JP2003512637A - インターフェース音波フィルタ、特に無線接続用 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 その少なくとも一つが圧電効果を有する二つの固体（１，２）から成る独創的な音響フィルタ。前記固体は、それらの間に平面インターフェース（３）と、電場によって圧電体が生成され前記二つの固体間の平面インターフェースが案内する音波とを形成するような形で相互接続されている。前記固体は、前記二つの固体で前記音波の音波エネルギーが前記全インターフェースから始まってインターフェースに垂直方向（Oy）で指数的に減少することを確実にするために選ばれる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 本発明は、音波が１面内で拡散する平面構造音波フィルタに関する。

【０００２】 本発明は、専用ではないが、特に携帯電話に利用されるような無線通信接続や
、モータ式車両のドアを開ける遠隔操作用のキー、あるいは非ローカライズコン
ピュータ間または電気機器間のデータの無線交換にも応用される。

【０００３】 これらの無線接続は、RFフィルタ（無線周波数フィルタ）ならびにFI中間周波
数表面音波フィルタとして知られるヘッド・フィルタ群を用いる。

【０００４】 表面音波フィルタは一般に、電場の影響下で、基板の表面に拡散する音波を生
成する圧電基板から構成され、これらの波は、伝播方向に関して矢状面内（レイ
リー波）に位置するか横方向（ブロイシュタイン・グライェフ波）かまたは準横
方向かのどちらかに向いている。

【０００５】 これらの音波を生成するために、前記基板には基板上に付着するかまたは表面
に形成された溝内に埋まった金属付着物で形成される平面金属構造が含まれ、該
平面金属構造にはたとえばインターディジタイズ(interdigitise)したコーム(co
mb)を形成するかあるいはSPUDT型の変換器（単相単一方向変換器）、R-SPUDT型
の変換器（共鳴SPUDT）、あるいは音響的または電気的に結合した共鳴器かを形
成した複数のフィンガーが含まれる。これらの装置に関する多くの情報を得るた
めには、本記載の末尾に与えてある文献表に挙げた文献[４]から[８]を参考にす
ることができ、かつそれらを本記載内で参照することによって引用してある。

【０００６】 他の技術を用いるフィルタに関する表面音波フィルタの利点は、きわめて小さ
い寸法と、消費量の低さ（これらは受動フィルタである）と、特に製造費とにあ
る。

【０００７】 ところが、移動電話方式で用いられる搬送波の周波数は、900Mhzから1800Mhz
へと、2200Mhz、実際は3000Mhz以上に至るような増加傾向にある。それゆえ、前
記金属構造の前記基板の寸法と、フィンガーの間の隙間と、特にフィンガーの寸
法とは、このような高周波を処理することができるように減らす必要がある。金
属のエッチングを行なうために必要であるリソグラフィー装置の精度は0.5μmか
ら0.35μm、実際にはさらに少ない範囲（0.25から0.18μm）に収まる必要がある
。

【０００８】 また、基板の寸法をますます減らす必要がある場合にはさらに、ほこりや材料
の突起物が少しでも存在していたら前記フィルタの性能を損なう。 そのため、基板を箱で守ることが重要である。 さらに、基板が圧電型であると、電磁摂動から守ることもまた必要である。結
果として、干渉を防ぐために箱が必要である。

【０００９】 このように、ますます小型になることによって前記チップを環境から守るため
の箱よりも音響チップがますます安価になりつつあるので、部品の費用による構
造的な問題がある。

【００１０】 本発明の目的は、これらの不利な点を取り除くことにある。この効果に対して
本発明は、音波が平面内で有意に拡散するような平面構造の音響フィルタを提供
する。

【００１１】 本発明によれば、このフィルタは二つの固体を含むこと、その一つは圧電型で
あること、これらの固体は互いに結合されていてそれらの間に平面インターフェ
ースを有すること、電場の助けで圧電体が音波を生成すること、二つの固体の間
のインターフェースが音波を案内すること、さらには前記インターフェースに垂
直な方向で二つの固体において前記インターフェースから指数的に減少する音波
エネルギーを有すること、を特徴とする。

