に拡散され減衰器４８を形成する導波路で結合される光パワーの一
部分を測定した。模擬実験は多くの統計上のポイントを得るために１ｍｍから１
５ｍｍの範囲の接続導波路２６の多くの長さで行われた。導波路アーム２３ａ、
２３ｂから出ていく光パワーの測定から第１高次オーダーモードに関する減衰率
が２つの場合に対して計算された。

【００８５】模擬実験の結果は６μｍの接続導波路２６の幅で減衰率は１１．７ｄB／ｃｍ
であり、一方５．５μｍの接続導波路２６の幅で減衰率は３８．５ｄB／ｃｍで
あった。次に、１次オーダーモードに対する適当な減衰レベルを決めることによって、
２つの集積デバイス４８、４９間の減少されたクロストークレベルを有するため
に、適合する接続導波路２６の長さが簡単に評価され得る。例えば、４０ｄBの
望ましい減衰レベルを決めることによって、６μｍの幅を有するとき少なくとも
３．４ｃｍの長さが使用されるべきであり、５．５μｍ幅では１ｃｍよりいくら
か長い長さが使用され得るので、より短いチップ上の集積を可能にする利点があ
る。

【００８６】図１５で概略的に示したように、傾斜Y分岐を含む構成は第２実施例でも適用
される。この構成で、導波路アーム２３ａは、デバイス４７の出力であって、経
度方向に平行に方向付けられている。この事実は湾曲のない部分が光信号のパス
上の減衰器４８によって導入されるときに有利である。次に、２つの向き合った
マルチモード範囲６４、２２はできる限り相互に離して置かれ、基板及び集積デ
バイス４８、４９の幾何学的寸法と互換性がある。接続導波路２６の両側の２つ
のマルチモード範囲６４、２２間のフィルタリング金属片の適用は、接続導波路
２６の幅を減少のために一緒にあるいは代わりに図１５でやはり適用され、２つ
のマルチモード範囲６４、２２間の距離を減少させるために有利であって、より
短い基板上での集積を可能にする。第３実施例：第３実施例は挿入された光信号の方向が逆であるということです
でに述べた第１実施例と異なる。図１６で概略的に示したように（右から左に見
た図７に実質的に対応する）、集積デバイス４７は逆のＹ分岐減衰器に関し上位
に変調器４９を含み、接続導波路２６によって光学的に結合される。第３実施例
において、光信号は入力導波路６１に挿入され、マッハツェンダ変調器４９によ
って変調され、接続導波路によって逆Ｙ分岐減衰器のアーム２３ａの１つへ誘導
され、かつ出力導波路２１から出て行く。Ｙ分岐減衰器の逆の使用方法を参照し
て前に述べたように、減衰器４８で伝播される光信号の減衰レベルは中央電極２
４に適用されるＤＣ電圧によってやはり決定され、それは減衰器４８のマルチモ
ード範囲２２の出口で基本伝播モード（出力単一モード導波路２１によって誘導
される）上に残っている光パワーと第１オーダー伝播モード（それは基板上で拡
散される）上で転送された光パワー間の割合で作用する。

【００８７】前の実施例で検討したように、第３実施例に関する問題は、変調器４９が消光
状態であるときマルチモード範囲６４から始まるか、または湾曲導波路２６から
始まる２つの集積デバイス４９、４８間の範囲の基板上に拡散している放射線の
一部分が、減衰器４８を形成する導波路の特にマルチモード範囲２２に結合され
、クロストークを引き起こすということが容易に認識される。

【００８８】この観点から、基板上に拡散されている放射線は伝播の対称及び非対称“モー
ド”の連続スペクトルであるということに気づくべきである。例えば、マルチモ
ード範囲２２で、連続スペクトルの対称モードは伝播基本モード上の光パワーの
一部分と結合され、それは次の単一モード出力導波路２１によって誘導される。
次に、変調器が理想的な消光状態であるとき、最小透過率は実際に向上される。

【００８９】図１６によって推測されるように、基板上で“逆方向”にＹ分岐減衰器を蒸着
する選択はマルチモード範囲６４、２２のより大きい相互の分離を可能にし、図
１４で示した実施例に関し、Ｙ分岐減衰器の幾何学的長さに少なくとも等しい長
さである。かかる方法で基板上で拡散しマルチモード範囲及び出力導波路２１に
至る放射線の残りの部分の光パワーは図１４の構成に関して図１６の構成で低下
した。マッハツェンダ変調器４９の後ろに置かれた逆Ｙ分岐減衰器４８を有する
図１６の構成は要求されたＥＲ値に到達し得る。

