CN1415076A - 射线照相的方法与装置和辐射检测器 - Google Patents

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Abstract

一种用于射线照相的方法和装置及检测入射射线的检测器。在本方法和装置中，X－射线(9)从X－射线源(60)发射。与成像物体(62)干涉的所述X－射线在检测器(64)中被检测。检测入射射线的检测器(64)为一个气体雪崩室，包括在其间施加电压来产生电场的电极配置，此电场导致被入射射线释放的一次和二次离子化电子的电子－离子雪崩。检测器检测至少两个检测器电极模块中的电信号，所述电信号由电子－离子雪崩感生，多个检测器电极元件中至少一个彼此相邻布置，每个沿着基本平行于入射射线的方向，在至少两个独立检测器电极模块布置成彼此紧密接近的地方，每个沿着基本平行于入射射线的方向。

Description

射线照相的方法与装置和辐射检测器
发明领域
本发明涉及射线照相的方法与装置和气体雪崩检测器。
发明背景
X-射线已被用于射线成像很久，并得到巨大的发展。在其最简单的形式中，通过提供一个X-射线源，一个被射线穿透的成像物体，及一个用于检测和记录穿透射线的检测器进行成像。X-射线也可以被成像物体散射而被检测器检测。目前医院里使用的X-射线检测器通常为屏膜组成。在磷屏幕(例如Gd2O2S)中，X-射线光子被转变，从而产生二次光，它被记录到光学成像膜上。成像膜的使用限制了成像的动态范围。因为二次光为各向同性发射，通过牺牲分辨率，使用磷屏幕以提高效率。
目前数字X-射线检测器通常由某种类型的半导体检测器例如CCD，TFT等构成。为了包括大多数医学X-射线成像中所需要的大型图像格式，检测器必须做成很大，在大多数情形下，如果可能，它也导致高生产成本和低产量。一种解决上述问题的方法是制作检测器组件而平铺在一起以形成大的图像格式。
但是，使用这种半导体X-射线检测器集成也引入另一问题，其中，空白的非辐射检测区域被引入至各检测器的边界上，因为半导体检测器需要其周围所谓的隔离环来限制漏电流。
US.Pat.No 5 381 014中公布了上述问题的解决方法，其中，通过在基底板上的集成体上并列多个分离阵列模块，以便每个模块至少与另一模块相邻形成二维模块镶嵌图案，他们制备出大面积X-射线图像捕捉元件。每个模块包括多个相邻排列于介电衬底顶面上的薄膜晶体管(TFT)，且该衬底的至少一个精细打磨边与另一衬底的精细打磨边形成精密接触。从而一个连续的辐射检测层被放置于多个并列模块上以形成大格式元件，这使模块间的非辐射检测面积最小。
上述现有技术的缺点是检测器的各模块必须与另一模块呈物理和电接触以产生所述的大面积X-射线图像捕捉元件，这将导致较高的生产和装配成本。
上述类型的模块检测器的另一缺点在于，各模块的数据和寻址电路必须连接至相邻模块的相应电路，这将也导致较高的装配成本。
上述类型的模块检测器的再一缺点在于，如果可能，若不去除和重新淀积辐射检测层，不能替换破裂的模块。
发明概述
本发明的一个目的是提供一种X-射线检测器与用于至少减弱上述缺点的射线照相的方法和装置。
根据本发明的一个方面，提供用于如权利要求1和权利要求7中分别规定的射线照相的方法和装置及权利要求22中规定的X-射线检测器。
另外的目的通过附加的权利要求中的其它特征而实现。
具有至少两个检测器电极模块的一个优点在于它们提供独立的模块，因此容易替换。
具有独立模块的另一优点在于它们既不需要物理的也不需要电气的彼此接触，这将简化改变上述布置的能力，并减少装配成本。
根据本发明的具有独立模块的再一优点在于，各模块的机械容差比半导体检测器中的模块低得多，因此生产成本降低。
具有至少两个检测器电极模块的再一优点在于，检测器的每单位面积将比单个大面积检测器的每单位面积较廉价。
具有至少两个检测器电极模块的再一优点在于，装配检测器的产量将比单个大面积检测器较高。
