JP2003519388A - ラジオグラフィーのための方法及び装置並びに放射線検出器 - Google Patents

ラジオグラフィーのための方法及び装置並びに放射線検出器

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JP2003519388A
JP2003519388A JP2001550051A JP2001550051A JP2003519388A JP 2003519388 A JP2003519388 A JP 2003519388A JP 2001550051 A JP2001550051 A JP 2001550051A JP 2001550051 A JP2001550051 A JP 2001550051A JP 2003519388 A JP2003519388 A JP 2003519388A
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detector
gas
electrode
incident
avalanche
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フランク、トム
ウルベルグ、クリステル
ランタネン、ユーハ
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エックスカウンター アーベー
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J47/00—Tubes for determining the presence, intensity, density or energy of radiation or particles
    • H01J47/02—Ionisation chambers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/185—Measuring radiation intensity with ionisation chamber arrangements

Abstract

(57)【要約】 ラジオグラフィーのための方法及び装置並びに入射放射物を検出するための検出器。この方法及び装置では、X線（９）が、X線源（６０）から照射される。被写体に妨害されたX線は、検出器（６４）内で検出される。入射放射物を検出する検出器（６４）は、ガスアバランシェチャンバーであり、このチャンバーは、電極装置を含み、この電極装置の間に電圧を印加して、電界を発生させ、入射放射物によって放出された一次及び二次遊離電子の電子−イオンアバランシェを生じさせる。検出器は、少なくとも２つの検出器電極モジュールで電気信号を検出し、この電気信号は、互いに隣接して配され、各々入射放射物に対して実質的に平行な方向に沿って配された複数の検出器電極エレメントの内の少なくとも１つで電子−イオンアバランシェによって誘導され、少なくとも２つの検出器電極モジュールは、互いに極めて近接して配され、各々入射放射物に対して実質的に平行な方向に沿って配されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、ラジオグラフィーのための方法及び装置並びにガスアバランシェ検
出器（gaseous avalanche detector）に関する。
【０００２】 放射線画像形成のためにX線が、長い間使用されてきており、発展してきた。
その最も簡単な形態では、X線放射源と、放射線が透過する被写体と、透過した
放射線を検出し且つ記録する検出器とを配置して画像形成が行われる。X線は被
写体に散乱させ、それを検出器で検出してもよい。病院で現在使われているX線
検出器は、通常、スクリーンとフィルムを組み合わせたものである。蛍光体スク
リーン（例えばGd2O2S）では、X線光子が変換され、それにより２次光が製せら
れ、写真フィルムに記録される。フィルムを使用することによって画像のダイナ
ミックレンジが、制限されてしまう。また２次光が等方的に放射されるので、蛍
光体スクリーンを使用して効率を上げた場合、解像度を犠牲にしなければならな
い。
【０００３】 現在、デジタルX線検出器は、通常CCD、TFT等の半導体検出器によって構成さ
れている。ほとんどの医療用画像形成に必要とされる大きな画像フォーマットを
カバーするために検出器を大型化しなければならず、ほとんどの場合、仮に可能
だとしても製造コストが高くなり且つ生産性が低くなる。この問題を解決する方
法として検出器をモジュラー化し、全体を傾斜させて大きな画像フォーマットを
形成する方法がある。
【０００４】 しかしながら、このような半導体X線検出器の集合体を使用した場合、半導体
検出器は、電流の漏れを制限するためにその周囲に所謂ガードリングというもの
を必要とするので、ブラインド、即ち、非放射−検出領域が個々の検出器の境に
形成されるという問題点がある。
【０００５】 この問題点の解決手段が、米国特許第５，３８１，０１４号に開示されており
、ここではベースプレート上に集合体内に複数の別々のモジュール列を並列に並
べることによって大領域X線画像捕捉素子を構成し、これにより各モジュールが
、少なくとも１つの他のモジュールに隣接し、モジュールの２次元モザイクを形
成する。各モジュールは、誘電性基板の上面に隣接して配列された複数の薄膜ト
ランジスタ（TFT）を含み、この基板の少なくとも１つの精密設置縁部（precisi
on ground edge）が、別の基板の１つの精密設置縁部と正確に当接する。これに
より１つの連続した放射検出層が、これら複数の並列に配置されたモジュール上
に配され、モジュール間の非放射−検出領域を最小限に抑えることができる大型
のフォーマット素子が形成される。
【０００６】 この先行技術にも上述のような大領域のX線画像捕捉素子を製するために検出
器の各モジュラーが、物理的且つ電気的に互いに接触していなければならず、そ
のため製造及び組み立てコストが比較的高くなってしまうという欠点がある。
【０００７】 またこの種のモジュラー検出器は、各モジュールからのデータ及びアドレス回
路が、隣接するモジュールの対応する回路に接続されなければならず、これが組
み立てコストを高くしてしまうという欠点もある。