【００９０】図１７（それは右から左に見た図１０に実質的に対応する）で示されたように
、傾斜逆Y分岐を含む構成は、この実施例でも使用され、接続導波路２６の湾曲
部分を排除することを可能にする。このことは伝播損失を減少しより短いチップ
長を使用することを可能にするさらなる利点を有する。フィルタリング金属片の追加は２つの集積デバイス４９、４８間の範囲の基板
上に拡散する放射線を効果的に減少するためにこの実施例でやはり適用される。

【００９１】３つの解決法は次の例７で述べられるようにシングルデバイス上でも一緒に適
用される。例７：傾斜Ｙ分岐減衰器を有する例３（第１実施例の検討参照）で前に述べら
れた模範装置は実験の間デバイスを逆にすることによって簡単に図８の実験装置
で出願人によって実験された。

【００９２】図１８は結果のグラフを示す。わかるように、ＥＲの大変良い結果が得られる
。第４実施例：第４実施例は挿入光信号の方向が逆であるということがすでに述
べた第２実施例と異なる。図１９で概略的に示したように、（それは右から左へ見た図１４へ実質的に対
応する）、集積デバイス４７はマッハツェンダ変調器４９に対して上位に逆Ｙ分
岐減衰器４８を含み、導波路２６によって光学的に接続されている。

【００９３】第４実施例において、光信号は例えばアーム２３ａなどの減衰器４８の導波路
アームの１つの入力導波路２９によって挿入され、マルチモード範囲２２を経由
して適当に減衰され、次に接続導波路２６を経由して、変調器４９を形成する干
渉構造に伝送される。ここで減衰光信号は変調され次にそれは出力導波路６５を
経由してデバイス４７から出て行く。

【００９４】前の実施例で検討したように、第４実施例に関する問題は、減衰器４８のマル
チモード範囲２２での伝播第１高次オーダーモードに結合された光パワーの一部
分が接続導波路２６の単一モード動作による放射モードの連続スペクトルの基板
上に拡散され、変調器４９の干渉構造を形成する導波路の特に第１マルチモード
範囲６２と結合されるということであると容易に認められるであろう。

【００９５】即ち、第４実施例に関する問題は第２実施例に関する問題と同様のものである
。次に、第２実施例で示した解決は第４実施例に対しても適用される。特に、傾
斜Ｙ分岐減衰器４８を含む構成は、図２０（右から左に見た図１５に実質的に対
応する）で概略的に示されたように、光信号の光パスの湾曲部分を排除するため
に適用され、２つの向かい合ったマルチモード範囲２２、６４を相互にできるだ
け離しておくことができ、それは基板及び２つの集積デバイス４８、４９の幾何
学的寸法に依存している。

【００９６】上記で示された集積減衰器４７を有する変調器の実施例は図１のシステム１０
０のような発信局でチャネルのデエンファシスを使用するＷＤＭあるいはＤＷＤ
Ｍシステムでの使用に対する要求を満足させる。２０−２５ｄBをはるかに越え
る消光比値が得られ、影響の全体減衰範囲を越えて、２つの集積デバイス４８，
４９間のクロストークの大変低レベルに対応し、影響の全体減衰範囲を超えた。

【００９７】同じ基板上の２つのデバイスの集積は短いチップの使用を可能にする。このこ
とは多数のコンポーネントが限られた空間に一緒に組み立てられ詰められなけれ
ばならない中継器（図２）のような複雑な装置において大変重要である。この点
に関して、減衰器としてのY分岐の選択はY分岐が大変小さく短いデバイスである
ので有利である。駆動電力はＹ分岐減衰器に対して相対的に高い（例えば±２６
V）が、その特性曲線は単調機能であって、様々なチャネルに適用される減衰器
を効果的に制御するための簡単な電気制御回路の使用を可能にする。

【００９８】特に、上で検討した第１または第３実施例などの、Ｙ分岐減衰器の１つのアー
ムと結合されたマッハツェンダ変調器を含む実施例は、短いチップでの集積と同
様に、２つのデバイス間の減じられたクロストークを得るために効果的である。図７、１０、１１を参照して検討した上記第１実施例はチャネル波長のフィー
ドバック制御回路に対して“ダミー”導波路２７を経由して転送される光信号の
一部分の使用を可能にし、フィードバックを実現するための中継器において別の
コンポーネントの使用を不要にすることにおいて利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 EDFAを使用するWDMシステムを概略的に示す。