再一优点在于，其上布置导电电极的衬底材料要求不高，因为上述衬底仅用作上述导电元件的载体，因此制造成本降低，而产量提高。
发明的模块检测器的再一优点在于，检测器电极模块无需通过辐射检测层淀积，这简化了上述模块的制造、装配和替换。
附图简述
图1从整体上概括地描述一个用于平面束射线照相的装置，其中布置一个包括至少两个根据本发明的检测器电极布置的检测器。
图2为一个气体平行板雪崩室包括至少两个根据本发明的检测器电极模块的第一实施方案的概括截面图。
图3a从整体上概括地描述了一个包括至少两个根据本发明的检测器电极布置的平面束射线照相的装置。
图3b为一个气体平行板雪崩室包括至少两个根据本发明的检测器电极模块的第二实施方案的概括截面图。
图4a为包括在上述布置分离前布置在衬底上的处理电子电路的一个检测器电极模块的概括俯视图。
图4b为包括在承载元件上彼此相邻布置的处理电子电路的两个独立检测器电极模块的概括俯视图。
优选实施方案描述
图1和图2表示一个平面束射线照相的装置和一个根据现有技术的气体雪崩室，参见瑞典专利申请SE-9704015-8。相应于上述图的描述为读者提供对气体雪崩检测器领域的简单介绍。
图1是一个与平面束射线照相装置的平面X-射线束9平面垂直的平面内的截面图，其中布置一个包括多个根据本发明的检测器电极模块的检测器。
装置包括X-射线源60，它可选地与第一薄准直仪窗61一起产生平面扇形X-射线束9，用于对成像物体62的辐射。如果需要，第一可选的薄准直仪窗61可由另一个用于形成基本上平面的X-射线束的装置例如X-射线衍射镜或X-射线透镜等替换。
此准直仪窗的用途为在某些情形下，例如活人成像时所必需的，减少到达物体的剂量。
穿过物体62的射线束进入包括至少两个独立检测器电极模块的检测器64，可选地通过与X-射线束对准的细缝或第二准直仪窗10。入射X-射线光子的主要部分在包括气体雪崩室的检测器64中被检测，被定向以便X-射线光子侧向进入阴极板2和阳极板1之间。
检测器及其工作将在下面作进一步叙述。X-射线60，第一可选的薄准直仪窗61，可选的准直仪窗10和气体雪崩室64可通过某种装置65，例如框架或支撑物65或独立的但通常受控的马达，相对彼此移动。这样构成的用于射线照相的装置能同步移动来扫描被检测的物体。
气体雪崩室通常由强电场下的充气空间组成，电场通过在电极间施加高电压产生，电极由室的两个限制壁构成的两个极板组成。工作时，X-射线9从检测器侧面入射。入射X-射线9通过接近检测器的可选的细缝或准直仪窗10进入检测器，并以与阴极板2基本平行的方向穿过气体空间。由于与气体分子的相互作用，射入充气空间的各X-射线光子在气体中产生一次离子化电子-离子对。这一产生过程由光子-效应或康普顿-效应引起，并可能伴随着来自奥格-效应的电子。产生的各一次电子11通过与新气体分子相互作用释放其动能引起进一步产生电子-离子对(二次离子化电子-离子对)。一般，在此过程中由20keV的X-射线光子产生几百个二次离子化电子-离子对。然后二次离子化电子16(与一次离子化电子11一起)被强电场中的电子-离子雪崩放大。雪崩电子和离子的运动在电极中感生电信号。一般，在一个或两个电极中拣拾这些信号，并由读出电路进一步放大和处理以获得X-射线互相作用点和可选的X-射线光子能量的精确测量。
在本发明的一个优选实施方案中，被检测的X-射线以基本平行于阴极和阳极的方向从侧面射到检测器上，并可通过细缝或准直仪窗进入检测器。以这种方式，能容易地制造出相互作用通路长到足以使得入射X-射线光子的主要部分相互作用并被检测的检测器。
参考图2，表示一个包括发明的多个检测器电极模块的检测器的实施方案，并以参考号64标志。这个气体平行板雪崩室包括基本相互平行并被充气的细间隙或区域13所分离的阳极板1和阴极板2。阳极板1包括例如由优选厚度0.1-10mm的玻璃、陶瓷或硅构成的衬底3，和以导电材料例如优选厚度为0.01-10μm的金属的覆盖形式布置在其上的阳极4。
