JP2003502875A - 超音波の高速レーザを検出するシステムと方法 - Google Patents

超音波の高速レーザを検出するシステムと方法

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JP2003502875A JP2001505116A JP2001505116A JP2003502875A JP 2003502875 A JP2003502875 A JP 2003502875A JP 2001505116 A JP2001505116 A JP 2001505116A JP 2001505116 A JP2001505116 A JP 2001505116A JP 2003502875 A JP2003502875 A JP 2003502875A
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Abstract

(57)【要約】 レーザ光増幅システムおよび方法により、低増幅シード・レーザ光信号としてレーザ光源から放射されるレーザ光の増幅が得られる。低増幅シード・レーザ光信号は、増幅部品に伝送される。増幅部品は、増幅されたレーザ光信号を発生するためにポンピング・ダイオードにより得られる反転分布の誘導放射によって、低増幅シード・レーザ光信号を増幅する。このシステムと方法は、さらに、増幅されたレーザ光信号に対して出力の行先きに進路指示する。本発明により、材料の非破壊レーザ超音波検査を含めて、高いパルス繰返し数と、改良されたポインティグ安定度と、多様なユーザに対するオプションで可変パルス繰返し数とが得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （技術分野） 本発明は、全体的に言えばレーザ光増幅のためのシステムと方法に関する。さ
らに詳細に言えば、本発明は、高いパルス繰返し数と、改良されたポインティグ
安定度と、材料の非破壊レーザ超音波検査を含む種々の利用のためのオプション
の可変パルス繰返し数とを提供する、固体レーザから放射されるレーザ・ビーム
の増幅を得るシステムと方法に関する。
【０００２】 （背景技術） 種々の応用において、レーザ光を増幅することが要求される。単一モード光フ
ァイバを用いるような長距離通信に対する応用では、減衰した信号レベルを増強
するための光中継器／光増幅器が要求されることがしばしばある。材料を処理す
る応用では、種々の材料の切断および材料の表面を作成するといった機能を実行
するために、非常に高いパワーのレーザ光が要求されることがある。強力なエネ
ルギのレーザ光パルスが要求される応用では、時間的に変化する光増幅またはレ
ーザ光の強度変調のいずれかを得るために、いくつかの構成体が用いられる。
【０００３】 レーザ・ビームを増幅する１つの方法は、その光利得が光ポンピングによって
制御することができるレーザ媒体を用いることである。固体レーザ媒体の光ポン
ピングは、高利得が要求されるレーザ応用に対して、エネルギ状態の反転分布を
生ずるのに用いられる普通の方法であり、従来からの方法である。光ポンピング
される時に高利得が得られるレーザ媒体は、モリブデン・イットリウム・アルミ
ニウム・ガーネット（Ｎｄ3+：ＹＡＧ）、ネオジウム・ガラス（Ｎｄ3+：ガラス
）、エルビウムが添加された光ファイバ（Ｅｒ3+：シリカ）またはルビー・ロッ
ド（Ｃｒ3+：Ａｌ2Ｏ3）のような材料で構成することができる。これらの材料は
、高利得レーザ媒体の候補のほんのいくつかの例であって、光ポンピングされる
時、エネルギ状態の反転分布を保持することができる任意の適切な材料が光増幅
器としての役割を果たすことが可能であることは、当業者には理解されるである
。Ｎｄ3+：ＹＡＧを用いたレーザ媒体がよく利用される。この材料は、1.064 μ
ｍの領域の付近の要求された波長の近くで大きな光利得を与える。それに加えて
、当業者には周知であるその４準位遷移システムが与えられるならば、Ｎｄ3+：
ＹＡＧレーザ媒体により反転分布に関してポンピング繰返し数の線形性が得られ
る。
【０００４】 光ポンピングにより反転分布を有するレーザ媒体の全体を飽和させるための従
来の方法は、レーザ媒体の表面にわたってレーザ・ダイオードの大きなアレイを
分布させて、ポンピング・アレイを形成することである。このポンピング・アレ
イの個々のレーザ・ダイオードから放射される光がレーザ媒体を励起し、高利得
レーザ媒体の中の光ポンピングされて反転した分布のエネルギ遷移準位に対して
、例えば、Ｎｄ3+：ＹＡＧに対しては 1.064μｍの付近で、Ｎｄ3+：ガラスに対
しては1.06μｍの付近で、Ｃｒ3+：Ａｌ2Ｏ3に対しては0.6943μｍの付近で、Ｅ
ｒ3+：シリカに対しては1.55μｍの付近で、非常に高い光利得が得られる。
【０００５】 レーザ光の増幅を実行し、光パルスを発生する総合的な方式は、レーザ媒体の
利得スイッチングを利用する。高エネルギのパルス動作をするレーザ・ビームを
得るこの方法は、その中をレーザ・ビームが伝搬する高利得レーザ媒体に時間的
に変化する利得を生ずるために、高利得レーザ媒体それ自身の光ポンピングがパ
ルス動作をされる。このことにより、時間的に変化する方式で光ポンピングされ
ている高利得レーザ媒体の中をもとのレーザ光源からの光が伝搬した後、パルス
動作をする出力レーザ・ビームが得られる。
【０００６】 光ポンピング・サイクルは、おのおの、光ポンピングにより十分なエネルギ状
態の分布を本質的に発生させる遷移を起こさせることにより、高利得レーザ媒体
に増幅のための閾値に到達させる。光ポンピングが開始する前は、エネルギ状態
の分布は、最初は閾値以下にあり、光増幅は起こらない。高利得レーザ媒体がし
ばらくの間、増幅モードで動作した後、光ポンピングがオフにスイッチされ、エ
ネルギ状態の分布は、その後は消滅する。光ポンピングをオフにすることにより
、分布は、閾値以下に降下し、光ポンピングが再び再開されてエネルギ状態の分
布が再び閾値に到達するまで、光増幅は、中断される。このような方法により、
レーザ光の増幅が起こることができるパルス動作の条件が得られる。このような
方法は、高度に増幅されたレーザ・ビームを単に阻止する方法よりも好ましく、
この設計の考察では電磁エネルギをシャッタ組立体の中に捨てることによる潜在
的な損失エネルギを含む必要がない。この解決方法は、電子的であって、機械的
シャッタ・システムに対する機械部品がなんら組み込まれていないという事実に
より、多くのその他の利点は、固有のものである。
【０００７】 電子的な解決法を得る別の方法は、高利得レーザ媒体の連続した光ポンピング
を保持するために、高エネルギ・パルス動作レーザ・ビームを発生することであ
り、高利得レーザ媒体の損失係数を変調することである。このような損失スイッ
チングを実行する１つの方法は、高利得レーザ媒体の後に続く光共振器キャビテ
ィの中に配置された光吸収体を電子的に変調することである。このような構成体
により、光ポンピングが起こる繰返し数を制御するのとは異なって、高利得レー
ザ媒体を通って進行するレーザ光の損失をユーザが制御することが可能である。
当業者は、レーザ・ビームの強度変調を実行するために電気光結晶の電気的な変
調を含み、高利得レーザ媒体の中に含まれるレーザ光の損失スイッチングを実行
するための種々の方法を思い出すことができる。
【０００８】 このような方法は、光共振器の閾値エネルギ状態の分布の差が共振器の損失係
数に比例するので、利得スイッチング法を延長した１つの方法である。この方法
では、高利得レーザ媒体の光損失が発振を保持するのを妨げる程に大きい時、損
失係数が変調されて断続する周期が得られる。その結果、発振を保持するための
増大したエネルギ状態閾値分布が生じ、高利得レーザ媒体の増大した損失が与え
られる。高利得レーザ媒体の損失係数が増大しなかったならば、エネルギ状態の
分布が発振のために十分に高くても、損失係数が増大した期間中は、光増幅は起
こることはできない。
【０００９】 パルス動作サイクルの損失係数の遷移の期間中、損失が突然に減少する時、減
少した光損失からの結果、エネルギ状態の分布が減少することを開始する。損失
係数が最小である間、エネルギ状態の分布が発振のための閾値条件を越える期間
中、高利得レーザ媒体は、レーザ光を増幅する。しかし、分布が減少を続ける時
、損失係数が変調サイクルの期間中にその最小値にある時間間隔に対応する発振
に対し、分布は、新しく達成されたエネルギ状態閾値以下に最終的に降下する。
【００１０】 高利得レーザ媒体の利得係数または損失係数のいずれかの電子的スイッチング
を実行するこれらの方法は、フラッシュ・ランプ光ポンピングを用いることが多
い。光ポンピングを実行するために、このような光源を用いることは、それでも
って光ポンピングを実行しなければならないレーザ・ビームの最大パルス繰返し
数および強度を含むレーザ光のパルスを得ることにおいて、高利得レーザ媒体の
特性を大幅に制限するいくつかの好ましくない効果をもたらす。このような固有
の問題点は、高いパルス繰返し数を必要とし、限定されたパワー供給を受けてい
る応用に対して、重要な問題点をもたらすことがある。
【００１１】 光ポンピングを行うのにフラッシュ・ランプを用いることによってもたらされ
