JP2003509591A - マイクロ波によるマイクロ構造体電極放電で局部的なプラズマを発生させるための装置および方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、マイクロ構造体電極放電によって、特に表面の処理、ガスの化学変換、または光発生のためにプラズマを発生させるための装置であって、プラズマを発生させるための機器（１）が設けられており、該機器（１）が少なくとも１つのガイド構造体（１１）を有している形式のものに関する。この装置にはマイクロ波発生機が設けられており、該マイクロ波発生機によって電磁的なマイクロ波が、プラズマを発生させるためにガイド構造体（１１）に入力結合可能である。さらにこのガイド構造体（１１）は少なくとも１つの局地的に密に隣接し合うプラズマ領域（１２）を有しており、これらのプラズマ領域（１２）はガスに接続している。ガイド構造体（１１）は有利には誘電体で充填された導波管（２１）またはストリップ導体の装置である。これらのストリップ導体は誘電帯プレート上に延在している。装置および該装置を用いて実施する方法は特に基板の表面の活性化または処理のために、または層を積層させるために適している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 背景技術 本発明は請求項１の上位概念部に記載の装置と、該装置を用いて、特に表面を
処理するために、またはガスを化学的に変換させるために、または光を発生させ
るためにマイクロ構造体電極放電によって実施される、請求項１４の上位概念部
に記載の方法に関する。

【０００２】 表面をプラズマ方式に処理するためには、プラズマを基板の、処理しようとす
る表面にできるだけ近くで発生させるか、または鋭くまたは局部的に制限された
プラズマ容量を有するプラズマ源を、処理しようとする基板に近づけると有利で
ある。このことは従来技術ではいわゆるマイクロ構造体電極放電によって実現さ
れており、この場合誘電性のプレートに電極が設けられている。これらの電極は
約１００μｍより小さな典型的な間隔をおいて位置している。このような形式の
放電部はよく知られた形式では非常に広い圧力領域において作動し、比較的鋭い
プラズマ制限面を有している。すなわち大きな面だが局部的に密に隣接し合う少
量のプラズマが生ぜしめられる。

【０００３】 従来技術では、マイクロ構造体電極放電はこれまでもっぱら直流電圧でのみ生
ぜしめられて運転された。このために例えばM．Rｏｔｈ等による「マイクロスト
ラクチャ エレクトロ−デス アズ エレクトロニック インターフェース ビ
トゥイーン ソリッド アンド ガス フェイズ：エレクトリカリー ステアブ
ル カタリュスト フォー ケミカル リアクション イン ザ ガス フェイ
ズ（Micro-structure-Electrodes as Elektronic Interface Between Solid and
Gas Phase:Electrically Steerable Catalysts for Chemical Reaction in the
Gas Phase）」、（１９９７年、１月、インターナショナル カンファレンツ
オン マイクロリアクションテクノロジー、フランフルト／マイン）、とJ．W．
Frameによる「マイクロディスチャージ デバイス ファブリケイティッド イン
シリコン（Microdischarge Devices Fablicated in Silicon）」、(１９９７年
、４月、phys.lett.,７１，９，１１６５)、とが参照される。高周波励起または
マイクロ波励起はこれまで実現されていなかった。

【０００４】 さらにKummer著「グルンドラーゲ デア マイクロベレンテヒニーク（grundla
ge der mikrowellentechnik）」、（１９８６年、ベルリン在、VEB Verlag Tec
hnik）によりマイクロ波を導波管またはストリップ導体（マイクロストリップ技
術）を介してガイドすることは公知である。ストリップ導体（マイクロストリッ
プ）の場合には、汎用の形式では接地された金属製のベースプレートを有する誘
電性の基板上に、金属製の導波路が装着されており、この導波路にマイクロ波が
入力結合される。複数の導波路がベースプレート上に延在している場合には、金
属製のプレートを廃止することもできる。

【０００５】 発明の利点 本発明による装置およびこの装置を用いて実施する本発明による方法は従来技
術に対して次のような利点を有している。すなわち、プラズマを発生させる装置
とのプラズマの直接コンタクト形成と、特にこの装置の、電極として働く部分と
が必要なくなる。したがって本発明による装置全体の耐用寿命、特にマイクロ構
造体電極として働くガイド構造体の耐用寿命が著しく延長される。さらに本発明
による装置は手入れの点でも著しく良好である。