【０００８】 さらにこの種のモジュラー検出器には、モジュールが１つでも破損した場合、
放射検出層を取り除き、再度取り付けなければ交換することができないという欠
点もある。
【０００９】 本発明の目的は、X線検出器及び上述の欠点を少なくとも軽減するラジオグラ
フィーの方法及び装置を提供することである。
【００１０】 本発明では、X線源からX線を放射する工程と、電極装置を含み、その間に電界
を発生させるために電圧が印加されるガスアバランシェ検出器で被写体に妨害さ
れたX線を検出する工程とからなるラジオグラフィーで画像形成する方法におい
て、少なくとも２つの検出器電極モジュールで電気信号を検出し、電気信号は、
複数の検出器電極エレメントの内の少なくとも１つで電子−イオンアバランシェ
によって誘導され、これら検出器電極エレメントは、互いに隣接して配され、各
エレメントは、入射放射線に対して実質的に平行である方向に沿って配され、前
記少なくとも２つの独立した検出器電極エレメントモジュールが、互いに極めて
近接し、各々入射放射線に沿って実質的に平行な方向に配されていることを特徴
とする方法を提供する。
【００１１】 また本発明では、X線源と、電極装置を含み、その間に電界を発生させるため
に電圧が印加される、被写体に妨害されたX線光子を検出するためのガスアバラ
ンシェ検出器と、互いに隣接して配され、各々入射放射物に実質的に平行な方向
に沿って配された複数の検出器電極エレメントからなる少なくとも２つの独立し
た検出器電極モジュールとからなり、少なくとも２つの独立した検出器電極モジ
ュールが互いにきわめて近接して配され、各々入射放射物に対して実質的に平行
な方向に沿って配されていることを特徴とするラジオフラフィー用装置を提供す
る。
【００１２】 さらに本発明では、電極構造を含み、これらの間に電圧を印加して電界を発生
させる入射放射物を検出するガスアバランシェ検出器において、前記ガスアバラ
ンシェ検出器が、入射放射物を検出するためのガスアバランシェチャンバーを含
み、少なくとも２つの独立した検出器電極モジュールが、互いに隣接して配され
、各々入射放射物に対して実質的に平行な方向に沿って配された複数の検出器電
極エレメントからなり、少なくとも２つの独立した検出器電極モジュールが、互
いにきわめて近接して配され、各々入射放射物に対して実質的に平行な方向に沿
って配されていることを特徴とする検出器。
【００１３】 さらなる目的は、添付の特許請求の範囲に記載されている特徴によって達成さ
れる。
【００１４】 少なくとも２つの検出器電極モジュールを設けることによってモジュールが独
立し、従って交換が容易にできるという利点が得られる。
【００１５】 互いに独立した複数のモジュールを有することによりこれは物理的且つ電気的
に互いに接続する必要がなく、交換の手間を単純化することができ、組み立てコ
ストを減らすことができるという利点もある。
【００１６】 本発明による個々に独立したモジュールを設けることにより各モジュールの機
械的交差が、半導体検出器のモジュールに較べてそれほど厳格ではないので、製
造コストを減らすことができるという利点もある。
【００１７】 また少なくとも２つの検出器電極モジュールを設けることによって単独の大型
検出領域に比較して単位面積当たりの検出器の費用が安くなるという利点もある
。
【００１８】 またさらに少なくとも２つの検出器電極モジュールを設けることによって組み
立てられた検出器の歩留まりが、単独の大型検出領域に比較して高くなるという
利点もある。
【００１９】 導電性電極が配される基板は、上記導電素子の支持体としてのみ使用されるの
で、この基板に使用される材料の要件は、厳しくなく、従って製造コストが減り
、生産歩留まりが上がるという利点もある。
【００２０】 またさらに本発明のモジュラー検出器による利点として、検出器電極モジュー
ルを放射電極層でメッキする必要がないので、モジュールの製造、組み立て及び
交換を単純化することができるということが挙げられる。
【００２１】 図１及び２は、公知の面ビームラジオグラフィー（planar beam radiography
）用装置とガスアバランシェチャンバーを示す。スウェーデン特許出願第９７０
４０１５−８号参照。これらの図面を参照してガスアバランシェチャンバーの分
野について簡単に説明する。
【００２２】 図１は本発明による複数の検出器電極モジュールからなる検出器が配された面
ビームラジオグラフィーのための装置の面Ｘ線ビーム９の面に対して直交する面
における断面図である。
【００２３】 この装置は、Ｘ線源６０を有し、任意にではあるが第１の細長いコリメータウ
ィンドウ６１と共に平面扇形Ｘ線ビーム９を製し、被写体６２の照射を行う。第
１の細長いコリメータウィンドウ６１は、必要に応じて、Ｘ線回折ミラー又はＸ
線レンズなどの基本的に平面Ｘ線ビームを形成する他の手段と置き換えることが
できる。
【００２４】 このコリメータウィンドウは、生身の人間が被写体である場合などに被写体に
対する必要な線量を減らす役割を有する。
【００２５】 被写体６２を通過したビームは、任意にＸ線ビームと位置合わせされた細長い
スリット又は第２のコリメータウィンドウ１０を介して少なくとも２つの独立し
た検出器電極モジュールからなる検出器６４に入射する。入射Ｘ線光子の大半は
、Ｘ線光子が陰極プレート２と陽極プレート１の間に側方から入射するように配
向されたガスアバランシェチャンバーを含む検出器６４で検出される。
【００２６】 当該検出器及びその操作についてさらに以下に述べる。X線源６０と、第１の
細長いコリメータウィンドウ６１と、任意に設けられるコリメータウィンドウ１
０と、ガスアバランシェチャンバー６４は、互いに、特定の手段、例えばフレー
ム又は支持体６５又は個々にしかし共通に制御されたモーターによって移動可能
である。このようにして形成された当該ラジオグラフィー用装置は、検査される
被写体を走査するために同時に動くことができる。
【００２７】 ガスアバランシェチャンバーは、通常強い電界に曝されたガスの充満した容積
（volume）から構成され、この電界はチャンバーの２つの制限壁を構成する２枚
のプレートからなる電極間で高電圧を加えることによって発生する。作動中、X
線９は検出器に側方から入射する。入射したX線９は、検出器の近くに位置する
