JP2003519374A - 可変リアクタンス位置検出器 - Google Patents
可変リアクタンス位置検出器Info
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Abstract
Description
れた共振回路に組み込まれた新規な位置センサに関する。より具体的には、本発
明は、方形波により駆動されるセンサに関し、この場合、共振回路がその方形波
の基本周波数に同調され、ひいてはその周波数の高調波において高い度合いの減
衰を行う。
ータからなるガルバノメータユニットである。モータの軸に接続された角位置セ
ンサは、軸の瞬間的な角位置を制御するサーボループにフィードバック信号を提
供する。トランスデューサは、差動コンデンサ構成に配置された容量性トランス
デューサのような、可変リアクタンス装置である。一対のコンデンサの相対値は
線形的に軸の角位置に関係し、それに対して全キャパシタンスは本質的に軸位置
に無関係である。
な装置で使用され、これらの装置のサイズを縮小することがますます望まれるよ
うになっている。その結果として、ガルバノメータユニットのサイズが縮小され
る必要があり、位置センサが小型化される必要がある。しかしながら、これによ
り、センサのキャパシタンスが低減され、キャパシタンストランスデューサの感
度がこれらのキャパシタンスに大まかに比例することになる。キャパシタンスの
減少は、周波数を上げることによりある程度までオフセットさせることができる
。しかしながら、単に周波数を上げることによって得ることができる感度よりも
大きい感度を得ることが望ましい。従って、本発明は、センサの感度を低減する
ことなくそのセンサのサイズを縮小することを対象とする。
及びインダクターからなる直列共振回路とを含む。センサは差動コンデンサであ
り、その全キャパシタンスは、検出される位置における変化に本質的に無関係で
ある。コンデンサとインダクタンスは発生器の基本周波数で共振し、従ってその
周波数の高調波を除去するフィルタとして機能する。更に、直列共振回路におい
て、各リアクタンス素子の両端の電圧は、その共振回路の両端の電圧より非常に
大きい。従って、コンデンサの両端の電圧は駆動電圧より非常に大きい。これに
より、トランスデューサのサイズが縮小される際に許容できる感度を得るために
使用される変圧器の必要がなくなる。
。直列共振によってもたらされる低インピーダンスは、所与の駆動電圧に対して
より大きな電流をもたらし、それ故、トランスデューサは集積回路に共通な電圧
で駆動され得る。従って、回路要素は、所望の感度を維持する半導体チップ上で
見出され得る。
て、ガルバノメータのモータ(図示せず)の軸12の角位置を検出する。センサ
は、キャパシタ位置トランスデューサ14、そのトランスデューサに電力を供給
する駆動回路16、及びトランスデューサ18の出力に応答する検出回路を含む
。
固定された回転子24を取り囲む固定子20と22を含む。図示された回転子は
、誘電体材料から構成され、半径方向延びる4つのローブ(lobe)24aと共に
構成される。固定子20は、回転子24と固定子22に面する表面を覆う駆動電
極(図示せず)を含む。固定子22は、回転子24と固定子20に面する電極セ
グメント対28a、28bを含む。セグメント28aは共にセグメント28bに
接続され、検出回路18の一対の入力を提供する。
幅される。増幅器31の出力は、インダクター32とトランスデューサ14のキ
ャパシタンスの直列の組み合わせと接地との間に加えられる。
一対の電極セグメント28a、28bの等しい部分上に重なり、固定子20と電
極セグメントとの間のキャパシタンスが概ね等しくなるようになっている。従っ
て、発生器30からの等しい容量性の電流がトランスデューサ14を介して検出
回路18の各入力端子に流れる。他方では、回転子12がそのニュートラル位置
から移動する場合、ローブ24の各々に対向する下にある電極セグメント対の一
方の面積が増加すると同時に、電極セグメント対の他方のセグメントの面積が減
少する。各対の電極を流れる相対的な容量性電流は、それに応じて変化し、これ
が検出回路18の出力に反映される。
の各々は、演算増幅器36を含み、その演算増幅器の非反転入力端子36aは接
地されている。フィードバック抵抗38が増幅器36の反転入力端子36bと出
力端子40との間に接続される。図示されるように、ダイオード42がトランス
デューサ12の出力端子と接地との間に接続される。第2のダイオード43が図
示のように直列に接続される。
介して増幅器38の入力端子36bの各々に流れ、これらの入力端子は抵抗38
のフィードバックによって接地電位に維持される。従って、出力端子40におけ
る電圧は、それぞれのトランスデューサの電極セグメント28a、28bを流れ
る電流を表し、ひいては固定子20とこれらの電極セグメントとの間のキャパシ
タンスを表す。発生器出力の負の半サイクルにおいて、電流はダイオード42を
介して接地に流れる。端子40における電圧の差は、軸12の角位置を表す。
位置に本質的に無関係である。このキャパシタンスは、発生器30の出力周波数
でインダクタ32によって提供されたリアクタンスと共振する。このため、共振
の組み合わせは、その周波数において非常に小さなインピーダンスを有し、それ
故、発生器からの実質的な電流がトランスデューサを通って流れる。従って、ト
ランスデューサを流れる電流に依存する、位置センサの感度は、共振によって著
しく増大される。
路は追加の機能、即ち発生器出力の基本周波数の高調波をフィルタリングする機
能を提供する。トランスデューサ14を流れる電流の振幅−周波数特性は、共振
周波数より上の周波数で鋭いカットオフを示し、ひいてはトランスデューサの電