【０００６】 さらに高い周波数での電流のわずかな侵入長に基づき、入力結合されたマイク
ロ波をプラズマを発生させる装置にガイドするための電極材料もしくはガイド構
造体（金属製の導波管またはストリップ導体）を、非常に薄く保持することがで
き、これにより製造を著しく簡易化することができる。２．４５GHｚの周波数で
必要な厚さは金属に関連して数μｍでしかない。さらにこれはマイクロ波をガイ
ド構造体に入力結合するための構造体または構造部分のためにも有効である。特
にガイド構造体を有利には蒸着することもできる。

【０００７】 単数のまたは有利には多数の互いに孤立したプラズマ領域においてマイクロ波
による局部的にまたは３次元的に密に隣接し合うプラズマの発生は、まず供給さ
れるガスによって行われる。このガスはガイド構造体に沿ってまたはガイド構造
体を通過してガイドされるか、またはこのガスはガイド構造体に供給される。こ
れによりガイド構造体の表面では少なくとも領域的にプラズマ領域と、このプラ
ズマ領域によって規定されるプラズマ容量とによってガスプラズマが生ぜしめら
れる。

【０００８】 本発明の別の利点および有利な改良形態は従属請求項に記載した特徴から得ら
れる。

【０００９】 装置もしくはガイド構造体がプラズマ領域の周辺部において誘電性の保護層で
覆われていると、装置もしくはマイクロ構造体電極としてのガイド構造体の耐用
寿命にとって非常に有利である。このためにとりわけセラミック保護層が適して
いる。この直流電圧運転では使用できない保護層によってマイクロ構造体電極の
耐用寿命は著しく高められる。

【００１０】 それ他に、プラズマを発生させる、特にガイド構造体に入力結合されたマイク
ロ波をガイドしかつ放電させるために装置の製造において、従来の技術に依存す
ることができる。したがってマイクロ波のガイドは有利には公知である導波管装
置によってかまたは公知であるマイクロストリップ装置によって行われる。この
マイクロストリップ装置は同様にそれ自体公知のマイクロ構造化方法によって製
造されて構造化される。

【００１１】 マイクロ波発生装置によって発生されるマイクロ波をガイド構造体に入力結合
することは有利には、ガイド構造体と導電的に接続している少なくとも１つの入
力連結構造体を介して行われる。この供給されるマイクロ波の周波数は３００MH
ｚから３００GHｚである。

【００１２】 ガス放電させる装置もしくはプラズマを発生させる装置の一部としての、入力
結合されるマイクロ波のためのガイド構造体は、有利には二酸化珪素のような耐
絶縁破壊性の、損失の少ない誘電体で充填された金属製の導波管である。しかし
有利には平行に間隔をおいて配置された少なくとも２つの金属プレートによって
構成されていてもよい。これらの金属プレートの中間室は誘電体で充填されてい
る。この装置は閉じられた導波管と比べて構造が簡単であるという製造技術的な
利点を有している。

【００１３】 導波管もしくは導波管の金属層または金属プレートは有利には入力結合された
マイクロ波の侵入長に相応した厚さまたは間隔を有している。例えばKummer著「
グルンドラーゲ デア マイクロベレンテヒニーク（grundlage der mikrowelle
ntechnik）」、１９８６年、ベルリン在、VEB Verlag Technikにより知られて
いる典型的な値は、ｃｍ領域の長さおよび／または幅である導波管もしくは金属
プレートの典型的なサイズでは、μｍ領域にある。

【００１４】 ガイド構造体としての導波管において、入力結合されたマイクロ波のＨ_１０−
モードが励起されると特に有利である。なぜならばこの場合導波管の幅だけがマ
イクロ波の伝播にとってクリティカルとなるからであり、例えば導波管の長さを
、不可避な減衰は除いて極めて自由に変えることができる。

【００１５】 択一的にガイド構造体が、有利には特に少なくとも２つの平行な金属製ストリ
ップ導体から成る装置であってよい。これらの金属製のストリップ導体は誘電体
プレート上に延在している。例えばプレートの材料としてここでも二酸化珪素が
適している。僅かな侵入長の厚さを有するこれらのストリップ導体の製造は有利
には公知のマイクロストラクチャ化方法またはマイクロストリップストラクチャ
技術によって行われる。

【００１６】 さらにガイド構造体の領域では、少なくとも１つの、しかし有利には多数のプ
ラズマ領域が設けられており、これらのプラズマ領域は有利にはガイド構造体の
マイクロストラクチャによって製造される。

