JP2003512501A - 改良されたｃｍｐ生成物 - Google Patents

改良されたｃｍｐ生成物

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JP2003512501A JP2001531935A JP2001531935A JP2003512501A JP 2003512501 A JP2003512501 A JP 2003512501A JP 2001531935 A JP2001531935 A JP 2001531935A JP 2001531935 A JP2001531935 A JP 2001531935A JP 2003512501 A JP2003512501 A JP 2003512501A
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ケー． ガーグ，アジャイ
ブイ． タニケラ，ブラーマナンダム
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サンーゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド
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Abstract

(57)【要約】 ５０nmより小さい平均粒径および少くとも５０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積を有するシリカ被覆遷移アルミナを含有する研摩材料は、スラリーの形態で、もしくは固定砥粒として、いずれもＣＭＰ（化学的機械平坦化）法で有用である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 発明の背景 本発明はＣＭＰ（「化学的機械平坦化」（“ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎ
ｉｃａｌ ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ”））材料、そして特に砥粒としてアル
ミナ粉末を含むＣＭＰ材料、に関する。
【０００２】 ＣＭＰはエレクトロニクス用途の幅広い範囲で非常に重要な半導体製品を製造
するのに使用される方法である。半導体デバイスは、非導電性構造の間の空間に
銅のような金属を堆積し、ついで金属層を除去することにより製造されるのが通
常であり、その後、非導電性構造はさらされ、残りの間の空間は金属により占め
られる。砥粒に出される要求は多くの点で相容れない。金属を除去しなければな
らないが、好ましくは非導電性材料ではない。効率的に除去しなければならない
が、あまり急速ではないので所望の水準の除去が得られるのに、プロセスは容易
には終了しない。
【０００３】 ＣＭＰ法は液体媒体中で砥粒スラリーを用いて実施され得、そしてそれは砥粒
に加えて、錯化剤；酸化剤（たとえば過酸化水素、硝酸鉄（III)、ヨウ素酸カリ
ウム等）；ベンゾトリアゾールのような腐食抑制剤；洗浄剤および界面活性剤を
含む、「化学」作用を有する他の添加剤をスラリー中に含むのが典型的である。
【０００４】 しかし、ＣＭＰ法は固定砥粒も使用し得、そこでは砥粒が分散され、輪郭のあ
る表面を任意に与えられうる硬化樹脂材料内に保持される。これらの固定砥粒は
、再循環が必要であり、そのような再使用が可能な前に精製されることが多い砥
粒含有スラリーなしに、使用されうる。したがって、そのような固定砥粒ととも
に使用される溶液は、以前に同一の用途に使用されたＣＭＰスラリーの化学添加
剤のみを含有する。
【０００５】 ＣＭＰ法は金属および絶縁層を含むいかなる層形成デバイスに適用され得、そ
のそれぞれは均一な厚さおよび非常に均一な表面粗さ（Ｒａ）水準に低減される
のに必要である量で基体上に交互に堆積される。問題は最良の材料除去砥粒はむ
しろ認容できない程に粗い表面を残し、あるいは材料除去をあまりに急速に達成
するので所望の終点が行き過ぎることが多いことである。適度の速度を材料を除
去するこれらの砥粒は選択性が不十分であるか、または不十分な品質の表面を残
す。
【０００６】 過去に、これらの相容れない要求はガンマアルミナおよびシリカのような比較
的軟質の砥粒の使用により妥協されてきた。これらは除去速度を落とすが、金属
と非電導材料の間をあまり区別しない。平均粒径約１００nmを有するアルファア
ルミナが提案され、そしてこれは非導電性材料よりもむしろ優先的に金属を除去
する点で非常に区別することが見出される。しかし、不運にもそれは非常に攻撃
的でもあるので、「中低そり」（“ｄｉｓｈｉｎｇ”）を避けるのは非常に困難
である。これは、隣接する非電導性材料構造の間にある金属層にくぼみ（ｄｅｐ
ｒｅｓｓｉｏｎ）を形成する傾向である。中低そりは半導体の性能に悪く作用し
、したがって非常に望ましくないと考えられる。アルファアルミナ配合の攻撃性
は、ある用途についてはもっと適度の研摩速度が望まれるにもかかわらず、粒径
の低減により修正されうる。
【０００７】 したがって、金属を選択的に、そして比較的ゆっくりと除去し、中低そりが最