るまた別の問題点は、フラッシュ・ランプで発生される光のスペクトル幅が大き
いくて、フラッシュ・ランプで発生される光の大部分がエネルギ状態の反転分布
を発生するのに役立っていなく、非常に非効率的であることが立証されているこ
とである。反転分布を発生するのに要求されるスペクトル密度領域の外側のフラ
ッシュ光は、高利得レーザ媒体の中で加熱という形で単に失われる。高利得レー
ザ媒体のこの加熱それ自身が、ビーム・ポインティング・エラーおよび自己収束
を含む好ましくない効果を生ずることがある。高利得レーザ媒体のこの加熱は、
固体結晶の破壊をもたらすようなレベルにまで増大することがあり、それにより
最大ピーク・パワーまたは平均パワーが限定される。
【００１２】 レーザ増幅器をスイッチングすることができるパルス繰返し数は、光ポンピン
グを行うフラッシュランプの物理的性質によって制限される。フラッシュランプ
の電気的スイッチングは、フラッシュランプそれら自身に付随する加熱の問題点
を伴うことが多い。パルス繰返し数のこの上限は、閾値を越えた反転エネルギ状
態分布を発生するためにフラッシュランプが動作しなければならない強度レベル
によって部分的に決定される。例えば、もし着目しているエネルギ遷移がフラッ
シュランプのスペクトル密度の周辺の近くにあるならば、反転分布を発生するた
めに非常に高いパワー・レベルでフラッシュランプが動作することが必要である
。このような状態は、フラッシュランプそれら自身の過大加熱を避けるために、
パルス繰返し数のデューティ・サイクルを少なくとも制限することができる。そ
れに加えて、フラッシュランプが光ポンピングを開始する前に、フラッシュラン
プは、始動時定数を本来的に有する。フラッシュランプは、フラッシュランプを
駆動する電気信号の立上がり遷移には瞬間的には応答しない。その結果、光増幅
器の最大パルス繰返し数は、フラッシュランプの始動に対応する時定数によって
限定される。フラッシュランプの固有のこの応答限界による別の結果は、このよ
うなレーザ増幅システムを用いて発生することができるパルスの幅に及ぼす下限
である。このような問題点は、フラッシュランプをオンおよびオフにスイッチす
ることができる速度を限定するフラッシュランプの同様な特性から生ずる。発生
することができる最小パルス幅は、フラッシュランプの始動時定数とオフになっ
た時にフラッシュランプからの放射の消失減衰との考察を含めて、フラッシュラ
ンプがオンになることができおよび、オフになることができる最小時間によって
規定されることが多い。
【００１３】 本発明は、材料の非破壊レーザ超音波検査および種々の他の利用のために、高
いパルス繰返し数と、改良されたポインティング安定度と、オプションの可変パ
ルス繰返し数とを生じ、固体レーザからのレーザ・ビームを増幅するシステムと
方法を得るために、高速レーザ誘起超音波を検出する従来のシステムおよび方法
の問題点および限界を解決および除去する。
【００１４】 （発明の開示） 本発明の１つの特徴に従い、低増幅シード・レーザ光信号を発生する段階を含
み、高いパルス繰返し数で増幅されたレーザ・ビームを発生する方法が得られる
。この方法は、さらに、低増幅シード・レーザ光信号を増幅部品に伝送する段階
を有する。この低増幅シード・レーザ光信号は、ポンピング・ダイオードにより
得られる分布反転による誘導放射によって、増幅部品の中で増幅される。この増
幅段階により、増幅されたレーザ光信号が得られる。次に、この増幅されたレー
ザ光信号は、出力行先きに向けて進行する。
【００１５】 本発明により、増幅によって誘起される歪みを最小限にすることによってレー
ザ光の物理的性質を保持したまま、固体レーザからのレーザ光を増幅するシステ
ムおよび方法が得られる。要求された線幅を有する単一縦モードを備えた要求さ
れた物理的性質を有するシード・レーザは、高利得レーザ媒体の中を通る。この
高利得レーザ媒体は、この高利得レーザ媒体にわたって分布するレーザ・ダイオ
ードのポンピング・アレイを用いて、光学的にポンピングされる。このポンピン
グ・アレイを駆動する電流は、時間的に変化する信号であることができ、したが
って、このレーザ媒体の中で時間的に変化する光利得およびレーザ作用条件が得
られる。次に、増幅されたこのレーザ・ビームは、レーザ・ダイオードのポンピ
ング・アレイを駆動する電流を構成する時間的に変化する信号の周波数に対応す
るパルス繰返し数でパルス動作をすることができる。
【００１６】 本発明は、非常に安定した中心周波数と線幅とを有する単一縦モードを要求す
ることが多い光干渉法を含む応用のように、特別に細いスペクトル密度、すなわ
ち特別に純粋なスペクトル密度を要求する応用に用いることができる。要求され
た強度レベルとデューティ・サイクルとパルス繰返し数とを有するレーザ光のパ
ルス・ストリームを発生するために、最初のシード・レーザの純粋度が増幅され
るような応用に対しては、レーザ光が反射されてシード・レーザ光源の中に戻る
のを最小限にするために、光アイソレーション組立体を用いることができる。好
ましくない寄生フィードバックは、シード・レーザ光源に悪い影響を及ぼし、そ
の結果、振幅ノイズと多重モード動作とを含むシード・レーザの特性の劣化もた
らすことがある。スペクトルが純粋であるレーザ・ビームを要求する応用に対し
て、このような効果は、大きな損害をもたらすことがある。もとの光源の中に戻
ってくる反射を最小限にするレーザ・ビームの光アイソレーションを得るための
当業者には周知の１つの従来の方法は、ファラデ旋光器と２つの偏光器とを用い
る方法である。この方法では、ファラデ旋光器によって得られる偏光した光波の
非相反的回転を用いることにより、光アイソレーション組立体を光が一方向にだ
け伝搬することが得られる。
【００１７】 高利得レーザ媒体を１回だけ通過するよりももっと大きな増幅を得るために、
増幅されパルス動作するレーザ・ビームを進め、または高利得レーザ媒体を多数
回通過させるように、もとのレーザ・ビームのビーム・スプリットを得るための
付加的な光アイソレーション組立体を本発明の中に組み込むことができる。
【００１８】 本発明により、超音波検出を実行するために光干渉法の中で用いるために要求
される中心周波数と線幅とを含むもとのシード・レーザと同様の物理的性質を有
する増幅され、パルス動作するレーザ・ビームが発生される。それに加えて、光
干渉システムの中での検出のダイナミック・レンジを拡大するために、パルス動
作し、増幅されたレーザ・ビームを変調することができる。レーザ・ビームの強
度変調を得るために、当業者には周知であるように、ポッケル・セル結晶または
カー効果結晶で構成される電気光変調器を用いることができる。
【００１９】 本発明により、レーザ・ダイオードのポンピング・アレイを用いて高利得レー
ザ媒体の光ポンピングを実行することによって、重要な技術的な利点が得られる
。この方法により、レーザ媒体に対する光学的に誘起される加熱を最小限にする
ために、適切なレーザ・ダイオードを用いることによって選定された非常に狭い
波長領域の中で光ポンピングを行うことが可能である。ポンピング・アレイを構
成するレーザ・ダイオードを適切に選定することにより特定の波長領域の中で光
学的ポンピングが行われるように選択することができるという主として事実によ
り、それによって高利得レーザ媒体が着目しているエネルギ遷移レベルの外側の
光ポンピングの放射で照射されることにより大幅な加熱を受けないという主とし
て事実により、この利点が得られる。
【００２０】 本発明により、多数のレーザ・ダイオードで構成されるポンピング・アレイを
用いて光ポンピングを実行することによって、結果として得られる増幅されたパ
ルス動作をするレーザ・ビームのパルス繰返し数を最大にすること、およびパル
ス幅を制御することに対して、別の技術的利点が得られる。本発明に対する最大
パルス繰返し数は、レーザ・ダイオードをオンおよびオフにすることができる速
度によっておよび許容されるデューティ・サイクルによってほぼ決定される。
【００２１】 本発明により、シード・レーザ・ビームの増幅によって誘起される歪みを最小
限にすることによって、別の技術的利点が得られる。光干渉法を含む多くの応用
は、均一な波面と良好なポインティング安定度とを備えた高度に増幅されたビー
ムを要求する。
【００２２】 本発明により、出力レーザ・ビームの強度変調を提供することにより、それに
よって干渉システムの検出のダイナミック・レンジを拡大することにより、また
別の技術的利点が得られる。
【００２３】 添付図面を参照しての下記説明により、本発明およびその利点をさらに完全に
理解することができる。添付図面において、同様な部品には同一な参照番号が付
されている。
【００２４】 （本発明を実施する態様） 本発明の実施例が添付図面に示されている。これらの図面において、同様な部
品および対応する部品には同一な参照番号が付されている。
【００２５】 本発明により、レーザ光の物理的性質を保持しおよび増幅により誘起される歪
みを最小にしながら、固体レーザからのレーザ光の増幅が得られるシステムと方
法が提供される。要求された線幅を有する単一縦モードを備えた要求された物理
的性質を処理するシード・レーザは、高利得レーザ媒体を通過する。このシード