【００１７】 これらのプラズマ領域は特に有利にはガイド構造体に設けられた孔である。こ
れらの孔の典型的な直径は有利には約５０〜１０００μｍである。これらの孔は
目的に応じて規則的に配置されてガイド構造体の領域に分配されている。ガイド
構造体として導波管が使用されている場合、これらの孔は励起されたＨ_１０−モ
ードと組み合わされるとさらに大きな利点を有する。すなわち発生した電界は導
波管内で孔に対して平行に方向付けられかつ十分に均質になる。また導波管の幅
の方向での電界強度バリエーションは、比較的高い励起可能なモードと比べて極
小である。

【００１８】 生ぜしめられたプラズマによって、孔の内壁および選択的に電極面の表面負荷
または材料剥離、ひいてはこれに基づいて徐々に生ぜしめられる、プラズマ領域
もしくはガイド構造体の破損を回避するまたは減少させるために、有利には誘電
性の、特にセラミック保護層が設けられている。この誘電性の保護層はガイド構
造体内でのマイクロ波の伝播をわずかにしか影響させない。

【００１９】 プラズマ発生領域におけるプラズマの発生は有利には０．０１ｍｂａｒ〜１ｂ
ａｒの圧力下で行われ、しかもこのプラズマ領域に、マイクロ波発生機と入力結
合構造体とを介して、約１ｍＷ〜１Ｗのマイクロ波発生出力が供給される。

【００２０】 この供給されるガスは有利には特にアルゴン、ＨｅまたはＸｅのような希ガス
並びに空気、窒素、水素、アセチレン、またはメタンである。この希ガスは有利
には約１０〜１０００ｓｃｃｍのガス流で供給される。しかしこのパラメータは
個々の場合に、プラズマを発生させるための装置の選択された寸法で段階分けさ
れ、単に典型的な値として評価されるだけである。さらに特に有利には、本発明
による装置を空気でも運転することができ、ひいては表面の酸化励起が得られる
。環境圧から真空までの広い圧力領域によってこの領域内で作業することができ
ると、多重の適用可能性がさらに開発される。

【００２１】 本発明による装置とこの装置を用いて実施する方法とは特に基板の表面の活性
化または処理のために、または層を積層させるために適している。特別な利点は
３次元的に密に隣接し合うプラズマ領域のサイズと、処理する基板の表面のすぐ
近くにあることである。

【００２２】 図面 次に図面および以下の説明に基づき本発明の実施形態を詳説する。

【００２３】 図１には孔を備えたガイド構造体を有する機器が示されており、図２にはガイ
ド構造体の択一的な実施例が示されており、図３には基板をガイド構造体でプラ
ズマ加工する際の第１ガス供給部が示されており、図４には別のガス供給部を有
する択一的な実施例が示されている。

【００２４】 実施例 図１には入力結合構造体１０とガイド構造体１１とプラズマ領域１２とを有す
る機器１が示されている。この場合、入力結合構造体１０はマイクロ波技術に基
づき公知であるホーン２０の形を有しており、マイクロ波をガイド構造体１１に
入力結合するために働く。マイクロ波は図示していない公知のマイクロ波発生機
によって発生させられる。このマイクロ波発生機は入力結合構造体１０に接続し
ている。ホーン２０は導電的にガイド構造体１１に移行しており、その結果マイ
クロ波発生機によってマイクロ波は入力結合構造体１０を介してガイド構造体１
１に入力結合される。

【００２５】 この実施例ではガイド構造体１１は銅、特殊鋼、金または銀のような金属から
なる導波管２１として形成されている。この導波管２１の内部は、損失の少ない
耐絶縁破壊の誘電体２２として例えば二酸化珪素で充填されている。この導波管
２１は１ｍｍまでの厚さを有している。導波管２１の長さは可変であるが、入力
結合されるマイクロ波の波長の４分の１であるとよい。導波管２１の幅は選択さ
れた導波管モードに相応して規定される。

【００２６】 さらにこの導波管２１は多数の孔２６が設けられており、これらの孔２６は規
則的に配置されている。これらの孔２６は、その周囲部に位置する、密に隣り合
うプラズマ領域１２を規定する。この個々の孔２６の直径は約５０μｍ〜１ｍｍ
である。したがってこの機器１はマイクロ構造体であり、しかもガイド構造体１
１の各プラズマ領域１２内では、ガスの供給後にプラズマを発生させる。さらに
孔２６の内壁２３と、選択的にガイド構造体１１の電極面全体とには、誘電性の
、特にセラミック製の被覆体が保護層として設けられている。この被覆体は例え
ばアルミニウム酸化物または二酸化珪素から成っている。