【図２】集積減衰器を有する変調器を含む伝送モジュールを概略的に示す。

【図３】Ｙ分岐減衰器を概略的に示す。

【図４】Ｙ分岐減衰器の特性曲線を概略的に示す。

【図５】マッハツェンダ変調器を概略的に示す。

【図６】マッハツェンダ変調器の特性曲線を概略的に示す。

【図７】Ｙ分岐減衰器に関して下位にマッハツェンダ変調器を有する集積減衰
器を有する変調器の第１実施例を概略的に示す。

【図８】集積減衰器を有する変調器の消光比及び減衰範囲を測定するために使
用される実験装置を概略的に示す。

【図９】第１実施例によって実現された集積減衰器を有する変調器の第１例の
消光比対減衰範囲のグラフを示す。

【図１０】傾斜Ｙ分岐光減衰器を使用する第１実施例による集積減衰器を有す
る変調器の例を概略的に示す。

【図１１】フィルタリング金属片を使用する第１実施例による集積減衰器を有
する変調器の例を概略的に示す。

【図１２】第１実施例によって実現された集積減衰器を有する変調器の消光比
対減衰範囲の３つの例のグラフを示す。

【図１３】フィルタリング金属片を含む電極の延長部分を有する、Ｙ分岐光減
衰器の電極範囲の拡大図を概略的に示す。

【図１４】Ｙ分岐減衰器に関して上位にマッハツェンダ変調器を有する、集積
減衰器を有する変調器の第２実施例を概略的に示す。

【図１５】傾斜したＹ分岐減衰器を使用する第２実施例による集積減衰器を有
する変調器の例を概略的に示す。

【図１６】逆Ｙ分岐減衰器に関して上位にマッハツェンダ変調器を有する、集
積減衰器を有する変調器の第３実施例を概略的に示す。

【図１７】傾斜逆Ｙ分岐光減衰器を使用する、第３実施例による集積減衰器を
有する変調器の例を概略的に示す。

【図１８】図１７によって実現された集積減衰器を有する変調器の例の消光比
対減衰範囲のグラフを示す。

【図１９】逆Ｙ分岐光減衰器に関して下位にマッハツェンダ変調器を有する、
集積減衰器を有する変調器の第４実施例を概略的に示す。

【図２０】傾斜Ｙ分岐光減衰器を使用する第４実施例による集積減衰器を有す
る変調器の例を概略的に示す。

【図２１】先行技術によるレーザ光源の発射波長を制御するフィードバック回
路を概略的に示す。

【図２２】本発明によるレーザ光源の発射波長を制御するフィードバック回路
を概略的に示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＢＺ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者デロルトフラヴィオイタリア国アイ−20038 セレグノ 60 ヴィアバレリニＦターム(参考） 2H047 KA03 KA12 LA12 NA02 QA03 RA08 TA05 TA11 2H079 AA02 AA12 BA03 CA05 CA24 DA03 EA05 EB02 EB12 FA01 FA04 GA01 HA13