小にされうるような要求が、ＣＭＰ用途で使用するための砥粒に存在する。
【０００８】 発明の説明 本発明はＣＭＰ生成物における使用に特に適している研摩材を提供し、シリカ
の被覆ならびに５０nmより小さい平均粒径および５０ｍ2 ／ｇより大きＢＥＴ表
面積を有する、遷移アルミナを含む。
【０００９】 「遷移アルミナ」（“ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎａｌ ａｌｕｍｉｎａ”）という
用語は、実験式Ａｌ2 Ｏ3 を有するがアルファ相が９０wt％以下であるアルミナ
を意味する。このように、この用語はギリシャ文字α，γ，χ，δ，η，κ，θ
およびρで表わされるアルミナ相の２以上の混合物を包含する。
【００１０】 いくつかの場合に、ベーマイトのシリカ被覆遷移アルミナの質量を基準として
５０wt％までのシリカ被覆遷移アルミナを含有するＣＭＰ配合物に添加すること
に有意の利益がある。
【００１１】 さらに本発明はシリカ被覆を有する遷移アルミナの製造法を含み、シリカをゾ
ル中でＡｌＯＯＨとして測定したアルミナの５wt％より少ない量でベーマイトゾ
ルに添加すること；その混合物をベーマイトがシリカ被覆遷移アルミナに変換さ
れるまで１１００〜１４００℃の温度で、数日間までの期間、乾燥および焼成す
ること、そしてそのシリカ被覆遷移アルミナを、少くとも５０ｍ2 ／ｇのＢＥＴ
表面積および５０nmより小さい平均粒径を有する粉末を生成するのに十分な粉砕
操作に供すること、を含む。
【００１２】 さらに本発明は、シリカ被覆遷移アルミナ、（および任意に５０wt％までのベ
ーマイト）、ならびに酸化剤、分散剤、錯化剤、腐食抑制剤、洗浄剤およびそれ
らの混合物からなる群より選ばれる添加剤、の分散体を含有するスラリーを含む
。
【００１３】 さらに本発明は本発明によるシリカ被覆遷移アルミナを含有する固定砥粒を提
供する。
【００１４】 本発明は、少くとも９０wt％のアルミナ含量を有するシリカ被覆遷移アルミナ
粉末を含む砥粒を用いて、金属および非導電性材料を含む基体を研摩することを
含む、好適なＣＭＰ法を提供し、その粉末は少くとも５０ｍ2 ／ｇのＢＥＴ表面
積を有し、粒子の少くとも９０％は５０、たとえば２０〜５０、nm以下の究極粒
子幅（ｕｌｔｉｍａｔｅ ｐａｒｔｉｃｌｅ ｗｉｄｔｈｓ）を有し、１０％以
下は１００nmより大きい粒径を有する。この粒径および表面積を有するこのよう
な遷移アルミナ粉末は便宜および簡潔のために「ナノアルミナ」（“ｎａｎｏ−
ａｌｕｍｉｎａ”）粉末もしくは粒子と以後、呼ぶことがある。
【００１５】 遷移アルミナ粉末粒子はシリカ被覆を備えるが、ここで用いられる「シリカ」
（“ｓｉｌｉｃａ”）という用語は、二酸化ケイ素のほかに、ムライト；アルカ
リ金属のアルミノシリケートおよびボロシリケートのような金属酸化物；アルカ
リ土類金属シリケート等を有するシリカの複合酸化物を含むと理解される。この
ように、「シリカ」の述べられる％は、実際に二酸化ケイ素以外の他の成分も含
む。
【００１６】 ナノアルミナ粉末のアルミナ含量は遷移アルミナの少くとも９０％、そして好
ましくは少くとも９５％である。残りはシリカおよび少量の他の酸化物含有相に
より与えられる。焼成プロセスは、完了すると、アルミナの最も安定な形態であ
るアルファアルミナ１００％を生じるであろう。ここでの意図は遷移アルミナを
生成させることであり、それは少くとも１０％の非アルファアルミナ相、そして
好ましくは少くとも４０％、そして最も好ましくは１０〜７０％の非アルファ相
が生じることを確実にするように制御される焼成プロセスの間にもっと制限され
た変換の成果である。さらに、遷移アルミナ粒子は有意には凝集せず、したがっ
て比較的容易に分離することも意図される。
【００１７】 ここでそのようなナノアルミナ粒子の「幅」（“ｗｉｄｔｈ”）を検討すると
、文脈が反することを明確に指示しない限り、粒子の最長寸法に垂直な最大寸法
の数平均値を意味すると理解されるべきである。実際に、ナノアルミナ粒子は少
しずんぐりした（ｂｌｏｃｋｙ）外観を有するので、粒子は等軸（ｅｑｕａｘｅ
ｄ）にみえることが多いことが見出された。測定法は走査もしくは透過の電子顕
微鏡、たとえばＪＥＯＬ ２０００ＳＸ装置の使用にもとづく。
【００１８】 ゾルゲル、そして特に種晶を用いるゾルゲル、法の進展は微晶質構造を有する
アルミナの製造を可能にしたが、そこでは究極結晶（ｕｌｔｉｍａｔｅ ｃｒｙ
ｓｔａｌｓ）（微結晶子（ｍｉｃｒｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｔｅｓ）と呼ばれるこ
とが多い）の大きさは０．１μｍすなわち１００nmのオーダーである。
【００１９】 米国特許第４，６５７，７５４号明細書において、Ｂａｕｅｒらは、乾燥され
た種晶ゾルゲルアルミナを少くとも１部をアルファ相に変換し、焼成中には過度
の焼成もしくは粒子成長が生じないように留意し、そして乾燥した製品を破砕し
てアルファ粒子の粉末にすることを教示する。これは焼成が少ししか行なわれな
いことを確実にする。このように破砕は究極粒子ではなく、少しの焼結結合（ｓ