【００２７】 ガイド構造体１１に入力結合されたマイクロ波の周波数は目的に合わせて３０
０ＭＨｚ〜３０ＧＨｚであり、有利には９００ＭＨｚ〜２．４５ＧＨｚが使用さ
れる。入力結合されたマイクロ波のＨ_１０−モードが導波管２１で励起されかつ
伝播するように、導波管２１は有利には寸法設定されかつマイクロ波の周波数が
選択される。

【００２８】 このために個々に、専門家は導波管２１の各幅とマイクロ波の周波数とを互い
に調整しなければならない。Ｈ_１０−モードの励起で、単に導波管２１の幅だけ
がクリティカルな大きさであり、他方では例えば導波管２の長さは、伝播される
マイクロ波の減衰に関連してしか重要でない。さらにこの入力結合されたマイク
ロ波の出力は各プラズマ放電領域１２のために約１ｍＷ〜約１Ｗの出力が得られ
るように選択されている。

【００２９】 図３および図４には、機器１を用いてガイド構造体１１のプラズマ領域１２に
生ぜしめられるマイクロ構造体電極放電によって、プラズマで基板３０の表面を
処理するための機器１の運転が示されている。図３に基づきガスが、ガス供給部
３１を介して、基板３０とは反対側からガイド構造体１１の孔２６を通ってガイ
ドされる。ついでこのガスは基板３０の表面に沿って流れ、それから側方に 流れ出る。主として供給されたガスの種類、ガス流、圧力および導波管２１の厚
さに関係した、入力結合された最小限のマイクロ波出力さえあれば、主として孔
２６のサイズによって規定される、プラズマ領域１２におけるプラズマ発生が得
られる。したがってガイド構造体１１と基板３０との間には少なくとも領域的に
プラズマ容量４０が存在しており、このプラズマ容量４０は孔２６の間隔に応じ
て、互いに孤立されたまたは協働し合う種々様々なプラズマ領域１２によって形
成される。

【００３０】 供給されるガスは、基板３０の表面を洗浄するまたは活性化させるための、例
えば窒素またはアルゴンのような不活性ガスもしくは希ガスである。しかし同様
にまた公知である、酸素、空気、アセチレンまたは水素のような反応性ガス、ま
たはガス状もしくは蒸気状の前駆体材料、例えば有機珪素化合物または有機チタ
ン化合物であってもよい。したがって機器１によって、供給されるガスの選択に
応じて、基板の表面で化学反応を引き起こすことができるか、または例えば硬化
材料被覆体または摩耗保護層の形で表面被覆を行うことができる。

【００３１】 ガイド構造体１１の寸法設定と、供給されるガスの種類と、孔２６の直径と、
導波管２１の幅と、それぞれ個々に簡単な予備試験に基づき専門家によって検出
される約０．０１ｍｂａｒ〜約１ｂａｒの圧力下での表面の所望の処理とに応じ
て、ガスの供給のもと、ガイド構造体１１に入力結合されたマイクロ波によって
プラズマ領域１２にプラズマが発生する。有利には１０ｍｂａｒ〜２００ｍｂａ
ｒの圧力であり、しかもプラズマガスの供給は数ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍ
の典型的なガス流で行われる。しかしこの値は同様に個々に専門家によって、予
備試験を介して各プロセスパラメータに適合させることができる。

【００３２】 図４には供給されるガスの、第２実施例としてのガス供給部３１を介する択一
的なガイドが示されている。この際ガスは基板３０の表面とガイド構造体１１と
の間を通って流れ、孔２６を介しては供給されない。その他の点においてプラズ
マ領域１２でプラズマを発生させるためのパラメータは、図１および図３に示し
た実施例に極めて類似している。

【００３３】 第３実施例においてガイド構造体１は、導波管２１をわずかに変化させて、間
隔をおいた平行な２つの金属プレートから構成している。これらの金属プレート
の中間室は二酸化珪素によって充填されている。その他の点では導体構造体２１
は特に寸法設定、孔および材料に関連して第１実施例および図１に同一に構成さ
れている。平行な２つの金属プレートを導波管２１の代わりに使用することは、
金属プレートの製造を、閉じられた導波管２１と比べて製造技術的に容易にかつ
コスト安に実現できるという利点を有している。この場合、入力結合されたマイ
クロ波のガイドと伝播は両プレートの容量性連結部を介して行われる。ガスの供
給はこの実施例でも同様に図３または図４に基づき説明した前記実施例に類似の
形式で行われる。