为了更好的与衬底粘接和更好的层稳定性，电极可以由几个金属层组成，分别为不同的厚度和材料，例如钒、铜与镍。当衬底由玻璃制成时，第一层最好由铬制成，它对玻璃及后面的金属层的粘结性好。电极4也可以包括一层淀积在金属层顶部的电阻材料，例如一氧化硅。衬底也可以由覆盖介电材料的导电材料构成。电极4布置在上述介电材料的顶部。
同样，阴极板2包括带覆盖物5的衬底6，相似于已描述的阳极。阳极4和阴极5可分为平行与/或垂直于入射X-射线束的条。
间隙或区域13中充以例如90％氪和10％二氧化碳混合物或例如90％氩和10％甲烷混合物的气体。这气体可处于最好在1-20atm范围内的气压下。
阳极4和阴极5连接至高压DC电源7用于在平行板1和2之间的间隙或区域13中产生均匀电场8。例如，间隙或区域13的高度D(平行板1和2间的距离)为500微米，且对于1atm下的氩/二氧化碳(80/20)混合物，施加于电极4和5间的电压为1500V。施加的电压在电极4和5之间产生电场E，即E＝V/D。选择间距D和电压V以提供约为106V/m的电场。从而，500μm的间距D和1500V的电压V给出电场E＝3.106V/m。间距D可在10-5000μm范围内，而电压可在10-15000V范围内。
工作中，X-射线9从侧面射到检测器上。入射X-射线9通过可选的接近阴极板2的细缝或准直仪窗10进入检测器，以与阴极板2平行的方向穿过气体空间。由于与气体原子相互作用，各X-射线光子在气体中产生一次离子化电子-离子对。各产生的一次电子11通过与气体分子相互作用释放其动能引起进一步产生电子-离子对(二次离子化电子-离子对)。一般，在此过程中，由20keV的X-射线光子产生几百个二次离子化电子-离子对。二次离子化电子16(与一次离子化电子11一起)在高电场中沿指向阳极板1的方向被加速。加速的电子11、16在间隙13中与其他气体分子相互作用，进一步导致电子-离子对的产生。这些产生的电子也将在电场中被加速，并将与新的气体分子相互作用，进一步导致电子-离子对的产生。这一过程在电子朝阳极运动中继续进行，从而将形成雪崩12。
对于在距阳极H处发射的一次离子化电子，全部电荷增益由M＝exp(αH)给出，其中α为与气体和电场条件有关的第一汤森系数。在气体类型、气压和电场的正确选择下，能获得104至106和更大的增益。在强电场的影响下，雪崩空间中的电子将向阳极移动，而离子将移向阴极。由于间隙中的强电场是均匀的和间隙13的高度D很小的事实，得到很短的正离子穿越放大空间的漂移时间，这极大的减弱了空间电荷效应。
充气间隙13中电荷移动在阳极4和阴极5上感生电荷。感生的电荷能被检测，例如，通过阳极4耦合至电荷灵敏放大器，它把电荷脉冲转化为能在处理电子电路14中进一步处理的电流或电压脉冲，还包括所说的预放大器。或许，阴极或单独的检测器电极布置能用于以相似方式的检测。气体平行板雪崩室中的快速电子信号在总感生电荷中占相当大的比例F，在约为105的增益下约为总信号的10％。
要注意的是与气体原子相互作用的各入射X-射线光子将导致雪崩12，它将被检测。为了实现高检测效率，其中X-射线光子的主要部分导致雪崩，必须选择气体平行板雪崩室沿入射X-射线光子的方向的长度以给出X-射线光子和气体原子相互作用的高可能性。每单位通路长度相互作用的可能性随气压的增加而增大，因此增加气压能缩短气体平行板雪崩室的长度。
图3a表示在与平面束射线照相检测器的平面X-射线束9的平面垂直的平面内的截面图。一个与X-射线束对准的可选的细缝或第二准直仪窗10形成X-射线束9至检测器64的入口。入射X-射线光子的主要部分在检测器64中被检测，此检测器包括转化和漂移空间13，和用于电子雪崩放大的装置17，并被定向以便X-射线光子从侧面进入两个电极布置1、2之间，在其间，在转化和漂移空间13中产生漂移电子和离子的电场。