ｉｎｔｅｒ ｂｏｎｄ）を破壊するのに必要である。ついで、変換を完了する焼
成はすでにその粉末形態の生成物で着手されうる。しかし、これは困難で高価な
操作であり、生成物中のアルファアルミナの究極粒子の大きい（１００nm）によ
り本質的に制限される。しかし、このような粒子は本出願が関係するナノアルミ
ナ粒子よりもはるかに大きい。
【００２０】 ＥＰ５５４９０８において、方法は、シリカの被覆を有するアルミナを形成し
、ついで焼成することによりナノアルミナの大きさの範囲にある少くとも９５％
のアルファアルミナを製造することについて教示される。しかし、このようなア
ルファアルミナは本発明の生成物により的とされるＣＭＰ用途にはむしろ攻撃的
すぎる。
【００２１】 米国特許第５，６９３，２３９号明細書は金属加工物表面を平坦化する方法を
教示し、そこでは砥粒成分はアルファアルミナならびにいくつかの遷移アルミナ
、水酸化アルミニウム、無定形アルミナもしくは無定形シリカの混合物である。
【００２２】 米国特許第４，９５６，０１５号明細書はアルファアルミナおよびベーマイト
を含有する研摩組成物を教示する。
【００２３】 しかし、上述の開示のどれも本発明の独特のシリカ被覆遷移アルミナ砥粒配合
物、またはそれらが使用されるＣＭＰ法を教示しない。
【００２４】 シリカ被覆遷移アルミナ砥粒粉末はスラリーの形態で使用され得、研磨パッド
が研磨される表面の上方を移動すると同時に表面に付着される。
【００２５】 このように１つの態様によると、本発明はＣＭＰ法を含み、変形しうるパッド
は研磨される表面と接触して移動し、スラリーは遷移アルミナ粉末を含有してお
り、その粉末のアルミナ粒子はシリカ被覆を有し、そしてその粉末は少くとも５
０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積；少くとも９０wt％のアルミナ含量を有し、そしてそ
の粒子の少くとも９０％は、５０nmより小さい、そして好ましくは１０〜５０nm
の究極粒子幅を有し、１０％未満は１００nmより大きい究極粒子径を有する。バ
インダー／砥粒は砥石表面、たとえばリムもしくは好適には大部分の面、の被覆
として存在しうる。あるいは、それはカバー、ディスクもしくはベルトのような
可とう性シート材料の平面上の被覆形態で硬化性バインダー中に分散された砥粒
を含有する配合物として堆積され得、ついでバインダーは研磨工具を与えるため
に硬化される。バインダー／砥粒層の表面は平滑であり得、またはそれはバイン
ダーが硬化される前に、ランダムもしくは繰り返しの状態の多くの形状を含む表
面構造を与えられうる。このような構造は、「設計された」（”engineered”）
といわれる。なぜならそれらは用途および付着されるべき基体表面により要求さ
れる形態を有するように予め決定されもしくは形づくられうるからである。
【００２６】 遷移アルミナの構造 遷移アルミナ粒子が製造される適した方法は、ベーマイトが完全にアルファア
ルミナに変換するよりも低い温度で、ベーマイト粒子のまわりにバリアを形成す
る材料、特にシリカをベーマイトゲル中に分散させることを含み、該材料は粒径
を抑制するのに十分な量で配合され、ついで約１０〜５０nmの大きさを有する究
極粒子のゆるい凝集体の形態で少くとも大部分のアルミナを遷移アルミナに変換
する温度でゲルを乾燥し、焼成する。このような生成物のＢＥＴ表面積は通常３
０〜６０ｍ２／ｇである。
【００２７】 これらの凝集体は「ゆるい」（”loose”）と記載されるが、それは、凝集体
が比較的容易に細分されて、約５０nmより小さい平均幅および５０ｍ２を超える
ＢＥＴ表面積を有する１次粒子のもどりうることを意味する。
【００２８】 焼成は粒子の有意な成長もしくは過焼成を生じるような温度であってはならな
い（もちろん不可能でなくとも、それらを１次粒子に分離するのが非常に困難に
させるであろう）。実際に、バリア被覆はそのような生成物の焼成を約１４５０
℃以上の高温度でのみ生じさせ、使用される通常の焼成温度は好ましくは１４０
０℃未満である。
【００２９】 シリカ被覆ベーマイトが焼成される時間の長さは実際の温度とともに、比較的
高い遷移相アルミナへの変換の程度を決定する。遷移相アルミナへのベーマイト
の変換において、χ、γ、ηおよびρのような比較的低温で生成される相がα、
κ、δおよびθアルミナのような比較的高温で生成される相と共存することは可
能である。高温での時間が増加するにつれて、特にα、δおよびθアルミの割合
が増加する。しかし、支配的な相はα（しかし９０％未満）、γ、δおよびθア
ルミナであるのが好ましい。
【００３０】 バリア材料はゲル中のベーマイト粒子のまわりに非常に薄い被覆を形成し、そ
れが遷移アルミナ層に変換されるにつれて、粒子の境界を越えるアルミナの移行
を抑制し、そして、粒子の成長を防止し、もしくは少くとも有意に抑制する、と
考えられる。したがって、その結果由来するベーマイト中のアルミナ粒子のオー
ダーの大きさを有する遷移アルミナ粒子が生成する。
【００３１】 好適なバリア材料は最も好都合にはシリカであるが、上述のように作用しうる
、他のガラス形成材料も本発明の範囲内である。これらのボロシリケート等のよ