・レーザ光源の中心周波数は、非常にコヒーレントな光を必要とする光干渉法の
ような特定の応用の中で実施するために、適切に選定することができる。高利得
レーザ媒体は、この高利得レーザ媒体にわたって分布するポンピング・レーザ・
ダイオードのアレイを用いて、高利得レーザ媒体が光学的にポンピングされる。
このポンピング・アレイを駆動する電流は、時間的に変化する信号であることが
可能であり、したがって、その場合には、時間的に変化する光学的利得とレーザ
媒体の中で時間的に変化するレーザ作用条件とが得られる。この場合、増幅され
たレーザ・ビームは、レーザ・ダイオードのポンピング・アレイを駆動する電流
で構成される時間的に変化する信号の周波数に対応するパルス繰返し数でパルス
動作を行うことができる。
【００２６】 図１Ａは、光アイソレータ１０を備えた偏光選択組立体を示した図である。光
アイソレータの１つの典型的な構成では、レーザ・ビーム１８は、第１の偏光器
１２を通過する。この偏光した光は、次に、ファラディ旋光器１４を通過する。
このファラデ旋光器により、非相反的な方式で偏光した光を光学的に回転する。
すなわち、ファラデ旋光器を通過した偏光した光は、この材料を通過するレーザ
・ビームの伝搬方向にはかかわらず、１つの方向に、かつ、１つの方向にだけに
回転する。例えば、ファラデ旋光器１４を通過するレーザ・ビーム１８は、レー
ザ・ビーム１８の矢印の方向に伝搬する時に時計回りに回転し、次にレーザ・ビ
ーム１８の矢印と反対の方向に伝搬する時に時計回りに回転する。ファラデ旋光
器１４は、当業者には周知の部品である。ファラデ旋光器１４は、イットリウム
・鉄ガーネット（ＹＩＧ）またはテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）
を含む多数の材料で構成することができる。
【００２７】 第１の偏光器１２は、入力１８からのＰ状態の光だけを透過する。ファラデ旋
光器１４を通過した後、レーザ・ビーム１８は、45°回転する。ファラデ旋光器
の後に半波長板１６が配置される。半波長板１６により、ファラデ旋光器１４と
は反対の方向に偏光面を付加的に45°回転する。矢印の方向に進行するＰ状態に
偏光した光の正味の回転は、ゼロである。半波長板とその作用は、当業者には十
分に周知である。光アイソレータ１０を通してレーザ・ビーム１８の矢印の方向
に進行するＰ状態に偏光した光は、その進行を妨げられることはないが、光アイ
ソレータ１０を通してレーザ・ビーム１８の矢印と反対の方向に進行する光（ラ
ンダムな散乱による偏光していない光）は、その進行が阻止される。このことは
、ファラデ旋光器が偏光した光ビームの非相反的角度回転を示すという事実によ
り生ずる。レーザ・ビーム１８の矢印の方向と反対の方向に進行する光は、偏光
器１２によって偏光され、次に半波長板１６を通り、次にファラデ旋光器１４を
通って、正味で90°回転する。ファラデ旋光器１４は、２つの偏光器１２の間で
角度差の半分だけ光を回転させる。したがって、レーザ・ビーム１８の矢印の方
向と反対の方向に進行する光が偏光器の透過軸に垂直である入射角において、も
との第１の偏光器１２に到達する時、光アイソレータ１０により反射されて戻る
ことが完全に阻止される。実効的には、光アイソレータ１０は、光ダイオードま
たは阻止弁の役割を果たす。
【００２８】 図１Ｂは、偏光選択サーキュラ組立体を示した図である。この偏光選択サーキ
ュラ組立体は、４ポート光デバイス１１で構成され、レーザ・ビームの偏光選択
進路指定が得られる。レーザ・ビーム１８は、偏光ビーム・スプリッタ１７に入
射する。偏光ビーム・スプリッタ１７では、偏光ビーム・スプリッタ１７の１つ
の軸に整合した偏光は、透過し、偏光ビーム・スプリッタ１７の１つの軸に整合
していない偏光は、拒否される。偏光ビーム・スプリッタ１７を透過するレーザ
・ビーム１８の部分は、次にファラデ旋光器１４を通り、次に半波長板１６を通
ってレーザ・ビーム１８を進める。別の偏光ビーム・スプリッタ１７を用いて、
レーザ・ビーム１８の残りの部分を利得路レーザ・ビーム１３と開口路レーザ・
ビーム１５とを有する２つの部分成分に再び進める。４ポート光デバイス１１を
用いて、レーザ・ビーム１８の矢印の方向と反対の方向に反射して戻るのを最小
にしながら、光回路の中の種々の方向にレーザ・ビーム１８の成分を操縦するこ
とを得ることができる。
【００２９】 図２は、レーザ光源２０の第１の構成体を示した図である。この構成体により
、光フィードバックを防止し、半波長板を回転することによりレーザ光の強度変
化を変えることができる。レーザ光源２２は、連続波動作で動作する単一縦光源
で構成することができる。レーザ光源２２から放射されたレーザ・ビーム１８は
、本来的に大幅に偏光しており、半波長板１６は、光アイソレータ１０の中に含
まれる偏光器１２の予め定められた軸に沿って、その偏光を整合することが可能
である。このような構成体を用いて、レーザ光源２２の中にレーザ光が反射して
戻ってくる好ましくないすべての寄生する後方反射光を最小限にする。この反射
して戻ってくる光は、レーザ光源２２の波長のドリフトおよび線幅の増大のよう
な悪い影響を生ずることがある。半波長板１６は、レーザ光源２２を出て、この
光システムの中を進行するレーザ・ビーム１８の強度を変えるために、偏光器１
２の種々の入射角に角度的に整合することができる。当業者には容易に分かるよ
うに、多数の光アイソレータ１０をカスケードに連結して用いることにより、レ
ーザ光源２２の中に光が反射されて戻ってくる可能性をさらに減少させることが
できる。
【００３０】 図３は、レーザ光源３０の別の構成体を示した図である。この構成体により、
光フィードバックを防止し、電気光変調器を用いてレーザ光の強度変化を変える
ことができる。光アイソレータ１０を用いて、反射された光がレーザ光源２２の
中に入ってくるのが防止し、前記で説明した好ましくない効果を防止することが
できる。それに加えて、光ビーム１８が次に光回路の残りの部分を光が進行する
時、レーザ・ビーム１８の強度を変調するために強度変調器３２を光アイソレー
タ１０の前または後のいづれかに配置することができる。当業者には容易に分か
るように、種々の電気光変調器は、一次の電気光効果を用いたポッケルス効果素
子および二次の電気光効果を用いたカー効果素子を含む強度変調器３２の機能を
果たす。ポッケルス・セルに対する材料の最も普通の候補の材料は、ニオブ酸リ
チウム（ＬｉＮｂＯ3）である。
【００３１】 図４は、本発明の１つの可能な実施例を示した図である。この実施例は、４パ
ス・デュアル・ロッド（シングル・ロッドまたは「ｎ」ロッドであることもでき
る。デュアルは、単に１つの例である）レーザ媒体パルス動作レーザ光源４０で
構成される。けれども、他の考察を指示することができるように、光源４０は、
１つのロッドまたは多数のロッドで作成することができることに注目される。こ
の実施例に示されているように、レーザ光源２０は、レーザ・ビーム１８を放射
し、このレーザ・ビーム１８は、アイソレータ１０を通過し、第１のミラー４２
を用いてビーム拡大器４６を通るように進む。ビーム拡大器４６は、レーザ・ビ
ーム１８のビーム幅を拡大する。レーザ・ビーム１８は、自由空間中を本来的に
ガウス的性質で伝搬するので、レーザ・ビーム１８のビーム幅の拡大によりレー
ザ・ビーム１８の発散が最小になる。次に、レーザ・ビーム１８は、４ポート光
デバイス１１を通る。４ポート光デバイス１１の中で、レーザ・ビーム１８は、
利得路レーザ・ビーム１３に進む。この利得路レーザ・ビーム１３は、２つの高
利得レーザ媒体４８を通過し、その後、位相補正板およびファラデ旋光器４９を
通る。ここでは、レーザ・ビーム１８の直線偏光は、45°回転する。
【００３２】 典型的な場合には、Ｎｄ3+：ＹＡＧのような半導体材料は、レーザ・ビームが
それらを通る時レーザ・ビームの偏光状態を劣化させる可能性があるが、Ｎｄ3+ ：ガラスのようなガラス材料で構成される高利得レーザ媒体４８は、本来的にア
モルファスであり、非複屈折性の媒体である。光学的に複屈折性の高利得レーザ
媒体の場合には、位相補正のために調節可能な波長板を用いることにより、シス
テムの特性を改良することができる。位相補正板は、熱的に誘起されることのあ
るロッドのすべての複屈折を補正する。高利得レーザ媒体４８は、光学的にポン
ピングされる時、エネルギ状態の反転分布を保持する任意の材料で構成すること
ができる。次に端ミラー４４で反射され、次にファラデ旋光器４９を通り、そこ
で再び付加的に45°回転し、もとのレーザ・ビーム１８の偏光に対して直交する
。
【００３３】 次に、この反射されたレーザ・ビームは、高利得レーザ媒体４８を２回目の通
過を行い、４ポート光デバイス１１の中に入る。４ポート光デバイス１１の中で
は、レーザ・ビームは、開口路レーザ・ビーム１５の方向に進み、次にミラー４
２で反射されて開口部４３を通る。開口部４３は、利得媒体からの増幅された自
然放射が原因となって生ずる自己発振を最小限にするのに役立つ。レーザ・ビー
ム１５は、端ミラー４４で反射されて、その経路を戻り、４ポート光デバイス１
１に向かって進む。４ポート光デバイス１１では、第３のパスのために高利得レ