检测器64包括作为阴极板2的第一漂移电极布置和作为阳极板1的第二漂移电极布置。它们相互平行，且其间的空间包括一个充气的细间隙或区域13，作为转化和漂移空间，及一个电子雪崩放大装置17。这两个电极板也可不平行。在阳极板1和阴极板2之间施加一个电压，而在电子雪崩放大装置17上施加一个或几个电压。这在间隙13中形成一个导致电子和离子漂移的漂移电场，并在电子雪崩放大装置17中形成电子雪崩放大电场。与阳极板1相连接的是一个用于检测所提供的电子雪崩的读出元件布置15。读出元件布置15最好也构成阳极。读出元件布置15也可形成为与阴极板2或电子雪崩放大装置17相连接。它也可形成在阳极板或阴极板上，由介电层或衬底把它同阳极或阴极分开。在这种情形下，阳极或阴极相对引生的脉冲必须是半透明的，即形成条或盘状。例如，漂移空间与放大空间可以带有导电表面的薄网形式分开，如图3b中表示。在网表面上提供电势使在阴极和网之间的漂移空间内形成弱电场，这允许在电子-离子雪崩过程中气体中产生的一次和二次离子化电子11、16不放大或适度放大地朝网漂移。在网表面上提供电势以便网和阳极间放大区的电场足够强，以致在气体中导致电子-离子雪崩过程。来自移动的电子和离子的感生信号在阳极和/或网上的电极布置中被检测。
如所见，被检测的X-射线从侧面入射到检测器上，并进入阴极板2和阳极板1间的转化和漂移空间13。X-射线最好沿平行于阴极板2和阳极板1的方向进入检测器，并可通过细缝或准直仪窗10进入检测器。以这种方式，能容易地使得检测器的相互作用通路足够长，以致使大部分入射X-射线光子能相互作用并被检测。在使用准直仪情形下，最好这样布置它以便细平面束接近电子雪崩放大装置17且最好与其平行地进入检测器。
间隙或区域13中充以例如90％氪和10％二氧化碳的混合物或例如80％氙和10％二氧化碳混合物的气体。此气体可处于最好在1-20atm范围内的气压下。因此，检测器包括一个带缝入口窗92的气密壳91，X-射线束9通过窗进入检测器。此窗由对辐射透明的材料例如Mylar或薄铝箔构成。与以前使用的设计成垂直于阳极和阴极板的入射射线需要覆盖大面积窗的气体雪崩室相比，在气体雪崩室64中检测侧面入射束，这是本发明的一个特有的附带优点。以这种方式，此窗可做的较细，从而减少窗中吸收的X-射线光子。
工作时，入射X-射线9通过接近于电子雪崩放大装置17的如果存在的可选的细缝或准直仪窗10进入检测器，然后沿着最好与电子雪崩放大装置17平行的方向通过气体空间。由于与气体原子相互作用，各X-射线光子在气体中产生一次离子化的电子-离子对。此产生过程由光子效应、康普顿效应或奥格-效应导致。所产生的各一次电子11通过与新的气体原子相互作用释放其动能，导致进一步产生电子-离子对(二次离子化电子-离子对)。一般，在此过程中由20keV的X-射线光子产生几百个第二离子化电子-离子对。由于转变和漂移空间13中的电场，二次离子化电子16(与一次离子化电子11一起)将朝电子雪崩放大装置17漂移。当电子进入电子雪崩放大装置17的聚焦的场线区域时，它们将经受雪崩放大。
雪崩电子和离子的移动在用于检测电子雪崩的读出元件布置15中感生电信号。与电子雪崩放大装置17、阴极板2或阳极板1、或两个或多个上述配置的组合有关，这些信号被拣拾。这些信号被读出电路14进一步放大与处理以获得X-射线光子作用点和可选的X-射线光子能量的精确测量。
参考图4a，表示一个检测器电极模块4。检测器电极模块4包括形成条20的用作阳极或阴极的检测器电极元件。呈条20形式的许多检测器电极元件并列放置，在各位置沿平行于入射X-射线光子方向的方向延伸。衬底100上形成的各条，通过在其间留有间距23使彼此电绝缘。这些条可通过光刻法或电成型等形成。
各条20通过单独的信号导体22连接至处理电子电路14。在阳极或阴极构成检测器电极模块处，信号导体22也连接各条至高压DC电源7(图4a中未表示)。
沿入射X-射线光子的方向，条20和间距23可生长得较宽，从而补偿视差误差。也可垂直于入射X-射线把各条划分成彼此电绝缘的段。
图4a中表示的检测器电极模块最好为阳极，但也可以是阴极或二者共同具有描述的结构。
衬底100可由其顶部都覆盖一层电绝缘材料的金属构成。所述检测电极元件布置在上述电绝缘材料上。