うなホウ素含有物質を含む。この記載のために、第１の強調がシリカにもとづく
最も容易に利用でき、そして容易に利用しうる物質についてなされる。
【００３２】 シリカがバリア材料として使用されるとき、配合される量はゲル中のアルミナ
の質量のもとづいて約０．５〜約１０wt％が好適である。成分間の分散の親密さ
を最大とするためにベーマイトのゾルもしくはゲル中にシリカを分散させるのが
通常、好ましい。
【００３３】 ベーマイトは数十nm以下のオーダーの分散された粒径を有し、現在入手しうる
ものであればいかなるものでもよい。明らかに、もっとも一貫して微細粒径を有
するベーマイトが好適である。なぜなら、それらは他の商業的な製品のいくつか
と特徴づける分散し難い凝集体を有しないからである。
【００３４】 シリカは多分アルミノシリケートの生成により、ベーマイト粒子の表面と相互
作用し、そしてこれはアルファアルミナのような比較的高温で安定な相への転換
、ならびにそのような粒子の続く成長をおくらせる。この粒子成長抑制の機構の
ために、温度を低く保持する理由はほとんどない。このようにもっと急速な変換
は結晶の大きさの不利な影響なしに比較的高温を用いて得られうる。
【００３５】 ベーマイトゾルへのシリカの添加および得られるゾル混合物のゲル化は本発明
の重要で好適な態様である。なぜならこれは完全で、均一な分散を達成させるか
らである。加えて、シリカはさらなる有意の成長を抑制される、本質的にコロイ
ドの大きさのベーマイトに結合してなる。
【００３６】 遷移アルミナへの所望の水準の変換が生じると、粒子は約５０nm以下の幅を有
する１次粒子のゆるい凝集体の形態にあり、そして走査型電子顕微鏡下で一連の
棒状もしくはクラスター凝集体、または時々は1次粒子を含む成分の粗いネット
ワーク、の形態を有するようにみえうる。これらのゆるい集合体もしくは凝集体
はたとえば湿式もしくは乾式粉砕により個々の粒子に容易に分解される。それら
は、結晶粒界でシリカを含有するバリア相の形成のために、比較的容易に分解さ
れる。これは、約５０nmより小さい数平均粒子幅を有する遷移アルミナ生成物を
もたらす。湿式粉砕法はアルミナの表面加水分解により少量の水和アルミナ、た
とえばアルミナ三水和物、の生成を導きうることが多い。このような水和物はも
ちろん焼成の際にアルミナにもどり、そしてこの明細書のために、そのような表
面装飾アルミナは未修飾アルミナと区別されない。
【００３７】 本方法は新規な、微細で均一な粒径の遷移アルミナ粒子の製造を導く。したが
って、本方法は少くとも５０ｍ２／ｇ、好ましくは１００ｍ２／ｇ、のＢＥＴ表
面積を有する微細なアルミナ粒子を付与し、全粉末質量の少くとも９０％は遷移
アルミナにより与えられ、そして粒子の少くとも９０％は５０nm以下、そして好
ましくは１０〜５０nmの幅を有し、１０％未満は１００nmより大きい究極粒子幅
を有する。これらの大きい粒子の部分は超ミクロトーム試料の電子（走査型もし
くは透過型）顕微鏡分析により測定され、評価は１００nmより大きい幅の究極粒
子を有する粒子により占められる全領域の％で得られる。
【００３８】 粉末質量の残りはムライトもしくはアルミノシリケートのようなシリカ含有物
質を含むバリア材料により主として与えられ、全質量の１０wt％も多く、しかし
好適には約８wt％より小さく示しうる。しかし通常は上述の好適な少量のシリカ
ゾルとともに数えて、遷移アルミナは粉末の約９５wt％を示す。
【００３９】 存在するシリカの量は、注意深く調節されるべきである。なぜならもし多く添
加されすぎると大部分の（the bulk of）アルミナと反応する傾向があるからで
ある。一方、あまり少なすぎると粒子の成長を制限するのに有効でない。実際に
は、ゲル固形分の約０．５〜約１０、そして好ましくは約１〜約８wt％がシリカ
であるべきであることが見出される。したがって最終生成物のシリカ量は約１０
wt％未満であるべきであり、そして好ましくは約８wt％未満、そして最も好まし
くは約５wt％未満であるべきである。大部分の操業において、ＳｉＯ2として測
定され、そして全アルミナ質量基準（Ａｌ2Ｏ3として測定して）で、シリカ２〜
８wt％の添加が有効であることが見出される。
【００４０】 シリカはコロイド状シリカ、シリカゾル、または反応条件下でそのようなコロ
イドもしくはゾルを遊離させ（liberate）そしてアルミナ粒子のまわりに被覆を
形成させる化合物、の形態で添加されうる。そのような化合物はテトラエチルオ
ルソシリケートのようなオルガノシラン、およびある金属シリケートを含みうる
。一般に、アルカリ金属シリケートはあまり好適ではない。ゾル中のシリカの形
態は好適には、高々数nmのオーダーであるベーマイトの粒径と少くとも同様か、
もしくは好ましくはより小さい、粒径である。
【００４１】 ベーマイトゾルにゾルの形態でシリカを添加することはシリカの最も均一で有
効な分布を確実にするので最小限が使用されうる。
【００４２】 ゲルは比較的低温で乾燥され得、ついで焼成されるが、それは２日もしくはそ
れ以上までの日数、しかし、通常は１２〜２４時間、の期間にわたって約８００