流からこれらの高調波を本質的に除去する。
る。このことは、位置センサの感度を維持するための能力に寄与する一方で、ト
ランスデューサのサイズを縮小し、駆動回路16と出力回路18を内蔵する半導
体チップ上に含められ得る小さな「空心」インダクター32の使用も可能にする
。従って、位置センサは小さく、かつ安価に製作されることができる一方で、非
常に正確な位置測定に必要な感度を維持する。
ーストを提供し、かつ駆動周波数の高調波をフィルタリング除去する際に助けに
なる図示のような増幅器を使用することが好ましい。特に、増幅器は電界効果ト
ランジスタ(FET)50を含む。発生器30の出力は、FETのゲート50a
と接地されたソース50bとの間に加えられる。電力がインダクター52を介し
てFETのドレイン50cに印加される。
に接続されたドレイン50cにおいて電圧をブーストする。ダイオード54が図
示のように接続され、インダクター52とFET50からなる共振回路に流れる
逆電流のためのリターンパスをFET50の周囲に提供する。従って、ドレイン
50cにおける電圧は、参照番号56で示されるような半正弦波の形態を有する
。
子20と接地との間で約10ピコファラッドのキャパシタンスを有することがで
きる。クロック周波数が16MHzであると仮定すると、インダクター32は9
マイクロヘンリーの値を有することができる。FET50が15ピコファラッド
のキャパシタンスを有する場合、インダクター52は15マイクロヘンリーの値
を有することができる。浮遊容量とインダクタンスが回路動作に大きな影響を及
ぼし、ひいてはインダクターの値と構成を調整することにより通常は補償される
ことになるので、これらのインダクタンスの値は概算である。
て、ガルバノメータのモータ(図示せず)の軸12の角位置を検出する。センサ
は、キャパシタ位置トランスデューサ14、そのトランスデューサに電力を供給
する駆動回路16、及びトランスデューサ14の出力に応答する検出回路を含む
。
の各々は、演算増幅器36を含み、その演算増幅器の非反転入力端子36aは接
地されている。フィードバック抵抗38が増幅器36の反転入力端子36bと出
力端子40との間に接続される。図示されるように、ダイオード42がトランス
デューサ14の出力端子と接地との間に接続される。第2のダイオード43が図
示のように直列に接続される。
介して増幅器34の入力端子36bの各々に流れ、これらの入力端子は抵抗38
のフィードバックによって接地電位に維持される。従って、出力端子40におけ
る電圧は、それぞれのトランスデューサの電極セグメント28a、28bを流れ
る電流を表し、ひいては固定子20とこれらの電極セグメントとの間のキャパシ
タンスを表す。発生器出力の負の半サイクルにおいて、電流はダイオード42を
介して接地に流れる。端子40における電圧の差は、軸12の角位置を表す。
Claims (7)
- 【請求項1】 物体センサの位置を監視するための位置トランスデューサであって、 前記センサが、 (A)第1と第2の電子的リアクタンス検出素子からなるトランスデューサであ
って、前記第1と第2の電子的リアクタンス検出素子の相対的インピーダンスが
物体の位置の関数として反比例して変化し、そのインピーダンスの合計が本質的
に不変である、トランスデューサと、 (B)共振周波数で前記インピーダンスの合計と共振するリアクタンス素子と、
(C)駆動回路であって (1)前記共振周波数で出力電流を提供し、 (2)前記リアクタンス素子の直列の組み合わせを介して前記出力電流を流す
ように接続された、駆動回路と、及び (D)前記検出素子を通って流れる相対電流に応答する出力回路とからなる、位
置トランスデューサ。 - 【請求項2】 前記駆動回路が方形波発生器を含み、その発生器の基本周波数が前記共振周波
数であり、前記直列の共振回路が、前記トランスデューサを通って流れる電流か
ら共振周波数の高調波を減衰させるのに役立つ、請求項1のセンサ。 - 【請求項3】 (A)前記トランスデューサがキャパシタンストランスデューサであり、前記検
出素子が第1と第2のキャパシタンスからなり、及び (B)前記リアクタンス素子が第1のインダクタである、請求項1のセンサ。 - 【請求項4】 請求項2のセンサ。
- 【請求項5】 前記トランスデューサが、 (A)間隔をおいた第1と第2の固定子であって、 (1)前記第1の固定子が第1の電極として機能する共通導電面からなり、 (2)前記第2の固定子が、間隔を置いて交互になっている第2と第3の電極
からなる、第1と第2の固定子と、 (B)前記物体に機械的に接続され、誘電体セグメントからなる回転子であって
、誘電体セグメントのそれぞれが前記第1の電極と前記第2及び第3の電極のそ
れぞれの1つとの間に配置された、回転子とからなる、請求項3のトランスデュ
ーサ。 - 【請求項6】 前記出力回路が、前記第2の電極を流れる結合電流と、前記第3の電極を流れ
る結合電流とに応答する、請求項5のセンサ。 - 【請求項7】 (A)前記駆動回路が、前記出力電流を提供するために前記発生器の出力を増幅
するように接続された増幅器を含み、及び (B)前記増幅器が、 (1)前記方形波発生器に接続されたゲートと、前記第1のインダクタに接続
されたドレインと、共通基準点に接続されたソースとを有する電界効果トランジ
スタと、及び (2)電源と前記第1のインダクタ及び前記トランジスタの接続部との間に接
続された第2のインダクタであって、前記第2のインダクタが前記トランジスタ
のキャパシタンスと共振して前記接続部における電圧をブーストする、請求項4
のセンサ。
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