任意に設けられる細長いスリット又はコリメータウィンドウ１０を介して検出器
に入り、陰極プレート２に実質的に平行な方向にガス容積を介して移動する。ガ
ス容積内に入射した各X線光子は、ガスの分子との相互作用の結果として、ガス
内に一次電離電子イオン対（primary ionisation electron-ion pair）を生成す
る。このイオン対の生成は、光電効果又はコンプトン効果によるものであり、オ
ージェ効果による電子を伴う場合がある。生成された各一次電子１１は、別の気
体原子と相互作用することにより運動エネルギーを失い、さらに電子イオン対（
二次電離電子イオン対）が生成される。典型的には、本プロセスでは、２０keV
のX線光子１個により数百の二次電離電子イオンが生成される。二次電離電子１
６（一次電離電子と共に）は、それから強い電界内の電子−イオンアバランシェ
によって増幅される。アバランシェ電子及びイオンの運動は、電極内で電子信号
を誘導する。信号は、通常、一方又は両方の電極でピックアップされ、さらに読
み出し回路によって増幅及び処理され、X線光子の相互作用の位置及び必要に応
じてX線光子エネルギーが正確に測定される。
【００２８】 本発明の好ましい態様では、検出されるX線は、陰極及び陽極プレートに対し
て実質的に平行な方向で検出器に入射し、細長いスリット又はコリメータウィン
ドウを介して検出器に入ってもよい。このようにして、入射したX線光子の大半
が、相互作用し、且つ検出されるに充分な長さの相互作用経路を有する検出器が
、容易に作成できる。
【００２９】 図２に本発明の複数の検出器電極モジュールからなる検出器の態様を符号６４
で示す。このガス平行プレートアバランシェチャンバーは、陽極プレート１と陰
極プレート２とを含み、これらは互いに平行で且つ薄いガスが充満した間隙又は
領域１３によって離隔されている。陽極プレート１は、好ましくは厚さが０．１
乃至１０ｍｍの例えばガラス、セラミック又はシリコンから製せられる基板３を
含み、陽極電極４は、この基板の上に好ましくは０．０１乃至１０μｍの厚さを
有する導電性材料を塗布して形成される。
【００３０】 基板に良好に付着し且つ層の安定性を得るために電極を例えばバナジウム、銅
及びニッケルなどの材料で異なる厚さのいくつかの金属層で構成してもよい。基
板がガラスで形成されている場合、第１の層は、ガラス及びそれに続く金属層に
対して良好な付着性を有するクロニウムであることが好ましい。電極４は、これ
ら金属層の最も上の層に蒸着される例えば一酸化ケイ素などの抵抗性材料の層を
含んでもよい。またこれとは別に、基板を、誘電性材料でコートされた導電性材
料で形成してもよい。電極４はこの誘電性材料の上に配される。
【００３１】 同様に陰極プレート２は、陽極で説明したものと類似のコーティング層５を有
する基板６を含む。陽極電極４と陰極電極５は両方とも入射するX線ビームに対
して平行及び／又は直交する複数の片にセグメント化することも可能である。
【００３２】 間隙又は領域１３は、ガスで充満されるが、このガスは例えば９０％のクリプ
トンと１０％の二酸化炭素の混合物又は例えば９０％のアルゴンと１０％のメタ
ンの混合物であってもよい。このガスは加圧可能で、好ましくは１乃至２０気圧
の範囲である。
【００３３】 陽極電極４と陰極電極５は、平行プレート１と２の間の間隙又は領域１３に均
一な電界８を製する高電圧直流源７に接続される。一例として、間隙又は領域１
３の高さD（平行プレート１と２の間の距離）が５００ミクロンで、電極４と５
の間に加えられる電圧Vは、１気圧でアルゴン／CO2（８０／２０）混合物で１５
００Vである。この電圧が、電極４、５の間に電界Eを発生させ、E＝V／Dとなる
。距離Dと電圧Vは、１０6V／ｍ程度の電界を供するように選択される。従って、
距離Dが５００μｍで電圧Vが１５００Vの場合、電界はE＝３・１０6V／ｍとなる
。
【００３４】 作動中、X線９は検出器に側方から入射する。入射したX線９は、陰極プレート
２の近くに位置する任意に設けられる細長いスリット又はコリメータウィンドウ
１０を介して検出器に入り、陰極プレート２に平行な方向に気体容積を介して移
動する。各X線光子は、ガス原子との相互作用の結果生じる一次遊離電子イオン
対をガス内で製する。生成された各一次電子１１は、別の気体原子と相互作用す
ることにより運動エネルギーを失い、さらに電子イオン対（二次電離電子イオン
対）が生成される。通常、本プロセスでは２０keVのX線光子１個により数百の二
次電離電子イオン対が、生成される。二次電離電子イオン対１６（一次電離電子
１１と共に）は、高電界で陽極プレート１の方向に加速される。加速された電子
１１、１６は、間隙１３内で他の気体分子と相互作用し、さらに電子イオン対を
生成する。この工程は、電子が陽極に向かって移動する間続き、アバランシェが
形成される。
【００３５】 陽極から距離Hで照射された一次電離電子の場合、電位ゲイン（charge gain）
は、M＝exp（αH）で表され、この場合αは、ガス及び電界条件に関連する第１
タウンゼント係数（Townsend coefficient）である。ガスの種類、圧力及び電界
を適切に選択すれば、１０4乃至１０6又はそれ以上のゲインが得られる。強い電
界の影響下では、アバランシェ容積の電子は、陽極の方へ移動し、イオンは陰極
の方へ移動する。強い電界が間隙に亘って均一になり且つ間隙１３の高さDが低
いことにより、増幅容積を横断する正イオンのドリフトタイムが、非常に短くな
り、これにより空間電位効果（space charge effects）を著しく減少させる。
【００３６】 ガスが充満した間隙１３の電位の移動は、陽極電極４と陰極電極５上の電荷を
誘導する。誘導された電荷は、例えば感電荷増幅器（charge sensitive amplifi
er）に結合した陽極電極４によって検出される。この増幅器は、電荷パルスを処
理エレクトロニクス１４中で処理可能な電流又は電圧パルスに転換する。この処
理エレクトロニクスもこのプレ増幅器を含む。陰極電極又は別個の検出電極構造
体を同じ方法で検出に使用することができる。ガス平行プレートアバランシェチ
ャンバー内の速い電子信号は、総誘導電位（total induced charge）のかなりの