ーザ媒体４８を再び通るように進む。その後、レーザ・ビームは、ファラデ旋光
器４９を通り、端ミラー４４に進む。レーザ・ビームは、端ミラー４４で再び反
射されてファラディ旋光器４９を通って進み、高利得レーザ媒体４８を通るその
第１のパスにおけるもとの利得経路レーザ・ビーム１３と同じ直線偏光に変換さ
れる。次に、利得経路レーザ・ビーム１３は、高利得レーザ媒体４８を４回目に
とおり、４ポート光デバイス１１の中に進む。４ポート光デバイス１１では、出
力レーザ・ビーム１９の方向に進んで出力する。
【００３４】 高利得光媒体４８のおのおのは、レーザ・ダイオードのポンピング・アレイ５
１を用いて光学的にポンピングされ、それによりエネルギ状態の反転分布を生ず
る。レーザ・ダイオードのポンピング・アレイ５１は、ポンピング・アレイ５１
のレーザ・ダイオードを動作させるための電流を供給するダイオード駆動装置５
２によって駆動される。増幅されたレーザ光のパルスを発生するために、トリガ
信号５４が用いられてダイオード駆動装置５２が駆動され、それによりポンピン
グ・アレイ５１が動作する。出力レーザ・ビーム１９がパルス動作をするパルス
繰返し数は、ダイオード駆動装置５２をパルス動作させるのに用いられるトリガ
信号５４の周波数によって主として直接的に支配される。光ポンピングをスイッ
チングすることにより高利得レーザ媒体４８の利得スイッチングが得られ、それ
はレーザ光の増幅が起こる条件のパルス動作を得るのに役立つ。その結果、増幅
されたパルス動作をする出力レーザ・ビーム１９が得られる。
【００３５】 図５は、本発明の別の可能な実施例を示した図である。この実施例は、例えば
、デュアル・パス・デュアル・ロッドのレーザ媒体のパルス動作レーザ光源５０
を有する。この実施例は、４パス・デュアル・ロッド・レーザ媒体パルス動作レ
ーザ光源４０に非常によく似ている。その主要な相違点は、４ポート光デバイス
１１が存在せず、それが１つの偏光ビーム・スプリッタ１７で置き換えられてい
ることである。
【００３６】 図６は、本発明の別の可能な実施例を示した図である。この実施例は、例えば
、４パス・単一スラブ・レーザ媒体パルス動作レーザ光源６０を有する。この実
施例は、レーザ・ビーム１８を放射するレーザ光源２０を有する。レーザ・ビー
ム１８は、アイソレータ１０でもってフィードバックすることから隔離され、ビ
ーム拡大器４６によってレーザ・ビーム１８のビーム幅が拡大される。このレー
ザ・ビーム１８のビーム幅が拡大することにより、与えられた本来的なガウス型
の性質で自由空間を伝搬する時のレーザ・ビーム１８の発散が最小限になる。次
に、レーザ・ビーム１８は、偏光ビーム・スプリッタ１７を通る。偏光ビーム・
スプリッタ１７の中では、偏光ビーム・スプリッタ１７の１つの軸に整合した偏
光は、通過し、偏光ビーム・スプリッタ１７の１つの軸に整合していない偏光は
、方向を変えて出力レーザ・ビーム１９の方向に進む。偏光ビーム・スプリッタ
１７を通過するレーザ・ビーム１８の部分は、次にファラデ旋光器１４を通り、
その後、半波長板１６および第２の偏光器１７を通って、レーザ・ビーム１８は
、高利得レーザ媒体４８に向かって進む。表面がほぼブリュースタ角度にあるた
めに、高い効率でＰ状態光が通過するようにスラブが設計される。高利得レーザ
媒体４８は、光学的にポンプされた時にエネルギの反転分布を保持する任意の材
料で構成することができる。次に、レーザ・ビームは、反射ミラー４２で反射さ
れる。この反射されたレーザ・ビームは、次に、第２の反射ミラー４２で反射さ
れ、高利得レーザ媒体４８を２回目に通過し、レーザ・ビーム１５の方向に進み
、次に端ミラー４４で反射されてから高利得レーザ媒体４８に戻るように進んで
３回目の通過を行う。次に、ミラー４４で再び反射されて高利得レーザ媒体４８
を通過する経路を再び進み、４回目の通過を行う。予め定められた入射角に沿っ
てレーザ・ビームを整合するために偏光器１７および半波長板を通る。次に、レ
ーザ・ビーム１８はファラデ旋光器１４を２回目に通る。ファラデ旋光器１４を
通って進行した後、レーザ・ビーム１８は、もとのレーザ・ビームに直交するよ
うに回転されている。レーザ・ビーム１８は、偏光ビーム・スプリッタ１７に入
り、そこで出力レーザ・ビーム１９の方向に進んで外部に出力される。
【００３７】 この実施例では、高利得光媒体４８は、おのおの、レーザ・ダイオードのポン
ピング・アレイ５１を用いて光学的にポンプされ、それによりエネルギ状態の反
転分布が生成される。レーザ・ダイオードのポンピング・アレイ５１は、２つの
ポンピング・アレイ５１のレーザ・ダイオードを動作させるために電流を供給す
るダイオード駆動装置５２によって駆動される。増幅されたレーザ光のパルスを
発生するために、トリガ信号５４が用いられてダイオード駆動装置５２を駆動す
る。ダイオード駆動装置５２は、レーザ・ダイオードのポンピング・アレイ５１
を動作させる。出力レーザ・ビーム１９がパルス動作を行うことができるパルス
繰返し数は、ダイオード駆動装置５２をパルス動作させるのに用いられるトリガ
信号５４の周波数によって主として直接的に支配される。光ポンピングのスイッ
チングにより高利得レーザ媒体４８の利得スイッチングが得られ、このことは、
レーザ光増幅が起こることができる状態のパルス動作を得るのに役立つ。その結
果、増幅されそしてパルス動作をする出力レーザ・ビーム１９が得られる。
【００３８】 図７は、本発明の別の可能な実施例を示した図である。この実施例は、４パス
・デュアル・スラブ・レーザ媒体のパルス動作レーザ光源７０を有する。この実
施例は、図６の実施例におけるのと同じ数のダイオードを用いた４パス・単一ス
ラブ・レーザ媒体のパルス動作レーザ光源６０と非常によく似ている。その主要
な相違点は、第２のスラブ・レーザ媒体４８が存在し、ミラー組立体７２（ミラ
ーまたは被覆体のいづれか）が両方の高利得レーザ媒体４８の上に配置されてい
る点である。この結果、図６のシステムよりも（１つのダイオード当たりの）効
率がさらによく、第２のスラブという小さなコストが付加されるシステムが得ら
れる。
【００３９】 図８は、本発明の別の可能な実施例を示した図である。この実施例は、８パス
・単一スラブ・レーザ媒体のパルス動作レーザ光源８０を有する。この実施例は
、４パス・単一スラブ・レーザ媒体のパルス動作レーザ光源６０に非常によく似
ている。その主要な相違点は、高利得レーザ媒体４８を通してレーザ・ビームを
進める複数の反射ミラー４２が存在し、ミラー組立体７２（ミラーまたは被覆体
のいづれか）が高利得レーザ媒体４８の上に配置されている点である。
【００４０】 図９Ａは、本発明の別の可能な実施例を示した図である。図９Ａは、光ファイ
バ接続路を備えた増幅器５４のリモート・シーディングを有する。レーザ光源２
０は、レーザ・ビーム１８を放射する。レーザ・ビーム１８は、光アイソレータ
１０でもってフィードバックすることから隔離され、入力結合光学装置および偏
光保持単一モード・ファイバ光学装置の中に進む。偏光保持単一モード光ファイ
バは、出力結合光学装置を備えた増幅器５４に結合される。（出力結合光学装置
を備えない）増幅器５４は、図６に示された増幅器部分と同じである。図４、図
５、図７または図８に示された増幅器の方法も用いることができる。レーザ・ビ
ーム１８が結合されないことにより、増幅器５４の長期間の安定度が改良される
。レーザ・ビーム１８が「ウオーク」するレーザであるが、なお光の一部分が偏
光保持単一モード光ファイバの中に結合されるならば、その場合には増幅器５４
の出力は、わずかな量だけ降下する。
【００４１】 図９Ｂは、本発明の別の可能な実施例を示した図である。図９Ｂは、内部変調
器を備えたリモート・シーディングを表す。レーザ光源２０は、レーザ・ビーム
１８を放射する。レーザ・ビーム１８は、光アイソレータ１０でもってフィード
バックすることから隔離される。レーザ・ビーム１８は、振幅変調器、位相変調
器および他のビーム／レーザ調節部品に入力される。偏光保持単一モード・ファ
イバ光学装置の中に入力される前に、レーザ・ビーム１８は、入力結合光学装置
に入力される。レーザ・ビーム１８は、偏光保持単一モード・ファイバ光学装置
から出力結合光学装置に出力される。レーザ・ビーム１８は、図６に示されたの
と同様の方式で増幅される。図４、図５、図７または図８に示された増幅方法を
用いることができる。
【００４２】 本発明により、光ポンピングを実行するためにレーザ・ダイオードを用いるこ
とによって、高利得レーザ媒体の加熱を最小限にすることを含むいくつかの利点
が得られる。非常に狭い波長領域の中で動作するレーザ・ダイオードを用いるこ
とにより、必要なスペクトルの外側の電磁波は、従来の方法のように高利得レー
ザ媒体をほとんど照射しないので、光学的に誘起されるレーザ媒体の加熱は、最
小限になる。
【００４３】 高利得レーザ媒体を光ポンピングするためにレーザ・ダイオードを用いること
により、高速パルス繰返し数および可変パルス繰返し数を可能にすることを含む
付加的な利点が得られる。前に説明した方式で光増幅を実行することにより、本
発明は、シード・レーザ・ビームの増幅によって誘起される歪みを最小限にする
。したがって、もとのシード・レーザ・ビームの物理的性質は、増幅された出力