℃〜約１３００℃の温度でなされるのが通常である。焼成はゲル中の水を追出し
、シリカ表面バリアの形成を促し、そしてベーマイトの遷移アルミナ相への変換
を始めさせる。本発明において、好適な焼成温度は約１１００℃〜１４００℃で
あり、その温度で要する時間はシリカの存在によりそのようなアルミナに通常で
あるよりも少し長い。その範囲の比較的低温端での焼成は粒子に凝集体を形成す
る傾向を最小にする。
【００４３】 焼成において、焼成温度での時間は、非常に重要である。焼成温度へのゆっく
りした勾配は焼成温度での比較的短い時間の使用を指示し得、この勾配は使用さ
れる装置の関数であることが多い。一般には回転炉は所望温度に達するのにはる
かに短い時間を要するが、箱型炉（box furnace）は著しく長い時間を要しうる
。このように、調節および再現性のために、回転炉を使用するのが好ましいこと
が多くありうる。加えて、大きな試料は小さいものよりも均一体温度に達するの
に長い時間を要する。したがって、実際に使用される温度／時間スケジュールは
、環境により指示されるが、上述の考慮が留意される。
【００４４】 細分化（comminution）は湿式もしくは乾式ボールミル等のような従来法を用
いてミル内に達成されうる。あるいは、細分化を容易にするために集合体内の粒
界にムライトもしくはアルミノシリケート相の存在を利用することも可能である
。このような相はアルミナと異なる熱膨張特性を有するのが通常であり、そして
、膨張応力を創り出すために高お呼び低温により生成物を循環させることにより
このような粒界層を破壊することが度々、可能である。このような応力は細分化
をもたらすのにそれ自体適切であることがありうる。さらに、水熱処理により、
またはこれらの生成物を塩基もしくは酸で処理することによりこれらのシリカ含
有粒界を化学的応力に供することも可能でありうる。しかし、もっと一般的には
、このような熱もしくは化学的細分化は５０nmより小さい数平均粒子幅を有する
粉末に分解するのを完了するためにある種の物理的細分化をさらに必要とする。
【００４５】 本方法により得られる非常に微細な粒径は、それらが５０ｍ２／ｇ、そして度
々１２０ｍ２／ｇ、を超える高ＢＥＴ表面を粒子の約１０wt％未満が１００nmよ
り大きい究極粒子を有するような非常に狭い粒径分布と組合わせる点において非
常に独特であると考えられる。粉砕は低純度アルファアルミナ媒体を用いてなさ
れるのが通常であるので観察される１００nm＋の有意な割合は媒体の摩滅からお
そらく生じ得、ベーマイトの変換で得られる伝統的なアルミナからではないと考
えられる。対照的に、比較的大きいアルファアルミナ粒子を粉砕することにより
得られる生成物は、大きさが１００nmより大きい多数の粒子を有する、はるかに
幅広い広がりの粒径を有するのが通常である。このように従来法で製造されるア
ルファアルミナ粒子を５０nmの平均粒径に粉砕することが可能であったとしても
、その数値についての分布は、１０％より多くが１００nmを超える粒径を有する
ことがたしかに確実であろう。
【００４６】 ナノアルミナ粒子を分離するのに用いられる最終的な粉砕は低純度アルファア
ルミナ（アルファアルミナ約８８％）、もしくはジルコニア媒体を用いて実施さ
れるのが好適である。「ジルコニア」（”zirconia”）媒体は、イットリア、希
土類金属酸化物、マグネシア、カルシア等のような添加剤により安定化されたジ
ルコニアから製造される媒体を含むと理解される。
【００４７】 この選択は経験的であるが、おそらくこれらの媒体が粉砕時に崩壊する方法に
よると考えられる。高純度アルミナ媒体は粉砕の間に崩壊してきわめて大きい砕
片を生成する。対照的に低純度アルミナ媒体はμｍの大きさの粒子を生成するの
が通常であり、ジルコニア媒体は堅いので、ほとんど破片を生じないようにみえ
る。
【００４８】 ＣＭＰ適性の試験 半導体部品の製造において、シリコンウェハ基体上に異なる導電性および非導
電性材料のいくつかの層を堆積するのが普通である。堆積されるとき、層は平ら
でないことことが多く、できるかぎり低いＲａ（表面粗さの尺度）を有する表面
を与えるために「平坦化される」（”planarized”）必要がある。
【００４９】 典型的なＣＭＰ操業において、課題は材料を効率的に除去すると同時に、でき
るかぎり表面をきずがなく残すことである。効率は重要であるが、制御はもっと
重要である。なぜなら堆積される層の厚さはオングストロームで測定され、あま
りに攻撃的な除去速度は、層の所望の厚さが達成されたときに正確に停止させる
ことを困難にしうるからであり、このように着実であるが制御された除去が目標
である。
【００５０】 さらにこの着実さは、回路のようなパターンがエッチングされた先に堆積され
た層内上に重なるときに重要である。
【００５１】 上にある層が先に堆積されたエッチング層の水準に除去されたときに、浸食が
継続せず、先の層の残っているエッチング構造間の充填領域は「中低そり」（”
dishing”）として知られる過程での浸食をされない。
【００５２】 もし先の層とその上にある層の間の除去選択性が著しく、そして上にある層の
除去速度が高いならば、中低そりの可能性は大きく、そしてもちろんこれは、次