【００１２】 これらの配置によって、基板の表面にだけではなく、二つの固体の間のインタ
ーフェースにもまた、音波が拡散する。これらの波のエネルギーは二つの固体に
おいて前記インターフェースから指数的に減少する。しかし、前記固体の厚さが
音波の波長の数十倍よりも大きいので、エネルギーは前記構造の外部には漏れな
い。したがって、前記部品（フィルタ）を環境から守るための箱は必要ない。さ
らに、音波が二つの固体の間のインターフェースに拡散するので、音波は表面波
よりも大きい伝播速度を示す（たとえば3000 m/sに対して5000 m/s）。

【００１３】 非分散型のこれらインターフェース波の主な偏波には次の２つのタイプがある
。材料の原子の変位ベクトルが矢状面（インターフェース面に垂直）の内側にだ
け位置する場合にはストーンリ波であり、この変位ベクトルが矢状面に垂直な方
向に沿ってだけ位置する場合にはこれらはメルフェル・ツルヌワ横インターフェ
ース波である。これらの波の詳細は本記載の末尾に与えてある文献[１]、[２]お
よび[３]でみることができ、またそれらは引用して本記載に統合してある。

【００１４】 横波または準横波については、これらを用いることが好ましく、その存在条件
はストーンリ波よりは厳格でなく、また伝播速度は一般に大きい。

【００１５】 利点としては、インターフェース面の内側の波の変位ベクトルの横成分は、変
位ベクトルの唯一の成分であるかまたは優占するように、かつ波が圧電的に結合
される場合には、二固体を構成する前記材料の結晶軸が選ばれる。

【００１６】 二固体の一つあるいは両方は、圧電材料から作ることができる。第二の場合に
は、二つの圧電材料が同一であって良い。これらはまた、単一固体を形成させる
ために同じ結晶方向を持たせるように組み合わせても良い。この場合には、二固
体間のインターフェースで形成されたフィルタを形成する平面金属構造は、横イ
ンターフェース波（SH）または準横インターフェース波（Q-SH）で圧電ガイドと
して働く。

【００１７】 材料の一つが圧電性であり、他が圧電性でない場合は、伝播方向に沿って音波
の変位ベクトルが純粋に横水平であるかまたは優占横水平成分を有するように、
またこれらの波が圧電的に結合されるように、圧電材料の結晶軸を選ぶことが好
ましい。 選択した伝播方向にしたがって、音波の変位ベクトルが純粋に横水平である、
または優占横水平成分を有するように、またこれらの波が圧電材料中で横水平で
ある、または優占横水平波の伝播速度に等しい、またはそれよりも大きい伝播速
度を有するように、非圧電材料の結晶軸を選んでも良い。

【００１８】 本発明のフィルタの一特性によれば、非圧電材料の絶縁定数および密度はそれ
ぞれ圧電材料の絶縁定数および密度よりも低い。

【００１９】 前記発明の一実施例を次に説明し、付属図面を参照しつつ非限定的な例示を示
す： 図１は二の固体間のインターフェースに拡散する音波を示す本発明のフィル
ターの遠近法での概略図である。 図２は二の固体とインターディジタイズした変換器のインターフェースの間
に含まれる本発明のフィルターの遠近法での概略図である。 図３は横インターフェース波または準横インターフェース波の範囲を明確に
する二の曲線を示す。

【００２０】 図１は、本発明による音波フィルタを示す。このフィルタにはたとえば面ｘO
ｚの内側に位置するインターフェース３を形成するための並行管形状と他方に対
する一つの面とを有する二つの固体１と２とが含まれる。二つの固体１と２との
ひとつ１は、圧電材料Aからなっているが、一方、他は、おそらく圧電材料Aと同
一である圧電材料Bからなっているかまたは非圧電性である。

【００２１】 インターフェース面３に近い方向Oxに拡散する音波５を生成するならば、指数
曲線６で示すように、これらの波のエネルギーが後者に垂直な方向Oyで前記イン
ターフェースから２固体内で指数的に減少するように固体１および２の結晶軸が
選ばれる。そのため、もし固体１と２とが十分に厚いと（図１のOy方向で）、つ
まり音波の波長の数十倍の場合、エネルギーが前記構造の外に出ることがない。