【００３４】 図２には別の実施例としてガイド構造体１１の択一的な実施例が示されている
。この場合、入力結合されるマイクロ波のガイドはマイクロストリップ技術でス
トリップ導体２４を介して行われる。さらにこの場合には、ホーン２０が必要で
はない。なぜならばマイクロ波発生機によって発生されたマイクロ波の入力結合
はここでは同軸的な差込部を介して行われるからである。

【００３５】 詳説するとこの実施例では、二酸化珪素のような耐絶縁破壊性の材料から成る
誘電性のプレート２５に、少なくとも２つの、有利には多数の金属製のストリッ
プ導体２４が施される。これらのストリップ導体２４は有利には周波数と、使用
された誘電体とに関連した間隔をおいて互いに平行に延びている。これらのスト
リップ導体２４は有利には、選択的に例えばニッケルのような電気めっき的な補
強部上に施された銅または金から成っている。プラズマ領域１２にプラズマを発
生させかつ維持するための、ストリップ導体２４の最適な間隔は、供給されるガ
スの種類と生ぜしめられる圧力とに関連していて、そのためこのストリップ導体
２４の最適な間隔を簡単な予備検査により検出する必要がある。

【００３６】 さらに図１に類似して、誘電性プレート２５のストリップ導体２４の間には孔
２６が設けられている。ガイド構造体１１および孔２６の寸法に関しては、第１
実施例の前記構成を参照されたい。特にこの場合にも孔２６の内壁２３に誘電性
の被覆体２７を例えばセラミック保護層の形で設けることができる。したがって
これらの孔２６はまた局部的に制限されたプラズマ領域１２を規定する。これら
のプラズマ領域１２では、入力結合されてストリップ導体２４を介してガイドさ
れるマイクロ波によって、ガスの供給時にまたは空気にマイクロ構造体電極放電
が生ぜしめられる。これらの孔２６が十分に密に配置されていると、プラズマ領
域１２で発生するプラズマは結合しあって、横方向の均質のプラズマが生ぜしめ
られる。

【００３７】 図２に基づくガイド構造体１１におけるガスガイドは、すでに説明した実施例
に完全に類似しており、図３または図４に記載した形式の１つによって実施され
る。これによりガスは孔２６を介してガイドされるか、または基板３０とガイド
構造体１１との間を通ってガイドされる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 孔を備えたガイド構造体を有する機器の図である。

【図２】 ガイド構造体の択一的な実施例が示されている。

【図３】 基板をガイド構造体でプラズマ加工する際の第１ガス供給部が示されている。

【図４】 別のガス供給部を有する択一的な実施例が示されている。

【符号の説明】

１ 機器、 １０ 入力結合構造体、 １１ ガイド構造体、 １２ プラズ
マ領域、 ２０ ホーン、 ２１ 導波管、 ２２ 誘電体、 ２３ 内壁、
２４ ストリップ導体、 ２５ プレート、 ２６ 孔、 ３０ 基板、 ３１
ガス供給部、 ４０ プラズマ容量

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G075 AA03 AA30 BA10 CA26 CA47 CA62 CA65 DA02 DA18 EC09 FA01 FB02 FB04 FB20 FC15 4K030 AA09 AA10 AA14 AA17 FA01 JA18