の層が堆積されうる非常に非平滑面をもたらす。
【００５３】 したがって特定の砥粒のＣＭＰ可能性を評価する際に、２つの種類の試験が用
意された。第１は除去の選択性を評価することが意図され、そして第２は中低そ
りの可能性を評価することが意図された。
【００５４】 選択性試験は、銅、もしくは二酸化ケイ素絶縁層（以後、「酸化物」層という
）のいずれかでつくられた平坦化されるべき表面を有する試料について行なわれ
た。試料は十分に洗浄された半導体グレードシリコンウェハ上に１０，０００Å
の酸化物層を堆積することにより製造された。これは除去速度の評価のための酸
化物試料を与えた。これらの酸化物試料の平坦化された形式はチタン付着層の４
００Å層を与え、つぎに銅の１０，０００Å層につづく。この銅表面は銅の除去
速度を評価するのに用いられた。
【００５５】 中低そり試験は上述の酸化物層を１６，０００Åの深さまで与えたシリコンウ
ェハ試料について実施された。酸化物層は平坦化され、ついでエッチングされ２
，２００Å深さのパターンを付与した。このエッチング層上に銅の１０，０００
Å層が堆積された。この銅表面は、酸化物表面がさらされ、生じた中低そりの深
さが評価されるまで、平坦化された。 例１−選択性評価 遷移アルミナ９５％（アルミナは約２％含まれていた）、およびシリカ５％を
含有する本発明によるＣＭＰスラリーが、以下に選択される手順により製造され
る試料についえ銅およびシリカの除去において２つの市販アルミナスラリーに対
して評価された。
【００５６】 本発明によるスラリーはアルミナに対するシリカの質量比５：９５をあたえる
のに十分な量でシリカゾルをベーマイトに添加することにより製造され、そして
ゾルは乾燥され、粉末を与え、ついで１１７０℃で１０時間、さらに１１９５℃
でもう１０時間焼成された。焼成された材料はＢＥＴ表面積４５〜５０ｍ２／ｇ
を有していた。ついで粉末は、表面積が約９０ｍ２／ｇに達するまで０．８mnの
ジルコニア媒体を用いてＤｒａｉｓミル中で湿式粉砕された。得られたスラリー
は沈降により固体分１０％まで濃縮され、そしてｐＨは硝酸で約３．５に調節さ
れた。スラリーは一連のＰａｌｌ１０μｍおよび５μｍフィルターで濾過された
。
【００５７】 固形分１０wt％を有する上述のスラリー（１０００ｇ）は３０％過酸化水素２
５０ｍＬおよびベンゾトリアゾール４ｇおよび脱イオン水と混合され、本発明に
よるＣＭＰスラリー４０００ｇを製造された。
【００５８】 第１の比較試料（ＣＯＭＰ−１）は１００nmのオーダーの平均粒径を有する市
販のアルファアルミナである。それはＳａｉｎｔ−Ｇｏｂａｉｎ Ｉｎｄｕｓｔ
ｒｉａｌ Ｃｅｒａｍｉｃｓ，Ｉｎｃ．から、製品コードＳＬ９２４５の下で入
手し得、米国特許第４，６５７，７５４号明細書の教示により製造された。第２
の比較試料（ＣＯＭＰ−２）はＢｅｕｈｌｅｒ Ｌｉｍｉｔｅｄから商品名（tr
ade name）「製品コード Ｍａｓｔｅｒｐｒｅｐ」（”Ｐｒｏｄｕｃｔ Ｃｏｄ
ｅ Ｍａｓｔｅｒｐｒｅｐ”の下で購入された。それは主としてガンマアルミナ
であると考えられる。
【００５９】 各スラリーはアルミナの１０％固形分スラリー２０００ｇ、３０％過酸化水素
水溶液２５０ｍＬおよびベンゾトリアゾール４ｇに添加することにより生成され
た。ついで脱イオン水が添加され合計スラリー質量を４０００ｇにされた。
【００６０】 ついで３つのスラリーはＲｏｄｅｌ Ｉｎｃ．から入手したＩＣ１４００積層
貫通研磨パッドを用いて実験室規模研磨機で評価された。３４．５ｋＰａ（５ｐ
ｓｉ）の研磨圧力が約１．２ｍ／秒の表面速度で基体に対して移動するパッドに
かけられた。スラリーは１００ｍＬ／分の速度で表面にわたって流動された。
【００６１】 各場合において、スラリーは銅およびシリカの両方を研磨するのに使用され、
そしてそれぞれについての材料除去速度が測定された。結果は次の表に示される
。
【００６２】
【表１】
【００６３】 上からわかるように、アルファアルミナ生成物は選択的であったが、非常に攻
撃的でもあった。ガンマアルミナ生成物はそれほど攻撃的ではないが、あまり選
択的ではなかった。本発明によるアルミナスラリーは、選択性を保持するが、も
っと攻撃的ではない。
【００６４】 同一のＣＭＰスラリーが同一の方法を用いてタングステンおよびシリカに対し
て選択性について評価された。タングステンおよびシリカの除去速度はそれぞれ
４０２および３８Å／分であり、シリカの約１０に対してタングステンの選択性
に表わされる。 例２−中低そりの評価 例１で評価されたのと同一の３つのアルミナが上述の方法で中低そりについて
評価された。試験装置は、試験される材料が、エッチングされ平坦化されたシリ
カ基体であり、その上に銅が堆積されたことを除いて、例１に記載されたとおり
であった。終点は銅およびシリカ基体の両方が目に見える最初の時点であった。
「中低そり」(“dishing”)の測定はＴｅｎｃｏｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎよ
り供給されたプロフィロメーター（profilometer）を用いてなされた。測定値は