【００２２】 そのため、その環境からその部品（フィルタ）を守るための包装が必要でなく
なる。 非分散性であるこれらの波の主な偏波には次の２型があり得る。材料の原子の
変位ベクトル７が矢状面ｘOｙの内側にだけ位置する場合にはこれらはストーン
リ波であり（文献１参照）、この変位ベクトルが矢状面に垂直な方向Ozに沿って
のみ位置する場合には（図１に示した波の場合）、これらはメルフェル・ツルヌ
ワ横インターフェース波である（文献２および３参照）。

【００２３】 好ましくは、前記発明のフィルタは横インターフェース波を用い、その存在条
件はストーンリ波よりは厳格でなく、また伝播速度は一般に大きい。

【００２４】 図２において、２つの材料AとBの間のインターフェース３に位置する本発明に
よる音波フィルタには、インターディジタイズしたコーム（文献[４]参照）、SP
UDT型の変換器（文献[５]参照）かR-SPUDT型の変換器（文献[６]参照）および音
響的または電気的に結合した共鳴器（文献[７]参照）または電気的に結合した部
品（文献[８]参照）といった表面波部品のものに類似する、金属のような平面導
電構造が含まれる。この導電構造によって、音波と、前記フィルタの特性を定義
するこの構造の形態および配列とを生成することが可能となる。

【００２５】 この構造は、たとえば固体１のインターフェース３で二つの固体１と２との一
つに穿たれた溝に埋まった二つの固体１と２との間のインターフェースで形成さ
れる金属付着物で得られる導電体の網状構造で構成しても良い。これには例えば
、音波の伝播方向に垂直な導電体セグメント9, 9'からなる反射版を二枚と、導
電体セグメント9, 9'の間には複数のフィンガーを有することでインターディジ
タイズしたコーム１０によって構成された変換器とを含んでいる。

【００２６】 発明者らは現在たとえば二つの半完成体１，２が圧電性を有する場合および前
記二体のうちの一つだけが圧電性を有する場合を継続して詳細に試験している。

【００２７】 １−二つの材料が圧電性である場合 二つの材料AとBとが矢状面に垂直な軸Ozに沿って配列している軸Cを有する六
方晶群に由来するものである場合、これらの音波の速度v_ccはインターフェース
で圧電性電荷がきわめて薄い金属フィルムによって短絡される場合には下記式で
与えられる。 式（１）

【００２８】 一方、インターフェース３で圧電性電荷が短絡されない場合にはこれらの波の
速度V_NCは下記式で与えられる。 式（２）

【００２９】 これらの式（１）と（２）ではε_Aとε_Bとは材料AとBとの絶縁定数であり、e
_Ａとe_Bとは圧電テンソル係数（e₁₅）_Aと（e₁₅）_Bとであり、かつV_AとV_Bとは材料
AとBとのこれら音波の横伝播速度である。

【００３０】 二つの材料が同一であり、かつ同じ配向性を持つならば、ρ_A=ρ_B=ρ; V_A=V_B=
V_S;ε_A=ε_B=ε; およびe_A=e_B=e₁₅ インターフェースで圧電性電荷が短絡される場合にはこれらの波の速度v_ccは
下記式で与えられる。 式（３） は前記材料の圧電結合係数である。

【００３１】 また、インターフェースで圧電性電荷が短絡されない場合にはインターフェー
ス波は劣化し、速度・体積v_Sをもって横波に合成される。 この場合にはインターフェース波が存在し、かつ劣化せず、その速度vは速度v _cc に近い。 それゆえ、この波の結合係数2Δv/vは下記式に近い。 式（４）

【００３２】 単一の圧電材料中でインターフェース音響フィルタを実施するには次のことが
必要である：

【００３３】 −波が純粋の横波であるかまたはその変位ベクトル７の横成分が優占するよう
、またこの波が圧電結合するよう、選んだ伝播方向Oxに沿うべく圧電結晶の結晶
軸の配向を選ぶ −変位ベクトル７の横成分ならびに波の伝播方向に並行な面に沿って結晶を切
断する −付着させるかまたはエッチングで作り、切断された圧電結晶の各部分の一つ
の切断で得た面の上にインターディジタイズした、SPUDT、R―SPUDTコーム、あ
るいは音響的または電気的に結合した共鳴器を有する平面フィルタ構造における
表面音波に関係するすべての従来の方法で統制する厚さを有する溝を使って良好
に埋める（図２）、また −結晶の配向にしたがって、第一部分上で切断してある結晶の第二部分を分子
付着あるいは他の任意の弾性付着要素によって置き換える。