フラクションFを構成し、約１０5のゲインで総信号の約１０％を占める。
【００３７】 ここで注目すべきは、ガス原子と相互作用する各X線光子は、被検出アバラン
シェ１２を生じさせるということである。X線光子の大部分がアバランシェを生
じさせる高検出効率を達成するために入射したX線光子の方向のガス平行プレー
トアバランシェチャンバーの長さは、高い確立でX線光子とガス原子間の相互作
用が得られるように選択されなければならない。経路長さ単位毎の相互作用の確
立は、ガスの圧力が増加するごとに増加し、その結果、ガス平行プレートアバラ
ンシェチャンバーの長さをガス圧力を増加させながら短くすることができる。
【００３８】 図３は、面ビームラジオグラフィー用検出器の面X線ビーム９の面に対して直
交する面での断面図である。X線ビームと位置合わせされて配された任意の細長
いスリット又は第２コリメータウィンドウは、X線ビーム９の検出器６４への入
り口を形成する。入射したX線光子の大部分は、検出器６４内で検出され、この
検出器は変換ドリフト容積１３と電子アバランシェ増幅のための手段とを含み、
X線光子が２つの電極装置１、２間で横方向に入るように配向されている。また
この２つの電極装置間で変換ドリフト容積１３内で電子とイオンのドリフトのた
めの電界が、形成される。
【００３９】 検出器６４は、陰極プレート２である第１ドリフト電極装置と陽極プレート１
である第２ドリフト電極装置とを含む。これら電極装置は、互いに平行であり、
その間の空間は、変換ドリフト容積となる薄いガスで充満した間隙又は領域１３
と電子アバランシェ増幅手段１７を含む。これとは別にこれらプレートを非平行
に配してもよい。陽極プレート１と陰極プレート２との間に電圧が印加され、一
つ又はいくつかの電圧が、電子アバランシェ増幅手段１７に印加される。これに
より間隙１３において電子及びイオンのドリフトを引き起こすドリフト電界が生
じ、また電子アバランシェ増幅手段１７において電子アバランシェ増幅電界が生
じる。陽極プレート１と関連して電子アバランシェの検出のための読み出しエレ
メント装置１５が、設けられている。好ましくは読み出しエレメント装置１５も
陽極電極を構成する。これとは別に読み出しエレメント装置１５を陰極プレート
２または電子増幅手段１７に関連して形成することも可能である。また、読み出
しエレメント装置１５を誘電体層又は基板によって陽極電極又は陰極電極から隔
離された陽極又は陰極プレート上に形成してもよい。この場合、陽極又は陰極電
極は、誘導パルスに対して半透明である必要があり、例えばストリップ又はパッ
ド状に形成される。ドリフト容積と増幅容積は、図３ｂに示すように導電表面を
有する薄いメッシュで離隔される。電位が陰極とメッシュの間のドリフト容積内
で弱い電界を生じさせるためにメッシュの表面に供給され、生成された一次及び
二次電離電子１１、１６をガス中の電子イオンアバランシェプロセスで増幅され
ずに又は適度に増幅されてメッシュの方へドリフトする。メッシュ表面の電位は
、メッシュと陽極間の増幅領域内の電界が、ガス内で電子イオンアバランシェプ
ロセスを生じさせるのに充分な強さを有するように供給される。移動する電子と
イオンから誘導された信号は、陽極及び／又はメッシュ上の電極装置で検出され
る。
【００４０】 図から明らかなように、被検出X線は、検出器に側方から入射し、陰極プレー
ト２と陽極プレート１との間の変換ドリフト容積１３に入る。X線は、好ましく
は、陰極２と陽極１に平行な方向で検出器に入射し、細長いスリット又はコリメ
ータウィンドウ１０を介して検出器に入射してもよい。このようにして入射X線
光子の主用部分が相互作用し且つ検出されるに充分な長さの相互作用経路を有す
る検出器が容易に作製することができる。コリメータを使用する場合、コリメー
タは好ましくは薄い面ビームアバランシェが、電子アバランシェ増幅手段１７に
近接する検出器に入射するように配置し且つ好ましくはそれと平行になるように
配される。
【００４１】 間隙又は領域１３はガスで満たされるが、このガスは、例えば９０％のクリプ
トンと１０％の二酸化炭素の混合物又は例えば８０％のキセノンと１０％の二酸
化炭素の混合物であってもよい。ガスは加圧可能で、好ましくは１乃至２０気圧
の範囲である。従って、検出器は、スリット状の入射ウィンドウ９２を有する気
密性ハウジング９１を含み、このウィンドウを介してX線ビーム９が検出器に入
射する。このウィンドウは、放射線に対して透明な材質、例えばマイラー又は薄
いアルミフォイルで形成される。これは、これまで用いられている陽極と陰極プ
レートに垂直に入射する放射線用に設計され、広範囲をカバーするウィンドウを
要するガスアバランシェチャンバーと比較して、特にガスアバランシェチャンバ
ー６４の側方入射ビームを検出する本発明の有利な付加的効果である。このウィ
ンドウは、このようにさらに細くでき、従ってウィンドウで吸収されるX線光子
を減ずることができる。
【００４２】 作動中、入射X線９は、もし設置されていれば、電子アバランシェ手段１７に
近接する任意の細長いスリット又はコリメータウィンドウ１０を介して検出器に
入射し、さらにガス容積中を好ましくは電子アバランシェ増幅手段１７と平行な
方向に通過する。各X線光子は、気体原子との相互作用の結果、ガス内の一次電
離電子イオン対を生成する。この生成は、光電効果、コンプトン効果又はオージ
ェ効果による。生成された各一次電子１１は、別の気体原子と相互作用すること
により運動エネルギーを失い、さらに電子イオン対（二次電離電子イオン対）が
生成される。通常、本プロセスでは、２０keVのX線光子１個から数百の二次電離
電子イオン対が生成される。二次電離電子１６（一次電離電子１１と共に）は、
変換ドリフト容積１３の電界により電子アバランシェ増幅手段１７の方へドリフ
トする。電子が電子アバランシェ増幅手段１７の電気力線の収束する領域に入射
すると、電子はアバランシェ増幅される。
【００４３】 アバランシェ電子とイオンの運動は、読み出しエレメント装置内で電子アバラ
ンシェ検出のための電気信号を誘導する。これらの信号は、電子アバランシェ増
幅手段１７、陰極プレート２又は陽極１又は２つ以上の前記領域の組み合わせと
関連して検出される。信号は、読み出し回路１４でさらに増幅及び処理され、X