５〜４５μｍの変動する高さの隣接する輪郭間の中低そりの深さにより構成され
た。
【００６５】 ２つの同一の「輪郭」（”features”）がＣＭＰ処理で試験された。１つは「
ＣＯＭＰ−１」として例１で記載された配合物を用いて処理され、そして残りは
例１で「ＩＮＶ−１」として記載された配合物を用いて処理された。評価の結果
は図１および２に示される。各図において、「ａ」図は（比較的淡い色の）平坦
化されたシリカマトリックスを示す「輪郭」の平面図であり、正方形の銅の堆積
は上にある銅の堆積の除去後にも残っている。銅はＣＭＰ配合物を用いてシリカ
マトリックスの水準まで浸食された。各図の「ａ」図において、線は中低そりの
輪郭の最深部および周囲のマトリックスの最高部を通過する輪郭にわたって描か
れた。「ｂ」図において、「ａ」図の線にそう輪郭形状が形成される。「ａ」お
よび「ｂ」図の両方における矢印は、最大垂直分離を有する位置を示す。図１の
シリーズ（比較）において、矢印の間の垂直距離は６５．５nmであったが、図２
シリーズにおける対応する距離は３７．７nmであった。本発明のＣＭＰ配合物で
中低そりの量がより多く低減したばかりでなく、「ｂ」図に示される輪郭形状も
本発明によるＣＭＰ配合物が使用されたときにはるかに明瞭に境界づけられる。
これは「ａ」図からも明らかである。
【００６６】 したがって、本発明による生成物で得られる中低そりの程度は従来技術による
配合物よりもはるかに厳しくない。 例３−混合物 この例において、本発明のシリカ被覆遷移アルミナのベーマイトとの混合物が
同一混合物における従来技術のアルミナに対して評価される。評価された配合物
は例１で評価されたものであり、そして評価は同一の方法で実施された。各場合
において、スラリーは、ベーマイト１．５wt％、ならびに例１で記載された配合
を有し、そしてその方法で製造された、本発明のシリカ被覆遷移アルミナ（ここ
で、ＩＮＶ−１と呼ばれる）１wt％；ＣＯＭＰ−１配合物（この例でもＣＯＭＰ
−１と呼ばれる）において使用された従来技術のアルファアルミナ；またはＣＭ
Ｐ−２配合物（この例でもＣＯＭＰ−２と呼ばれる）において使用されたガンマ
アルミナ、を含有していた。配合物は金属タングステンおよびシリカに対して選
択性について試験された。得られた結果は次の表に示された。
【００６７】
【表２】
【００６８】 このデータから、ベーマイトを有する混合物は単一の砥粒成分としてシリカ被
覆遷移アルミナを含む配合物よりもはるかに良好な選択性および除去速度を有し
うることが明らかである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２４Ｄ 3/00 ３２０ Ｂ２４Ｄ 3/00 ３２０Ａ ３３０ ３３０Ｄ 3/28 3/28 Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２Ｂ ６２２Ｄ (72)発明者 タニケラ，ブラーマナンダム ブイ． アメリカ合衆国，マサチューセッツ 01760，ナティック，ウッドバイン ロー ド 31，アパートメント ＃６ (72)発明者 デラニー，ウィリアム アール． アメリカ合衆国，マサチューセッツ 01581，ウエストボロー，アサベット ド ライブ 18 Ｆターム(参考） 3C047 FF08 GG15 3C058 AA07 AC04 CB01 CB03 DA17 3C063 AA02 BB03 BB07 BB15 BC03 CC01 EE26 FF23

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 シリカの被覆ならびに５０nmより小さい平均粒径および５０
    ｍ2 ／ｇより大きいＢＥＴ表面積を有する、遷移アルミナ粒子を含む、ＣＭＰ生
    成物に使用するための研摩材。
  2. 【請求項２】 遷移アルミナ粒子の１０ vol％未満が１００nmを超える粒径
    を有する請求項１記載の研摩材。
  3. 【請求項３】 シリカ被覆が遷移アルミナ粒子の質量の８wt％未満を示す請
    求項１記載の研摩材。
  4. 【請求項４】 さらにベーマイトを含み、そしてベーマイトは全研摩材含量
    の１〜８０wt％を示す請求項１記載の研摩材。
  5. 【請求項５】 シリカ被覆遷移アルミナに加えて、酸化剤、分散剤、錯化剤
    、腐食抑制剤、洗浄剤およびそれらの混合物からなる群より選ばれる分散媒体お
    よび添加剤を含む、スラリー形態の請求項１記載の研摩材。
  6. 【請求項６】 シリカ被覆アルミナおよびベーマイトに加えて、酸化剤、分
    散剤、錯化剤、腐食抑制剤、洗浄剤およびそれらの混合物からなる群より選ばれ
    る分散媒体および添加剤を含む、スラリー形態の請求項４記載の研摩材。
  7. 【請求項７】 硬化バインダー樹脂内に分散された、請求項１記載の研摩材
    を含む固定研摩工具。
  8. 【請求項８】 工具が被覆研摩材の形態を有する請求項５記載の工具。
  9. 【請求項９】 被覆研摩材が成形され、輪郭のある表面を備える請求項６記
    載の工具。
  10. 【請求項１０】 変形しうるパットは遷移アルミナ粉末を含むスラリーと接