【００３４】 平面フィルタの設計に関しては、そのインターフェースの対称性によって、二
つの横方向の表面波の構造の半分（その絶縁定数は、圧電体の内側のεであり、
圧電体の外側ではε_０＝０あろう）の数学的重ね合わせを経てインターフェース
波構造を得ることが出来るということに留意することにより、大きく単純化でき
る。

【００３５】 純粋横インターフェース波（SH）の例によって、伝播方向に垂直なインターフ
ェース面の内側に結晶軸Cがあるたとえばチタン酸鉛やジルコニウム（PZT）など
の6mm六方晶群から圧電材料を取ることができる。

【００３６】 準横インターフェース波（Q-SH）では、ニオブ酸リチウム（YX-LiNbO₃）また
はタンタル酸リチウム（YX-LiTaO₃）の結晶軸Yに沿ってカットを取ることが出き
る（ただし、Yは特定の角度、たとえば175度、で配向するものとする）し、結晶
軸X上で伝播が生じる。さらに、石英からSTカットを取ることもでき、結晶軸Xで
伝播が生じる（ST-X石英）。

【００３７】 ２−二固体の一つが圧電性であり、他方がそうでない場合 純粋横インターフェース音波は二つの材料の間で存在できる。その一つは密度
ρ_NPと速度v_NPを有する非圧電性であり、他方は前記音波の伝播方向Oxに垂直な
面xOzの内側に結晶軸Cがある6mm結晶群から選んだ密度ρ_Pと速度V_Pを有する圧電
性である（図１）。

【００３８】 この波の速度vは次の式によって与えられる。 式（５）

【００３９】 ただし、前記インターフェースで圧電電荷がきわめて薄い金属膜によってある
いは非圧電導電材料によって短絡される場合には、η^２は次の式で与えられる効
果的な圧電結合係数であり、 式（６） さらに、前記インターフェースで圧電電荷が短絡されぬ場合には、η^２は次の
式で与えられる効果的な圧電結合係数である。 式（７）

【００４０】 これらの式では、ε_Pおよびε_NPはそれぞれ圧電体および非圧電体の絶縁定数
であり、e=e₁₅は圧電テンソル係数であり、 は圧電結合係数である。 これらのインターフェース波の存在条件を決定するように、発明者らは前記式
（５）の三つの項を試験した。これらの項は実数かつ正の数であることが必要で
あり、それゆえ速度vは速度v_Pおよびv_NPの最小値よりも小さいかあるいはもとも
等しいかである。仮にvがv_NP≦v_Pに等しいならば、第二項は相殺され、vが減る
場合にははじめの二つの項が増加する。それゆえv=v_NPであるときはη²は第一項
よりも大きい必要がある。

【００４１】 もし速度vがv_P≦v_NPに等しいならば、第一項は相殺され、vが減る場合にはは
じめの２項が増加する。それゆえV=V_Pであるときはη²はまた第２項よりも大き
い必要がある。 それゆえ、存在条件は下記の不等式の対で与えられる。 式（８）

【００４２】 図３で、種々のη²の値（0.05; 0.1; および0.3）のために、不等式（８）で
定義したように、二つの曲線v_NP/v_Pはこれらの波の存在の場を限定するρ_NP/ρ_P にしたがってプロットしてある。ここで、v_NP＝v_P＝v_Sである時にはρ_NP/ρ_Pに
もかかわらずこれらの波がまだ存在することが観察できる。これらの状況では速
度vは次式で与えられる。 式（９）

【００４３】 ここで、小さいρ_NPがρ_Pに関係することもまた観察され、速度v_NPで存在の場
が広がれば広がるほどv_Pよりも大きくなる。さらに、ρ_Pとの関係がη²で大きけ
れば大きいほど、またρ_NPで小さければ小さいほど波はインターフェースにさら
に近づく。

【００４４】 インターフェースが短絡された時にはこれらの波の結合係数2Δv/vの計算は速
度v_ccから、またインターフェースが短絡されていない時には速度v_NCから簡単に
行うことができる。v_NP=v_P=v_Sであるときには次式のようになる。 式（１０）