線光子の相互作用の位置及び必要に応じてX線光子エネルギーが正確に測定され
る。
【００４４】 図４ａは、１つの検出器電極モジュールを示す。この検出器電極モジュール４
は、陽極又は陰極電極として作用するストリップ２０として形成された検出器電
極エレメントからなる。複数のストリップ２０状の検出器電極エレメントは、並
んで配され、各々の位置で入射X線光子の方向に平行な方向に延びている。この
ストリップは、互いに電気的に絶縁された基板１００上に形成される。これらス
トリップの間には、間隙２３が設けられている。またこれらストリップは、写真
平版法又は電鋳法などにより形成される。
【００４５】 各ストリップは、別個の信号導体２２によって処理回路１４に接続されている
。陽極又は陰極が検出器電極モジュールを構成する部位では、信号導体２２は、
また各ストリップを高電圧直流源７（図４ａに示されていない）に接続する。ス
トリップ２０と間隙２３は、入射X線光子の方向に沿って広くなるようにしても
よく、これによりパララックスエラーを補償する。これとは別にストリップを入
射X線に対して垂直に互いに電気的に絶縁されたセグメントに分割してもよい。
【００４６】 図４ａに示す検出器電極モジュールは、陽極であるのが好ましいが、これとは
別に又は同じように陰極がこのような構造であってもよい。
【００４７】 基板１００は、金属で形成することができ、その表面には電気的に絶縁性の材
料からなる層が配される。この材料の上に上記検出器電極エレメントが配される
。
【００４８】 これとは別に、基板１００はガラス又はセラミックなどの電気的に絶縁性の材
料で形成することができる。上記検出器電極エレメントは、この基板の表面に直
接配される。
【００４９】 さらにこれとは別に、基板を珪素などの半導体材料で形成することができる。
上記検出器電極エレメントをこの基板の表面に直接又はこの半導体材料の酸化物
などの誘電性材料からなる中間層の表面に設けてもよい。
【００５０】 珪素などからなる基板１００は、標準的なエッチング又はカッティング技術を
用いて平坦で且つ原子レベルに近い平滑さを有する任意の形状の独立した検出器
電極モジュールを形成するように任意の形状に切断してもよい。結晶方向に合わ
せて選択されるエッチング技術は、三次元でほぼ任意の形状に電極を形成するこ
とができるので、特にドライエッチングは検出器電極モジュールを形成する上で
有効である。
【００５１】 図４ｂでは、上記処理電極を含む各独立した検出器電極モジュールが、支持エ
レメント１１０の表面で互いに隣接して配されている。この支持エレメントは、
いかなる材料で形成してもよい。各検出器電極モジュールは、隣接するモジュー
ルと物理的に接触してもよく又は僅かな距離をおいて離れていてもよい。個々の
検出器電極装置の境界でブラインドとなる非放射検出領域ができないように２つ
の検出器電極モジュール間の距離は、電極ピッチより大きくない方がよい。
【００５２】 図４ａと４ｂに示した態様では、処理エレクトロニクスは検出器電極モジュー
ルと同じ基板に配されている。しかしながら、処理エレクトロニクスは別の基板
に配してもよい。図４ｂでは、２つの検出器電極装置のみが、互いに隣接して配
されているが、３つ以上の検出器電極モジュールをそれぞれ入射放射線に対して
実質的に垂直な方向に沿って互いに隣接して配してもよい。また検出器電極モジ
ュールをそれぞれ入射放射線に沿って実質的に平行な方向に互いに隣接して配し
てもよい。
【００５３】 本発明をいくつかの好ましい態様を参照して説明したが、添付の特許請求の範
囲に記載してように本発明の範囲を逸脱しない範囲で種々の変型例が可能である
ことを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図１】 少なくとも本発明による２つの検出電極装置からなる検出器が配された面ビー
ムラジオグラフィー（planar beam radiography）用装置の略式全体図。
【図２】 少なくとも２つの本発明による検出器電極モジュールからなるガス平行プレー
トアバランシェチャンバー（gaseous parallel plate avalanche chamber）の第
１の態様の略式断面図。
【図３ａ】 少なくとも本発明による２つの検出器電極装置からなる面ビームラジオグラフ
ィー用装置の略式全体図。
【図３ｂ】 少なくとも２つの本発明による検出器電極モジュールからなるガス平行プレー
トアバランシェチャンバーの第２の態様の略式断面図。
【図４ａ】 上記構造の分離前の基板上に配された処理電子部品を含む１つの検出器電極の
略式頂面図。
【図４ｂ】 支持体に互いに隣接して配された処理電子部品を含む２つの独立した検出器電
極モジュールの略式頂面図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ， ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＢＺ，Ｃ Ａ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ， ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，Ｋ Ｅ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ， ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，Ｒ Ｕ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ， ＺＡ，ＺＷ Ｆターム(参考） 2G088 EE01 EE27 FF02 GG03 JJ04 JJ08 JJ12 JJ22 JJ32 KK32 5C038 DD02 DD03 DD04 DD09 DD12 DD13

Claims (34)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 X線源からX線を放射する工程と、電極装置を含み、その間に
    電界を発生させるために電圧が印加されるガスアバランシェ検出器で被写体に妨
    害されたX線を検出する工程とからなるラジオグラフィーで画像形成する方法に