ビームの中に結果として保持される。光干渉法を含む多くの応用は、高度に増幅
されおよび純粋なスペクトルのレーザ・ビームを要求し、このようなレーザ・ビ
ームは、本発明により得られる。本発明を用いた光干渉法の検出のダイナミック
・レンジを大きくするために、出力レーザ・ビームの強度を変調することができ
る。
【００４４】 本発明が詳細に説明されたけれども、請求項に記載された本発明の範囲内にお
いて種々の変更、置換および代替が可能であることが理解される。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】 光アイソレータを備えた偏光選択組立体を示した図。
【図１Ｂ】 レーザ・ビームの偏光選択的進路指示を提供する４ポート光デバイスを備えた
偏光選択的組立体を示した図。
【図２】 半波長板を回転することによりレーザ光の光フィードバックを防止し、強度変
化を変えることができるレーザ光源の構成体を示した図。
【図３】 電気光変調器を用いてレーザ光の光フィードバックおよび強度変化を防止する
ことができるレーザ光源の別の構成体を示した図。
【図４】 ４パス・デュアル・ロッド・レーザ媒体パルス動作レーザ光源を備えた本発明
の１つの可能な実施例を示した図。
【図５】 ４パス・デュアル・ロッド・レーザ媒体パルス動作レーザ光源を備えた本発明
の別の可能な実施例を示した図。
【図６】 ４パス・単一スラブ・レーザ媒体パルス動作レーザ光源を備えた本発明の別の
可能な実施例を示した図。
【図７】 ４パス・デュアル・スラブ・レーザ媒体パルス動作レーザ光源を備えた本発明
の別の可能な実施例を示した図。
【図８】 ８パス・単一スラブ・レーザ媒体パルス動作レーザ光源を備えた本発明の別の
可能な実施例を示した図。
【図９Ａ】 本発明の別の実施例を示した図。
【図９Ｂ】 本発明のさらに別の実施例を示した図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｓ 3/137 Ｈ０１Ｓ 3/094 Ｓ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ， ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＢＺ，Ｃ Ａ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ， ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，Ｋ Ｅ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ， ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，Ｒ Ｕ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ， ＺＡ，ＺＷ

Claims (36)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 低増幅シード・レーザ光源から低増幅シード・レーザ光信号
    を発生する段階と、 前記低増幅シード・レーザ光信号を増幅部品に伝送する段階と、 増幅されたレーザ光信号を発生するためにポンピング・ダイオードにより得ら
    れる分布反転の誘導放射によって前記増幅部品の中の前記低増幅シード・レーザ
    光信号を増幅する段階と、 前記増幅されたレーザ光信号を出力行先きに進路指定する段階と、 を含む高いパルス繰返し数で増幅されたレーザ・ビームを発生する方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の方法において、前記増幅段階は、前記ポンピ
    ング・ダイオードを備えた前記増幅部品の中の前記低増幅シード・レーザ光信号
    を増幅する段階と、前記増幅媒体を通して前記低増幅シード・レーザ光信号を繰
    返し伝送することにより前記低増幅シード・レーザ光信号を増幅する段階とをさ
    らに含む方法。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の方法において、前記進路指定段階は、前記増
    幅器に付随するアイソレータから前記低増幅シード・レーザ光信号を引き出す段
    階をさらに含む方法。
  4. 【請求項４】 請求項１記載の方法において、前記低増幅シード・レーザ光
    信号の信号源から前記増幅部品を分離する段階をさらに含む方法。
  5. 【請求項５】 請求項１記載の方法において、前記増幅段階は、前記増幅媒
    体としてダイオード・ポンプ・ロッドを用いて前記低増幅シード・レーザ光信号
    を増幅する段階をさらに含む方法。
  6. 【請求項６】 請求項１記載の方法において、前記増幅段階は、前記増幅媒
    体としてダイオード・ポンプ・スラブを用いて前記低増幅シード・レーザ光信号
    を増幅する段階をさらに含む方法。
  7. 【請求項７】 請求項１記載の方法において、前記発生段階は、連続波低増
    幅シード・レーザ光信号を発生する段階をさらに含み、さらに前記増幅段階は、
    予め定められた利得係数の最大利得と前記連続波低増幅シード・レーザ光信号の
    増幅との積を有する前記増幅されたレーザ光信号を発生するために前記連続波低
    増幅シード・レーザ光信号を増幅する段階をさらに含む方法。
  8. 【請求項８】 請求項１記載の方法において、前記低増幅シード・レーザ光
    源の中にフィードバックすることを防止するために前記低増幅シード・レーザ光
    源を前記増幅部品から分離する段階をさらに含む方法。
  9. 【請求項９】 請求項１記載の方法において、前記増幅されたレーザ光信号
    を前記増幅源から引出すために前記増幅部品を前記出力行先きから分離する段階
    をさらに含む方法。
  10. 【請求項１０】 請求項１記載の方法において、 前記低増幅シード・レーザ光を光ファイバを通して前記増幅部品とのインタフ
    ェースであるアイソレータに伝送する段階と、 前記増幅されたレーザ光信号を光ファイバを通して前記増幅部品から前記出力
    行先きに伝送する段階と、 をさらに含む方法。
  11. 【請求項１１】 請求項１記載の方法において、前記発生段階は、前記低増
    幅シード・レーザ光信号のマイクロ秒パルスを発生する段階をさらに含む方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１記載の方法において、前記発生段階は、前記低増
    幅シード・レーザ光信号の可変パルス繰返し数パルスを発生する段階をさらに含
    む方法。
  13. 【請求項１３】 要求された線幅を有するレーザ・ビームを供給するシード
    ・レーザ光源と、 反射されたレーザ光が前記シード・レーザ光源の中にフィードバックすること
    を防止するために前記レーザ・ビームの伝搬路の中に配置された少なくとも１つ
    の光アイソレーション組立体と、 第１の偏光状態の前記レーザ・ビームを第１の伝搬方向に進めるため、および
    少なくとも１つの付加的偏光状態の前記レーザ・ビームを少なくとも１つの付加
    的伝搬方向に進めるために、並びに第１の偏光状態の前記レーザ・ビームまたは
    少なくとも１つの付加的偏光状態の前記レーザ・ビームのいずれか１つの後方反
    射を最小限にするために、前記レーザ・ビームの伝搬路に整合した偏光選択組立
    体と、 前記レーザ・ビームを増幅し、レーザ光の出力パルスを発生するために少なく
    とも１つの高利得レーザ媒体の中にエネルギ状態の反転分布を発生することに対
    し少なくとも１つの前記高利得レーザ媒体を光学的にポンピングするために第１
    の偏光状態の前記レーザ・ビームまたは少なくとも１つの付加的偏光状態の前記
    レーザ・ビームのいずれかの伝搬路に整合した少なくとも１つの前記高利得レー
    ザ媒体にわたって分布した多数のレーザ・ダイオードを有する少なくとも１つの
    ポンピング・アレイと、 を含むレーザ・ビームを増幅しレーザ光の出力パルスを発生するシステム。
  14. 【請求項１４】 請求項１３記載のシステムにおいて、 少なくとも１つの前記高利得レーザ媒体を光学的にポンピングするために多数
    の前記レーザ・ダイオードに電流を供給するダイオード駆動装置と、 少なくとも１つの前記ポンピング・アレイに供給される前記電流をスイッチン
    グするために前記ダイオード駆動装置にトリガ信号を供給することにより前記高
    利得レーザ媒体の光ポンピングをパルス動作させるトリガ信号と、 をさらに含むシステム。
  15. 【請求項１５】 請求項１３記載のシステムにおいて、少なくとも１つの前
    記光アイソレーション組立体は、 前記レーザ・ビームを偏光するための第１の偏光器と、 前記レーザ・ビームの非相反的角度回転を得るファラデ旋光器と、 第２の偏光器の予め定められた入射角に沿って前記レーザ・ビームを整合させ
    る半波長板と、 を含むシステム。
  16. 【請求項１６】 請求項１３記載のシステムにおいて、少なくとも１つの前