【００４５】 それゆえ が大きく、ρ_NPがρ_Pよりも小さく、ε_NPがε_Pよりも小さい時には結合係数はさ
らに大きくなる。

【００４６】 これら横インターフェース波を拡散できる材料の組み合わせを選ぶことを容易
にするための詳細は、特定の数の材料の横速度vおよびその密度ρおよび相対絶
縁定数εにしたがって表１に挙げてある。

【００４７】

【表１】 この表で、材料１から８は圧電性を有し、材料９から１２は非圧電性である。

【００４８】 圧電性材料と非圧電性材料との間のインターフェースで音響フィルタを実施す
るためには下記が必要条件である。

【００４９】 −波が純粋の横波であるかまたはその変位ベクトル７の横成分が優占するよう、
またこの波が圧電結合するよう、選んだ伝播方向に沿うべく非圧電結晶の結晶軸
の配向を選ぶこと。 ―波が純粋の横波であるかまたはその変位ベクトル７の横成分が優占するよう、
またこの波が圧電体内の横波または準横波の速度に等しいかまたはそれらよりも
大きい伝播速度を有するよう、選んだ伝播方向に沿うべく圧電結晶の結晶軸の配
向を選ぶこと。 ―可能ならば圧電結晶の密度よりも低い密度を有する非圧電結晶を選ぶこと。 ―可能ならば圧電結晶の密度よりも小さい絶縁定数を有する非圧電結晶を選ぶこ
と。

【００５０】 準横インターフェース波（Q-SH）の存在条件を満たすために、互いに関して記
述した結晶配向からそれらのインターフェースに垂直な軸の周りで前記結晶を幾
分配向させる。

【００５１】 本発明の一特徴によれば、図２に示すように、材料の一つの表面で、平面フィ
ルタの金属構造が付着するかまたは適した軸に沿って統制した厚みを有するエッ
チングした溝に埋まる。次にエラスチック接着用の方法をなにか用いてこの表面
に適当な軸に沿って他の材料を接着させる。

【００５２】 例示するやり方によって、YAG非圧電結晶を結晶軸Yに沿ってカットし、伝播が
結晶軸Xに沿って生じるようにした圧電ニオブ酸リチウム（LiNbO₃）結晶上また
は圧電タンタル酸リチウム（LiTaO₃）結晶上で接着させることが可能である。

【００５３】 本発明のフィルタの他の変種によれば、二つの固体１、２の一つは結晶性であ
り、他の一つは付着によって、また光軸成長よって得られる、これらの条件では
、付着したかあるいは適当な軸に沿って統制された厚みを有するエッチングした
溝に埋まった結晶性材料の表面は、平面フィルタを構成する金属構造物であり、
また第二の材料は、結晶性材料の調製した表面上に付着したかあるいは適当な軸
に沿ってエピタキシアル成長によって形成される。

【００５４】 このゆえに、切り口Y（Yは特定の角度で配置している）を有する圧電性のニオ
ブ酸リチウムYX-LiNbO₃の適正に調製した表面上に非圧電性非晶質シリコン（Si
）を付着させることができ、伝播が結晶軸Xに沿って生じる。エピタキシアル成
長によって窒化アルミニウム（AlN）の圧電フィルムを非圧電性サファイア表面
（Al₂O₃）に形成することもまた可能である。