    おいて、少なくとも２つの検出器電極モジュールで電気信号を検出し、前記電気
    信号は、複数の検出器電極エレメントの内の少なくとも１つで電子−イオンアバ
    ランシェによって誘導され、これら検出器電極エレメントは、互いに隣接して配
    され、各エレメントは、入射放射線に対して実質的に平行である方向に沿って配
    され、前記少なくとも２つの独立した検出器電極エレメントモジュールが、互い
    に極めて近接し、各々入射放射線に沿って実質的に平行な方向に配されている場
    所で配されていることを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 前記X線が、被写体を通過していることを特徴とする請求項
    １記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記X線が、被写体によって反射されていることを特徴とす
    る請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】 検出される放射物が、第１及び第２プレートの間を横方向に
    入射するように配向されたガスアバランシェチャンバーで、X線を検出する工程
    をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至３いずれか１項に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記第１及び第２プレートにそれぞれ含まれる第１及び第２
    電極装置の間に電圧を印加し、前記第１及び第２プレートの間に電界を生じさせ
    、入射したX線光子によって放出された一次及び二次電離電子の電子−イオンア
    バランシェを引き起こす工程をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至４いず
    れか１項に記載の方法。
  6. 【請求項６】 検出器内で一次電離電子−イオン対を生成するために入射X
    線光子の大部分が気体原子と相互作用するような前記ガスアバランシェ検出器が
    深さを有する場所で入射放射物の方向にX線を検出する工程をさらに含むことを
    特徴とする請求項１乃至５いずれか１項に記載の方法。
  7. 【請求項７】 X線源と、電極装置を含み、その間に電界を発生させるため
    に電圧が印加される、被写体に妨害されたX線光子を検出するためのガスアバラ
    ンシェ検出器と、互いに隣接して配され、各々入射放射物に実質的に平行な方向
    に沿って配された複数の検出器電極エレメントからなる少なくとも２つの独立し
    た検出器電極モジュールとからなり、前記少なくとも２つの独立した検出器電極
    モジュールが互いにきわめて近接して配され、各々入射放射物に対して実質的に
    平行な方向に沿って配されていることを特徴とするラジオフラフィー用装置。
  8. 【請求項８】 前記X線が、被写体を通過していることを特徴とする請求項
    ７記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記X線が、被写体によって反射されていることを特徴とす
    る請求項１記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記X線源と被写体との間に位置する実質的に面であるX線
    ビームを形成する手段をさらに含むことを特徴とする請求項７乃至９いずれか１
    項に記載の装置。
  11. 【請求項１１】 前記ガスアバランシェ検出器が、入射X線放射物を検出す
    るためのガスプレートアバランシェチャンバーを含み、このガスプレートアバラ
    ンシェチャンバーが、第１及び第２プレートの間を横方向にX線が入射するよう
    に配向され、前記第１及び第２プレートの間に、電界が発生するように前記第１
    及び第２プレートそれぞれに含まれる第１及び第２電極構造の間に電圧が、印加
    され、前記ガスプレートアバランシェチャンバーが、検出器内に一次遊離電子−
    イオン対を生成するために入射X線光子の大部分が、気体原子と相互作用するよ
    うに入射放射物の方向に沿った深さを有することを特徴とする請求項７乃至１０
    いずれか１項に記載の装置。
  12. 【請求項１２】 ガスアバランシェチャンバーの前記プレートが、平行であ
    ることを特徴とする請求項７乃至１１いずれか１項に記載の装置。
  13. 【請求項１３】 ガスアバランシェチャンバーの前記プレートが、非平行で
    あることを特徴とする請求項７乃至１１いずれか１項に記載の装置。
  14. 【請求項１４】 少なくとも１つの前記検出器電極モジュールの検出器電極
    エレメントが、長尺であり、並んで配されたストリップによって形成され、互い
    に電気的に絶縁していることを特徴とする請求項７乃至１３いずれか１項に記載
    の装置。
  15. 【請求項１５】 各前記検出器電極モジュールの基板（１００）が、支持エ
    レメント（１１０）上に配されていることを特徴とする請求項７乃至１４いずれ
    か１項に記載の装置。
  16. 【請求項１６】 前記基板が、誘電性又は半導体材料によって覆われた金属
    材料から製せられていることを特徴とする請求項７乃至１５いずれか１項に記載
    の装置。
  17. 【請求項１７】 処理エレクトロニクス（１４）が、検出器電極エレメント
    と同じ基板（１００）上に配されていることを特徴とする請求項７乃至１６いず
    れか１項に記載の装置。
  18. 【請求項１８】 前記処理エレクトロニクスが、検出器電極エレメントが配
    される基板（１００）とは別の基板に配されていることを特徴とする請求項７乃
    至１７いずれか１項に記載の装置。
  19. 【請求項１９】 前記検出器電極モジュールが、互いに電気的及び／又は物
    理的に接触して配されていることを特徴とする請求項７乃至１８いずれか１項に
    記載の装置。
  20. 【請求項２０】 前記支持エレメントが、陽極（３）の基板又は陰極（６）
    の基板であることを特徴とする請求項７乃至１９いずれか１項に記載の装置。