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マイクロ構造体電極放電によって、特に表面の処理、ガスの
   化学変換、または光発生のために、プラズマを発生させるための装置であって、
   プラズマを発生させるための機器（１）が設けられており、該機器（１）が少な
   くとも１つのガイド構造体（１１）を有している形式のものにおいて、 マイクロ波発生機が設けられており、該マイクロ波発生機によって電磁的なマ
   イクロ波が、プラズマを発生させるためにガイド構造体（１１）に入力結合可能
   であることを特徴とする、マイクロ構造体電極放電によってプラズマを発生させ
   るための装置。
2. 【請求項２】 前記機器（１）が少なくとも１つの入力結合構造体（１０）
   を有しており、該入力結合構造体（１０）を介して前記マイクロ波発生機がガイ
   ド構造体（１１）に接続されている、請求項１記載の装置。
3. 【請求項３】 ガイド構造体（１１）が金属製の導波管（２１）であって、
   該導波管（２１）が誘電体（２２）、特に二酸化珪素、セラミックまたはカプト
   ンで充填されている、請求項１記載の装置。
4. 【請求項４】 ガイド構造体（１１）が少なくとも２つの、特に間隔をおい
   て配置された平行な金属プレートからなる装置であって、該金属プレートの中間
   室が誘電体（２２）、特に二酸化珪素で充填されている、請求項１記載の装置。
5. 【請求項５】 ガイド構造体（１１）が、少なくとも２つの金属製の、特に
   平行なストリップ導体（２４）からなる装置であって、該ストリップ導体（２４
   ）が誘電性プレート（２５）、特に二酸化珪素からなる基板上に延在している、
   請求項１記載の装置。
6. 【請求項６】 ガイド構造体（１１）が、平坦であるかまたは湾曲されてお
   り、該ガイド構造体が中央の内部導体を備えた円筒状の形または同軸的な形を有
   している、請求項１記載の装置。
7. 【請求項７】 ガイド構造体（１１）または該ガイド構造体（１１）の周辺
   部が少なくとも１つのプラズマ領域（１２）を有している、請求項１記載の装置
   。
8. 【請求項８】 プラズマ領域（１２）がガイド構造体（１１）に設けられた
   孔（２６）である、請求項７記載の装置。
9. 【請求項９】 前記孔（２６）の少なくとも内壁に誘電性の被覆体、特にセ
   ラミック製の保護層が設けられている、請求項８記載の装置。
10. 【請求項１０】 前記孔（２６）が、１０〜１０００μｍの直径を有してい
    る、請求項８記載の装置。
11. 【請求項１１】 前記複数の孔（２６）の特に規則的な配置が規定されてい
    る、請求項８記載の装置。
12. 【請求項１２】 前記導波管（２１）が１０〜１０００μｍの厚さを有して
    いるか、もしくは前記両金属プレートが１０〜１０００μｍの間隔を有している
    、請求項３または４記載の装置。
13. 【請求項１３】 ガイド構造体（１１）内で、入力結合されたマイクロ波の
    Ｈ_１０−モードがガイドされている、請求項３記載の装置。
14. 【請求項１４】 請求項１から１３までのいずれか１項記載の装置を用いて
    ３次元的に密に隣接し合うガスプラズマを発生させるための方法において、 マイクロ波を、入力連結構造体（１０）を介して入力結合させ、それからガイ
    ド構造体（１１）を介してガイドし、ガイドされた該マイクロ波が、ガスの供給
    された少なくとも１つのプラズマ領域（１２）においてプラズマを発生させるこ
    とを特徴とする、マイクロ構造体電極放電によってプラズマを発生させるための
    方法。
15. 【請求項１５】 ガスを、ガイド構造体（１１）に設けられた孔（２６）を
    介してガイドし、プラズマを該孔（２６）内にかつ／または該孔（２６）の周辺
    部に発生させる、請求項１４記載の方法。
16. 【請求項１６】 供給されたガスを、ガイド構造体（１１）を通してガイド
    するか、または該ガイド構造体（１１）に前記供給されたガスを供給しており、
    その結果ガイド構造体（１１）の表面で少なくとも領域的にプラズマ容量（４０
    ）においてプラズマを発生させる、請求項１４または１５記載の方法。
17. 【請求項１７】 ガスプラズマ形成を０．０１ｍｂａｒ〜１ｂａｒの圧力下
    で行う、請求項１４記載の方法。
18. 【請求項１８】 プラズマ放電領域（１２）にそれぞれ約１ｍＷ〜１Ｗのマ
    イクロ波出力を供給する、請求項１４記載の方法。
19. 【請求項１９】 ガスとして特にアルゴン、ヘリウム、キセノンのような希
    ガス、空気、酸素、水素、アセチレン、メタンまたはガス状もしくは蒸気状の前
    駆体材料を供給する、請求項１４記載の方法。
20. 【請求項２０】 ガスを５０００ｓｃｃｍまでのガス流で供給する、請求項
    １４記載の方法。
21. 【請求項２１】 供給されるマイクロ波の周波数が３００ＭＨｚ〜３００Ｇ
    Ｈｚである、請求項１４記載の方法。
22. 【請求項２２】 請求項１から１３までのいずれか１項記載の装置と、該装
    置を用いる請求項１４〜２１までのいずれか１項記載の方法とを、加工または基
    板（３０）の表面を加工するかまたは活性化させるために、または特に排気ガス
    浄化における化学的な変換させるために、または光を発生させるために、または
    特に基板（３０）の表面のすぐ近傍に位置する、空間的に密に隣接し合うプラズ
    マ容量（４０）の内で、プラズマによって層を基板（３０）に被着させるために
    使用する使用法。