    記高利得レーザ媒体を通して前記レーザ・ビームを反射して前記偏光選択組立体
    の中に戻す端ミラーをさらに含み、前記偏光選択組立体は、 前記レーザ・ビームの前記伝搬路の中に偏光ビーム・スプリッタと、 前記レーザ・ビームの前記伝搬路に沿って前記偏光ビーム・スプリッタと前記
    端ミラーとの間に配置されたファラデ旋光器と、 を含むシステム。
  17. 【請求項１７】 請求項１３記載のシステムにおいて、少なくとも１つの前
    記高利得レーザ媒体を通して前記レーザ・ビームを反射して前記偏光選択組立体
    の中に戻すための端ミラーをさらに含み、前記偏光選択組立体は、 前記レーザ・ビームの前記伝搬路の中に偏光ビーム・スプリッタと、 前記レーザ・ビームの前記伝搬路に沿って前記偏光ビーム・スプリッタと前記
    端反射ミラーとの間に配置された四分の一波長板と、 を含むシステム。
  18. 【請求項１８】 請求項１３記載のシステムにおいて、少なくとも１つの前
    記高利得レーザ媒体を通して前記レーザ・ビームを反射して前記偏光選択組立体
    の中に戻すための少なくとも１つの端ミラーをさらに含み、前記偏光選択組立体
    は、 前記レーザ・ビームの前記伝搬路の中の第１の偏光ビーム・スプリッタと、 前記第１の偏光ビーム・スプリッタの後に前記レーザの前記伝搬路に前記レー
    ザ・ビームの非相反的角度回転を得るファラデ旋光器と、 第２の偏光ビーム・スプリッタの予め定められた入射角に沿って前記レーザ・
    ビームを整合させるために前記レーザ・ビームの前記伝搬路の中の半波長板と、 前記レーザ・ビームの前記伝搬路に沿って前記第２の偏光ビーム・スプリッタ
    と少なくとも１つの前記端反射ミラーとの間に配置された四分の一波長板と、 を含むシステム。
  19. 【請求項１９】 請求項１３記載のシステムにおいて、少なくとも１つの前
    記高利得レーザ媒体を通して前記レーザ・ビームを反射して前記偏光選択組立体
    の中に戻すための少なくとも１つの端ミラーをさらに含み、前記偏光選択組立体
    は、 前記レーザ・ビームの前記伝搬路の第１の偏光ビーム・スプリッタと、 前記第１の偏光ビーム・スプリッタの後に前記レーザの前記伝搬路に前記レー
    ザ・ビームの非相反的角度回転を得るファラデ旋光器と、 第２の偏光ビーム・スプリッタの予め定められた入射角に沿って前記レーザ・
    ビームを整合させるために前記レーザ・ビームの前記伝搬路の中の半波長板と、 前記レーザ・ビームの前記伝搬路に沿って前記第２の偏光ビーム・スプリッタ
    と少なくとも１つの前記端反射ミラーとの間に配置された少なくとも１つの付加
    的ファラデ旋光器と、 を含むシステム。
  20. 【請求項２０】 請求項１３記載のシステムにおいて、前記レーザ・ビーム
    の発散を最小限にするビーム拡大器をさらに含むシステム。
  21. 【請求項２１】 請求項１３記載のシステムにおいて、前記レーザ光増幅シ
    ステムを通して前記レーザ・ビームを進め、および反射する複数のミラーをさら
    に含むシステム。
  22. 【請求項２２】 請求項１３記載のシステムにおいて、少なくとも１つの前
    記高利得レーザ媒体は、光ポンピングを最大にするための反射組立体を備えた固
    体レーザ媒体を含むシステム。
  23. 【請求項２３】 請求項１３記載のシステムにおいて、前記レーザ・ビーム
    の単一縦モードを保持しながら前記高利得レーザ媒体を通して前記レーザ・ビー
    ムの多重通過を得るために、少なくとも１つの前記高利得レーザ媒体は、前記レ
    ーザ・ビームの少なくとも１つの予め定められた入射角および少なくとも１つの
    予め定められた出射角を提供する入口表面および出口表面を備えた固体レーザ媒
    体を含むシステム。
  24. 【請求項２４】 請求項１３記載のシステムにおいて、少なくとも１つの前
    記高利得レーザ媒体は、光ポンピングによりエネルギ状態の反転分布を生ずるこ
    とができるガラス・ロッド・レーザ媒体を含むシステム。
  25. 【請求項２５】 請求項１３記載のシステムにおいて、前記レーザ・ビーム
    の強度を変調するために信号処理装置によって駆動される電気光結晶をさらに含
    むシステム。
  26. 【請求項２６】 請求項１３記載のシステムにおいて、前記レーザ・ビーム
    の強度を変えるために偏光器の少なくとも１つの予め定められた入射角に沿って
    前記レーザ・ビームを整合させるために半波長板をさらに含むシステム。
  27. 【請求項２７】 請求項１３記載のシステムにおいて、少なくとも１つの前
    記高利得レーザ媒体の温度を監視するために、並びに前記光ポンピングの効率を
    最大し、シード・レーザ光源によって発生された前記レーザ・ビームの少なくと
    も１つの要求された光学的性質を保持する温度信号を得るために、温度センサを
    さらに含むシステム。
  28. 【請求項２８】 請求項１３記載のシステムにおいて、少なくとも１つの前
    記高利得レーザ媒体は、光学的に等方的であるレーザ媒体を含むシステム。
  29. 【請求項２９】 要求された線幅を有するレーザ・ビームを供給するシード
    ・レーザ光源と、 反射されたレーザ光が前記シード・レーザ光源にフィードバックされることを
    防止するために前記レーザ・ビームの伝搬路の中に整合された少なくとも１つの
    光アイソレーション組立体と、 を含み、前記光アイソレーション組立体は、 前記レーザ・ビームを偏光するための第１の偏光器と、 前記レーザ・ビームの非相反的角度回転を得るファラデ旋光器と、 第２の偏光器の予め定められた入射角に沿って前記レーザ・ビームを整合さ せる第２の半波長板と、 前記レーザ・ビームの偏光を保持する第２の偏光器と、 を含み、 前記第１の偏光器の少なくとも１つの予め定められた入射角に沿って前記レー
    ザ・ビームを整合させるために前記レーザ・ビームの前記伝搬路に整合された第
    １の半波長板と、 前記レーザ・ビームの発散を最小限にするために前記レーザ・ビームの前記伝
    搬路に整合されたビーム拡大器と、 前記レーザ光増幅システムを通して前記レーザ・ビームを進め、および反射す
    る複数のミラーと、 前記レーザ・ビームの第１の偏光状態を第１の方向に進め、および前記レーザ
    ・ビームの少なくとも１つの付加的な偏光状態を少なくとも１つの付加的な方向
    に進めるために、前記レーザ・ビームの前記伝搬路に整合された偏光ビーム・ス
    プリッタと、 少なくとも１つの偏光状態の前記レーザ・ビームが前記偏光ビーム・スプリッ
    タに反射されて戻ってくるのを最小限にするために前記レーザ・ビームの前記伝
    搬路に整合された四分の一波長板または第２のファラデ旋光器のいずれかの少な
    くとも１つと、 エネルギ状態の反転分布を発生し前記レーザ・ビームを増幅するために前記レ
    ーザ・ビームの前記伝搬路に整合された少なくとも１つの高利得ダイオード・ポ
    ンプ・レーザ増幅器と、 を含み、前記高利得ダイオード・ポンプ・レーザ増幅器は、 高利得レーザ媒体と、 前記高利得レーザ媒体にわたって分布した多数のレーザ・ダイオードで構成 される少なくとも１つのポンピング・アレイと、 前記高利得レーザ媒体を光学的にポンピングするために多数の前記レーザ・ ダイオードに電流を供給するダイオード駆動装置と、 少なくとも１つのポンピング・アレイに供給される電流をスイッチングし前 記高利得レーザ媒体の光利得をスイッチングするためにトリガ信号を前記ダイ オード駆動装置に供給することにより前記高利得レーザ媒体の光学的ポンピン グをパルス動作させるトリガ信号と、 を含み、 少なくとも１つの高利得ダイオード・ポンプ・レーザ増幅器を通して前記レー
    ザ・ビームを反射して戻すために前記レーザ・ビームの前記伝搬路に整合された
    端ミラーと、 を含むレーザ・ビームを増幅しレーザ光の出力パルスを発生するシステム。
  30. 【請求項３０】 シード・レーザ光源が要求された線幅を有するレーザ・ビ
    ームを供給するために前記レーザ・ビームの伝搬路に配置された少なくとも１つ
    の光アイソレーション組立体を用いることにより、反射されたレーザ光が前記シ
    ード・レーザ光源に戻ってフィードバックされることを防止する段階と、 偏光選択組立体が前記レーザ・ビームの第１の偏光状態または少なくとも１つ
    の付加的な偏光状態のいずれかの１つの後方反射を最小限にするために、前記レ
    ーザ・ビームの前記伝搬路に整合された偏光選択組立体を用いて第１の偏光状態
    の前記レーザ・ビームを第１の伝搬方向に進める段階および少なくとも１つの付
    加的な偏光状態の前記レーザ・ビームを少なくとも１つの付加的な伝搬方向に進
    める段階と、 前記レーザ・ビームを増幅しレーザ光の出力パルスを発生するために少なくと
    も１つの高利得レーザ媒体の中にエネルギ状態の分布反転を発生するように、少
    なくとも１つの前記高利得レーザ媒体にわたって分布する多数のレーザ・ダイオ