  21. 【請求項２１】 前記ストリップが、互いに電気的に絶縁したセクションに
    入射X線に対して垂直に分割されていることを特徴とする請求項７乃至２０いず
    れか１項に記載の装置。
  22. 【請求項２２】 電極装置を含み、これらの間に電圧を印加して電界を発生
    させる入射放射物を検出するガスアバランシェ検出器において、前記ガスアバラ
    ンシェ検出器が、入射放射物を検出するためのガスアバランシェチャンバーを含
    み、少なくとも２つの独立した検出器電極モジュールが、互いに隣接して配され
    、各々入射放射物に対して実質的に平行な方向に沿って配された複数の検出器電
    極エレメントからなり、前記少なくとも２つの独立した検出器電極モジュールが
    、互いにきわめて近接して配され、各々入射放射物に対して実質的に平行な方向
    に沿って配されていることを特徴とする検出器。
  23. 【請求項２３】 前記ガスアバランシェチャンバーに第１及び第２プレート
    の間を横方向に入射する放射物用の入口が設けられており、前記第１及び第２プ
    レートの各々に含まれる第１及び第２電極装置間に電圧を印加して前記第１及び
    第２プレートの間に電界を発生させることを特徴とする請求項２２記載の検出器
    。
  24. 【請求項２４】 前記ガスアバランシェチャンバーが、検出器内に一次遊離
    電子−イオン対を生成するために入射X線光子の大部分が、気体原子と相互作用
    するように入射放射物の方向に沿った深さを有することを特徴とする請求項２２
    又は２３記載の検出器。
  25. 【請求項２５】 前記ガスアバランシェチャンバーの前記プレートが、平行
    であることを特徴とする請求項２２乃至２４記載の検出器。
  26. 【請求項２６】 前記ガスアバランシェチャンバーの前記プレートが、非平
    行であることを特徴とする請求項２２乃至２４記載の検出器。
  27. 【請求項２７】 少なくとも１つの前記検出器電極モジュールの検出器電極
    エレメントが、長尺で、並んで配されたストリップによって形成され、互いに電
    気的に絶縁していることを特徴とする請求項２２乃至２６いずれか１項に記載の
    検出器。
  28. 【請求項２８】 各前記検出器電極モジュールの基板（１００）が、支持エ
    レメント（１１０）上に配されていることを特徴とする請求項２２乃至２６いず
    れか１項に記載の装置。
  29. 【請求項２９】 前記基板が、誘電性又は半導体材料によって覆われた金属
    材料から製せられていることを特徴とする請求項２２乃至２８いずれか１項に記
    載の装置。
  30. 【請求項３０】 処理エレクトロニクス（１４）が、検出器電極エレメント
    と同じ基板（１００）上に配されていることを特徴とする請求項２２乃至２９い
    ずれか１項に記載の装置。
  31. 【請求項３１】 前記処理エレクトロニクスが、検出器電極エレメントが配
    される基板（１００）とは別の基板に配されていることを特徴とする請求項２２
    乃至３０いずれか１項に記載の装置。
  32. 【請求項３２】 前記検出器電極モジュールが、互いに電気的及び／又は物
    理的に接触して配されていることを特徴とする請求項２２乃至３１いずれか１項
    に記載の装置。
  33. 【請求項３３】 前記支持エレメントが、陽極（３）の基板又は陰極（６）
    の基板であることを特徴とする請求項２２乃至３２いずれか１項に記載の装置。
  34. 【請求項３４】 前記ストリップが、互いに電気的に絶縁したセクションに
    入射X線に対して垂直に分割されていることを特徴とする請求項２２乃至３３い
    ずれか１項に記載の装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007240467A (ja) * 2006-03-11 2007-09-20 Yokoyama Yoshitaka 開放窓型電離箱
JP2012255698A (ja) * 2011-06-08 2012-12-27 Dainippon Printing Co Ltd ガス増幅を用いた放射線検出器、及びガス増幅を用いた放射線の検出方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE522428C2 (sv) * 2000-09-20 2004-02-10 Xcounter Ab Metod och anordning för anpassningsbar energiupplöst detektering av joniserande strålning
SE522484C2 (sv) * 2000-09-28 2004-02-10 Xcounter Ab Kollimation av strålning från linjelika källor för joniserande strålning och därtill relaterad detektering av plana strålknippen
SE531661C2 (sv) * 2000-12-14 2009-06-23 Xcounter Ab Detektering av strålning och positronemissionstomografi
DE10335718B4 (de) * 2003-08-05 2007-05-03 Johannes-Gutenberg-Universität Mainz Anodenbauteil für Delayline-Detektoren und Delayline-Detektor
US20060175785A1 (en) * 2004-02-25 2006-08-10 Hamm Alton B Methods of improving stability of a vehicle using a vehicle stability control system
US20060163825A1 (en) * 2004-02-25 2006-07-27 Hamm Alton B Vehicle stability control system