衬底100也可选择由电绝缘材料，例如玻璃或陶瓷制成。上述检测器电极元件直接布置在上述衬底的顶部。
另一选择是，衬底100由半导体材料例如硅制成。上述检测器电极元件可直接布置在上述半导体材料顶部或介电材料例如上述半导体材料的氧化物的中间层的顶部。
可把例如硅的衬底100切成任意形状来形成任意形状的独立的检测器电极模块，通过标准的刻蚀或切割技术，它们为平坦而光滑的，接近于原子级。因为所选的刻蚀技术尤其是干法刻蚀是形成电极模块的强有力的工具，与结晶方向相结合，可给出任意三维形状的电极。
图4b中，包括上述处理电子电路的各独立的检测器电极模块彼此紧密接近地布置在承载元件110的顶部。上述承载元件可由任何材料构成。各检测器电极模块既可与邻近的电极模块物理接触也可以小间距分离。上述两个检测器电极模块间的间距可不大于电极节距，以便不在各检测器电极布置的边界处引入任何空白的非辐射检测区域。
图4a和4b中，处理电子电路布置在与检测器电极模块同一衬底上。但是，上述处理电子电路也可布置在单独的衬底上。图4b中，只有两个检测器电极布置彼此相邻布置。但是，可彼此相邻布置三个或更多的检测器电极模块，每个模块沿着基本垂直于入射射线的方向。检测器电极模块也可彼此相邻布置成每个模块沿着基本平行于入射射线的方向。
尽管连同一些优选实施方案描述了本发明，但应理解的是，如附加的权利要求书的规定，仍可不偏离本发明的精神和范围作各种修改。

Claims (34)

1.一种获得射线照相图象的方法包括步骤
-从X-射线源发射X-射线
-在包括电极配置，其间施加产生电场的电压的气体雪崩检测器内，检测与成像物体干涉的X-射线，
其特征在于：
-在至少两个检测器电极模块内检测电信号，上述电信号由电子-离子雪崩感生，在彼此相邻布置的多个检测器电极元件的至少一个内，每个沿着基本平行于入射射线的方向，而在至少两个独立检测器电极模块被彼此紧密相邻布置处，每个沿着基本平行于入射射线的方向。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于X-射线穿透成像物体。
3.根据权利要求1的方法，其特征在于X-射线被成像物体反射。
4.根据权利要求1-3中之任一的方法，其特征在于它还包括步骤：
-在定向的以便被检测的射线侧面进入第一和第二极板之间的气体雪崩室内检测X-射线。
5.根据权利要求1-4中之任一的方法，其特征在于它还包括步骤：
-在分别包括在第一和第二极板内的第一和第二电极配置之间施加电压，用于在上述第一和第二极板之间产生电场，这导致由入射X-射线光子释放的一次和二次离子化电子的电子-离子雪崩。
6.根据权利要求1-5中之任一的方法，其特征在于它还包括步骤：
-沿入射射线方向检测X-射线，其中气体雪崩检测器的深度使入射X-射线光子的主要部分能与气体原子相互作用，从而在检测器中产生一次离子化电子-离子对。
7.一种用于射线照相的装置包括
-一个X-射线源
-一个包括各个电极配置的气体雪崩检测器，两个电极配置之间施加产生电场的电压，用于检测与成像物体干涉的X-射线光子。
-至少两个独立的包括多个彼此相邻布置的检测器电极元件的检测器电极模块，每个沿着基本平行于入射射线的方向，并且
在上述至少两个独立检测器电极模块被布置且彼此紧密接近的地方，每个沿着基本平行于入射射线的方向。
8.根据权利要求7用于射线照相的装置，其特征在于X-射线穿透成像物体。
9.根据权利要求7用于射线照相的装置，其特征在于X-射线被成像物体反射。
10.根据权利要求7-9中之任一的用于射线照相的装置，其特征在于它还包括用于形成位于上述X-射线源和成像物体之间的基本上平面的X-射线束装置。
11.根据权利要求7-10中之任一的用于射线照相的装置，其特征在于气体雪崩检测器包括一个用于检测入射X-射线的气体极板雪崩室，
-相对于X-射线源，气体极板雪崩室被定向，以便X-射线从第一与第二极板之间侧面射入，通过在分别包括在第一和第二极板内的第一和第二电极配置之间施加电压，在两极板之间产生电场，