    触しているが、研磨される表面と接触して移動するＣＭＰ法であり、その粉末の
    アルミナ粒子はシリカ被覆を有し、そしてその粉末は少くとも５０ｍ2 ／ｇのＢ
    ＥＴ表面積、少くとも９０wt％のアルミナ含量を有し、その少くとも９０％は遷
    移アルミナであり、そして粒子の少くとも９５％は１０〜５０nmの究極粒子幅を
    有し、５％未満は１００nmより大きい粒径を有する、ＣＭＰ方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011517712A (ja) * 2008-03-21 2011-06-16 サン−ゴベン・セントル・ドゥ・レシェルシェ・エ・デチュード・ユーロペアン シリカでコーティングされた溶融粒子
JP2019157120A (ja) * 2018-03-13 2019-09-19 Jsr株式会社 化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法
WO2020045087A1 (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 Jsr株式会社 化学機械研磨用アルミナ砥粒及びその製造方法、並びに化学機械研磨方法
WO2020045088A1 (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5137521B2 (ja) * 2006-10-12 2013-02-06 日揮触媒化成株式会社 金平糖状シリカ系ゾルおよびその製造方法
KR101208896B1 (ko) 2012-05-24 2012-12-06 주식회사 대한세라믹스 알루미나계 연마재 지립의 제조방법 및 이에 의해 제조된 알루미나계 연마재 지립
CN114921057B (zh) * 2022-06-02 2023-06-13 江苏长电科技股份有限公司 一种环氧塑封料组合物、制备方法及应用

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU650382B2 (en) * 1992-02-05 1994-06-16 Norton Company Nano-sized alpha alumina particles
US5693239A (en) * 1995-10-10 1997-12-02 Rodel, Inc. Polishing slurries comprising two abrasive components and methods for their use

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011517712A (ja) * 2008-03-21 2011-06-16 サン−ゴベン・セントル・ドゥ・レシェルシェ・エ・デチュード・ユーロペアン シリカでコーティングされた溶融粒子
JP2019157120A (ja) * 2018-03-13 2019-09-19 Jsr株式会社 化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法
JP2022160391A (ja) * 2018-03-13 2022-10-19 Jsr株式会社 化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法
JP7183863B2 (ja) 2018-03-13 2022-12-06 Jsr株式会社 化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法
JP7371729B2 (ja) 2018-03-13 2023-10-31 Jsr株式会社 化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法
WO2020045087A1 (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 Jsr株式会社 化学機械研磨用アルミナ砥粒及びその製造方法、並びに化学機械研磨方法
JP2020035893A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 Jsr株式会社 化学機械研磨用アルミナ砥粒及びその製造方法
WO2020045088A1 (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法
JP2020035894A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体
JP7167558B2 (ja) 2018-08-30 2022-11-09 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体
JP7167557B2 (ja) 2018-08-30 2022-11-09 Jsr株式会社 化学機械研磨用アルミナ砥粒及びその製造方法

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