JP4765506B2 (ja) * 2005-09-16 2011-09-07 大日本印刷株式会社 放射線検出パネルの製造方法、放射線検出パネル
US8704189B2 (en) * 2009-11-18 2014-04-22 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. System and method for ionizing radiation detection
EP2569799A4 (en) * 2010-05-13 2015-01-21 Proportional Technologies Inc DETECTION PROBES COATED WITH BORON
CN103308937A (zh) * 2013-06-26 2013-09-18 清华大学 一种二维读出的高位置、高时间分辨探测器
US11125904B2 (en) 2014-12-12 2021-09-21 Lingacom Ltd. Large scale gas electron multiplier with sealable opening
US10393893B2 (en) * 2014-12-12 2019-08-27 Lingacom Ltd. Method and apparatus for high atomic number substance detection
US11054532B2 (en) * 2018-06-13 2021-07-06 Prismatic Sensors Ab X-ray detector system design
CN108802796B (zh) * 2018-06-27 2020-05-05 西北核技术研究所 一种用于质子同步加速器的紧凑型宽频带束流位置探测器

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5826143B2 (ja) * 1978-07-19 1983-06-01 日本原子力研究所 ガンマ線補償型電離箱
FR2504277A1 (fr) * 1981-04-15 1982-10-22 Commissariat Energie Atomique Detecteur de rayons x
FR2570908B1 (fr) * 1984-09-24 1986-11-14 Commissariat Energie Atomique Systeme de traitement des signaux electriques issus d'un detecteur de rayons x
US4937453A (en) * 1987-05-06 1990-06-26 Nelson Robert S X-ray detector for radiographic imaging
GB9202693D0 (en) * 1992-02-08 1992-03-25 Philips Electronics Uk Ltd A method of manufacturing a large area active matrix array
FR2702571B1 (fr) * 1993-03-11 1995-05-24 Charpak Georges Dispositif d'imagerie de particules ionisantes au moyen d'une chambre proportionnelle multifils.
US5381014B1 (en) * 1993-12-29 1997-06-10 Du Pont Large area x-ray imager and method of fabrication
FR2718633B1 (fr) * 1994-04-19 1996-07-12 Georges Charpak Dispositif d'imagerie médicale en rayonnement ionisant X ou gamma à faible dose.
US5629524A (en) * 1995-02-21 1997-05-13 Advanced Scientific Concepts, Inc. High speed crystallography detector
FR2731279B1 (fr) * 1995-03-03 1997-05-09 Charpak Georges Perfectionnements aux dispositifs d'imagerie medicale en rayonnement ionisant x ou gamma a faible dose
FR2739941B1 (fr) * 1995-10-11 1997-11-14 Commissariat Energie Atomique Detecteur de position, a haute resolution, de hauts flux de particules ionisantes
FR2749402B1 (fr) * 1996-05-29 1998-08-07 Charpak Georges Dispositif d'imagerie radiographique a haute resolution
SE513161C2 (sv) * 1997-11-03 2000-07-17 Digiray Ab En metod och en anordning för radiografi med plant strålknippe och en strålningsdetektor

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007240467A (ja) * 2006-03-11 2007-09-20 Yokoyama Yoshitaka 開放窓型電離箱
JP4671153B2 (ja) * 2006-03-11 2011-04-13 横山 義隆 開放窓型電離箱
JP2012255698A (ja) * 2011-06-08 2012-12-27 Dainippon Printing Co Ltd ガス増幅を用いた放射線検出器、及びガス増幅を用いた放射線の検出方法

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