-沿着入射射线的方向，气体极板雪崩室有一个深度，以便使入射X-射线光子的主要部分能与气体原子相互作用，从而在检测器中产生一次离子化电子-离子对。
12.根据权利要求7-11中之任一的用于射线照相的装置，其特征在于气体雪崩室内的极板是平行的。
13.根据权利要求7-11中之任一的用于射线照相的装置，其特征在于气体雪崩室内的极板是不平行的。
14.根据权利要求7-13中之任一的用于射线照相的装置，其中至少一个上述检测器电极模块中的检测器电极元件加长，由并列布置且彼此电绝缘的条构成。
15.根据权利要求7-14中之任一的用于射线照相的装置，其特征在于各上述检测器电极模块的衬底(100)布置在承载元件(110)上。
16.根据权利要求7-15中之任一的用于射线照相的装置，其中衬底由覆盖介电或半导体材料的金属材料构成。
17.根据权利要求7-16中之任一的用于射线照相的装置，其中处理电子电路(14)与检测器电极元件布置在同一衬底(100)上。
18.根据权利要求7-17中之任一的用于射线照相的装置，其中与其上布置检测器电极元件的衬底(100)相比，处理电子电路(14)布置在单独衬底上。
19.根据权利要求7-18中之任一的用于射线照相的装置，其中检测器电极模块布置成彼此电和/或物理接触。
20.根据权利要求7-19中之任一的用于射线照相的装置，其中承载元件(110)为阳极(3)的衬底或阴极(6)的衬底。
21.根据权利要求7-20中之任一的用于射线照相的装置，其中垂直于入射X-射线把条分割为彼此电绝缘的段。
22.一种用于检测入射射线的气体雪崩检测器，包括其间施加用于产生电场的电压的电极配置，其中
-气体雪崩检测器包括一个用于检测入射射线的气体雪崩室，
-至少两个独立的包括多个彼此相邻布置的检测器电极元件的检测器电极模块，每个沿着基本平行于入射射线的方向，并且
-在上述至少两个独立检测器电极模块被布置且彼此紧密接近的地方，每个沿着基本平行于入射射线的方向。
23.根据权利要求22的气体雪崩检测器，其特征在于气体雪崩室备有一个射线从第一和第二极板之间的侧面入射的入口，通过在分别包括在第一和第二极板内的第一和第二电极配置之间施加电压，两电极之间产生电场。
24.根据权利要求22或23的气体雪崩检测器，其特征在于，在沿着入射射线方向上，气体极板雪崩室具有一个使入射X-射线光子的主要部分能与气体原子相互作用的深度，从而在检测器中产生一次离子化的电子-离子对。
25.根据权利要求22-24中之任一的气体雪崩检测器，其特征在于气体雪崩室中的极板是平行的。
26.根据权利要求22-24中之任一的气体雪崩检测器，其特征在于气体雪崩室中的极板是不平行的。
27.根据权利要求22-26中之任一的气体雪崩检测器，其中至少一个上述检测器电极模块中的检测器电极元件被加长，由并列且彼此电绝缘的条构成。
28.根据权利要求22-27中之任一的气体雪崩检测器，其特征在于各上述检测器电极模块的衬底(100)被布置在承载元件(110)上。
29.根据权利要求22-28中之任一的气体雪崩检测器，其中衬底由覆盖介电或半导体材料的金属材料构成。
30.根据权利要求22-29中之任一的气体雪崩检测器，其中处理电子电路(14)与检测器电极元件布置在同一衬底(100)上。
31.根据权利要求22-30中之任一的气体雪崩检测器，其中与其上布置检测电极元件的衬底(100)相比，处理电子电路(14)布置在单独衬底上。
32.根据权利要求22-31中之任一的气体雪崩检测器，其中检测器电极模块布置成彼此电和/或物理接触。
33.根据权利要求22-32中之任一的气体雪崩检测器，其中承载元件(110)为阳极(3)的衬底或阴极(6)的衬底。
34.根据权利要求22-33中之任一的气体雪崩检测器，其中垂直于入射X-射线把条分割为彼此电绝缘的段。
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