    ードで構成された少なくとも１つのポンピング・アレイを用いて第１の偏光状態
    の前記レーザ・ビームまたは少なくとも１つの付加的な偏光状態の前記レーザ・
    ビームのいずれかの伝搬路に整合された少なくとも１つの前記高利得レーザ媒体
    を光学的にポンピングする段階と、 を含むレーザ・ビームを増幅しレーザ光の出力パルスを発生する方法。
  31. 【請求項３１】 請求項３０記載の方法において、 少なくとも１つの前記高利得レーザ媒体を光学的にポンピングするためにダイ
    オード駆動装置を用いて多数の前記レーザ・ダイオードに電流を供給する段階と
    、 少なくとも１つの前記ポンピング・アレイに供給される電流をスイッチングす
    るために前記ダイオード駆動装置にトリガ信号を供給することにより前記高利得
    レーザ媒体の光学的ポンピングをパルス動作させる段階と、 をさらに含む方法。
  32. 【請求項３２】 請求項３０記載の方法において、ビーム拡大器を用いて前
    記レーザ・ビームの発散を最小限にする段階をさらに含む方法。
  33. 【請求項３３】 請求項３０記載の方法において、複数のミラーを用いて前
    記レーザ増幅システムを通して前記レーザ・ビームを進めるおよび反射する段階
    をさらに含む方法。
  34. 【請求項３４】 請求項３０記載の方法において、少なくとも１つの前記高
    利得レーザ媒体は、光ポンピングを最大にするために反射組立体を備えた固体レ
    ーザ媒体を含む方法。
  35. 【請求項３５】 請求項３０記載の方法において、前記レーザ・ビームが単
    一縦モードを保持したまま前記高利得レーザ媒体を通して前記レーザ・ビームの
    多数回の透過を得るために、少なくとも１つの前記高利得レーザ媒体は、前記レ
    ーザ・ビームの少なくとも１つの予め定められた入射角および少なくとも１つの
    予め定められた出射角を得る入口表面および出口表面を備えた固体レーザ媒体を
    含む方法。
  36. 【請求項３６】 請求項３０記載の方法において、少なくとも１つの前記高
    利得レーザ媒体は、光ポンピングによりエネルギ状態の反転分布を発生すること
    ができるガラス・ロッド・レーザ媒体を含む方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005251981A (ja) * 2004-03-04 2005-09-15 Japan Atom Energy Res Inst 固体レーザーの増幅法
JP2007059471A (ja) * 2005-08-22 2007-03-08 Hamamatsu Photonics Kk 光増幅器およびｍｏｐａレーザ装置

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7286241B2 (en) * 1999-06-24 2007-10-23 Lockheed Martin Corporation System and method for high-speed laser detection of ultrasound
EP1305617A2 (en) * 2000-07-13 2003-05-02 National Research Council Of Canada Laser-ultrasonic testing system
US7110171B2 (en) * 2003-10-30 2006-09-19 Metal Improvement Company, Llc Relay telescope including baffle, and high power laser amplifier utilizing the same
US7291805B2 (en) * 2003-10-30 2007-11-06 The Regents Of The University Of California Target isolation system, high power laser and laser peening method and system using same
US7209500B2 (en) * 2003-10-30 2007-04-24 Metal Improvement Company, Llc Stimulated Brillouin scattering mirror system, high power laser and laser peening method and system using same
US7821646B2 (en) * 2008-05-15 2010-10-26 Lockheed Martin Corporation Method and apparatus for generating mid-IR laser beam for ultrasound inspection
US8243280B2 (en) * 2008-05-20 2012-08-14 Iphoton Solutions, Llc Laser ultrasonic measurement system with movable beam delivery
WO2012019189A2 (en) 2010-08-06 2012-02-09 Par Systems, Inc. Containerized systems
JP5502767B2 (ja) 2011-01-11 2014-05-28 株式会社アドバンテスト 光源装置、光信号発生装置、および電気信号発生装置
EP3043429A4 (en) 2013-09-02 2017-05-03 Mitsubishi Electric Corporation Laser amplification device
US9748725B2 (en) * 2014-04-04 2017-08-29 Advanced Optowave Corporation Multipass fiber amplifiers
US9531149B2 (en) * 2014-04-04 2016-12-27 Advanced Optowave Corporation Multipass fiber amplifiers
TWI576199B (zh) 2014-11-12 2017-04-01 財團法人工業技術研究院 背隙自動偵測系統及方法
US11588293B2 (en) * 2017-11-21 2023-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Methods and systems for aligning master oscillator power amplifier systems
US11715925B2 (en) * 2018-02-20 2023-08-01 Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Polarization preserving bidirectional optical element
CN113783095B (zh) * 2021-09-10 2023-08-01 安徽光智科技有限公司 一种端面泵浦固体激光器

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05327103A (ja) * 1992-05-25 1993-12-10 Mitsui Petrochem Ind Ltd 固体レーザ装置
JPH06120596A (ja) * 1992-10-06 1994-04-28 Mitsubishi Electric Corp リング型レーザ発振装置
JPH0794816A (ja) * 1993-09-22 1995-04-07 Nippon Steel Corp 再生増幅器
JPH07142799A (ja) * 1993-11-19 1995-06-02 Sangyo Souzou Kenkyusho レーザビーム再生増幅器
JPH08181371A (ja) * 1994-12-22 1996-07-12 Fujikura Ltd パルス光源
JPH09181378A (ja) * 1995-12-25 1997-07-11 Japan Atom Energy Res Inst 固体レーザー増幅器及び固体レーザー装置
JPH09512962A (ja) * 1994-11-23 1997-12-22 ノーザン・テレコム・リミテッド ダイオードレーザにおいて極めてパルス幅の短いパルスを生成する光ｑスイッチング
JPH1041565A (ja) * 1996-07-18 1998-02-13 Hamamatsu Photonics Kk 固体レーザ増幅器
WO1998022999A1 (de) * 1996-11-19 1998-05-28 Daimler-Benz Ag Laser- und verstärkersystem zur erzeugung einfrequenter laserstrahlung
JPH10509280A (ja) * 1994-11-15 1998-09-08 ジェイ・エム・エー・アール・テクノロジー・カンパニー 低コスト、高平均出力、高輝度ソリツドステートレーザ