【００５５】 記述で引用した文献表 [１] アール．スタンリー、プロック．ロイヤル．ソサイエティー（ロンドン）A
106, 416(1924)（R. Stoneley, Proc. Roy. Soc.(London)A 106, 416(1924)） [２] シー．マーフェルド及びピー．トルノワ、アプリ．フィズ．レット．19, 1
17(1971)（C.Maerfeld and P. Tournois, Appl. Phys. Lett. 19, 117(1971)） [３]ビー．アウルド．固体における音波領域及び音波、２巻、１４５〜１５１頁
、ジョン ウィリー、ニューヨーク（1973）（B. Auld, Acoustic Fields and W
aves in Solids, vol. 2, pages 145-151, John Wiley, New York (1973)） [４]ディー．ピー．モルガン、信号処理のための表面波装置、エルセヴァー、ニ
ューヨーク（1985）（D.P.Morgan, Surface Wave Devices for Signal Processi
ng, Elsevier, New York(1985)） [５]シー．エス．ハートマン、ピー．ヴィー．ライト、アール．ジェイ．カンジ
ー、及びイー．エム．ガーバー、内部反響のインターディジタル変換器ＳＡＷの
分析及び単相単一方向変換器の意匠への適用、アイトリプルイー超音波シンプ．
プロック．、４０〜４５頁（1982）（C.S. Hartmann, P.V. Wright, R.J. Kansy
and E.M. Garber, An Analysis of SAW Interdigital Transducers with Inter
nal Reflections and the Application to the Design of Single Phase Unidir
ectional Transducers, IEEE Ultrasonic Symp. Pro., p. 40-45(1982)） [６]ピー．ベンテュラ，エム，ソラル、ピー．デュフィリュー、ジェイ．エム．
ホード 及びエフ．ロウックス、ＳＰＵＤＴにおける新しい構想：ＲＳＰＵＤＴ
（共鳴するＳＰＵＤＴ）、アイトリプルイー超音波シンプ．プロック．、１〜６
頁（1994）（P.Ventura, M. Solal, P. Dufilue, J.M. Hode and F. Roux, A Ne
w Concept in SPUDT design: the RSPUDT(Resonant SPUDT), IEEE Ultrasonic S
ymp. Proc., P. 1-6(1994)） [７] ピー．エフ．クロス、アール．エフ．スミス及びダブリュ．エイチ．ハイ
ドル、電子学、１１巻、２４４、２４５頁（１９７５年５月）（P.F. Cross, R.
F. Smith and W.H. Haydl, Electronic Letters, vol. 11, p. 244-245(May 197
5)）