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】平坦基板と、前記基板に集積されたマッハツェンダ変調器とを含
む集積光デバイスであって、前記マッハツェンダ変調器と光学的に結合され、且つ、前記基板上に集積され
て減衰範囲を与えるＹ分岐光減衰器と、前記Ｙ分岐減衰器と前記マッハツェンダ変調器との間のクロストークを減少さ
せる減少手段と、を含み、少なくとも６ｄBの減衰範囲の下で前記集積光デバイスの消光比が少
なくとも１８ｄBになることを特徴とする集積光デバイス。
【請求項２】少なくとも６ｄＢの減衰範囲の下で前記集積光デバイスの消光比
が少なくとも２０ｄＢであることを特徴とする請求項１記載の集積光デバイス。
【請求項３】前記マッハツェンダ変調器が前記Ｙ分岐減衰器のアームの１つと
光学的に結合されていることを特徴とする請求項１または２記載の集積光デバイ
ス。
【請求項４】前記マッハツェンダ変調器が前記Ｙ分岐減衰器の共通導波路と光
学的に結合されていることを特徴とする請求項１または２記載の集積光デバイス
。
【請求項５】前記減少手段が長手方向に対して平行に配置された前記Ｙ分岐減
衰器の１つのアームを含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の
集積光デバイス。
【請求項６】前記減少手段が前記基板上に拡散している無誘導放射線のフィル
タを含み、前記フィルタが前記Ｙ分岐減衰器と前記マッハツェンダ変調器との間
の範囲に配置されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の集積光
デバイス。
【請求項７】前記フィルタが前記Ｙ分岐減衰器と前記マッハツェンダ変調器を
結合する接続光導波路の側部に配置された金属片(metal strips)を含むことを特
徴とする請求項６記載の集積光デバイス。
【請求項８】前記金属片同士間の間隙が前記接続光導波路のＭＦＤの約１７０
％であることを特徴とする請求項７記載の集積光デバイス。
【請求項９】前記金属片の長さは約４ｍｍであることを特徴とする請求項７記
載の集積光デバイス。
【請求項１０】前記金属片が前記Ｙ分岐減衰器の電極の延長部分上に集積され
、前記電極間の間隙が前記延長部分の第１部分で前記光導波路のＭＦＤの約１０
０％から約１７０％へと順次増加し、前記延長部分の第２部分で前記光導波路の
ＭＦＤの約１７０％であることを特徴とする請求項７記載の集積光デバイス。
【請求項１１】前記延長部分の前記第２部分が約４ｍｍの長さを有することを
特徴とする請求項１０記載の集積光デバイス。
【請求項１２】前記減少手段が前記マッハツェンダ変調器の導波路の幅に対し
て５％から１６％狭い幅を有する前記Ｙ分岐減衰器のための導波路を含むことを
特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の集積光デバイス。
【請求項１３】前記Ｙ分岐減衰器の導波路の幅が前記マッハツェンダ変調器の
導波路の幅より８％少ないことを特徴とする請求項１２記載の集積光デバイス。
【請求項１４】基板と、前記基板上に集積されたマッハツェンダ変調器とを含
む集積光デバイスであって、前記基板上に集積されたＹ分岐減衰器をさらに含み、前記マッハツェンダ変調器が前記Ｙ分岐減衰器の１つのアームに光学的に結合
されていることを特徴とする集積光デバイス。
【請求項１５】基板上に集積された光導波路を含む少なくとも２つのデバイス
間のクロストークを減少させる方法であって、前記光デバイスの各々が光導波路
の少なくとも１つのマルチモード部分を含み、前記クロストークは前記光デバイ
ス間に含まれる範囲の前記基板上で伝搬される無誘導光放射線によって生成され
、前記方法が前記範囲の前記無誘導放射線をフィルタリングすることを含むこと
を特徴とする、クロストークを減少させる方法。
【請求項１６】光信号を発射するレーザ光源と、基板上に形成されたマッハツェンダ変調器を含み、前記光信号の強度を変調す
る集積光デバイスと、を含む伝送モジュールであって、前記集積光デバイスがさらに、前記変調器に光学的に結合された基板上に形成
され、減衰範囲を与えるＹ分岐光減衰器と、前記Ｙ分岐減衰器と前記マッハツェンダ変調器との間のクロストークを減少さ
せる減少手段とをさらに含むことを特徴とし、少なくとも６ｄBの減衰範囲の下で前記集積光モジュールの消光比が少なくと
も１８ｄBになる伝送モジュール。
【請求項１７】光信号を発射するレーザ光源と、基板上に形成されたマッハツェンダ変調器を含み、前記光信号の強度を変調する集積光デバイスと、を含む伝送モジュールであっ
て、前記集積光デバイスが前記基板上に形成されたＹ分岐光減衰器をさらに含み、前記マッハツェンダ変調器が前記Ｙ分岐減衰器に光学的に結合されていること
を特徴とする伝送モジュール。
【請求項１８】前記Ｙ分岐減衰器が前記マッハツェンダ変調器の上位に位置す
ることを特徴とする請求項１７記載の伝送モジュール。
【請求項１９】前記Ｙ分岐減衰器が前記マッハツェンダ変調器の下位に位置す
ることを特徴とする請求項１７記載の伝送モジュール。
【請求項２０】前記集積光デバイスが、前記Ｙ分岐減衰器の第２アームに結合
されたダミー導波路と、前記ダミー導波路に光学的に結合されたフィードバック
回路とを含み、前記フィードバック回路は前記発射信号の波長を制御するための
電気的制御回路を含むことを特徴とする請求項１８記載の伝送モジュール。