JPH10268369A (ja) * 1997-03-21 1998-10-09 Imra America Inc 光パルス増幅装置、チャープパルス増幅装置およびパラメトリック・チャープパルス増幅装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4515431A (en) 1982-08-11 1985-05-07 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Fiber optic amplifier
US4553238A (en) 1983-09-30 1985-11-12 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford University Fiber optic amplifier
US5048026A (en) 1983-09-30 1991-09-10 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Fiber optic amplifier
US5271031A (en) 1985-05-01 1993-12-14 Spectra Physics Laser Diode Systems High efficiency mode-matched solid-state laser with transverse pumping and cascaded amplifier stages
US4713822A (en) 1985-05-24 1987-12-15 Amada Engineering & Service Co., Inc. Laser device
FR2648962B1 (fr) 1989-06-23 1994-09-09 Thomson Csf Structure d'illumination d'un barreau laser, a sources optiques defocalisees
US5200972A (en) 1991-06-17 1993-04-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy ND laser with co-doped ion(s) pumped by visible laser diodes
US5172388A (en) 1991-07-23 1992-12-15 International Business Machines Corporation Method and apparatus for an increased pulse repetition rate for a CW pumped laser
US5432811A (en) * 1993-03-04 1995-07-11 Tecnal Products, Inc. Laser rod with polyhedron shaped ends
CA2141599A1 (en) 1993-06-02 1994-12-08 Douglas W. Anthon Depolarized solid-state diode-pumped laser
US5335236A (en) 1993-06-03 1994-08-02 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Long pulse production from short pulses
US5608166A (en) 1995-10-12 1997-03-04 National Research Council Of Canada Generation and detection of ultrasound with long pulse lasers
JP3861306B2 (ja) * 1996-01-18 2006-12-20 Ｋｄｄｉ株式会社 光パルス発生装置
US5790303A (en) 1997-01-23 1998-08-04 Positive Light, Inc. System for amplifying an optical pulse using a diode-pumped, Q-switched, intracavity-doubled laser to pump an optical amplifier
US5930282A (en) 1997-05-19 1999-07-27 General Electric Company Method and apparatus for adjusting the pump distribution in a laser
CA2242670A1 (en) 1997-07-14 1999-01-14 Mitel Semiconductor Ab Field modulated vertical cavity surface-emitting laser with internal optical pumping
JP3065980B2 (ja) 1998-01-07 2000-07-17 日本電気株式会社 光増幅器
US6134258A (en) 1998-03-25 2000-10-17 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Transverse-pumped sLAB laser/amplifier
US6157663A (en) 1998-04-16 2000-12-05 3D Systems, Inc. Laser with optimized coupling of pump light to a gain medium in a side-pumped geometry
US6094447A (en) 1998-06-12 2000-07-25 Lockheed Martin Corporation System and method for reducing wavefront distortion in high-gain diode-pumped laser media
US5991315A (en) 1998-09-03 1999-11-23 Trw Inc. Optically controllable cooled saturable absorber Q-switch slab

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05327103A (ja) * 1992-05-25 1993-12-10 Mitsui Petrochem Ind Ltd 固体レーザ装置
JPH06120596A (ja) * 1992-10-06 1994-04-28 Mitsubishi Electric Corp リング型レーザ発振装置
JPH0794816A (ja) * 1993-09-22 1995-04-07 Nippon Steel Corp 再生増幅器
JPH07142799A (ja) * 1993-11-19 1995-06-02 Sangyo Souzou Kenkyusho レーザビーム再生増幅器
JPH10509280A (ja) * 1994-11-15 1998-09-08 ジェイ・エム・エー・アール・テクノロジー・カンパニー 低コスト、高平均出力、高輝度ソリツドステートレーザ
JPH09512962A (ja) * 1994-11-23 1997-12-22 ノーザン・テレコム・リミテッド ダイオードレーザにおいて極めてパルス幅の短いパルスを生成する光ｑスイッチング
JPH08181371A (ja) * 1994-12-22 1996-07-12 Fujikura Ltd パルス光源
JPH09181378A (ja) * 1995-12-25 1997-07-11 Japan Atom Energy Res Inst 固体レーザー増幅器及び固体レーザー装置
JPH1041565A (ja) * 1996-07-18 1998-02-13 Hamamatsu Photonics Kk 固体レーザ増幅器
WO1998022999A1 (de) * 1996-11-19 1998-05-28 Daimler-Benz Ag Laser- und verstärkersystem zur erzeugung einfrequenter laserstrahlung
JPH10268369A (ja) * 1997-03-21 1998-10-09 Imra America Inc 光パルス増幅装置、チャープパルス増幅装置およびパラメトリック・チャープパルス増幅装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005251981A (ja) * 2004-03-04 2005-09-15 Japan Atom Energy Res Inst 固体レーザーの増幅法
JP2007059471A (ja) * 2005-08-22 2007-03-08 Hamamatsu Photonics Kk 光増幅器およびｍｏｐａレーザ装置

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