【図面の簡単な説明】

【図１】前記発明にしたがったフィルタを斜視図として模式的に表し、二つの固
体の間のインターフェースに拡散する音波を示す図。

【図２】二つの固体の間のインターディジタイズした変換器を有するインターフ
ェースでの前記発明にしたがったフィルタを斜視図として模式的に表した図、

【図３】横または準横インターフェース波の存在範囲を定義する二本の曲線を示
す図。

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】二つの固体（１，２）が含まれ、これらの少なくとも一つが圧電性
   であり、それらの間で平面インターフェース（３）を有するようにこれらの個体
   が互いに結合されており、電場の助けで圧電体によって音波が生成されるととも
   に二つの固体間のインターフェースによって案内され、これらの波が音波エネル
   ギーを有するように後者が選ばれ、二つの固体内でこれらは前記インターフェー
   スから前記インターフェースに垂直な方向（Oy）で指数的に減少することを特徴
   とする実質的に面の内側で音波が拡散する平面構造の音響フィルタ。
2. 【請求項２】 変位ベクトル（７）がインターフェース（３）の平面の内側で横
   方向であるかあるいは優占している横成分である単一成分を有する横音波（ＳＨ
   ）あるいは準横音波（Ｑ-ＳＨ）をインターフェース（３）で得るように、かつ
   波が圧電的に結合する時に、前記二つの固体（１，２）から成っている前記材料
   の結晶軸を選ぶことを特徴とする請求項１記載の音響フィルタ。
3. 【請求項３】 内側で前記フィルタを形成している平面金属構造（9, 9’, 10）
   が横（ＳＨ）インターフェース音波あるいは準横（Ｑ-ＳＨ）インターフェース
   音波のための圧電ガイドとして働く単一の固体を形成するために、前記二つの固
   体（１，２）が同じ圧電材料から成っており、同じ結晶配向を有することを特徴
   とする請求項１又は２記載の音響フィルタ。
4. 【請求項４】 インターフェース（３）の平面の内側で音波の変位ベクトル（７
   ）の横成分が変位ベクトルの唯一の成分であり、かつ圧電性であるとともに結晶
   軸Ｃが音波の伝播方向Oxに垂直なインターフェース面の内側にあるような6mm結
   晶群から、前記二つの固体から成っている前記材料の結晶軸が選ばれることを特
   徴とする請求項３記載の音響フィルタ。
5. 【請求項５】 インターフェース（３）の平面の内側の音波の変位ベクトル（７
   ）の横成分が優占しており、前記二つの固体が結晶軸Yに沿ったカットを作るこ
   とで得られ、この軸Yがニオブ酸リチウム（YX-LiNbO_３）またはタンタル酸リチ
   ウム（YX-LiTaO_３）内で特定の角度で配向し、音波が前記材料の結晶軸Xに沿っ
   て拡散するように前記二つの固体（１，２）から成っている前記材料の結晶軸が
   選ばれることを特徴とする請求項３記載の音響フィルタ。
6. 【請求項６】インターフェース（３）の平面の内側の音波の変位ベクトル（７）
   の横成分が優占しており、前記二つの固体が前記石英（ST-X石英）の結晶軸STに
   沿ったカットを作ることで得られ、音波が前記材料の結晶軸Xに沿って拡散する
   ように、前記二つの固体（１，２） から成っている前記材料の結晶軸が選ばれ
   ることを特徴とする請求項３記載の音響フィルタ。
7. 【請求項７】音波の伝播軸（Ox）および選ばれた横または準横インターフェース
   音波の単一の横（ＳＨ）あるいは優占（Ｑ-ＳＨ）変位ベクトル（７）の軸を含
   む面に沿ってカットされた単一の圧電結晶から得られ、表面が平面金属フィルタ
   構造（9, 9’, 10）が形成される統制した厚みを有してエッチングした溝を含む
   カットした結晶の部分の一つのカットによって得られ、前記二つのカット部分（
   １、２）が同じ結晶配向に沿って互いに置きかえられるとともにエラスチック接
   着要素で互いに固定されることを特徴とする請求項３〜６いずれか１項記載の音
   響フィルタ。
8. 【請求項８】前記二つの固体（１、２）の一つ（１）が圧電性であり、他（２）
   が非圧電性であり、非圧電材料におけるインターフェース面（３）に平行な面の
   内側の横または準横インターフェース音波の伝播速度が圧電材料のそれに等しい
   かあるいはそれよりも大きいように、前記二つの固体（１、２）から成る材料が
   選ばれることを特徴とする請求項１または２に記載の音響フィルタ。
9. 【請求項９】非圧電材料の絶縁定数および密度が圧電材料の絶縁定数および密度
   よりも低いことを特徴とする請求項８記載の音響フィルタ。
10. 【請求項１０】前記インターフェース（３）の面内の変位ベクトル（７）の横成
    分が優占しているインターフェース音波（Q-SH）の存在条件を満たすために、前
    記二つの固体（１、２）の間のインターフェース（３）で圧電波が純粋に横（SH
    ）になるように必要な結晶配向からそれらのインターフェース（３）面に垂直な
    軸の周りで他方に関して前記二つの固体（１、２）のうちの一方の結晶が幾分配
    向することを特徴とする請求項８または９記載の音響フィルタ。
11. 【請求項１１】適当な結晶軸に沿った二つの結晶材料（A, B）のカットから前記
    二つの固体（１、２）が得られ、材料の一つの表面が平面金属フィルタ構造（9, 9’, 10）を含む前記インターフェース（３）を形成し、前記二つの固体がエラ
    スチック接着方法で互いに適当な軸に沿って固定されることを特徴とする請求項
    ８〜１０いずれか１項記載の音響フィルタ。
12. 【請求項１２】非圧電体（２）がYAG結晶であるが、しかし圧電体（１）が、結
    晶軸Yに沿って切断された、ニオブ酸リチウム結晶（YX-LiNbO₃）またはタンタル
    酸リチウム結晶（YX-LiTaO₃）であり、伝播が結晶軸Xに沿って生じ、任意のエラ
    スチック接着方法による前記二つの固体が互いに適当な軸に固定されることを特
    徴とする請求項８〜１１いずれか１項記載の音響フィルタ。
13. 【請求項１３】平面金属フィルタ構造を含む表面を有する結晶材料によって形成
    され、他方の固体はこの表面上で適当な軸に沿った付着またはエピタキシアル成
    長によって形成されることを特徴とする、請求項８〜１１いずれか１項記載の音
    響フィルタ。
14. 【請求項１４】特定の角度で配置している結晶軸Yに沿ったカットを有するニオ
    ブ酸リチウムYX-LiNbO₃の表面上への非晶質シリコンの付着によって埋められ、
    音波の伝播が結晶軸Xに沿って生じることを特徴とする請求項２記載の音響フィ
    ルタ。
15. 【請求項１５】サファイア表面（Al₂O₃）上での窒化アルミニウム（AlN）フィム
    のエピタキシアル成長によって埋められることを特徴とする請求項１３記載の音
    響フィルタ。